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稳懋斥巨资于南科建厂,功率放大器产能提升两倍

2020-10-29 13:09 次阅读

据台媒经济日报报道,全球砷化镓龙头厂稳懋昨(28)日召开线上法说会,受惠客户拉货动能强劲,第3季税后纯益19.67亿元,季增19%,改写新高,每股纯益4.68元;前三季税后纯益51.93亿元,年增103%,每股纯益12.38元,超越去年全年总和。

展望本季,稳懋总管理服务处总经理陈舜平表示,手机需求不错,预估本季营收呈现低个位数1%至3%(low-single digit)成长,毛利率因产品组合因素,落在37%至39%(high-thirties)水准,较第3季毛利率43.4%下滑,主因是手机通讯的射频元件出货比重提升,Infra(基础建设)射频元件比重降低所致。

法人表示,稳懋为苹果iPhone主要供应链之一,提供手机内的射频元件,其中包含今年新导入iPhone 12 Pro Max的LiDAR零组件,近期正持续赶工出货,满足苹果需求。

产能方面,陈舜平指出,目前已可开出月产能4.1万片,满足客户现阶段需求,近期产能利用率维持七至八成水准,主要是手机射频元件出货动能较强,期盼本季营运持续维持不错的水准。

市场忧心华为遭美国制裁,稳懋业绩恐受冲击,对此,陈舜平强调,该公司已于9月15日之后停止出货给华为,无论是第3季财报,或者进行式中的第4季业绩,整体来看营收都比过往强劲,「显示单一客户的响并非外界想像的大。」

他进一步表示,稳懋的功率放大器(PA)在全球市占率高达七成,只要市场整体需求未衰退,单一客户的兴衰,其实对稳懋影响甚小,这点从近期财报就可印证,目前无论是美系或者亚系客户的需求都相当不错,公司也有信心缴出令人满意的成绩单。

稳懋斥巨资于南科建厂,功率放大器产能提升两倍

稳懋斥巨资于南科建厂,产能提升两倍

稳懋日前宣布斥资850亿元于高雄南科园区设厂,稳懋总管理服务处总经理陈舜平昨日表示,该投资案是为了将来做准备,估计三年后新厂房正式启动,并开始贡献营收。

陈舜平指出,目前向高雄南科园区申请的土地约十公顷,若全数扩厂完成,将比公司在桃园的三个厂区还要大,该投资案是为将来接单预做准备,满足客户订单需求。

稳懋近年来持续扩产,目前月产能已达4.1万片,即使北部厂房再加码扩充,月产能顶多只能到达5万片,仍不敷使用,必须另觅土地扩建新厂。

据了解,稳懋进驻高雄南科园区的计划案将自明年起分三年投资,新厂完成后月产能将超过10万片,是目前北部厂月产能4.1万片逾两倍,总计可提供4,000名就业机会。

法人表示,从稳懋大手笔投资中国台湾的策略来看,显然对台湾人才及设厂环境有信心,砷化镓从4G应用走向5G时,对功率放大器(PA)的数量不仅有增无减,而且制程日益复杂,此刻提前布局新厂,对稳懋未来业务推展有正面助益。

凯基投顾资深协理林佑熙进一步分析,随着5G的发展,过去PA元件由Skywork、Qrovo、Broadcom三家独大的状况,如今也加入Muruta、Qualcomm、Vanchip等竞争者,「新加入的竞争者,都是Fabless(无厂半导体公司)」,他指出新竞争者增加的砷化镓晶圆代工需求,成为帮助稳懋业绩成长的重要力量。

「中国厂商里面只有几家可以做PA,但做得好的又没有几家。」拓墣产业研究院分析师王尊民表示,他指出,在制程技术上仍不如稳懋等台湾厂商。由于PA的效能直接影响手机连接网络的能力,因此对中国手机业者而言,在地PA厂商未能成为首选。

延伸阅读:稳懋的逆袭之路

台湾半导体产业头角峥嵘的大老板,多数具有相似的发展轨迹:毕业于「台清交成」的理工科系,赴美国名校继续深造攻读硕博士;接着,在美国一流高科技企业历练过几年时光,然后被延揽回台湾,委以高阶经理人职位,或自行创业。

但稳懋的陈进财无疑是其中的异数。

他出生于市井之家,父亲原本是在瑞芳煤矿坑推煤车,后来做起家禽批发与零售的生意。他在庙里用功苦读,基隆中学毕业后,考上淡江大学会统系。

毕业后,会计师考试落榜,他先在大学里当助教,后应征到安侯建业联合会计师事务所当查帐员。一九七一年,南侨准备上市,他正好是主办查帐员,被当时的总经理,也就是现在的南侨董事长陈飞龙延揽至公司上班,从会计部「一级专员」做起。

陈进财身上,可说完全不具备成为成功高科技人的条件。如今的他,却身兼两家5G产业指标企业——稳懋与联茂董事长;也担任工业4.0翘首企业上银科技的副董事长;还是IC载板大厂景硕与陶瓷电路板暨IC封装测试厂同欣电子的独立董事。目前他仍担任南侨的副董事长。

运气,很难成为陈进财从传产跨足到高科技获得巨大成功的解释。相反地,与其说他运气好,不如说他每次遭逢看似厄运际遇,总是想尽办法转变成人生破框的机会,并正面思考,尽其所能扭转局面。几番闯荡突围,的确像他在宣纸上挥洒的那两个字。

2003接手稳懋,就是一个把厄运扭转成好运的最佳写照。

在当时,砷化镓半导体可说是「惨业」。这个市场尽管前景看俏,但既有老厂如Skyworks、安华高(Avago)与TriQuint(Qorvo前身)的寡占地位难以打破,加上新进者众,导致砷化镓成杀戮战场。

陈进财回忆:「那时候,国外大厂市占率已达97%;在台湾,包括稳懋在内,至少也有五、六家在做砷化镓。」一九九九年成立的稳懋,「从2000年起,每年亏十亿元跑不掉吧!」。2003年,当时的23.5亿元资本额几乎快烧光,稳懋处境岌岌可危。

陈进财并不是稳懋的创办人,创办人是陈在扶轮社的好友谢式川。早年在纺织业累积一定财富的谢式川,企图将家族事业转型,1985年就曾投资汉磊科技,并担任公司董事长;90年代末,谢透过美国友人,找到一群技术实力底子坚强的砷化镓半导体研发团队,延揽至台湾成立稳懋,陈进财当时也应老友之邀成为创始股东之一,并且担任董事。

岂料,高科技烧钱的速度远比谢式川预料地快,在稳懋成立第四个年头,「我就被推入火坑啦!」陈进财半开玩笑地说。玩笑归玩笑,当时,他可说是用一种不给自己多留余地的果敢姿态,全心投入稳懋经营。

原本仅持有稳懋0.6%股权、担任董事的陈进财,不仅卖掉手中大部分的上银持股,转而参与稳懋增资,更说服当时英业达董事长叶国一出资,成为稳懋最大股东。押上资金与人脉的陈进财,自此亲上火线成为董事长,谢式川则退居第二线担任董事。

然而,2003年稳懋改朝换代后,虽然财务上的燃眉之急暂时缓解,但大环境的困局终究还在,要活,就要冷静找到突围的路。这条路,陈进财从困境的源头着手。

「当时的砷化镓半导体设计公司,几乎每家都有自己的生产线……,他们本身产能的利用率都不到一半,稳懋凭什么让这些公司放出代工订单?」陈进财从这个问题出发:「答案是技术要比客户好、成本要比客户便宜。」于是,出路的起点找到了,「第一,技术一定要先到位!」

但「技术到位」终究像句口号,接下来,各种策略与路线的定夺,更是考验着陈进财的洞见与胆识。「我做了两个大胆的决定:技术要完全自主、砷化镓所有相关技术也要完全掌握。」话说得果断,但相比于能快速获利的「找国外大厂技术授权」路线,这两个决定,都是最耗资金也最耗时间的艰难路线。

「所以我很感谢叶董(叶国一)的力挺。」但除此之外,在「技术优先」的决策下,陈进财着手进行生产线缩编,「厂房基本上只用来研发!」把原本近五百人的编制,一口气缩编至不到一百人。「那几年,我们几乎没有营收。」稳懋副董事长王郁琦回忆,2004年至2006年这三年期间,稳懋平均每年仍以亏损十亿元的速度在失血。

那是一段技术打底的日子,难熬,「但我就是每天告诉自己,总有一天会成功。」这份信心来自三方面:第一,「我很感谢当年公司濒临破产时,仍然不离不弃的那群年轻工程师……,他们很有理想性。」

第二,「我从台积电身上学到很多,基本上我们就在复制矽晶圆代工模式的路,我非常关注台积电的成功策略……,我不认识张忠谋、张忠谋也不认识我,但我会说自己是张董的『私淑弟子』。」

至于第三个信心来源,则是一份蓝图。原来,在接手稳懋经营后,陈进财就透过美国总经理的帮忙,从客户端召集一群专家作为顾问团,「他们描绘了未来十年砷化镓产业的发展趋势。」顺着这个趋势,稳懋的研发团队开始锁定必须提早掌握的技术,精准而快速地全面追赶。

「技术团队很争气,三五族半导体的制程,不管是HBT、还是pHEMT,我们都按照进度开发出来了,甚至还开发出结合这两个制程的『BiHEMT』,可以把功率半导体做成类似系统单晶片的概念。接着,运用在3D感测元件的VCSEL制程,也开发出来了,可以广泛应用在5G产品的氮化镓制程,也早就在2006年ready了!」即使非技术出身,但陈进财对研发团队的成绩如数家珍。

2006年,对陈进财与稳懋来说,是重要转折的一年。「那年十月,我们第一次单月损益两平。」契机来自于后来和博通合并的晶片大厂安华高。陈进财回忆,稳懋技术打底两年后,被当时准备切入3G通讯晶片的安华高相中,「○五年,安华高的技术长来访,希望与我们共同开发3G射频晶片。」

双方一拍即合,「随着安华高成功打入苹果供应链,苹果的第一支3G手机就有我们的零组件了。」自此,稳懋也打进了国际一线客户的市场。2017年,与稳懋长期合作的博通,以每股277元高价参与稳懋私募,「我们确保给对方的产能供给,也要求对方不能进入董事会,以免影响其他客户观感。」双方合作深化,也为稳懋未来持续掌握技术、趋势奠定更深基础。

回顾整个历程,陈进财仿佛又回到了「逆战」的主轴;「砷化镓曾经历一段很惨淡的岁月,2000年至2006年,全球砷化镓产量增加了十倍以上,但产值却原地踏步完全没有增长,当时几乎没有砷化镓公司是赚钱的!」但在这段过程中,「我们很幸运没有冲营收,而是拼技术。」现在看来,这样的底蕴养成,也让稳懋极有可能站上5G时代的浪尖。
       责任编辑:tzh

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导读:洁净室(区)是对悬浮粒子及微生物污染规定需要进行环境控制的区域,其建筑结构装置及使用均要求具有减少对洁净区域内污染...
发表于 11-16 14:46 202次 阅读
半导体洁净车间微粒在线监测系统集大成者

2020半导体尘埃粒子检测仪器行业报告究竟前景如何

手术室的装备已成为衡量医院综合技术水平的重要指标,现代手术室建设中数字化技术的应用等各方面特点为患者和医护人员提供了一个...
发表于 11-13 14:07 304次 阅读
2020半导体尘埃粒子检测仪器行业报告究竟前景如何

友恩半导体持续开发高功率、低功耗、高集成度等产品

友恩芯片基于高低压集成技术平台进行技术升级,未来三年将持续开发高功率、低功耗、高集成度等产品,公司在研项目正稳步推进:公...
发表于 10-30 09:39 101次 阅读
友恩半导体持续开发高功率、低功耗、高集成度等产品

功率放大器在电容耦合型无线电能传输系统中的应用

功率放大器在电容耦合型无线电能传输系统中的应用 实验名称:考虑接地情况的电容耦合型无线电能传输系统 研究方向:无线电能传输...
发表于 10-23 11:13 435次 阅读
功率放大器在电容耦合型无线电能传输系统中的应用

大功率激励信号源--功率放大器超声检测应用

压电陶瓷换能器属于容性负载,对功率放大电路输出级呈现高阻抗,电磁超声换能器属于感性负载,对功率放大电路输出级表现为低阻抗...
发表于 10-10 15:38 507次 阅读
大功率激励信号源--功率放大器超声检测应用

求问:芯片设计厂商一般营收情况怎么样?怎样找到客户的呢?

各位大佬好! 行研新人求问:半导体行业协会说中国现在有1700多家设计厂商了,像海思这种老大就不说了,中小芯片设计厂商一般的...
发表于 09-30 17:25 303次 阅读
求问:芯片设计厂商一般营收情况怎么样?怎样找到客户的呢?

一文详解TPA122 150mw立体声音频功率放大器

150 mW立体声输出TPA122是立体声音频功率放大器组件- 兼容8针SOIC或8针SOIC老化的PC电源 PowerPAD MSOP...
发表于 09-29 16:43 101次 阅读
一文详解TPA122 150mw立体声音频功率放大器

STDES-MONARCH STDES-MONARCH基于S2-LP和BlueNRG-2 Sigfox君主参考设计

验证(M_0021_459D_01)设计与君主能力这样的IoT装置可确定用于局部区域中的适当的RC构造 S2-LP窄带超低功耗低于1GHz收发器在一个独立的RF模块调谐用于与外部功率放大器 BlueNRG-2低功率蓝牙®的SoC 256 KB闪存,24 KB RAM,符合860-940兆赫频带与蓝牙® V5.0规范 卓越的接收灵敏度(高达-130 dBm的) 调制方案:2-FSK,2- GFSK,4 -FSK,4- GFSK,OOK,和ASK 空气数据速率为0.1至500 kbps的 可编程RF输出功率高达27 dBm的 低占空比RX / TX操作模式 50个Ω端口低于1GHz的无线电和可选BLE无线电 自动确认,重传和超时协议引擎 此参考设计代表了Sigfox和L的完整双无线电低于1GHz和BLE溶液PWAN协议。...
发表于 05-20 21:05 59次 阅读
STDES-MONARCH STDES-MONARCH基于S2-LP和BlueNRG-2 Sigfox君主参考设计

X-NUCLEO-IDW04A1 X-NUCLEO-IDW04A1基于SPWF04SA模块STM32核蛋白上的Wi-Fi扩展板

SPWF04SA Wi-Fi模块 SPWF04SA模块主要特征上: 低功率IEEE 802.11 B / g / n的收发器 集成SMD天线 STM32 ARM皮质® -M4,具有256 KB SRAM和2MB闪存 1MB闪存可用于存储用户经由SD延伸的/ MMC接口或外部SPI闪存 集成的协议栈:TCP / IP(八个同时TCP / UDP客户端和两个插槽服务器支持多达每个8级的客户端),TLS1.2 应用层功能:web服务器支持动态网页 打开,WEP,WPA2个人,WPA2企业安全 WPS用于站 系统模式:站,IBSS和miniAP(多达五个客户端STA)的 固件和文件系统经由UART和(安全)通过空中(OTA) 19个配置的GPIO可用 先进的低功率模式 通过UART简单的AT命令集主机接口,或等效通过SPI专有协议 嵌入式实时microPython为客户应用程序和上板开发 使用STM32核蛋白板 配备都与Arduino的® UNO R3和(可选)ST连接器吗啉 可扩展的解决方案;可以级联多个板对大型系统 免发展固件库和示例,与STM32Cube X-细胞核 - IDW04A1主机FCC,IC和CE认证SPWF04SA模块 符合RoHS 的X细胞核 - IDW04A1的Wi-Fi评估板是基...
发表于 05-20 19:05 40次 阅读
X-NUCLEO-IDW04A1 X-NUCLEO-IDW04A1基于SPWF04SA模块STM32核蛋白上的Wi-Fi扩展板

CPH6003A RF晶体管 12 V 150 mA f

3A是射频晶体管,12 V,150 mA,f T = 7 GHz,NPN单CPH6适用于高频,中等功率放大器应用。 特性 高增益:fT = 7GHz(典型值) 高电流:IC = 150mA Ultraminiature和thin 6pin软件包。 大型收集器泄漏:800mW 电路图、引脚图和封装图
发表于 08-04 02:02 245次 阅读
CPH6003A RF晶体管 12 V 150 mA f

MJD6039 NPN达林顿双极功率晶体管

林顿双极功率晶体管设计用于通用电源和开关,如开关稳压器,转换器和功率放大器等应用中的输出或驱动器级。 特性 塑料套管中表面贴装应用的引脚(无后缀) 塑料套管中的直引线版本(“ - 1”后缀) 适用于16 mm卷带和卷盘,用于自动处理(“T4”后缀) 内置基极 - 发射极分流电阻的整体结构 高直流电流增益-h FE = 2500(典型值)@ IC = 4.0 Adc 需要独特站点和控制变更要求的汽车和其他应用的NJV前缀; AEC-Q101合格且PPAP能力 PbFree包可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 10:02 54次 阅读
MJD6039 NPN达林顿双极功率晶体管

MJD44E3 10 A 80 V NPN达林顿双极功率晶体管

功率晶体管设计用于通用电源和开关输出或驱动级,适用于开关稳压器,转换器和功率放大器等应用。 特性 铅用于塑料套管中的表面贴装应用(无后缀) 塑料套管中的直引线版本(“-1 “后缀” 16 mm胶带和表面贴装卷轴(“T4”后缀)的铅成型版本 与流行的D44E3设备电气相似 高DC增益 - 1000 Min @ 5.0 Adc 低星期六电压 - 1.5 V @ 5.0 Adc 与现有自动拾取器兼容放置设备 汽车和其他应用的NJV前缀需要独特的站点和控制变更要求; AEC-Q101合格且PPAP能力 这些是无铅包 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 09:02 62次 阅读
MJD44E3 10 A 80 V NPN达林顿双极功率晶体管

MJD117 2.0 A 100 V PNP达林顿双极功率晶体管

顿双极功率晶体管设计用于通用电源和开关,如开关稳压器,转换器和功率放大器等应用中的输出或驱动级。 MJD112(NPN)和MJD117(PNP)是互补设备。 特性 塑料套管中表面贴装应用的引脚(无后缀) 塑料套管中的直铅版(“1”后缀) 16毫米卷带上的铅成型版(“T4”后缀) TIP110-TIP117系列的表面贴装更换 内置底座的整体结构 - 发射极分流电阻器 高直流电流增益h FE = 2500(Typ)@我 C = 2.0 Adc 互补对简化设计 汽车和其他应用的NJV前缀需要独特的站点和控制变更要求; AEC-Q101合格且PPAP能力 PbFree软件包可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 08:02 55次 阅读
MJD117 2.0 A 100 V PNP达林顿双极功率晶体管

KSD560 NPN外延硅达林顿晶体管

特性 低速开关工业用 KSB601的补充器件 低频率功率放大器 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图
发表于 08-03 07:02 186次 阅读
KSD560 NPN外延硅达林顿晶体管

MJD45H11 8 A 80 V PNP双极功率晶体管

功率晶体管设计用于通用电源和开关输出或驱动级,适用于开关稳压器,转换器和功率放大器等应用。 特性 铅用于塑料套管中的表面贴装应用(无后缀) 塑料套管中的直引线版本(“-1 “后缀” 16 mm胶带和表面贴装卷轴(“T4”后缀)的铅成型版本 与流行的D44H / D45H系列电气相似 低集电极发射极饱和电压V CE(sat) = 1.0 Volt Max @ 8.0安培 快速切换速度 互补对简化设计 汽车及其他的NJV前缀需要独特站点和控制变更要求的应用程序; AEC-Q101合格且PPAP能力 这些器件无铅且符合RoHS标准 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 02:02 108次 阅读
MJD45H11 8 A 80 V PNP双极功率晶体管

NLHV4157N 负电压SPDT开关

57N是采用硅栅CMOS技术制造的先进CMOS模拟开关。该器件通过模拟和数字负电压,可能在整个电源范围内变化(从VEE到GND)。 特性 优势 工作电压范围 VEE = -12 V至-4 V 开关信号电压范围 VIS = VEE至GND 正控制信号电压 VIN = 0至3.3 V 低导通电阻 RON≤5Ω@ VEE = -10 V 闩锁性能 超过200毫安 小包装 SC88中提供6引脚封装 这些器件无铅,无卤素/无BFR且符合RoHS标准 应用 终端产品 GaN晶体管功率放大器 手机塔 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 21:02 91次 阅读
NLHV4157N 负电压SPDT开关

AXM0F243 超低功耗窄带Sub GHz(27 - 1050 MHz)ARM®Cortex®-M0 +无线微控制器

43是用于真正单芯片无线应用的片上系统(Soc)。 SoC包含经现场验证的窄带 AX5043 RF收发器内核和高性能ARM®Cortex®-M0 +微控制器(MCU)内核。 AX5043内核功能非常强大,可通过软件编程。凭借最广泛的可用调制方案和100 bps至125 kbps的数据速率,几乎可以实现任何Sub GHz协议(专有或基于标准)。 无线电核心的软件可编程性也使其成为可能。可以为加载了不同软件的产品共享通用硬件设计,使客户更容易管理多个SKU。使用该器件实现多协议解决方案也可以实现强大的网关实现。 集成频率合成器可以生成27 MHz至1050 MHz的任何载波频率。对于低于~400 MHz的频率,集成VCO使用外部电感,但高于~400 MHz时,可以使用集成电感。 AX5043接收器非常强大,可以实现低至以下的灵敏度 - 137 dBm,同时消耗不到10 mA的电流。对于需要天线分集的应用,包括集成分集控制器,可以通过GPIO引脚自动控制外部天线开关。接收器还具有唤醒功能,通过允许MCU在无线电事件之间尽可能长时间地休眠来进一步降低功耗。 AX5043发射器包括一个差分功率放大器,可产生高达16 dBm或单端选项,最高可达13 dBm。 高性能ARM®Cortex®-M...
发表于 08-01 22:02 276次 阅读
AXM0F243 超低功耗窄带Sub GHz(27  -  1050 MHz)ARM®Cortex®-M0 +无线微控制器

LA4814JA 音频功率放大器 AB类 双通道 0.35 W

JA内置功率放大器电路,具有低电压(2.7V及以上)工作电压,并具有待机功能,可减少电流消耗。它是一种功率放大器IC,适用于电池驱动的便携式设备和其他此类产品中使用的扬声器驱动器。 特性 片上2声道功率放大器>输出功率1 = 350mW典型值。 (VCC = 5.0V,RL =4Ω,THD = 10%)输出功率2 =典型值150mW。 (VCC = 3.6V,RL =4Ω,THD = 10%) 通过更改启用单声道BTL输出系统外部连接组件输出功率3 = 700mW典型值。 (VCC = 5.0V,RL =8Ω,THD = 10%)输出功率4 = 320mW(典型值)。 (VCC = 3.6V,RL =8Ω,THD = 10%) 可以进行低压操作> VCC = 2.7V及以上 待机功能待机时的电流消耗=0.1μA(典型值)。 (VCC = 5V) 电压增益设置可能电压增益= 3至20dB 第二个放大器停止控制功能降低启动时的爆音(BTL模式) 应用 迷你收录机/录音机,便携式收音机,收发器和其他便携式音频设备 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 12:02 150次 阅读
LA4814JA 音频功率放大器 AB类 双通道 0.35 W

LA4815VH 音频功率放大器 AB类 1通道 1.8 W

VH采用1通道功率放大器,具有宽工作电源电压范围,内置于表面贴装封装中。该IC还具有静音功能,仅需少量外部元件,因此适用于低成本的设计。还有一个MFP8封装类型,它包含相同的芯片(LA4815M)。 特性 内置静音功能 增益可在26到40 dB之间选择 宽电源电压范围(4.0至16 V) 内置1声道功率放大器输出功率1 = 1.84W(典型值)。 (VCC = 12V,RL =8Ω,THD = 10%)输出功率2 = 1.55W(典型值)。 (VCC = 9V,RL =4Ω,THD = 10%)输出功率3 = 0.36W(典型值)。 (VCC = 6V,RL =8Ω,THD = 10%)输出功率4 = 0.23W(典型值)。 (VCC = 5V,RL =8Ω,THD = 10%) 可选电压增益:2种类型 26dB / 40dB 只有少数几个外部组件 4个组件/总计 应用 对讲机,门电话,收发器,收音机,玩具,带语音指导的家用电器等。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 12:02 118次 阅读
LA4815VH 音频功率放大器 AB类 1通道 1.8 W

NCP700B LDO稳压器 200 mA 超低压差 超高PSRR 超低噪声

声敏感的RF应用,如手机和精密仪器中的功率放大器,需要非常干净的电源。 NCP700B是一款200 mA低压差(LDO)线性稳压器,为工程师提供非常稳定,精确的电压,具有超低噪声和极高的电源抑制比(PSRR),适用于RF应用。为了优化电池供电的便携式应用的性能,NCP700B采用先进的BiCMOS工艺,将双极元件的低噪声和卓越动态性能的优势与CMOS提供的满载时的极低接地电流消耗相结合。 此外,为了在节省空间的应用中提供小尺寸,NCP700B采用小型,低值电容器稳定工作,采用1.5x1.5mm非常小的WDFN6和TSOP-5封装。 特性 优势 工作输入电压:2.5V至5.5V 非常适合电池供电的应用 高纹波抑制比:典型值。 82dB @ 1kHz 有效装配电源线噪声 超低输出噪声:典型值。从10Hz到100kHz的10μV 非常适合噪声敏感的应用 输出电容低至1uF稳定 小溶液尺寸 主动排放 快速关闭 输出电压选项:1.8V,2.8V,3.0V,3.3V 低睡眠模式电流:最大值1μA 电流限制保护 热关机保护 这些是无铅设备 输出电流限制:最小值。 200mA ...
发表于 07-30 09:02 85次 阅读
NCP700B LDO稳压器 200 mA 超低压差 超高PSRR 超低噪声

NCP700C LDO稳压器 200 mA 超低压降 高PSRR 超低噪声

声敏感的RF应用,如手机和精密仪器中的功率放大器,需要非常干净的电源。 NCP700C是一款200 mA低压差(LDO)线性稳压器,为工程师提供非常稳定,精确的电压,具有超低噪声和极高的电源抑制比(PSRR),适用于RF应用。为了优化电池供电的便携式应用的性能,NCP700C采用先进的BiCMOS工艺,将双极元件的低噪声和卓越动态性能的优势与CMOS提供的满载时的极低接地电流消耗相结合。 此外,为了在节省空间的应用中提供小尺寸,NCP700C可以稳定地使用小型,低值电容器,并且采用非常小的WDFN6 1.5x1.5mm封装。 特性 优势 出色的线路和负载调节 输入电压和输出电流条件下的输出电压精度非常好 超低输出噪音:典型值。从10Hz到100kHz的10μV 非常适合噪声敏感的应用 高PSRR(典型值为75 dB @ 1 kHz) 高PSRR(典型值75 dB @ 1 kHz) 陶瓷输出电容稳定低至1μF 小溶液尺寸 极低的接地电流(典型值为70μA@无负载) 延长电池寿命 低禁用模式电流(最大1μA) 延长电池寿命 输出电压选项:4.5 V(其他电压选项请联系工厂) 限流保护 ...
发表于 07-30 09:02 145次 阅读
NCP700C LDO稳压器 200 mA 超低压降 高PSRR 超低噪声

NCP6360 用于射频功率放大器的迷你降压转换器

0是一款PWM同步降压DC-DC转换器,专为提供用于3G / 4G无线系统(移动/智能手机,平板,平板电脑......)的射频功率放大器(PA)而优化由单节锂离子电池供电。该器件能够提供高达800 mA的电流。输出电压可通过模拟控制引脚VCON从0.6 V至3.4 V进行监控。模拟控制允许在通信期间动态优化RF功率放大器的效率,例如在漫游情况下,有利于增加通话时间。此外,在轻负载时,为了优化DC-DC转换器效率,NCP6360自动进入PFM模式,工作在较慢的开关频率,对应于PWM模式下的静态电流降低,器件在开关时工作频率为6 MHz。同步整流可提高系统效率。 NCP6360采用节省空间的1.5 x 1.0 mm CSP-6封装。 特性 优势 输入电压2.7V至5.5V 适合单节电池供电应用 使用控制引脚VCON的可调输出电压(0.6V至3.4V) 适用于电源跟踪应用 6 MHz开关频率 小型电感器和外部元件 PFM / PWM自动模式更改 轻载,中载和重载时的高效率 低静态电流(典型值30μA) 低功率应用 嵌入式热保护 防止IC损坏 1.5 x1.0mm²/ 0.5 mm间距CSP封装 小空间应用程序...
发表于 07-30 05:02 299次 阅读
NCP6360 用于射频功率放大器的迷你降压转换器

ACPM-7800 四频GSM / EDGE和多模功率放大器

Broadcom ACPM-7800是一款多频段,多模功率放大器(PA)模块,支持GMSK和8-PSK调制方案以及UMTS / LTE频段1, 2 / 25,3,4,34 / 39,5 / 26,8,20,28A(12/17)和28B。 ACPM-7800支持包络跟踪(ET)和平均功率跟踪(APT)操作。输入和输出端子内部匹配50欧姆。 有两个放大器链,一个用于支持GSM850 / 900频段,另一个用于支持DCS1800 / PCS1900频段。 该模块采用先进的InGaP HBT技术制造,具有最先进的可靠性,温度稳定性和坚固性,并且具有成本效益,极小和薄5mm的时间; 7mm封装。 特性 四频GSM / EDGE 小尺寸(7mm x 5mm) 出色的线性度 与MIPI RFFE兼容 高效率 MIPI RFFE的偏置控制 42针表面贴装封装 用于RF输入和输出的内部50欧姆匹配网络 绿色(无铅且符合RoHS标准)   应用程序 GSM850 / 900,DCS1800 / PCS1900 UMTS / LTE B1 ,C2K BC6 UMTS / LTE B2,LTE B25,C2K BC1 UMTS / LTE B3 UMTS / LTE B4,C2K AWS TD-SCDMA B34和B39,TD-LTE B39 UMTS / LTE B5,LT...
发表于 07-04 10:07 178次 阅读
ACPM-7800 四频GSM / EDGE和多模功率放大器

ACPM-7788 四频GSM / EDGE和多模功率放大器

Broadcom ACPM-7788是一款多频段,多模功率放大器(PA)模块,支持GMSK和8-PSK调制方案以及UMTS频段1,2, 3,4,34,39,5,8,13,17,20,28A和28B。  该模块采用先进的InGaP HBT技术制造,提供最先进的技术可靠性,温度稳定性和坚固性,并且具有成本效益,极小和薄5mm的时间; 7mm封装。 特性 四频GSM / EDGE UMTS / LTE:5个高频带输出和6个低频带输出 UMTS B1,B2,B3,B4,B34 / 39,B5(B26),B8,B17,B20,B28A和B28B(B13) APT兼容 高APT的效率 与MIPI RFFE兼容 42引脚表面贴装封装 用于RF输入和输出的内部50Ω匹配网络 绿色(无铅且符合RoHS标准) 应用 GSM850 / 900,DCS1800 / PCS1900 UMTS / LTE B1,C2K BC6 UMTS / LTE B2,LTE B25,C2K BC1 UMTS / LTE B3 UMTS / LTE B4 TD-SCDMA B34,B39,TD-LTE B39 UMTS / LTE B5,LTE B26,C2K BC0(BC10) UMTS / LTE B8 LTE B17,B20,B28A和B28B(B13)...
发表于 07-04 10:07 242次 阅读
ACPM-7788 四频GSM / EDGE和多模功率放大器

AJAV-6101 WCDMA / HSPA UMTS Band 1 CMOS功率放大器

Broadcom AJAV-6101是一款完整的高性能功率放大器(PA),适用于支持UMTS Band 1的W-CDMA和HSPA无线通信。基于独特的专利技术架构方面,AJAV-6101集成了用于TX滤波,RF耦合,功率调节,输入和输出匹配以及功率控制的电路。   PA由单个供电连接电池并采用标准CMOS工艺实现。   功能 高性能3G PA 集成Tx滤波 - 提供业内最佳噪声 集成定向耦合器 集成稳压器和PA偏置 单电池直接连接 高线性效率 低平均电流 高容量CMOS工艺 小型3x3 mm封装 应用 智能手机,数据卡和3G模块 平板电脑,上网本和网络电脑 电子书和无线电子阅读器...
发表于 07-04 10:06 192次 阅读
AJAV-6101 WCDMA / HSPA UMTS Band 1 CMOS功率放大器

BCM3450 MoCA功率放大器/低噪声放大器(LNA)

Broadcom® BCM3450是一款高度集成的低功耗MoCA收发器,在单芯片中集成了低噪声放大器(LNA),功率放大器(PA)和T / R开关。  BCM3450旨在大幅降低MoCA收发器接口的复杂性,取代众多分立元件和大量印刷电路板(PCB)区域。 BCM3450与Broadcom的Integrated MoCA MAC / PHY / Tuner产品线结合使用。 BCM3450经过优化,可与BCM7420,BCM7410,BCM6829和BCM3320连接。 BCM3450的性能符合MoCA 1.0,1.1对噪声系数和线性度的要求。  功能 超越家用电缆的优越性环境 具有千兆无源光网络(GPON)到MoCA网桥,家庭MoCA WAN网络和宽带家庭路由器(BHR)的MoCA网络的单PA / LNA PA功能包括:宽带具有30 dB增益范围,低功率1.2W,输出功率2 dBm(可编程高达5 dBm)和ACPR为50 dBr @ 30 MHz偏移 提供功率放大和连接到同轴MoCA网络适用于集成MoCA MAC / PHY的Broadcom设备 应用程序 机顶盒 ...
发表于 07-04 09:58 137次 阅读
BCM3450 MoCA功率放大器/低噪声放大器(LNA)

MGA-425P8 通用FET

MGA-425P8功率放大器专为2-10GHz频率范围内的无线应用而设计。 5.25 GHz,3.3V,58mA(典型值) 13.3 dBm线性Pout @ 5%EVB 10.3%PAE @ 13.3dBm Pout 20.3dBm P1dB 16dB增益 1.7dB NF
发表于 07-04 09:57 46次 阅读
MGA-425P8 通用FET