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紫光国芯发布GDDR6控制器芯片:12nm工艺 速率可达16Gbps

2020-11-09 10:34 次阅读

日前西安紫光国芯宣布推出12nm工艺的GDDR6存储控制器和物理接口IP(GDDR6MC/PHYIP)。紫光国芯之前做过DDR内存芯片,还有就是NAND闪存,推出显存相关的IP芯片还是第一次,而且水准不低。

制程工艺使用的是GF格芯的12nmLP低功耗工艺,做的也是GDDR6存储控制器和物理接口IP(GDDR6MC/PHYIP),可以理解为GDDR6显存的主控芯片。

根据紫光国芯介绍,这个GDDR6MC/PHYIP包括一个可配置的内存控制器(MC),其完全符合DFI3.1和AMBAAXI4.0标准,并允许设计工程师生成具有优化延迟和带宽的GDDR6控制器以满足高性能应用的要求,如显卡,游戏机和AI计算等。


该IP针对功耗和性能进行了优化设计,西安紫光国芯的GDDR6物理接口(PHY)提供了高达12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的数据速率,同时兼容JEDEC250和DFI3.1标准。

物理接口(PHY)部分还嵌入了高性能锁相环以满足严格的时序规范。

与主流GDDR6存储颗粒集成,经过流片测试验证,该IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps数据率时满足设计规格要求。且当数据率为16Gbps时,平均每个DQ的最大功耗小于4mW/Gbps。

目前,紫光国芯的GDDR6MC/PHYIP已经在格芯的12LP工艺平台上架。

本文由电子发烧友综合报道,内容参考自西安紫光国芯、CnBeta,转载请注明以上来源。

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