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美国制定半导体十年计划:确定五大方向

传感器技术 2020-10-29 14:06 次阅读

编者按:日前,美国SIA和SRC联合了一份题为“半导体十年计划”的报告中,根据他们的说法,这个计划是由学术界,政府和工业界各界领导者共同制定的,它确定了五个方向,认为它们将塑造芯片技术的未来。 报告并呼吁美国政府在未来十年内每年进行34亿美元的联邦投资,以资助这五个领域的半导体研发。

以下为文章正文:  美国半导体产业在创新层面领先全球,这主要得益于在研发支出上的积极的投入。统计显示,他们当中大部分企业每年会拿出近20%的收入用于研发,这个投入是仅次于制药业。此外,联邦政府对半导体研发的资助也成为私人研发支出的催化剂。私营企业和联邦政府的半导体研发投资共同维持了美国的创新步伐,使其成为半导体行业的全球领导者。这些研发投资助推了创新和可商业化产品的发展,直接为美国经济和就业做出了重大贡献。  

        当前信息和通信技术(ICT)中的硬件-软件(HW-SW)范式已经无处不在,这也得益于软件和算法、系统架构、电路、设备、材料和半导体工艺技术等方面的持续创新。然而,ICT要想在未来十年保持其增长率水平,正面临着前所未有的技术挑战。这些挑战主要来自于半导体技术的各种基础限制,这些限制降低了信息处理、通信、存储、感知和驱动的能源效率的世代改进。  

       长期可持续的ICT增长将依赖于半导体技术能力的突破,从而使解决信息处理效率问题的整体解决方案成为可能。在软件、系统、架构、电路、器件结构以及相关的过程和材料等领域需要突破性的创新,这需要及时和良好协调的多学科研究努力。   为了维持美国半导体的地位,SRC和SIA共同推出这个半导体十年计划中,囊括了信息处理、传感、通信、存储和安全方面的研究重点,以确保半导体和ICT产业的可持续增长:   目前,信息和通信技术正面临着五大重大变革,本报告也将从几大世界基础技术的巨变开始探索,挖掘产业机会。以下为五大重大变革:  巨变1:需要在模拟硬件方面取得根本性的突破,才能产生能够感知、传感和推理的用于全球智能机器的接口; 

       巨变2:内存需求的增长将超过全球硅供应,为全新的内存和存储解决方案提供了机会; 巨变3:持续可用的通信需要新的研究方向,解决通信容量与数据生成率之间的不平衡; 巨变4:硬件研究需要突破,以应对在高度互联的系统和人工智能中出现的安全挑战; 巨变5:不断增长的能源需求的计算与全球能源生产正在创造新的风险共存,新的计算模式提供了极大提高能源效率的机会;  根据SIA之前的报道,在半导体新时代,要维持和加强美国在ICT领域的领导地位,需要在未来十年中每年持续增加34亿美元的联邦投资(即将联邦对半导体研究的资金增加两倍),以进行大规模的工业相关的基础半导体研究。(十年计划执行委员会就在“十年计划”中确定的5个重大转变,对每年追加的34亿美元投资的分配提出建议。分配的基础是市场份额趋势和我们对不同半导体和ICT技术的研发需求的分析)。   而这个十年计划的主要目标包括:1、认清推动信息和通信技术发展的重要趋势和应用,以及相关的障碍和挑战;2、定量评估将影响未来信通技术的五大巨变的潜力和状况;3、确定改变半导体技术当前发展轨迹的基本目标和指标。  

巨变一:模拟硬件方面需根本性突破

根据我们的预测,在未来,我们需要在模拟硬件方面取得根本性的突破,这样才能产生能够感知、传感和推理的用于全球智能机器的接口。   模拟电子处理现实世界中连续可变的多种形状的信号(与数字电子相比,数字电子通常是标准形状,只需要两个电平,1或0)。模拟电子学领域包含多个维度,如图1所示。此外,所有人类可以感知的输入都是模拟的,这就需要基于超压缩感知能力和低操作功率的世界机器接口的仿生解决方案(图2)。  

图1,模拟电子学的维度(左) 图2,大脑的感知和推理能力是基于超压缩的感知能力,能够减少10万个数据,并且运算在很低的能耗上。   物理世界本质上是模拟的,而“数字社会”对先进模拟电子设备的需求日益增加,以使物理世界和计算机世界之间的交互成为可能。“感知我们周围的环境是下一代人工智能的基础,下一代人工智能设备将具备感知和推理能力。全球机器界面是当前以信息为中心的经济的核心。
       
       例如,下一波先进制造革命预计将来自下一代模拟驱动的工业电子,包括传感、机器人、工业、汽车、医疗等。对于关键任务应用,电子元件的可靠性是优先考虑的问题。例如,如今模拟芯片占汽车电子产品故障的80%,比数字芯片的故障严重十倍。   从物理世界产生的估计总模拟信息相当于~1034位/秒。作为参考,人类总感觉吞吐量在~1017位/秒(图3)。因此,我们感知物理世界的能力明显受到限制。未来的模拟电子技术有巨大的机会来增强人类的感知系统,这将产生重大的经济和社会效应。比如,针对人类感知和认知系统打造的多媒体,囊括神经系统接口和通信技术。这将产生以人为中心的新技术,如基于多感觉的医疗诊断和治疗,带有虚拟香气合成器的完全虚拟现实,或基于室内空气质量的主动气味消除。这可以导致新的以人为中心的技术,如多传感为基础的医学诊断和治疗,完全虚拟现实与虚拟香气合成器,或基于室内空气质量的主动气味消除。  

图3:世界已安装传感能力的发展趋势   今天,生成模拟数据的能力比我们智能使用数据的能力增长得更快。在不久的将来,这种情况将变得更加严重,来自我们生活和物联网传感器的数据可能会产生模拟数据洪流,在我们最需要的时候掩盖有价值的信息。传感器技术正经历着指数级增长,预计到2032年将有45万亿传感器,每年将产生100万zettabytes(1027字节)的数据。这相当于~1020 bit/秒,从而超过了人类感知的总体吞吐量。因此,从预测的数据洪流中提取关键信息并以适当的方式加以应用是驾驭数据革命的关键。所以,模拟的宏伟目标是通过革命性的技术以更少的能耗和数据位来增加有用的/可操作的信息,例如以105:1的实际压缩/减少比来减少感知-模拟-信息。  



       行动呼吁  模拟接口连接物理世界和数字世界。我们通过模拟信号获取物理世界信息的集体能力比可用信息低10000亿倍,很快就需要在模拟电子学方面取得突破性进展。新的方法来感知,如感知行动,模拟“人工智能”(AI)平台,大脑启发/神经形态和分层计算,或其他解决方案将是必要的。信息处理技术的突破性进展,如开发感知算法,使人们能够从原始传感器数据中了解环境是一项基本要求。新的计算模式,如模拟“近似计算”, 可以交换能量和计算时间与输出的准确性(大概大脑是这样做的)是必需的。新的模拟技术将给通信技术带来巨大的进步。在输入/输出边界收集、处理和通信模拟数据的能力对未来的物联网和大数据世界至关重要。

       此外,模拟开发方法需要在生产力上有一个步骤的提高(10倍或更大),以及时解决应用程序爆炸问题。总之,合作研究建立革命性的模式,为未来节能模拟集成电路的广泛的未来数据类型,工作量和应用是必要的。   在这十年里,每年向模拟电子产品的新发展轨迹投资6亿美元。选定的优先研究主题概述如下:

宏伟目标1:   模拟到信息的压缩/减少,实际压缩/减少比为105:1,以一种更类似于人类大脑的方式驱动对信息和“数据”的实际使用。  

巨变二:全新的内存和存储解决方案

我们认为,在未来,内存需求的增长将超过全球硅的供应,这为全新的内存和存储解决方案提供了机会。   随着设备、电路和架构方面的重大创新,未来ICT需要有在内存和存储技术方面的全新解决方案。到这个十年结束时,ICT能耗和性能的持续改进将变得停滞不前,因为作为底层存储器,存储技术将面临规模限制。与此同时,用于人工智能应用的训练数据正在爆炸式增长,而且没有任何限制。

       越来越清楚的是,在未来的信息处理应用中,从材料和设备到电路和系统级功能的协同创新,很可能使用尚未探索的物理原理,将是实现比特密度、能源效率和性能新水平的关键。   全球对数据存储的需求呈指数级增长,这就需要过多的物质资源来支持正在发生的数据爆炸,今天的存储技术在不久的将来将无法持续。因此,数据/信息存储技术和方法需要新的根本解决方案。图4显示了全局数据存储需求的预测—包括保守估计和上限。如图4所示,未来的信息和通信技术将产生大量的数据,远远超过今天的数据流。目前,信息的生产和使用呈指数级增长,到2040年,全球存储的数据量估计在1024(10的24次方)到1028(10的28次方)bit之间。值得注意的是,虽然在最终扩展的NAND闪存中单个比特的重量为1皮克(10-12克),但存储1026(10的26次方)位的硅晶圆的总质量约为1010(10的10次方)千克,这将超过世界上总的可用硅供应量(图5)。   

图4:全球对内存和存储的需求,预计将超过全球可转换成硅晶圆的硅量。    全球对传统硅基存储器的需求呈指数级增长(图4),而硅的产量仅呈线性增长(图5)。这种差异让基于硅的内存在20年内对于Zetta规模的“大数据”部署来说将变得非常昂贵。   宏伟目标# 2:   开发>10-100X密度的新兴存储和存储载体,并对每个层次的存储结构提高能效。   宏伟目标# 2 b:   宏伟目标#3b:发现具有>100x存储密度能力的存储技术,以及能够利用这些新技术的新存储系统。  

图5:全球硅晶圆供应:1990-2020年数据变化及未来趋势预测   此外,内存如DRAM,是一个重要的组成部分。如果不“重塑”计算内存系统,计算机的进一步发展是不可能的,这里的“重塑”包括设备的物理层面,内存架构和物理层的实现。例如,传统的嵌入式非易失性存储器不能被扩展到28纳米以下,因此需要替代品。最后,新的内存解决方案必须能够支持多种新兴应用,例如人工智能、大规模异构高性能和数据中心计算,以及满足汽车市场恶劣环境要求的各种移动应用等。  行动呼吁  在存储器和数据存储方面的根本性底层的突破很快就会被要求。产业链需“从材料到设备,到电路,再到架构,处理和解决方案”进行合作研究,为未来的广泛应用提供高容量节能存储器和数据/信息存储解决方案是必要的。   在这十年里,每年在存储器和存储的新发展轨道上投资7.5亿美元。选定的优先研究主题概述如下:

巨变三:通信需要新的研究方向

根据我们的观点,持续可用的通信需要新的研究方向,解决通信容量与数据生成率之间的不平衡,是我们必须关注的又一个重点。   发达国家的现状是以随时可用的通讯和连接为特征的,这对生活的各个方面都产生了巨大的影响。云存储和计算就是这方面的一个表现。从任何地方获取数据并将其发送到任何地方的能力已经改变了我们商业方式以及个人习惯和生活方式。社交网络就是一个例子。

       然而,云的主要概念是基于持续连接的假设。此外,随着我们之间的联系越来越紧密,对交流的需求也越来越普遍。如图6所示,世界技术信息存储需要与通信能力之间的差距日益扩大,这是一个令人担忧的趋势。例如,虽然目前传输全世界存储的数据在不到一年的时间内是可能的,但预计到2040年传输至少需要20年。全球存储和通信的交叉预计将在2022年左右发生,这可能对ICT产生巨大影响。尽管人工智能系统的边缘计算日益增长,以满足隐私和更快的响应时间,产生和存储的信息爆炸将需要云存储和通信基础设施的巨大增长。  

图6:交叉点表示产生的数据超过了世界技术信息存储和通信能力,造成了数据传输的限制。   宏伟目标# 3a:   先进的通信技术,以1Tbps@<0.1nJ/bit的峰值速率,使所有存储的100-1000 zettabyte/年的数据能够移动。   宏伟目标# 3 b:   开发智能和敏捷的网络,有效地利用带宽来最大化网络容量。  行动呼吁  为了满足日益增长的需求,通信需要彻底的进步。例如,云技术可能会发生重大变化,重点将转向边缘计算和本地数据存储。   宽带通信将从智能手机扩展到增强现实、虚拟会议和智能办公室设置。新功能将通过新的用例和新的垂直市场丰富用户体验。这需要跨越广泛议程的合作研究,旨在建立革命性范式,以支持未来大容量、节能通信的广泛应用。美国能源部科学办公室在2020年3月发表了一份报告,以确定先进无线技术的潜在机遇和探索科学挑战 挑战将包括无线通信技术扩展到THz区域,无线和有线技术的相互作用,网络加密的新方法,越来越重要的安全,毫米波的新架构,设备技术,以维持带宽和功率要求,封装和热控制。  在这十年里,每年投资7亿美元在新的通讯技术。选定的优先研究主题概述如下:

巨变四:硬件研究需要突破

根据我们的观察,在未来,硬件研究需要突破,以应对在高度互联的系统和人工智能中出现的安全挑战。   当今高度相互关联的系统和应用程序需要安全和隐私(图7)。公司网络,社交网络和自治系统都是建立在可靠和安全通信的假设, 但也面临各种威胁和攻击,从敏感数据的泄露到拒绝服务。随着新用例、新威胁和新平台的出现,安全和隐私领域正在经历快速的变化。例如,量子计算的出现将带来新的威胁向量,这将给现有的加密方法带来漏洞。因此,必须开发新的抗量子攻击的加密标准,并考虑到这些标准对系统性能的影响。此外,隐私已经成为一个主要的政策问题,越来越受到全球消费者和政策制定者的关注。提高隐私的技术方法包括在收集或发布数据时混淆或加密数据。  

       在另一个方向,设备已经渗透到物理世界方方面面,因此对这些设备的信任就变成了安全问题。而且,安全从未如此重要。系统的安全性和可靠性除了传统的随机故障和物理世界系统的退化问题外,还需要考虑恶意攻击。网络物理系统的安全需要考虑如何即使在攻击后仍能正常运行或失败。我们需要智能算法,通过筛选上下文数据,以评估信任,做安全的传感器融合随着时间的推移。这是一个困难的问题,因为上下文数据具有巨大的多样性和数量——未来的系统实际上是具有无限通信和信令可能性的系统。例如,汽车可以相互通信,也可以与路边的基础设施。像人类一样,我们需要增强系统的智能来信任或不信任他们所感知到的一切。   

图7:安全的系统视图   我们的硬件也在变化。复杂性是安全的大敌,由于性能和能效的驱动因素,如今的硬件平台极其复杂。现代片上系统设计包含了一系列特殊用途加速器和IP模块。这些系统的安全架构是复杂的,因为这些系统现在是微小的分布式系统,我们必须建立分布式安全模型与不同的信任假设为每个组件。此外,这些组件通常来自第三方,这意味着硬件供应链需要信任。对性能的追求也导致了微架构中的一些微妙问题。例如,许多现有的硬件平台很容易受到投机性执行侧信道问题的影响,这一点在Spectre(幽灵)和Meltdown(熔断)中得到了曝光。在这些问题和其他问题的驱动下,未来需要全新的硬件设计。  

       今天的主要工作是人工智能。许多安全系统,例如,使用异常检测来识别攻击或使用功能分析的上下文认证。AI的能力在不断增强,这些可信系统的应用也在不断增长。然而,人工智能对这些系统的可信度尚不清楚。这不仅是安全系统的问题,而且即使是具有隐含信任假设的一般系统,例如,在自动车辆中的视觉对象检测,也是一个问题。研究人员已经表明,对图像的小的扰动可以使神经网络模型产生错误的结论。一个放置在停车标志上的小贴纸可以使一个模型归类为限速45标志。其他深度学习系统的应用也有类似的信任问题:语音识别的输出可能会被潜移默化的音频变化所操纵,或者恶意软件可能会因为二进制文件的微小变化而无法被发现。深度学习模型的脆弱性与其不可预测性有关。

       神经网络是没有解释其决策的黑匣子。神经网络的其他重要问题是算法偏差和公平性。我们需要一些方法来让深度学习系统更加可信、可解释和公平。   最后,在过去的十年里,我们必须保护的系统变得无比复杂。云已经成为外包计算和存储,同时保持控制的标准。我们仍在努力应对云计算带来的安全挑战——多租户、供应商保证和隐私——同时云计算产品的复杂性继续增加。

       云现在提供了可信的执行环境以及专门的、共享的硬件和软件。与此同时,人们对边缘计算越来越感兴趣,因为我们意识到云缺乏附近计算基础设施的性能和隐私保障。边缘的异构本质意味着对边缘计算服务提供商的信任是一个主要问题,当然,物联网设备的安全性多年来一直困扰着我们。必须让资源有限、成本低廉的设备更容易实现安全发展。即使在安全设计上小心谨慎,极端环境也会造成困难。使问题复杂化的是,各个级别的系统都变得更加复杂——现代芯片系统设计包含了一系列特殊用途的加速器和IP块,基本上是小型分布式系统,我们必须为每个组件建立分布式安全模型,并对其进行不同的信任假设。  行动呼吁  今天的系统在智能化和普遍性方面的增长速度是惊人的。

       与此同时,这些系统不断增加的规模和复杂性迫使硬件专门化和优化以应对性能挑战。所有这些性能上的进步必须与安全和隐私方面的进步齐头并进。例如,保护机器学习或传统密码学中的弱点,保护个人数据的隐私,以及解决供应链或硬件中的弱点。   宏伟目标4:   开发与技术同步的安全和隐私进步,新的威胁和新的用例,例如可信和安全的自主和智能系统,安全的未来硬件平台,以及新兴的量子后和分布式密码算法。  在这十年里,每年投资6亿美元用于信息通信技术安全的新发展。选定的优先研究主题概述如下:

巨变五:新的计算模式

在我们看来,不断增长的能源需求的计算与全球能源生产正在创造新的风险共存,新的计算模式提供了极大提高能源效率的机会。   计算技术的快速发展为几乎每一个细分市场的每一代产品提供了更强的功能,包括服务器、PC、通信、移动、汽车和娱乐等。这些进步是由私营企业和政府数十年的研发投资带来的,在计算速度、能源效率、电路密度和成本效益生产能力方面呈指数级增长。在软件和算法、系统架构、电路、设备、材料和半导体工艺技术方面的持续创新,已经成为这一增长速度的基础。虽然这一趋势已经持续了几十年,成功地克服了许多技术上的挑战,但现在人们认识到传统计算在能源效率方面已经接近基本极限,因此产生了更难克服的挑战。

       因此,在信息表达、信息处理、通信和信息存储方面的爆炸式创新对于可持续的经济增长和美国的技术领先地位都是迫切和关键的。   随着每年计算量的增加,用于支持这些计算的bit数也会增加。预计到2050年,我们将处理近1044bit。如图8a所示,通用计算的总能耗继续呈指数增长,大约每三年增长一倍,而世界能源产量仅呈线性增长,每年增长约2%。不断增长的全球计算能量是由不断增长的计算需求驱动的(图8b),尽管如此,计算处理器单元(例如CPUGPUFPGA)中每一位转换的芯片级能量在过去40年中一直在减少(如摩尔定律所示),当前处理器中为10 aJ或10-17 J。   然而,对计算增长的需求正在超过摩尔定律的发展。

       摩尔定律目前正在放缓,因为器件规模正在接近基本物理极限。如果计算能量的指数增长不受限制,市场动态将限制计算能力的增长,这将导致能源曲线变平(图8a中的“市场动态限制”场景)。因此,需要在计算的能源效率的根本改进,以避免“限制”的情况。   基本的难题是计算中的比特利用率,即实现一个计算指令所需的单位比特转换数。当前的CPU计算轨迹是由一个功率公式(如图9所示)描述的,其指数由p~2⁄3限定。观测轨迹和指数值的理论基础没有被清楚地理解,因此计算的理论基础需要进一步发展。可以发现,如果可以将公式中的指数增加~30%,计算效率和能源消耗将有一个100万倍的改善。如图9所示,图中“新轨迹”说明这一点。

图8a:计算的总能量:实黄线表示在提高设备能量性能的同时,继续当前计算轨迹。虚线表示“市场动态限制”的场景阻止了世界计算能力的进一步增加,导致能源曲线趋平。蓝色的方框表示一个全新的计算轨迹被发现的场景。

图8 (b): 2010-2050年世界计算信息的技术装机容量(简写为zip)。纯黄色的线表示当前的趋势(根据Hilbert和Lopez4的研究)。黄色虚线表示一种“市场动态有限”的情况,这种情况下,由于能源容量有限,世界计算能力将停止进一步增长。蓝框表示一个全新的计算轨迹被发现的场景。  

图9:当前的CPU计算轨迹  行动呼吁  人们很快就会要求计算机技术发生革命性的变化。计算负荷继续呈指数级增长,“人工智能”应用和训练需求的增长就是证明。新的计算方法,如存内计算,特殊用途的计算引擎,不同的人工智能平台,大脑启发/神经拟态计算,量子计算,或其他解决方案将是必要的,并将需要以异构的方式组合。潜在的异构计算架构描述的范围在最近的国家科学技术委员会(NSTC)报告中,声称将需要一个跨学科,跨职能的方法来实现商业上可行的和可制造的解决方案和长期存在的可能(至少十年),以取代主流的数字方法。本文件旨在激发合作研究“从材料到架构和算法”,以建立革命性的范式,支持未来节能计算的广泛的未来数据类型,工作量和应用。有关其他背景,见美国能源部科学办公室,微电子基础研究需求研讨会报告。  在这十年里,每年投资7.5亿美元来改变计算方式发展轨迹。选定的优先研究主题概述如下

总裁兼首席执行官John Neuffer表示:“联邦政府和私营部门对半导体研发的投资推动了美国半导体产业的创新步伐,推动了整个美国和全球经济的飞速增长。” “然而,随着我们进入一个新时代,有必要重新关注公私研究伙伴关系,以应对芯片技术面临的巨大变化。联邦政府必须在半导体研究上进行雄心勃勃的投资,以使美国在半导体及其带来的改变游戏规则的未来技术方面保持领先地位。”John Neuffe说。  

       SRC总裁兼首席执行官Todd Younkin博士说:“未来将为半导体技术带来无限的潜力,人工智能,量子计算和先进的无线技术等新兴应用有望带来不可估量的社会效益。” “十年计划为我们如何将这种潜力转化为现实提供了一个蓝图。通过共同努力,我们可以促进半导体技术的发展,使其保持强大的竞争力,并处于创新浪潮的顶端。”   

原文标题:美国制定半导体十年计划,聚焦五大方向

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晶圆代工龙头厂台积电昨低调举行南科晶圆18厂3纳米厂新建工程上梁典礼,预计明年装机并于年底试产,20....
的头像 我快闭嘴 发表于 11-25 15:23 169次 阅读
台积电三大重要成果意义分析

中关村示范区在5G等方面已取得一系列进展

在近日北京举行的中关村5G创新应用大赛上,中关村管委会二级巡视员刘航在致辞中表示,中关村示范区在5G....
的头像 MEMS 发表于 11-25 15:14 148次 阅读
中关村示范区在5G等方面已取得一系列进展

电源管理芯片和移动应用结合必然颠覆传统PC模式

你是否有注意到传统PC已经许久没有更新过了?除了简单的网页浏览和日常办公,人们更习惯于拿起手机处理事....
的头像 开关电源芯片 发表于 11-25 15:13 179次 阅读
电源管理芯片和移动应用结合必然颠覆传统PC模式

英特尔自研芯片的新战略解读

英特尔(Intel Corp.)比任何一家公司都更有资格代表「硅谷」这个名称中富有历史感的「硅」字。....
的头像 我快闭嘴 发表于 11-25 15:10 233次 阅读
英特尔自研芯片的新战略解读

苹果M1芯片如此厉害的三个原因分析

苹果今年的发布会三部曲终于落下了帷幕。这场压轴大戏上,发布了苹果自研芯片Apple Silicon的....
的头像 我快闭嘴 发表于 11-25 15:05 253次 阅读
苹果M1芯片如此厉害的三个原因分析

友恩U6235电源芯片:寻求行业新的增长点

LED驱动电源芯片质量的稳定性对LED照明灯具的寿命起到关键性作用。变幻莫测的市场环境下,友恩半导体....
的头像 开关电源芯片 发表于 11-25 15:02 104次 阅读
友恩U6235电源芯片:寻求行业新的增长点

现在买iPhone11系列落伍吗?

iPhone 发展到现在已经13个年头了,你对每一代 iPhone 都了解吗,不妨来回顾一下这些年 ....
的头像 哎咆科技 发表于 11-25 14:47 305次 阅读
现在买iPhone11系列落伍吗?

为设计大偏振特性的自驱动紫外光电探测材料提供新思路

中国科学院福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室“无机光电功能晶体材料”研究员罗军华团队和副研究员....
的头像 MEMS 发表于 11-25 14:46 100次 阅读
为设计大偏振特性的自驱动紫外光电探测材料提供新思路

TriLumina先进的倒装芯片、背发射VCSEL技术

传统VCSEL阵列都安装在基座上,并利用键合线进行电气连接。TriLumina的板载VCSEL器件结....
的头像 MEMS 发表于 11-25 14:40 96次 阅读
TriLumina先进的倒装芯片、背发射VCSEL技术

华灿Mini芯片亮相京东方全球创新伙伴大会

01 乾照光电募资15亿元用于扩产 乾照光电向特定对象发行A股股票预案,拟募集资金总额不超过15亿元....
的头像 高工LED 发表于 11-25 14:40 144次 阅读
华灿Mini芯片亮相京东方全球创新伙伴大会

一文解析半导体行业的三大领军人物

在半导体行业,英特尔、三星和台积电是当之无愧的龙头。可以看到,2011年以后,英特尔、三星、TSMC....
的头像 我快闭嘴 发表于 11-25 14:36 285次 阅读
一文解析半导体行业的三大领军人物

苹果M1 Mac芯片被砍了一半?

一般来说,新品发售以后,各种拆解结构就开始动手了。 像是 iPhone12 系列发布后,拆解网站 i....
的头像 哎咆科技 发表于 11-25 14:27 253次 阅读
苹果M1 Mac芯片被砍了一半?

台积电:营收已连续10年创下纪录 今年将再创新高

11月25日消息,据台湾媒体报道,台积电董事长刘德音日前表示,公司营收已连续10年创下纪录,今年将再....
的头像 璟琰乀 发表于 11-25 14:07 44次 阅读
台积电:营收已连续10年创下纪录 今年将再创新高

中兴通讯发布绿色5G白皮书,通过创新实现节能降耗的可行性

11月24日,中兴通讯与全球领先的电信、媒体、和技术(TMT)研究机构GSMA智库(GSMA Int....
的头像 牵手一起梦 发表于 11-25 13:54 158次 阅读
中兴通讯发布绿色5G白皮书,通过创新实现节能降耗的可行性

台积电正按计划推进3nm工艺在2022年下半年量产

11月25日消息,据国外媒体报道,在今年一季度及二季度的财报分析师电话会议上,台积电CEO魏哲家透露....
的头像 璟琰乀 发表于 11-25 13:52 99次 阅读
台积电正按计划推进3nm工艺在2022年下半年量产

荣耀V40系列麒麟9000处理器版本被砍

前几天华为将荣耀打包出售,这则消息在网上引起了很多网友的热烈讨论,这个时候大家都觉得荣耀最大的问题被....
的头像 我快闭嘴 发表于 11-25 12:08 218次 阅读
荣耀V40系列麒麟9000处理器版本被砍

PW2224降压升压变换器的数据手册免费下载

PW2224是一种高效率的单电感Buck-Boost变换器,可以为负载供电电流高达4A。它提供降压和....
发表于 11-25 08:00 3次 阅读
PW2224降压升压变换器的数据手册免费下载

18V和15V降压到5V的芯片选择方案说明

18V 降压 5V15V 降压 5V 的芯片方案选型问题
发表于 11-25 08:00 8次 阅读
18V和15V降压到5V的芯片选择方案说明

18V和15V降压到3.3V的降压芯片和LDO选择方案说明

在 18V 和 15V 输入中,我们需要给其他电源电路提高供电,有的电路的供电电压在 5V,或者是 ....
发表于 11-25 08:00 8次 阅读
18V和15V降压到3.3V的降压芯片和LDO选择方案说明

USB口3A限流保护芯片PW1503的数据手册免费下载

PW1503 是超低 RDS(ON)开关,具有可编程的电流限制,以保护电源源于过电流和短路情况。它....
发表于 11-25 08:00 11次 阅读
USB口3A限流保护芯片PW1503的数据手册免费下载

PW1555限流开关保护芯片的数据手册免费下载

PW1555 是一个可编程的限流开关,具有输入电压范围选择和输出电压钳位。集成保护 N 沟 FET ....
发表于 11-25 08:00 12次 阅读
PW1555限流开关保护芯片的数据手册免费下载

PW2558异步降压调节器芯片的数据手册免费下载

PW2558 开发了一种高效的异步降压 DC/DC 调节器输出 0.8A 电流。集成电路采用电流模式....
发表于 11-25 08:00 10次 阅读
PW2558异步降压调节器芯片的数据手册免费下载

请问如何允许芯片在进入调试模式时不被重置?

如何允许芯片在进入调试模式时不被重置
发表于 11-24 06:40 0次 阅读
请问如何允许芯片在进入调试模式时不被重置?

ZETag云标签芯片于2021年实现产品量产

SoC 设计与应用技术领导厂商Socionext Inc.(以下“Socionext”)宣布携手纵行科技和chsor共同开发新一代低功耗、低成本的ZE...
发表于 11-23 07:41 0次 阅读
ZETag云标签芯片于2021年实现产品量产

半导体芯片内部结构详解

在我们阐明半导体芯片之前,我们先应该了解两点。其一半导体是什么,其二芯片是什么。半导体半导体(semiconductor),指常温下导...
发表于 11-17 09:42 198次 阅读
半导体芯片内部结构详解

半导体洁净车间微粒在线监测系统集大成者

导读:洁净室(区)是对悬浮粒子及微生物污染规定需要进行环境控制的区域,其建筑结构装置及使用均要求具有减少对洁净区域内污染...
发表于 11-16 14:46 202次 阅读
半导体洁净车间微粒在线监测系统集大成者

Altera系列FPGA芯片IP核详解

发表于 11-15 15:01 202次 阅读
Altera系列FPGA芯片IP核详解

3A的限流芯片PW1503详解

USB限流芯片,5V输入,输出5V电压,限流值可以通过外围电阻进行调节,PWCHIP产品中可在限流范围0.4A-4.8A,并具有过...
发表于 11-14 09:24 332次 阅读
3A的限流芯片PW1503详解

2020半导体尘埃粒子检测仪器行业报告究竟前景如何

手术室的装备已成为衡量医院综合技术水平的重要指标,现代手术室建设中数字化技术的应用等各方面特点为患者和医护人员提供了一个...
发表于 11-13 14:07 203次 阅读
2020半导体尘埃粒子检测仪器行业报告究竟前景如何

这个电源保护芯片

小天才手表充电线里面的一个保护芯片丝印是0AA7HA,不知道具体是什么型号的,应该是电源保护芯片,怀疑是这个芯片坏了,查上...
发表于 11-06 10:03 250次 阅读
这个电源保护芯片

有没有大佬知道那5V升15V3A的芯片和电路?

发表于 11-05 20:00 202次 阅读
有没有大佬知道那5V升15V3A的芯片和电路?

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 56次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 121次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 211次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 101次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 77次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 141次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 107次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 115次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 128次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 100次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 110次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 219次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 203次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 142次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 112次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
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FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
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NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
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NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
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NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
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AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5