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射频到底长什么样?5G的射频系统有变化吗?

电子设计 2021-03-24 12:02 次阅读

手机,作为移动互联网时代的标配,已经走进了我们每个人的生活。有了它,我们可以随心所欲地聊天、购物、追剧,享受美好的人生。

正因为手机如此重要,所以人们对相关技术的发展十分关注。每当有新品发布,媒体会进行长篇累牍的报道,社交网络上也会掀起热烈的讨论。

然而,人们对手机的关注,往往集中在CPUGPU、基带、屏幕、摄像头上。有那么一个特殊的部件,对手机来说极为重要,却很少有人留意。

是哪个部件呢?没错,它就是我们今天文章的主角——射频

什么是射频

射频,英文名是Radio Frequency,也就是大家熟悉的RF。从字面上来说,Radio Frequency是无线电频率的意思。射频信号,则特指频率范围在300KHz~300GHz的无线电磁波。

大家都知道,手机之所以能够和基站进行通信,靠的就是互相收发无线电磁波。

手机里专门负责收发无线电磁波的一系列电路、芯片、元器件等,被统称为射频系统,简称“射频”(下同)。

射频和基带,是手机实现通信功能的基石。如果我们把手机与外界的通信看作是一项“快递服务”,那么,基带的职责是对数据进行“打包/拆包”。而射频的职责,则是将“包裹”通过指定的无线电频段发射出去/接收下来。

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示意图:左边是基带,右边是射频

射频到底长什么样?下面这张,是某品牌手机的主电路板正反面布局图。

(图片来自ABI Research)

图中,黄色圈出的部分,全部属于射频。可以看出,射频元件在手机构造中,占据了不小的比例。

从架构上来看,一套完整的射频系统包括射频收发器、射频前端、天线三个部分。射频前端又包括功率放大器、包络追踪器、低噪声放大器、滤波器、天线开关、天线调谐器等多个组件。

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射频的架构

射频前端各个组件的作用并不复杂。例如,放大器,就是把信号放大,让信号传得更远;滤波器,是把杂波去掉,让信号更 “纯净”;天线开关,用于控制天线的启用与关闭;天线调谐器,主要作用是“摆弄”天线,获得最好的收发效果……

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数量众多的射频组件,相互配合,分工协作,就是为了完成“临门一脚”,把基带打包好的数据,“biu~biu~biu~”地发射出去。

如果射频设计不合理,元器件性能落后,那么,将直接影响手机的无线信号收发能力,进而影响手机的通信能力。具体表现出来,就是无线信号差,通信距离短,网络速率慢,等等。

换言之,手机的射频能力不行,就好比汽车的动力不足,就算其它功能再花哨,也无法被用户所接受。

所以,手机厂商在研发设计手机时,通常都会在射频方面下足功夫,反复推敲并进行测试验证,才敢推出最终产品。

5G射频的挑战

如今,我们昂首迈入了5G时代。相比传统4G,5G的射频系统有变化吗?

答案是肯定的。不仅有变化,而且是巨变。

5G相比4G,在性能指标上有了大幅的提升。5G的eMBB(增强型移动宽带)场景,将手机速率提升至千兆级甚至万兆级,分别是早期LTE速率(100Mbps)的10倍/100倍。

2G/3G/4G,加上5G,加上MIMO(多天线技术),加上双卡双待,手机的天线数量和支持频段翻倍增加。4G早期只有不到20个频段组合。相比之下,5G有超过10000个频段组合,复杂性堪称恐怖。

与此同时,为了确保用户愿意升(tāo)级(qián),5G手机的厚度和重量不能增加,功耗不能增加,待机时长不能减少。

换做你是手机厂商,你会不会抓狂?

所以说,5G手机的射频,必须重塑自我,大力出奇迹搞创新。

到底该如何解决射频系统的设计难题呢?高通提出了一个宏观的思路,直接提供“完整的调制解调器及射频系统”。通俗理解,就是把基带、射频收发器、射频前端、天线模组、软件框架等,全部都做好,给厂商一套完整的方案。

也就是说,5G手机等终端元器件设计的理念,必须摒弃以往“东市买骏马,西市买鞍鞯,南市买辔头,北市买长鞭”专注于单个元件的思路,转而采用“打包设计”的一体化系统级解决方案。

例如,以前是A厂造基带,B厂造射频,C厂造天线,然后手机D厂自己捣鼓如何整合和对接。现在,改成有实力的大厂直接把基带、射频和天线等一起打包设计好,然后交给手机厂商,拿了就能快速使用。

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系统级集成,是5G基带和射频复杂度大幅提升的必然结果。

这就好比是火车。以前绿皮车的车速慢,车厢和车头可以分开设计、制造,然后拼在一起运行。但是,到了高铁时代,速度指标翻倍,如果继续分开设计、制造,车厢和车头不能深度协同,不仅速度指标难以实现,还可能出现安全问题。

所以,高铁的动车组,通常都是统一设计和制造的。

也就是说,面对前面提及的苛刻5G指标,需要站在系统级集成的角度,对基带和射频进行整体设计。这样一来,才能让两者实现完美的软硬件协同,发挥最佳性能(吞吐率、覆盖范围等)。

除了达成指标之外,整合设计也有利于缩减系统的最终尺寸,减少对手机空间的占用。对于系统功耗和散热控制来说,整合设计也有明显优势。

最后一点,也是很重要的一点,提供系统级整合方案,可以降低手机厂商的设计难度,方便他们以更快的速度推出产品,抢占市场。

5G射频的黑科技

我们来具体看看,系统级集成的5G射频,到底有哪些有趣的黑科技。

首先,第一个黑科技,就是宽带包络追踪。

前面介绍射频架构的时候,里面就有一个功率追踪器。功率追踪器是配合功率放大器使用的。

功率放大器是射频的核心元件,它就像一个喇叭,把小声音(信号)变成大声音(信号)。

想要把喇叭吹响,肯定需要鼓足力气(电源供电)。功率追踪器的作用,就是控制吹喇叭的力度(功率)。

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传统的吹法,是APT法,也就是平均功率追踪。某一时间段内,吹的力量保持不变。

而宽带包络追踪(ET)技术,可以精确地控制力量。也就是说,基带(调制解调器)可以根据信号的变化,控制射频里的包络追踪器,进而精准控制无线信号的发射功率。

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包络追踪的虚耗电量明显小于传统平均功率追踪(图片来自高通)

这样一来,体力(能量)大幅节约了,射频的功耗也就下降了,手机的待机时间得以增加。

精准的发射功率控制,帮助手机获得最佳的信号发射效率,从而获得更好的信道质量。在手机与基站“双向沟通”过程中,当手机获得更好的信道质量时,基站就能支持手机实现更优的上下行业务,例如支持2×2 MIMO,网速更加丝滑。此外,更好的信道质量,也为基站侧给手机分配更高阶的调制方式(例如256QAM)创造了条件,可以提升手机吞吐率,支持更快更优的数据传输业务。

高通此前发布的几代骁龙5G调制解调器及射频系统集成的宽带包络追踪器,就已经采用了上述技术。而其最新的宽带包络追踪器QET7100,与目前市场上其它厂商提供的最先进产品相比,能效提升了30%。

我们介绍的第二个黑科技,就是AI辅助信号增强技术。

这个技术是2月份刚推出的骁龙X65 5G调制解调器及射频系统中最新发布的新技术,也是行业里首次将大热的AI技术引入手机射频系统,用于增强信号。

AI辅助信号增强技术的核心,就是将AI技术引入天线调谐系统。天线调谐分为两种方式,一个是阻抗匹配,另一个是孔径调谐。

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我们先看看阻抗匹配。

所谓阻抗匹配,我们可以理解为是一种“接水管”的工作。

射频系统元件与天线之间对接,就像两根水管对接。当阻抗一致时,就是位置完美对应,这时水流最大,信号的效率最高。如果元件的阻抗发生偏移,那么水管就歪了,水流就小了,一部分水流也浪费了。

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导致阻抗变化的原因很多,例如手的触碰,还有插接数据线、安装手机壳等。即便是不同的持握手势(左手、右手、单手、双手),也会带来不同的阻抗。

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传统的阻抗匹配做法,就是在实验室对各种造成阻抗变化的原因进行测试,找到天线特征值,然后通过调制解调器控制射频元件进行阻抗调节,让接水管尽可能对准送水管。

而AI辅助信号增强技术,就是引入AI算法,对各种阻抗变化原因的天线特征值进行大数据分析和机器学习,实现对阻抗的智能调节,达到最完美的匹配效果。

说白了,就有点像在送水管和接水管之间,安装了一根对接软管,让水流尽可能不浪费。

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AI辅助信号增强,相当于射频和天线间的对接软管

孔径调谐相对来说较为简单,就是调节天线的电长度。

从辐射学的角度来说,天线的完美长度应该是波长的四分之一。现在的手机,因为全网通、双卡双待等原因,移动通信系统的工作频率是动态变化的。例如,有时候工作在2.6GHz,有时候工作在3.5GHz。

工作频率如果变化,意味着最佳波长也变化了。所以,需要对天线进行孔径调谐,调节天线的长度,拉长波峰,以此达到最佳效果。

总而言之,以阻抗匹配和孔径调谐为基础的天线调谐技术,主要作用是克服外部环境对天线信号的影响,对信号进行动态调节,改善用户体验。

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根据实际验证,凭借着AI辅助信号增强技术,系统的情境感知准确性可以提升30%,能够明显降低通话掉线率,提升速率、覆盖和续航。

结语

5G射频系统的创新黑科技还有很多,例如多载波优化、去耦调谐、多SIM卡增强并发等。这些黑科技全部都是技术创新的成果。它们凝结了工程师们的智慧,也为5G终端的顺利推出奠定了基础。

如今的5G射频,已不再是基带的辅助,而是能够和基带平起平坐、相辅相成的重要手机组件。

随着5G网络建设的不断深入,除了手机通信之外,越来越多的5G垂直行业应用场景也开始落地开花。5G终端的形态将会变得五花八门,更大的考验将会摆在5G射频前端的面前。

编辑:hfy

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如何实现高性能的射频测量系统? 高性能射频测量系统该怎么正确选用阻抗匹配元件? 在设计PCB装配式开关模块时需要考虑什么...
发表于 04-14 06:46 0次 阅读
高性能射频测量系统该怎么正确选用阻抗匹配元件?

射频混频器的相关参数是什么?有哪些主要应用?

混频器的分类有哪些?工作原理是什么? 射频混频器的相关参数是什么?有哪些主要应用? ...
发表于 04-13 06:59 0次 阅读
射频混频器的相关参数是什么?有哪些主要应用?

单片射频控制器如何促进Doherty放大器在更多射频应用中的使用?

请问单片射频控制器如何促进Doherty放大器在更多射频应用中的使用?...
发表于 04-13 06:34 0次 阅读
单片射频控制器如何促进Doherty放大器在更多射频应用中的使用?

在数字调制系统中怎样进行精确的非线性测量?

为什么选择非线性器件?
发表于 04-09 06:00 0次 阅读
在数字调制系统中怎样进行精确的非线性测量?

自适应前馈线性化技术的工作原理是什么,其实现方法是什么?

常用的线性化技术有哪些? 自适应前馈线性化技术的工作原理是什么,其实现方法是什么? ...
发表于 04-08 06:48 0次 阅读
自适应前馈线性化技术的工作原理是什么,其实现方法是什么?

如何提高射频功率放大器效率?

如何提高射频功率放大器效率? RF CMOS PA与GaAs PA的区别是什么? ...
发表于 04-08 06:05 0次 阅读
如何提高射频功率放大器效率?

CC1200 低功耗高性能射频收发器

信息描述CC1200 器件是一款全集成单芯片射频收发器,此器件设计用于在成本有效无线系统中实现极低功耗和低压运行的高性能。 所有滤波器都已集成,因此无需昂贵的外部表面声波 (SAW) 和中频 (IF) 滤波器。 该器件主要用于 ISM(工业、科学和医疗)以及处于 164-190MHz,410-475MHz 和 820-950MHz 的 SRD(短程设备)频带。 CC1200 器件提供广泛硬件支持,以实现数据包处理、数据缓冲、突发传输、空闲信道评估、链路质量指示和无线电唤醒。 CC1200 器件的主要运行参数可由 SPI 接口控制。 在典型系统中,CC1200 器件将与一个微控制器和极少的外部无源组件配合使用。 CC1200 和 CC1120 器件都是高性能收发器系列产品。 CC1120 器件多针对窄带应用进行了优化,而 CC1200 器件则针对宽带应用进行了优化,但是它也能够有效涵盖低至 12.5kHz 信道的窄带应用。特性RF 性能和模拟特性:高性能、单芯片收发器 出色的接收器灵敏度:1.2kbps 时为 -123dBm 50kbps 时为 -109dBm阻断性能:10MHz 时为 86dB邻道选择性:12.5kHz 偏移时高达 60dB极低相位噪声:10kHz 偏移 (169 MHz) 时为-114dBc/Hz步长为 0.4dB,高达 +16dBm 的可编...
发表于 04-18 22:32 127次 阅读
CC1200 低功耗高性能射频收发器

TPS795 超低噪声、高 PSRR、快速、射频、500mA 低压降线性稳压器

信息描述 The TPS795 family of low-dropout (LDO), low-power linear voltage regulators features high power-supply rejection ratio (PSRR), ultralow noise, fast start-up, and excellent line and load transient responses in small outline, 6-pin SOT-223 and 3-mm × 3-mm WSON packages. Each device in the family is stable with a small 1-µF ceramic capacitor on the output. The family uses an advanced, proprietary BiCMOS fabrication process to yield extremely low dropout voltages (for example, 110 mV at 500 mA). Each device achieves fast start-up times (approximately 50 µs with a 0.001-µF bypass capacitor) while consuming very low quiescent current (265 µA, typical). Moreover, when the device is placed in standby mode, the supply current is reduced to less than 1 µA. The TPS79530 device exhibits approximately 33 µVRMS of output voltage noise at 3-V output with a 0.1-µF bypass capacitor. Applications with analog components that are noise-sen...
发表于 04-18 22:20 111次 阅读
TPS795 超低噪声、高 PSRR、快速、射频、500mA 低压降线性稳压器

TPS730 低噪声、高 PSRR、射频 200mA 低压降线性稳压器

信息描述The TPS730 family of low-dropout (LDO) low-power linear voltage regulators features high power-supply rejection ratio (PSRR), low noise, fast start-up, and excellent line and load transient responses in a small SOT-23 package. NanoStar packaging gives an ultrasmall footprint as well as an ultralow profile and package weight, making it ideal for portable applications such as handsets and PDAs. Each device in the family is stable, with a small, 2.2-µF ceramic capacitor on the output. The TPS730 family uses an advanced, proprietary BiCMOS fabrication process to yield low dropout voltages (for example, 120 mV at 200 mA, TPS73030). Each device achieves fast start-up times (approximately 50 µs with a 0.001-µF bypass capacitor) while consuming low quiescent current (170 µA typical). Moreover, when the device is placed in standby mode, the supply current is reduced to less than 1 µA. The TPS73018 exhibits approximately 33 µVRMS ...
发表于 04-18 22:19 117次 阅读
TPS730 低噪声、高 PSRR、射频 200mA 低压降线性稳压器

HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器,0.1 - 33 GHz

和特点 衰减范围:1 dB LSB步进至31 dB 插入损耗:典型值6 dB(33 GHz) 衰减精度:±0.5 dB(典型值) 输入线性度o0.1 dB压缩(P0.1dB):24 dBm(典型值)o三阶交调点(IP3):40 dBm(典型值) 功率处理:27 dBm 双电源供电:±5 V CMOS/TTL兼容并行控制 24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装HMC939ATCPZ-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准) 下载HMC939ATCPZ-EP数据手册(pdf) 军用温度范围:-55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 产品详情 HMC939ALP4E是一款5位数字衰减器,以1 dB步长提供31 dB的衰减控制范围。HMC939ALP4E在100 MHz至33 GHz的指定频率范围内提供最佳的插入损耗、衰减精度和输入线性度。HMC939ALP4E需要VDD = +5 V和VSS = −5 V双电源电压供电,通过集成片内驱动器提供CMOS/TTL兼容并行控制接口。该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装。有关HMC939ALP4E的裸片版本,请参见HMC939A-DIE。应用 测试仪器仪表 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT) 军...
发表于 02-22 12:16 189次 阅读
HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器,0.1 - 33 GHz

ADL5367 900 MHz 平衡混频器,内置高端本振(LO)缓冲器和RF巴伦

和特点 功率转换损耗:7.0 dB RF频率范围:500 MHz至1500 MHz IF频率范围:DC至450 MHz 10 dBm阻塞单边带噪声指数:17 dB 输入IP3:37 dBm 输入P1dB :25 dBm 本振驱动:0 dBm(典型值) 单端50Ω RF与本振输入端口 高隔离度单刀双掷(SPDT)本振输入开关 单电源电压:3.3至5 V 5 mm × 5 mm,20引脚裸露焊盘LFCSP封装 2000V HBM / 500V FICDM ESD性能产品详情 ADI参考设计:混合信号数字预失真(MSDPD)平台ADL5367利用一个高线性度双平衡无源混频器内核以及集成的RF与本振平衡电路来实现单端工作。ADL5367内置一个RF巴伦,能够利用高端本振注入,在700至1000 MHz的RF输入频率范围内实现最佳性能。(用于低端本振注入的引脚兼容器件也已供应。)平衡的无源混频器提供良好的本振至射频泄漏(典型值优于-20 dBm),以及出色的互调性能。在手机应用中,带内阻塞信号可能会导致动态性能下降,ADL5367的平衡混频器内核能够提供极高的输入线性度,非常适合于要求严苛的手机应用。对于低压应用,ADL5367能在低至3V的电压下工作,并大幅降低直流电流。两个数字逻辑输入使得用户能够控制一个内部电阻串数模...
发表于 02-22 12:16 163次 阅读
ADL5367 900 MHz 平衡混频器,内置高端本振(LO)缓冲器和RF巴伦

AD8346 2.5 GHz 直接变频正交调制器

和特点 输出频率范围:800 MHz至2.5 GHz I/Q基带频率范围:DC至70 MHz 输出功率:–3 dBm P1 dB 本底噪声:–147 dBm/Hz 正交相位精度:1°(均方根值) 振幅平衡:0.2 dB 低功耗,具有省电功能 2.7 V至5.5 V单电源 与 AD8345 / AD8349引脚兼容 产品详情 AD8346是一款硅I/Q正交调制器,设计用于800 MHz至2.5 GHz频率范围。该器件针对低功耗应用进行了优化,对于给定的电源电流,仍能提供极低的本底噪声和高输出功率。AD8346只需要–10 dBm LO驱动电平,提供额定50 Ω缓冲输出。该器件可提供出色的振幅和相位平衡以及边带抑制特性,支持高阶/高容量QAM调制无线电。此外,AD8346已经过测试,用于直接上变频CDMA IS95调试器时,可提供–72dBc ACPR。AD8346采用16引脚超薄紧缩小型(TSSOP)封装,额定温度范围为–40°C至+85°C。供货提供样片和评估板,产品型号分别为AD8346ARU和AD8346-EVAL。其它调制器/解调器产品AD8345 - 250MHz - 1GHz RF / IF正交调制器AD8347 – 800MHz - 2.7 GHz RF / IF正交解调器AD8349 – 800MHz - 2.7 GHz直接上变频正交调制器 方框图...
发表于 02-22 12:15 155次 阅读
AD8346 2.5 GHz 直接变频正交调制器

HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

和特点 低噪声指数:2 dB(典型值) 高增益:25.0 dB(典型值) P1dB 输出功率:13.5 dBm,24 GHz 至 40 GHz 高输出 IP3:25.5 dBm(典型值) 裸片尺寸:1.309 mm × 1.48 × 0.102 mm 产品详情 HMC1040CHIPS 是一款砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 低噪声宽带放大器,工作范围为 20 GHz 至 44 GHz。HMC1040CHIPS 具有自偏置功能,并提供 25.0 dB 的典型增益、2 dB 的典型噪声指数和 25.5 dBm 的典型输出三阶交调点 (IP3),只需要 65 mA 电流,2.5 V 电源电压。15.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 Analog Devices, Inc. 众多平衡式同样正交 (I/Q) 或镜频抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。HMC1040CHIPS 还具有可在内部匹配至 50 Ω 的输入和输出,使其适用于基于表面安装技术 (SMT) 的高容量微波无线电应用。应用 软件定义无线电 电子战 雷达应用 卫星通信 电子战 仪器仪表 电信 方框图...
发表于 02-22 12:14 159次 阅读
HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

ADL5541 射频/中频( RF/IF)增益模块,工作频率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

和特点 固定增益:15 dB 工作频率:6 GHz 内部匹配的50Ω输入/输出电阻 内置偏置控制电路 输出IP3 44 dBm @ 500 MHz 40 dBm @ 900 MHz 输出1 dB压缩点:19.7 dBm @900 MHz 噪声系数:3.5 dB @ 900 MHz 单电源供电:5V 8引脚LFCSP小尺寸封装 与20 dB增益的ADL5542 引脚兼容 1 kV静电放电(ESD)保护(Class 1C) 产品详情 ADL5541是一款15 dB宽带的线性放大器,工作频率高达6 GHz。该放大器可以用于各种有线电视、手机以及仪器设备。 ADL5541可以提供15 dB增益,在频率、温度与电源范围内稳定工作, 器件一致性好。该增益模块内部匹配输入电阻为50Ω,在6 GHz以内其输入回波损耗为10 dB以下。它工作时只要求输入/输出交流耦合电容器、电源去耦合电容器以及外部电感。 ADL5541采用InGaP HBT工艺制作,静电放电(ESD)保护额定值为1 kV (Class 1C)。它采用3 mm × 3 mm LFCSP封装,带裸露焊盘,具有出色的热阻性能。 ADL5541采用5 V单电源供电,功耗90 mA,工作温度范围:-40°C至+85°C。 现在可以供应完全符合RoHS标准的评估板。 ADL5542为系列产品,可提供增益20 dB,与ADL55...
发表于 02-22 12:14 166次 阅读
ADL5541 射频/中频( RF/IF)增益模块,工作频率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

AD8341 RF矢量调制器,1.5 GHz 至2.4 GHz

和特点 工作频率范围:1.5 GHz至2.4 GHz 幅度控制范围:30 dB 笛卡尔I/Q基带频率范围:DC至230 MHz 输出三阶交调截点:+17.5 dBm 相位控制范围:360° 输出1dB压缩点:+8.5 dBm 输出开关禁用功能 5V单电源 与AD8340引脚兼容 产品详情 单芯片RF振幅与移相器AD8341是一款高性能RF矢量调制器,输入频率范围为1.5 GHz至2.4 GHz,可连续、独立地调整振幅和相位。通过宽带笛卡尔I/Q接口,可实现完整的360°相位调整和30 dB以上的增益控制。I和Q接口提供230 MHz的全功率信号带宽,可通过单端或差分方式驱动,具有±500 mV满量程输入。AD8341采用24引脚LFCSP封装,额定温度范围为–40°C至+85°C。供货提供样片和评估板,产品型号分别为AD8341ACP和AD8341-EVAL。同类产品AD8302 - 低频至2.7 GHz RF/IF增益相位检波器AD8340 - RF矢量调制器,700 MHz至1000 MHz其它调制器/解调器产品AD8345 - 250 MHz至1000 MHz低噪声RF/IF调制器AD8346 - 800 MHz至2.5 GHz低功耗直接上变频调制器AD8347 - 800 MHz至2.7 GHz直接变频解调器AD8348 - 50 MHz至1000 MHz RF/IF正交解调器AD...
发表于 02-22 12:13 80次 阅读
AD8341 RF矢量调制器,1.5 GHz 至2.4 GHz

ADL6010 快速响应、45 dB 范围、 0.5 至 40 GHz 功率检波器

和特点 具有线性度的肖特基二极管检波器 宽带50 Ω输入阻抗 具有最小斜率变化的精确响应范围:0.5 GHz至43.5 GHz 输入范围:−30 dBm至+15 dBm,参考50 Ω 出色的温度稳定性 2.1 V/VPEAK(输出电压根据输入峰值电压)斜率(10 GHz) 快速包络带宽: 40 MHz 快速输出上升时间: 4 ns 低功耗: 1.6 mA (5.0 V) 2 mm x 2 mm、6引脚LFCSP封装 产品详情 ADL6010是一款多功能微波频谱宽带包络检波器, 以单个易于使用的6引脚封装提供一流的精度和极低的功耗(8 mW)。 该器件输出的基带电压与射频(RF)输入信号的瞬时幅度成正比。 它的RF输入具有非常小的斜率变化,以便包络从0.5 GHz到43.5 GHz的输出传递函数检波器单元使用专利的八肖特基二极管阵列,后接新颖的线性化电路,可创建相对于输入电压幅度,总比例因子(或传递增益)标称值为?2.2的线性电压表虽然ADL6010本质上并不是一款功率响应器件,但以这种方式指定输入依然是很方便的。 因此,相对于50 Ω源输入阻抗,允许的输入功率范围为−30 dBm至+15 dBm。 对应的输入电压幅度为11.2 mV至1.8 V,产生范围从25 mV左右到4 V以上共模(COMM)的准直流输出。平衡检波器拓扑...
发表于 02-22 12:12 255次 阅读
ADL6010 快速响应、45 dB 范围、 0.5 至 40 GHz 功率检波器

HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式开关,DC - 2.5 GHz

和特点 低插入损耗(2 GHz):1.1dB 单正电源:Vdd = +5V 集成式3:8 TTL解码器 24引脚QSOP封装 产品详情 HMC253AQS24和HMC253AQS24E均为低成本非反射SP8T开关,采用24引脚QSOP封装,宽带工作频率范围为DC至2.5 GHz。该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性。该开关上集成了3:8解码器,仅需三个控制线和一个正偏置即可选择每个路径。HMC253AQS24和HMC253AQS24E SP8T将替代SP4T和SPDT MMIC开关的多种配置。应用 CATV/DBS CDMA 蜂窝/PCS 方框图...
发表于 02-22 12:10 605次 阅读
HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式开关,DC - 2.5 GHz

HMC647A GaAs MMIC 6位数字移相器,2.5-3.1 GHz

和特点 低RMS相位误差: 1.5° 低插入损耗: 4 dB 高线性度: +50 dBm 正控制逻辑 360°覆盖,LSB = 5.625° 28引脚QFN无引脚SMT封装: 36mm2产品详情 HMC647ALP6E是一款6位数字移相器,额定频率范围为2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC647ALP6E在所有相态具有1.5度的极低RMS相位误差及±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/+5V的正控制逻辑控制。HMC647ALP6E采用紧凑型6x6 mm塑料无引脚SMT封装,内部匹配50 Ohms,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...
发表于 02-22 12:07 186次 阅读
HMC647A GaAs MMIC 6位数字移相器,2.5-3.1 GHz

ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器

和特点 RF输出频率范围:17 GHz至24 GHz IF输入频率范围:2 GHz至4 GHz LO输入频率范围:8GHz至12 GHz,集成2×乘法器 边带抑制:32 dB(下边带) P1dB:25 dBm 增益调节:30 dB 输出IP3:33 dBm 匹配50 Ω RF输出、LO输入和IF输入 32引脚、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装 产品详情 ADMV1011是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)、双边带(DSB)上变频器,采用符合RoHS标准的封装,针对工作频率范围为17 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。ADMV1011提供21 dB的转换增益,具有针对下边带和上边带的32 dBc和23 dBc边带抑制性能。ADMV1011采用射频(RF)放大器,前接由驱动放大器驱动集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)双平衡混频器。还提供IF1和IF2混频器输入,需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带的滤波要求。ADMV1011为混合型DSB上变频器的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造装配。ADMV1011上变频器采用紧凑的散热增强型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装。ADMV1011工作温度范围为−40°C至+85°...
发表于 02-22 12:06 261次 阅读
ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器

AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有源混频器

和特点 高性能有源混频器 宽带操作,频率最高达2.5 GHz 转换增益:7 dB 输入IP3:16.5 dBm LO驱动:–10 dBm 噪声系数:14 dB 输入P1dB:2.8 dBm 差分LO、IF和RF端口 50 Ω LO输入阻抗 单电源供电:5 V(50 mA,典型值) 省电模式:20 µA(典型值)产品详情 AD8343是一款高性能、宽带有源混频器,具有极低交调失真,所有端口均具有宽带宽,非常适合要求严格的发射应用或接收通道应用。AD8343的典型变频增益为7 dB。集成的LO驱动器以低LO驱动电平,支持50 Ω差分输入阻抗,有助于将外部元件数降至最少。开发差分输入可以直接与差分滤波器接口,或通过平衡-不平衡变换器(变压器)驱动,由单端源提供平衡驱动。开集差分输出可以用来驱动差分中频信号接口,或通过匹配网络或变压器转换为单端信号。以VPOS电源电压为中心时,输出摆幅为±1 V。LO驱动器电路的典型功耗为15 mA。可利用两个外部电阻来设置混频器内核电流,以达到要求的性能,总电流为20 mA至60 mA。采用5 V单电源供电时,相应的功耗为100 mW至300 mW。AD8343采用ADI公司的高性能25 GHz硅双极性IC工艺制造,提供14引脚TSSOP封装,工作温度范围为−...
发表于 02-22 12:06 118次 阅读
AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有源混频器

ADF7023 高性能、低功耗ISM频段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器IC

和特点 超低功耗、高性能收发器 工作频段862 MHz至928 MHz431 MHz至464 MHz 支持的数据速率:1 kbps至300 kbps 电源电压范围:2.2 V至3.6 V 单端和差分PA 中频带宽可编程的低中频接收机:100 kHz、150 kHz、200 kHz、300 kHz 接收机灵敏度(BER)−116 dBm(1.0 kbps,2FSK、GFSK)−107.5 dBm(38.4 kbps,2FSK、GFSK)−102.5 dBm(150 kbps,GFSK、GMSK)−100 dBm(300 kbps,GFSK、GMS)−104 dBm(19.2 kbps,OOK) 极低功耗 RF输出功率范围:−20 dBm至+13.5 dBm(单端PA) 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADF7023是一款工作在862 MHz至931 MHz和431 MHz至464 MHz频段的极低功耗、高集成度2FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器,这些频段覆盖免许可的433MHz、868MHz和915MHz ISM频段。它适合欧洲ETSI EN300-220、北美FCC (Part 15)、中国短程无线监管标准或其它类似地区标准下的电路应用。支持1 kbps至300 kbps的数据速率。发射RF频率合成器包含一个VCO和一个输出通道频率分辨率为400 Hz的低噪声小数N分频锁相环(PLL)。VCO的工作频...
发表于 02-22 12:06 202次 阅读
ADF7023 高性能、低功耗ISM频段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器IC

HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、31 dB、5位数字衰减器

和特点 1.0 dB LSB步进至31 dB 每位单正控制线 误码率:±1.0 dB(典型值) 输入IP3: 43 dBm CMOS兼容控制 密封模块 可现场更换的K型连接器 工作温度: -55℃至+85℃ 产品详情 HMC-C584是一款0.1 GHz至40 GHz、5位、砷化镓(GaAs) IC数字衰减器,封装在微型密封模块中。 这款宽带衰减器具有7 dB的典型插入损耗和43 dBm的输入IP3,位值为1 dB (LSB)、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB,总衰减范围为31 dB。 该器件的衰减精度很高,典型步长误差为±1.0 dB。 五个控制电压输入在0 V和5 V之间切换,用于选择每个衰减状态。 可移除的K型连接器可以拆卸,以便将模块的输入/输出引脚直接连接到微带或共面电路。应用 光纤和宽带电信 微波无线电和VSAT 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM) 空间系统 测试仪器仪表 方框图...
发表于 02-22 12:06 167次 阅读
HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、31 dB、5位数字衰减器

ADRF6601 750 MHz至1160 MHz接收混频器,集成小数N分频PLL和VCO

和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围:300 MHz至2500 MHz 内部LO频率范围:750 MHz至1160 MHz 输入P1dB:14.5 dBm 输入IP3:31 dBm 通过外部引脚优化IIP3 SSB噪声系数IP3SET引脚断开:13.5 dBIP3SET引脚接3.3 V电压:14.6 dB 电压转换增益:6.7 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6601是一款高动态范围有源混频器,集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生fLO输入,供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频,然后施加于PLL鉴频鉴相器(PFD)。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。PFD输出控制一个电荷泵,其输出驱动一个片外环路滤波器。然后,环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2 × fLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程PLL分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。...
发表于 02-22 12:06 221次 阅读
ADRF6601 750 MHz至1160 MHz接收混频器,集成小数N分频PLL和VCO

ADRF6720-27 宽带(400 MHz至3 GHz)正交调制器,集成PLL/VCO和2.68 V输入偏置

和特点 集成小数N分频PLL的I/Q调制器 RF输出频率范围: 400 MHz至3,000 MHz 内部LO频率范围: 356.25 MHz至2855 MHz 输出P1dB: 10.8 dBm (2140 MHz) 输出IP3: 31.1 dBm (2140 MHz) 载波馈通: −44.3 dBm (2140 MHz) 边带抑制: -40.8 dBc(2,140 MHz) 噪底: −159.5 dBm/Hz (2140 MHz) 基带1 dB调制带宽: >1000 MHz 基带输入偏置电平: 2.68 V 电源: 3.3 V /425 mA 集成式RF可调谐巴伦,允许单端RF输出 多核集成式VCO HD3/IP3优化 边带抑制和载波馈通优化 高端/低端LO注入 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 40引脚6 mm x 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6720-27是一款集成频率合成器的宽带正交调制器,非常适合用于3G和4G通信系统。 ADRF6720-27内置一个高线性度宽带调制器、一个集成式小数N分频锁相环(PLL),以及四个低相位噪声多核压控振荡器(VCO)。 ADRF6720-27本振(LO)信号可从内部通过片内整数N分频或小数N分频频率合成器产生,也可从外部通过高频、低相位噪声LO信号产生。 内部集成式频率合成器利用多核VCO,实现356.25 MHz到28...
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ADRF6720-27 宽带(400 MHz至3 GHz)正交调制器,集成PLL/VCO和2.68 V输入偏置

ADRF6658 集成IF放大器的宽带双通道RX混频器

和特点 宽带、双通道、有源下变频混频器 低失真、快速建立、IF DGA RF输入频率范围:690 MHz至3.8 GHz RF输入端的可编程巴伦 差分和单端LO输入模式 差分IF输出阻抗:100 Ω 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 对于RF=1950 MHz、IF=281 MHz、高线性度模式: 电压转换增益,包括IF滤波器损耗:−5至+26.5 dB (更多详细信息,请参见数据手册) 灵活的省电模式,针对低功耗操作 通道使能后的上电时间:100 ns,典型值 3.3 V单电源 高线性度模式:440 mA 低功耗模式:260 mA 产品详情 ADRF6658是一款高性能、低功耗、宽带、双通道无线电频率(RF)下变频器,集成中频(IF)数字控制放大器(DGA),适用于宽带、低失真基站无线电接收机。 双通道Rx混频器为双平衡吉尔伯特单元混频器,具有高线性度和出色的图像抑制能力。 两款混频器均可将50 Ω RF输入转换为开集宽带IF输出。 在混频器输入前,RF输入端的内部可调谐巴伦可抑制RF信号谐波并衰减带外信号,从而减少输入反射和带外干扰信号。 灵活的本振(LO)架构允许使用差分或单端LO信号。 双通道IF DGA基于ADL5201和ADL5202,固定差分输出...
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ADRF6658 集成IF放大器的宽带双通道RX混频器

HMC6300 60 GHz毫米波发射器,57 GHz - 64 GHz

和特点 频段:57 - 64 GHz RF信号带宽:最高达1.8 GHz 针对1 dB压缩的输出功率:15 dBm 增益:5 - 35 dB 数字和模拟RF和IF增益控制 集成频率合成器 集成镜像抑制滤波器 部分外置的环路滤波器 支持外部LO 片内温度传感器 支持256-QAM调制 集成MSK调制器 通用模拟I/Q基带接口 三线式串行数字接口 符合RoHS标准的65引脚晶圆级球栅阵列封装 产品详情 HMC6300BG46是一款完整的毫米波发射器集成电路,采用符合RoHS标准的6 mm x 4 mm晶圆级球栅阵列(WLBGA)封装,工作频率范围为57 GHz至64 GHz,调制带宽高达1.8 GHz。集成式频率合成器在250、500或540 MHz步长下进行调谐,具有出色的相位噪声,支持高达64-QAM的调制。或者,可以注入外部LO,它支持用户可选LO特性或相位相干发射和接收操作以及高达256-QAM的调制。通过通用模拟基带IQ接口提供对各种调制格式的支持。发射器芯片还支持专用FSK、MSK、OOK调制格式,从而实现更低成本和功耗的串行数据链路,而无需使用高速数据转换器。差分输出向100 Ω负载提供高达15 dBm的线性输出功率。同时支持单端操作,最高12 dBm。与HMC6301BG46一起,完整的60 G...
发表于 02-22 12:05 170次 阅读
HMC6300 60 GHz毫米波发射器,57 GHz - 64 GHz