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台积电:可集成192GB内存在芯片内部

我快闭嘴 来源:ITheat热点科技 作者:ITheat热点科技 2020-10-27 10:39 次阅读

10月27日消息,台积电是目前芯片制程工艺方面走在前列的厂商,苹果、AMD英伟达等全球重要品牌的芯片都由他代工,而近期有消息称台积电已经开始大规模量产第六代CoWoS晶圆级芯片封装技术,可集成192GB内存在芯片内部。

CoWoS的全称为Chip-on-Wafer-on-Substrate,是一种将芯片、基底都封装在一起的技术,能够降低制造难度和成本,这项技术常用于HBM高带宽内存的整合封装,而之前的AMD Radeon VII显卡、NVIDIA V100计算卡就使用了这项封装技术,目前这项技术只有台积电掌握,技术细节属于商业机密。由于是商业机密,台积电没有披露第六代CoWoS的细节,只了解到可在单个封装内,集成多达12颗HBM内存。

最新SK海力士的HBM2E内存利用TSV硅穿孔技术垂直堆叠八颗2GB芯片,从而做到单颗容量16GB,理论上更是可以做到十二颗堆叠、单颗容量24GB。也就说,台积电实际可做到将192GB高速内存封装在芯片内,理论上限是封装288GB内存。在芯片封装技术方面,产业链人士透露,台积电的第6代CoWoS封装技术有望在2023年大规模投产。
责任编辑:tzh

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