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意法半导体2020年第三季度净营收远超预期 汽车产品需求较大

2020-10-26 16:40 次阅读

一、意法半导体第三季度净营收环比提高27.8%

横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)公布了按照美国通用会计准则(U.S. GAAP)编制的截至2020年9月26日的第三季度财报。

意法半导体第三季度净营收26.7亿美元,毛利率36.0%,环比提高27.8%,比最高预期高690个基点,远超预期!


 
意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery在评论第三季度业绩时表示:
 
“如同我们在2020年10月1日提前公布的一样,2020年第三季度净营收环比提高27.8%,比最高预期高690个基点。整个第三季度市场环境明显好于预期,来自汽车产品的需求,我们的个人电子产品领域执行的客户项目,以及微控制器需求,是取得这一业绩的主要因素。第三季度毛利率处于我们预期中值水平,包括约140个基点的闲置产能支出。

“展望第四季度,预计营收中位数将环比增长12.0%。除射频通信子业务部,其他所有产品业务预计都将实现增长。毛利率预计约38.50%,包括约70个基点的闲置产能支出。

“2020年全年净营收中位数预计约99.7亿美元,同比增长4.3%,同时营业利润率将保持在两位数。”

二、季度财务摘要(美国通用会计准则)

净营收总计26.7亿美元,同比增长4.4%。与去年同期相比,汽车产品、影像芯片和功率分立器件收入虽有所下降,但是微控制器、射频通信、MEMS和模拟器件销售收入增长抵消了部分降幅。OEM销售收入同比增长7.5%;代理渠道销售收入同比下降3.4%。从环比看,净营收增长27.8%,比公司预期最高目标高690个基点。所有产品部门都实现销售收入环比两位数增长。 
 
毛利润总计9.59亿美元,同比下降0.8%。毛利率36.0%,同比下降190个基点,价格压力和闲置产能支出是同比下降的主要因素。第三季度毛利率与公司预测的中位数持平。
 
营业利润同比下降2.0%,总计3.29亿美元,去年同期为3.36亿美元。营业利润率同比下降80个基点,占净营收的12.3%,而2019年第三季度为13.1%。
 


 
各产品部门财务业绩同比:
 
汽车和分立器件产品部(ADG)  

汽车产品和功率分立器件的销售收入均有所下降

营业利润4,900万美元,同比下降35.7%。营业利润率5.8%,去年同期8.5%
 
模拟器件、MEMS和传感器产品部(AMS

MEMS和模拟器件销售收入均实现增长,影像芯片收入有所减少

营业利润1.75亿美元,同比下降11.8%。营业利润率17.5%,去年同期20.5%
 
微控制器和数字IC产品部(MDG) 

微控制器和射频通信(以前的“数字IC”子业务部)均增长

营业利润1.42亿美元,增长32.0%。营业利润率17.4%,去年同期15.7%

净利润和每股摊薄收益分别降至2.42亿美元和0.26美元,而去年同期分别为3.02美元和0.34美元。
 


2020年第三季度资本支出(扣除资产销售收入后)为3.19亿美元,年初到第三季度累计8.97亿美元。去年同期,资本支出为2.44亿美元。 
 
本季度末库存为19.3亿美元,高于去年同期的17.9亿美元。季末库存周转天数为103天,低于去年同期的100天。
 
为进一步加强公司无线连接业务,业务兼并支出7,600万美元;2017年发行的2022 A级可转换债券结算支付应计利息3300万美元;扣除这两项费用后,第三季度自由现金流(非美国通用会计准则)为负2500万美元,去年同期为正1.7亿美元。
 
第三季度公司支付现金股息总计3,800万美元。
 
截至2020年9月26日,意法半导体净财务状况(非美国通用会计准则)为6.62亿美元,相比之下,2020年6月27日净财务状况为5.70亿美元。总流动资产为35.3亿美元,总负债为28.7亿美元。  

三、业务展望

展望2020年第四季度,公司指导目标(中位数)为:
 
净营收预计29.9亿美元,环比增长约12.0%,上下浮动350个基点; 

毛利率约为38.5%,上下浮动200个基点;

本前瞻假设2020年第四季度美元对欧元有效汇率大约1.15美元=1.00欧元,包括当前套期保值合同的影响

第四季度结账日为2020年12月31日
 

本文由电子发烧友综合报道,内容参考自ST、东方财富网,转载请注明以上来源。
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STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

oelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。该器件采用宽带隙材料,可以设计具有650V额定电压的肖特基二极管结构。得益于肖特基结构,在关闭时不会显示恢复,且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。这些器件特别适用于PFC应用,它们可以提高硬开关条件下的性能。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。 STPSC12065-Y和STPSC20065-Y器件符合AEC-Q101标准,可用于汽车应用。STPSC12065-Y和STPSC20065-Y是支持PPAP且符合ECOPACK®2标准的元件。 特性 无反向恢复或可忽略不&...
发表于 11-09 12:07 14次 阅读
STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器

oelectronics PWD5F60高密度功率驱动器在单一紧凑型系统级封装 (SiP) 中集成了栅极驱动器和四个N通道功率MOSFET,采用双半桥配置。集成式功率MOSFET的漏源导通电阻或RDS (ON) 为1.38Ω,漏源击穿电压为600V。嵌入式栅极驱动器的高侧可方便地通过集成自举二极管供电。PWD5F60功率驱动器的集成度高,因此能在空间受限的应用中高效地驱动负载。 PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压 (VCC),在上、下驱动部分均具有欠压闭锁 (UVLO) 保护功能,以防电源开关在低效率或危险条件下工作。PWD5F60具有宽输入电压范围,因此可轻&...
发表于 11-09 12:07 18次 阅读
PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器

STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

oelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) 不仅扩展了超低功耗产品组合,还提高了产品性能,采用Arm® 树皮-M4内核(具有DSP和浮点单元 (FPU),频率为120MHz)。STM32L4P5产品组合具有512KB至1MB闪存,采用48-169引脚封装。STM32L4Q5具有1MB闪存,提供额外加密加速器引擎(AES、HASH和PKA)。 特性 超低功率,灵活功率控制 电源:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至85°C或-40°C至125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模块中150nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,22nA(5个唤醒引脚ʌ...
发表于 11-06 09:07 36次 阅读
STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

ST715C50R STMicroelectronics 低静态电流LDO线性稳压器

oelectronics低静态电流LDO线性稳压器经过优化提供超低静态电流 (I)。I比其供电的平均负载电流低,或者相当。该功能对于电力有限的应用非常有必要,例如电池供电的设备或长时间待机、符合环保标准的设备。这延长了电池寿命,降低了整体功耗。 这些低静态电流LDO稳压器非常适合用于便携式消费类电子设备,例如智能手机、智能手表、蓝牙耳机和可穿戴设备。工业、智能建筑和智能家居传感器还得益于超低静态电流(工作和禁用(待机) 模式下...
发表于 11-05 17:07 12次 阅读
ST715C50R STMicroelectronics 低静态电流LDO线性稳压器

LD56100DPU33R STMicroelectronics LD56100超低噪声线性稳压器

oelectronics LD56100超低噪声线性稳压器在1.8-5.5V输入电压范围内提供1A电流,典型压差为120mV。LD56100采用DFN8 (1.2x1.6mm) 封装,在最大程度上节约空间。该器件通过输出上的陶瓷电容保持稳定。LD56100适合用于低功耗电池供电应用,具有超低压差、低静态电流、快速瞬态响应和内部软启动电路等功能。 特性 输入电压:1.8V至5.5V 超低压差(120mV典型值,1A负载和VOUT=3.3V时) 非常低的静态电流(无负载时的典型值为100μA,断开模式下典型值为0.03μA) 输出电压容差:±1%(-40°C至+85°C) 超低噪声ʍ...
发表于 11-05 17:07 9次 阅读
LD56100DPU33R STMicroelectronics LD56100超低噪声线性稳压器

VN7000AYTR STMicroelectronicsVND70x0汽车用高侧驱动器

半导体 VND70x0 车用高侧驱动器是单或双通道高侧驱动器,采用 ST 专有 VIPower® M0-7 技术制造,并采用 SO-8、PowerSSO-12 和 PowerSSO-16 封装形式。这些器件用于通过 3V 和 5V CMOS 兼容型接口驱动 12V 汽车接地负载。 特性 极低电压操作,用于深冷分级应用 合格汽车 综合的普遍的一般常规 单通道或双通道智能高侧驱动器与多感觉或电流感觉模拟反馈 非常低的待机电流 兼容3V和5VCMOS输出 多感官诊断功能 多路/电流感知模拟反馈:高精度比例电流镜负载电流、VCC电源电压和TCHIP器件温度 过载和短到地面(功率限制)指示 热停机指示 OFF-状态开负载检测 输出短到VCC检测 感觉启用/禁用 贸易保护措施(向歹徒缴纳的)保护费 未压缩关机 高压钳 负载电流限制 快速热瞬变的自限制 具有专用故障复位引脚的超温或功率限制的可配置闭锁 地面损失和VCC损失 带有外部组件的反向电池 静电放电保护 ...
发表于 10-30 14:06 16次 阅读
VN7000AYTR STMicroelectronicsVND70x0汽车用高侧驱动器

PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60栅极驱动器

oelectronics PWD13F60栅极驱动器是一款高密度电源驱动器和高压全桥,带集成栅极驱动器。PWD13F60器件接受电源电压范围广,受低压UVLO检测保护。这些PWD13F60栅极驱动器电源系统级封装和高压功率MOSFET具有低R (320mΩ) 和600V漏源击穿电压。PWD13F60栅极驱动器轻松连接微控制器和DSP单位或霍尔效应传感器,输入引脚范围广。这些PWD13F60栅极驱动器还具有宽驱动器电源电压、内部自举二极管,输出与输入同步,让设计更加灵活、简单和快速。PWD13F60采用10mmx13mmx1.0mm VFQFPN封装。典型应用包括工厂自动化、电机驱动器(用于工业和家用电器)、风扇和泵以及电源装置。 特性 电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET 低R DS(开启)=320mΩ BVDSS =600伏 适合用作 全桥 双独立半...
发表于 10-30 14:06 20次 阅读
PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60栅极驱动器

LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO

oelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO的输入电压范围为1.5V至5.5V,250mA负载下的压差极低。LDLN025可延长需要长待机时间应用的电池寿命。该LDO的静态电流非常低,空载时仅12μA。LDLN025提供非常干净的输出,得益于其超低噪声值和高电源抑制比 (PSRR) 特性,非常适合用于超敏感型负载。该LDO采用陶瓷电容器,因此性能稳定。 特性 超低输出噪声:6.5μ VRMS 工作输入电压范围:1.5V至5.5V 输出电流高达250mA 非常低的静态电流:空载时为12μA 超低压差:250mV (250mA) 极高PSRR:80dB@100Hz、60dB@100kHz 线路、负载和温度范围内...
发表于 10-30 14:06 26次 阅读
LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO

LDL212PV33R STMicroelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC

oelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC可在2.5V至18V输入电压范围内提供最大1.2A电流。LDL212在1.2A电流下的典型压差值为350mV。LDL212适合用于在SMPS中实现直接稳压和在直流-直流转换器中实现二次线性稳压。该 IC 在 120Hz 时具有 87dB 的高电源抑制比,100kHz 时为 40dB。LDL212 采用使能逻辑控制功能实现关断模式,从而降低总电流消耗。该器件还具有限流、SOA和热保护功能。 特性 输入电压范围:1.6V至5.5V 极低压差(1A负载下的典型值为300mV) 低静态电流(无负载时的典型值为35μA,断开模式下的典型值为1μA) 输出电压容差:±2...
发表于 10-30 11:06 10次 阅读
LDL212PV33R STMicroelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC

LED2001PHR STMicroelectronics LED200x Monolithic Step-Down DC-DC Converters

oelectronics LED200x单片步进式DC-DC转换器是850k Hz的转换器,设计成精确的恒流源,可调节的电流能力可达4ADC。 嵌入式PWM调光电路提供LED亮度控制。 由于高开关频率和陶瓷输出电容兼容性,整体应用的尺寸被最小化。 器保护,防止热过热,过流和输出短路。 特性 3V到18V工作输入电压范围 850千赫兹固定开关频率 100mV类型。 电流感电压下降 PWM调光 ± 7% output current accuracy 同步整改 95mΩ HS / 69mΩ LS typical R DS(开启) 峰电流模式架构 嵌入式补偿网络 内部限流 陶瓷输出电容器兼容 热停机 申请 高亮度LED驱动 一般照明 卤素子弹再置术 签名 ...
发表于 10-30 11:06 20次 阅读
LED2001PHR STMicroelectronics LED200x Monolithic Step-Down DC-DC Converters

STSPIN32F0B STMicroelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器

oelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器是一款系统级封装器件,提供的集成解决方案适用于使用不同驱动模式驱动三相无刷电机。STSPIN32F0B控制器内置三个半桥栅极驱动器,能够驱动功率MOSFET,电流能力为600mA(拉电流和灌电流)。得益于集成联锁功能,不能同时驱动相同半桥的高侧和低侧开关。 该器件设有内部直流/直流降压转换器,可提供3.3V电压,适合为MCU和外部元件供电。另外,内部LDO线性稳压器可为栅极驱动器提供电源电压。集成运算放大器可用于信号调理,从而在&#...
发表于 10-30 10:06 26次 阅读
STSPIN32F0B STMicroelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器

STCMB1TR STMicroelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC

oelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC包含高电压双端控制器、高达800V额定电压部分以及监视这三块运行的胶合逻辑。PFC部分采用专有的恒定导通时间控制方法,无需正弦输入参考。这可减少系统成本和外部零部件数量。 特性 一般特性 SO20W封装 800V高压启动,带集成输入电压检测 有源输入滤波电容放电电路,可降低待机功耗,通过IEC 62368-1和UL Demko认证 适用于两款转换器的独立调试模式 PFC控制器特性 增强型恒定导通时间PFCʌ...
发表于 10-30 10:06 10次 阅读
STCMB1TR STMicroelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC

LD39100PU18RY STMicroelectronics LD39100低噪声稳压器

oelectronics LD39100低噪声稳压器最大电流为1A, 输入电压范围为1.5-5.5V,典型压差为200mV。该器件的输入和输出采用陶瓷电容器,具有超低压差、低静态电流和低噪声等特点。这些特性让LD39100非常适合低功率电池供电应用。电源抑制在低频率时为70dB,在10kHz时开始滚降。通过使能逻辑控制功能,LD39100可在消耗总电流低于1μA时处于关断模式。该器件还具有短路恒流限制和热保护功能。LD39100还提供符合AEC-Q100标准的版本,采用侧面可湿的DFN6 (3x3mm) 封装。 特性 符合AEC-Q100标准 输入电压范围:1.5V至5.5V 超低压差(1A负载时的典型值为200mV) 极低静态电流(无负载时的典型值为20μA,1A负载时的典ࣁ...
发表于 10-30 10:06 12次 阅读
LD39100PU18RY STMicroelectronics LD39100低噪声稳压器

L6498DTR STMicroelectronics L6498高压半桥驱动器

oelectronics L6498高压半桥驱动器是采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。该驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流,因此L6498特别适合用于中大容量功率MOSFET/IGBT。由于集成联锁功能,所以输出不能同时驱动高位。位于下、上驱动部分的独立UVLO保护电路防止在低效率或...
发表于 10-30 10:06 20次 阅读
L6498DTR STMicroelectronics L6498高压半桥驱动器

友恩半导体持续开发高功率、低功耗、高集成度等产品

友恩芯片基于高低压集成技术平台进行技术升级,未来三年将持续开发高功率、低功耗、高集成度等产品,公司在研项目正稳步推进:公...
发表于 10-30 09:39 101次 阅读
友恩半导体持续开发高功率、低功耗、高集成度等产品

L6494LDTR STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器

oelectronics L6494高压高/低侧2A栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些高压器件采用BCD6“离线”技术制造。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 该器件是单输入栅极驱动器,具有可编程死区时间,并设有低电平有效关断引脚。L6494特别适合中、高容量功率MOSFET/IGBT。两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流, 位于下、上驱动部分的独立UV...
发表于 10-29 13:06 6次 阅读
L6494LDTR STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器

求问:芯片设计厂商一般营收情况怎么样?怎样找到客户的呢?

各位大佬好! 行研新人求问:半导体行业协会说中国现在有1700多家设计厂商了,像海思这种老大就不说了,中小芯片设计厂商一般的...
发表于 09-30 17:25 303次 阅读
求问:芯片设计厂商一般营收情况怎么样?怎样找到客户的呢?

半导体器件物理

半导体器件物理(胡正明)
发表于 09-22 19:57 202次 阅读
半导体器件物理

智芯半导体推出 磁吸轨道灯 调光调色双色温 DALI智能调光 HI7001

Hi7001 是一款外围电路简单的多功能平均电流型LED 恒流驱动器,适用于 5-100V 电压范围的降压BUCK 大功率调光恒流 LE...
发表于 09-11 14:23 808次 阅读
智芯半导体推出 磁吸轨道灯 调光调色双色温  DALI智能调光 HI7001

TVS二极管与TSS固态放电管的区别分析

                          通常...
发表于 09-08 14:24 364次 阅读
TVS二极管与TSS固态放电管的区别分析

5G工程师必备半导体测试指南!

[摘要]我们​知道​测试​宽​带​5G IC​非常​有​挑战​性,​因而​撰写​了​《5G​半导体​测试​工程​师​指南》​来...
发表于 09-01 15:41 769次 阅读
5G工程师必备半导体测试指南!