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半导体业产业仍然呈现低迷状态?

2020-10-29 14:49 次阅读

2019年的全球半导体业陷入了多年未遇的低迷期,特别是上半年,各细分领域同比增长全面倒退,直到下半年才出现回暖迹象,彼时,业内人士都非常期盼2020年的到来,因为普遍认为行业回暖态势会在2020年加速,将是个好年头。然而,进入2020年以后,人们期盼的半导体业回暖没有随着春天一同到来,主要原因自然是突如其来的疫情,给了半导体业当头一棒,产业仍然呈现低迷状态。

不过,与其它行业相比,疫情对半导体业的影响相对小些,特别是在制造端,影响要小得多。之所以如此,主要原因在于:芯片生产对厂房内的洁净度有很高要求,工人平时就是穿着“全副武装”式的工作服工作,而且工厂内的工人密度也不高,疫情对这样的工作环境影响有限。但是,与晶圆厂相比,封测厂的情况就差很多,因为封测厂与其它多数行业的工厂生产环境要求一样,对厂房的洁净度没那么高的要求,因此,工人平时不需要“全副武装”地工作,厂内的工人密度相对较高,这样,在疫情下,就不适合正常情况下的大规模生产了。因此,由于开工率不足,疫情初期,对封测厂的生产影响很大,很多订单都无法按时完成。

在疫情影响下,从3月下旬到4月初,多家半导体厂商(特别是IDM和Fabless)都纷纷下修了今年第一季度的财测,包括NXP博通Qorvo、Skyworks、TDK等大厂。4月,各大半导体市场统计机构都看衰2020全年的半导体业,纷纷给出了同比负增长指标,产业前景似乎一片黯淡。

半导体业产业仍然呈现低迷状态?

然而,随着疫情的缓解,特别是中国在疫情防控方面的出色表现,使得整个半导体业出现了快速复苏的势头,进入下半年以来,情况比4月时预想的乐观许多。Gartner的分析师Bob Johnson表示,Gartner认为全球半导体市场在第三季度可实现7%的同比正增长,第四季度可实现0.8%的同比正增长。另外,第三季度的非内存增长为10.6%,第四季度的非内存增长为1.4%。

Gartner预估2020全年半导体市场的总收入可以达到4329亿美元,比去年增长3.3%。这与该机构第二季度的预测相比有所提高,增长驱动力主要来源于一些增长强劲的终端应用,如高端超便携式PC,超大规模数据中心,以及测试测量设备的强劲市场,5G基站的强劲需求是推动测试测量设备市场增长的重要动力。不过,总体而言,目前的情势比Gartner在2019年第四季度的预测还是减少了约350亿美元,毕竟疫情的影响范围很大,使得全年半导体业销售额不如去年额预期,但与今年春天的预期相比,要好很多了。

整体状况的好转,是由半导体业各个板块的回暖综合效应促成的,特别是业内几大热门领域,大都出现了十分吸引眼球的表现。这其中,最具代表性的包括存储芯片、晶圆代工、半导体设备,以及中国市场的表现。

存储芯片

来自Gartner的数据显示,今年,存储芯片将增长11.7%,其中,DRAM市场规模为629亿美元,将增长1.1%,NAND市场规模为546亿美元,可增长28%。2019年,由于整体市场处于低谷期,DRAM和NAND都下降了,其中,DRAM与2018年相比,下降了38%,NAND下降了26%,都处于产能过剩的状态,怎一个惨字了得。2020年的状况就改善了很多,特别是NAND闪存,迎来了高端智能手机和SSD的强劲需求,表现抢眼。相比之下,DRAM就逊色了许多,今年仍然供过于求。

疫情使得PC和企业计算系统的内存需求增长,其中,DRAM的ASP在2020年6月攀升至3.70美元,然后在今年7月和8月逐渐降至3.51美元。

据IC Insights预计,到今年年底,DRAM价格将有所下降。尽管来自计算部门的DRAM需求保持健康,但预计到12月不会出现明显增长。DRAM需求及其价格的大幅增长通常发生在每年的第三和第四季度,并且与新智能手机的推出相吻合,但由于疫情的破坏作用,今年的这种增长势头较弱。

预计三大DRAM供应商(三星,SK Hynix和美光)在2020年第四季度和2021年第一季度的销售将会疲软。由于贸易限制在2020年9月15日生效,美光被禁止向华为出售DRAM,据悉,华为在美光的DRAM季度销售额中至少占5亿美元,这是美光DRAM销售预期较弱的重要原因。不过,美光有可能获得许可,将其部分产品出售给华为,就像英特尔AMD那样。但是,即使获得许可,美光第四季度的销售也不太可能从中受益,因为华为在9月禁令发布之前订购了尽可能多的DRAM,以保持其生产线的正常运转。有统计显示,华为大约有6个月的DRAM库存。

NAND Flash方面,虽然全年整体表现优于DRAM,同比也会实现较大幅度的增长,但近期也呈现供过于求的状态,预估第四季NAND Flash整体均价跌幅约一成。

不过,总体来看,今年的存储芯片市场还是好于预期的,随着疫情受控程度的提升,2021年的存储市场更值得期待。

晶圆代工

IC Insights认为,纯晶圆代工市场在2019年下降1%之后,有望在今年增长19%,如果成真的话,则19%的增长是纯晶圆代工市场自2014年增长18%以来的最高增幅。在2019年之前,纯集成电路代工市场上一次下滑是在2009年(-9%)。如下图所示,IC Insights预计在整个预测期内不会再出现纯粹的代工市场下降。在过去的16年(2004-2019年)中,纯晶圆代工市场在9年中增长了9%或以下,而在其他7年中均以两位数的速度增长。

对于晶圆代工业,Gartner预计2020年总收入将比2019年增长13.7%,达到708亿美元。这是由最先进的制程节点的强劲收入推动的。5G智能手机是主要驱动力,尽管与2019年相比,智能手机总销量下降了16.7%,但今年预计将增长到2亿部左右,而5G手机的半导体含量明显高于4G手机。晶圆代工收入主要由苹果的iPhone 12系列新机推动,加上今年年初华为的产量。另外,AMD,Nvidia和英特尔的需求都在推动晶圆代工业的销售额,而主要贡献者是台积电和三星,它们也是今年资本支出增长的主要推动力。

半导体设备

上周,SEMI公布了9月北美半导体设备制造商出货金额,达 27.5 亿美元,月增 3.6%,年增 40.3%,改写今年新高,并创下连续12个月超过20亿美元的佳绩。除了续创今年新高,也创下近 20 年来单月历史新高。

SEMI 认为,2020年,随着数据中心基础建设和服务器存储需求增加,加上疫情以及美中贸易战加剧,供应链为预留安全库存,带动芯片需求提升,是带动今年晶圆厂设备支出大幅增长的重要因素。

近期,台积电也针对资本支出做出展望,预计今年资本支出将贴近170 亿美元,这也从一个侧面反映出客户下单并未因疫情而减缓,需求相当强劲。

SEMI认为,这一波设备支出走强,占晶圆制造设备销售约一半的晶圆代工和逻辑制程支出贡献最多,2020 年及 2021 年都维持个位数稳定增长;DRAM 和 NAND Flash 在2020 年支出将超过 2019 年,且在 2021 年增长幅度都将超过20%。

另外,晶圆厂设备包括晶圆加工、晶圆厂设施和光罩设备,预计 2020 年将增长 5%,受惠于内存支出复苏,以及先进制程与中国市场的大力投资,2021 年将大幅上升 13%。

封装设备方面,预计2020 年将达32亿美元规模,年增10%,2021年可达34亿美元,再增 8%,测试设备市场 2020 年增长幅度亮眼,达 57 亿美元,年增 13%。

以区域来看,中国台湾、中国大陆与韩国都是 2020 年及 2021 年设备支出金额的领先市场,其中,中国台湾2020年设备支出在去年大增 68% 后,略微修正,预计 2021 年将回升,反弹幅度达 10%。

中国大陆则因境内与境外半导体厂都在积极投资晶圆代工和存储领域,带动中国半导体设备总支出在 2020 年和 2021 年大涨,成为排名第一的市场。

韩国设备支出 2020 年将超越去年的表现,成为半导体设备投资的第三位,且随着内存投资力道复苏,2021 年将成长 30%,其他如北美、欧洲等多数地区 2020 年和2021 年都有机会呈现增长态势。

在半导体设备资本支出方面,Gartner预测2020年将增长1.8%,达到1011亿美元,晶圆制造设备(WFE)增长4.5%,达到580亿美元。由于台积电、三星和英特尔对先进制程逻辑芯片的持续投资,使得疫情对WFE和CapEx的影响相对较小。

中国市场

中国大陆无疑是最具发展潜力和活力的半导体市场,特别是这里的疫情控制的很好,对于产业回暖和吸引投资起到了关键性的作用。预计中国本土公司的支出将显着增加,其中以中芯国际(今年约为67亿美元),CXMT和YMTC(约为35亿美元)为最。不过,受到贸易限制的影响,可能会延迟他们的一些支出。因此,Gartner认为,第三和第四季度的支出重点已经从主要支出者转移到了次要支出者,这给整个行业带来了一定的风险。

展望2021

总体来看,2021年,半导体业整体状况将恢复到正常的增长模式。Gartner预计半导体收入将增长9.5%左右,随着DRAM供不应求和价格上涨,预计DRAM将实现强劲增长(+22%),这将成为市场发展主要驱动力。随着对新型存储芯片投资的提升,预计CapEx将增长3.1%。此外,预计2021年逻辑/混合信号投资将下降3.6%。

晶圆代工方面,IC Insights认为,从2019到2024年,纯晶圆代工的复合年增长率(CAGR)预计为9.8%,比2014到2019年的6.0%高出3.8个百分点,并且超过了同一预测期内整个IC市场预期的7.3%。

半导体设备方面,今年7月,SEMI公布了一份预测报告,2021 年在逻辑先进制程、存储业,以及中国大力投资下,晶圆厂设备支出金额将创 700 亿美元的历史新纪录。SEMI 先前预估,2021 年将是全球晶圆厂标志性的一年,设备支出金额将达 677 亿美元,较年初预估的 657 亿美元再高出 10%,此次再上调至 700 亿美元,可见其对明年半导体产业的乐观预期。
       责任编辑:tzh

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0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
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FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
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FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 101次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 77次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 141次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
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NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 115次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 128次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 100次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 110次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 221次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 203次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 142次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 112次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 102次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 276次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 106次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 239次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 519次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5