10月27日消息,台积电是目前芯片制程工艺方面走在前列的厂商,苹果、AMD、英伟达等全球重要品牌的芯片都由他代工,而近期有消息称台积电已经开始大规模量产第六代CoWoS晶圆级芯片封装技术,可集成192GB内存在芯片内部。
CoWoS的全称为Chip-on-Wafer-on-Substrate,是一种将芯片、基底都封装在一起的技术,能够降低制造难度和成本,这项技术常用于HBM高带宽内存的整合封装,而之前的AMD Radeon VII显卡、NVIDIA V100计算卡就使用了这项封装技术,目前这项技术只有台积电掌握,技术细节属于商业机密。由于是商业机密,台积电没有披露第六代CoWoS的细节,只了解到可在单个封装内,集成多达12颗HBM内存。
而最新SK海力士的HBM2E内存利用TSV硅穿孔技术垂直堆叠八颗2GB芯片,从而做到单颗容量16GB,理论上更是可以做到十二颗堆叠、单颗容量24GB。也就说,台积电实际可做到将192GB高速内存封装在芯片内,理论上限是封装288GB内存。在芯片封装技术方面,产业链人士透露,台积电的第6代CoWoS封装技术有望在2023年大规模投产。
责任编辑:tzh
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
相关推荐
台积电行业芯事
深圳市浮思特科技有限公司
发布于 :2024年03月26日 16:34:54
555集成芯片内部结构复杂且精细,主要由分压器、比较器、基本RS触发器、放电管、缓冲器等单元电路组成。
发表于 03-25 15:00
•114次阅读
集成芯片内部的引脚排列原理是确保电路正常工作的重要基础。引脚,作为芯片与外部电路的连接点,其排列方式直接影响到电路的连接和信号传输。
发表于 03-21 15:43
•212次阅读
集成芯片,作为现代电子技术的核心组件,其内部组成极为复杂且精细。下面,我们将深入探讨集成芯片的内部
发表于 03-20 17:11
•143次阅读
集成芯片内部的电路结构相当复杂,主要由晶体管、电阻、电容等元件以及它们之间的连接构成。这些元件和连接通过微影工艺被精确地集成在一块硅片上,以实现特定的电路功能。
发表于 03-19 15:59
•105次阅读
555集成芯片的内部结构相对复杂,但我们可以简要地概述其主要组成部分和它们的功能。
发表于 03-18 15:04
•121次阅读
AMD MI300X集成八个5nm XCD加速计算模块,共计304个计算单元,搭配四个6nm IOD模块,集成256MB无限缓存,还有八颗共192GB HBM3内存,总计1530亿个晶
发表于 01-23 16:23
•304次阅读
台积电行业资讯
深圳市浮思特科技有限公司
发布于 :2023年10月26日 17:17:08
MI300X是一款与NVIDIA旗舰显卡H100相媲美的产品。它拥有8个XCD核心,304组CU单元和8组HBM3核心。显存容量达到了192GB,相当于NVIDIA H100的2.4倍。同时,HBM
发表于 08-04 17:19
•1316次阅读
看了上文,大家对于芯片外围电路不集成进入芯片内部的原因,大概了解了。除了上文提到的原因,还有一些其他原因导致外围电路不能集成进入IC
发表于 07-23 15:53
•351次阅读
TrendForce指出,目前NVIDIA的A100及H100,在最新整合CPU及GPU的Grace Hopper芯片中,单颗芯片HBM搭载容量提升20%,达96GB;AMD更是大量采用HBM,其中MI300搭载HBM3,MI3
发表于 07-04 15:36
•256次阅读
Apple M2 Ultra 的数据非常夸张,提供 24 个 CPU 核心,最多 76 个核心 GPU,以及高达 192GB 的统一内存,内存带宽为 800GB/s。这款
发表于 06-19 14:20
•564次阅读
工艺,性能翻倍。这款芯片拥有24核CPU、60核GPU、最高支持192GB统一内存、800GB/s内存带宽;除此之外,M2 Ultra的另一
发表于 06-06 11:20
•631次阅读
%。西安二厂预计将生产13.5万片,比之前的14.5万片减少了约7%。业界观察人士认为,三星选择砍掉部分NAND产能,因为当前内存市场形势惨淡。
【台积电28nm设备订单全部取消!】
发表于 05-10 10:54
,成立于1987年,是当时全球的第一家专业积体电路(集成电路/芯片)制造与服务兼硅晶圆片代工的大型跨国企业。
台积电占据了全球
发表于 04-27 10:09
评论