侵权投诉

哪些是SiC器件重点关注领域?

安森美 2020-10-26 10:12 次阅读

文章来源:电子工程世界

作者:汤宏琳

就在我们还沉浸在Si器件带来的低成本红利时,很多关键型应用已经开始拥抱SiC了。

虽然SiC成本还有些略高,但它却有着自己得天独厚的优势:与Si相比,SiC介电击穿场强高10倍、电子饱和速度高2倍、能带隙高3倍和热导率高3倍。

正因如此,SiC功率器件能够提供Si半导体无法达到的革命性性能,特别适合新能源、汽车、5G通信应用中对于高功率密度、高电、高频率、高效率、以及高导热率的应用需求。


随着外延工艺的提升和成本的下降,SiC成了半导体领域炙手可热的当红材料,被称为商业前景最明朗的半导体材料之一,堪称半导体产业内新一代“黄金赛道”,其应用市场也在飞速拓展中。

安森美半导体电源方案部产品市场经理王利民介绍,仅2017年到2022年间,SiC市场年均复合增长率将高达35%,预计到2022年其市场容量将超过10亿美元。

功率因数校正(PFC)、电动/混动汽车、电动/混动汽车基础设施、光伏、不间断电源(UPS)、电机驱动、铁路、风能等领域都是SiC大展拳脚的应用空间。

四大战略市场,布局未来

那么究竟哪块市场是SiC最先起飞的赛道呢?又有哪些是SiC器件重点关注的领域呢?且让我们跟着安森美半导体的脚步来看看。

王利民介绍,作为深耕电源应用领域多年的供应商,安森美半导体正在开发完整的器件生态系统,以支持宽禁带电源设计, 包括SiC二极管和SiC MOSFET、GaN HEMT、 SiC和GaN驱动器及集成模块等,

这些器件将重点关注四大应用市场:电动汽车(EV)/混动汽车(HEV)、5G 电源和开关电源(SMPS)、电动汽车充电器/桩和太阳能逆变器

1

电动汽车(EV)/混动汽车(HEV)

电动汽车的发展速度有目共睹,在汽车主驱逆变器、车载充电(OBC)和DC-DC级等应用中使用SiC器件,可以大大提升效率,增加续航能力。因而汽车应用成了SiC器件的主要驱动力之一,约占整个SiC总体市场容量60%左右。

无论从用户体验,还是从车厂基于续航里程报价的角度考虑,能效提升、续航里程的增加无疑为电动汽车市场开拓起着重要作用,因而目前几乎所有做主驱逆变器的厂家都在研究SiC作为主驱方向。

同时,在车载充电(OBC)和DC-DC级应用领域,绝大部分厂家也在使用SiC实现高效、高压和高频率的应用。

此外,美国加利福尼亚州已签署行政命令,到2030年要实现500万辆电动车上路的目标;

欧洲也有电动汽车全部替换燃油车的时间表;

而在中国各大一线城市,电动汽车可以零费用上牌。

这一系列政策都推动了电动汽车的大幅增长,而电动汽车对于高压、高频率和高效率器件的需求也推动了SiC市场的大幅增长。

2

5G电源和开关电源(SMPS)领域

传统的开关电源领域在Boost电路及高压电源应用中,对功率密度一直有着持之以恒的追求。从最早通信电源,到现在5G通信电源、云数据中心电源,都对能效有非常高的要求。

SiC器件高达98%的能效,完美契合了电源和5G电源市场发展,在这个应用领域也有不俗的表现。

3

电动汽车充电器/桩

新基建、内循环等一系列策略都在快速地带动电动汽车充电桩的发展。充电桩的实现方案有很多种,现在消费者最感兴趣的就是直流快充,直流快充的充电桩需要非常大的充电功率以及非常高的充电效率,这些都需要通过高电压来实现。

因而随着功率和速度要求的提高,越来越多的充电桩方案将使用SiC MOSFET,自然电动汽车充电桩也是安森美半导体SiC器件重点关注市场之一。

4

太阳能逆变器

SiC在太阳能逆变器领域的使用量也很大,且市场在蓬勃发展,王利民介绍,目前全球1%的电力来自太阳能,预计未来10-15年将达到15%的能源来自太阳能。

据悉,中国国家能源局(NEA)设定了清洁能源目标,到2030年满足中国20%的能源需求。同时,欧盟也设定目标,到2020年,能效提高20%,二氧化碳排放量降低20%,可再生能源达到20%。

政策驱动使得越来越多的SiC器件应用于太阳能逆变器Boost电路,并且随着太阳能逆变器成本的优化,越来越多的厂商将会使用SiC MOSFET作为主逆变的器件,来替换原来的三电平逆变器控制的复杂电路。

SiC器件如何使用?安森美半导体懂你


面对当前的市场竞争,SiC产品的高效率、高能效、高功率密度、高压诚然非常有吸引力,但成本也是客户不得不考虑的问题。

对此,安森美半导体在提供全球领先可靠性的前提下,能够提供集成制造和无与伦比的规模推动卓越的成本结构。同时还提供全球快速响应的供应链服务和广泛的可选产品阵容。

可靠性是器件使用的前提条件,王利民表示,安森美半导体SiC器件拥有领先的可靠性,且全部器件都符合车规。

在半导体高温高湿反偏老化测试(H3TRB)中,同样测试条件下,安森美半导体SiC二极管可以通过1000小时的可靠性测试,而在实际测试中,安森美半导体还会将这个测试延长至2000小时,足以体现其SiC器件可靠性之高。

高性价比也是安森美半导体SiC器件的特性之一,其SiC MOSFET和二极管都是接近理想的开关器件,能够很好地结合Rds_on和低开关损耗,同时支持更高电压(>600V)。

对此,王利民给出了一组理论上的对比数据:当同样达到1200V击穿电压时,各个器件要达到同样效率所需面积的对比。

此外,在方案中,如果将Si方案替换成SiC,其体积、功率密度以及整体BOM成本都会得到优化。如下图所示。

同时,为了助力工程师快速将SiC器件应用到设计中,安森美半导体还提供了基于其应用专长创建的完整解决方案,其中包括单管方案、模块方案以及各种电动车和混动车的车载充电器方案,并为这些方案提供整套电路图纸、BOM、Demo以及方案专家团队的鼎力支持。

安森美半导体能够提供完整的器件生态系统,以支持宽禁带电源设计, 包括SiC二极管和SiC MOSFET、GaN HEMT、 SiC和GaN驱动器及集成模块,全部器件或模块都满足汽车规范。

浪涌和雪崩是SiC二极管强固性主要表现之一。王利民介绍,在大幅提高效率同时,SiC二极管还有一个设计痛点,即不管在Boost 电路还是在PFC电路中,SiC二极管都要扛住浪涌电流

对此,安森美半导体提供了非常贴心的设计,以1200V 15A的SiC二极管为例,在毫秒级安森美半导体的的SiC二极管有10倍的过滤,在微秒级的SiC二极管有50倍的过滤。

此外,针对电动汽车主驱或马达驱动的应用中,对于SiC二极管雪崩的要求,安森美半导体SiC二极管能够提供更高的雪崩能量。

此外,安森美半导体的MOSFET也几乎涵盖了市面上所有主流的SiC MOSFET,包括20mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ的器件,封装涵盖TO-247 3脚以及D2PAK的7脚封装,并且所有的产品都提供工业规范和汽车规范。此外,安森美半导体还有900V的SiC MOSFET,20mΩ、60mΩ都是市面上最主流的一些规格。

王利民介绍,安森美半导体提供的是全生态的,包括器件、解决方案、仿真模型以及软件设计等整个一系列的SiC生态系统。

针对目前所有处于持续增长的市场,安森美半导体都在开发相关的方案,为客户提供一整套的方案设计,同时还和业内重点客户建立了紧密的合作关系,包括联合实验室,共同开发等形式。

未来,安森美半导体也将持续地、大幅地在SiC领域进行持续投入和生态的运营。

原文标题:SiC(碳化硅)主场即将开启,你做好准备了吗?

文章出处:【微信公众号:安森美半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

责任编辑:haq

原文标题:SiC(碳化硅)主场即将开启,你做好准备了吗?

文章出处:【微信号:onsemi-china,微信公众号:安森美】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

电动交通平台的电路保护、高速数据和电源转换解决方案

电动交通和运输系统对可靠的电路保护、高速通信和紧凑电源转换解决方案在一系列平台上的需求正在增长,包括....
发表于 10-20 16:01 75次 阅读
电动交通平台的电路保护、高速数据和电源转换解决方案

高压肖特基二极管CUHS15F60介绍

做电子的工程师都知道,二极管是最早诞生的半导体器件之一,而且在电子电路上的应用是十分广泛的,通过利用....
的头像 东芝半导体 发表于 10-20 15:27 84次 阅读

池银行能否成为解决电动汽车充电难的绝招

作者:肖鹏  电动汽车的充电困境一周前,国庆假期结束了,虽有局地疫情,但也挡不住人们对旅行的热爱,长....
的头像 启明信息 发表于 10-20 11:30 214次 阅读

Wolfspeed 与致瞻科技采用SiC技术提升燃料电池汽车性能

纯电动汽车(BEV)和燃料电池汽车等新能源汽车将在未来十年不断增长。
发表于 10-20 10:35 62次 阅读
Wolfspeed 与致瞻科技采用SiC技术提升燃料电池汽车性能

你们安森美公司靠哪项技术每小时拯救9条生命吗

安森美是1999年由摩托罗拉的标准产品半导体业务分拆而来,总部位于美国亚利桑那州,产品包括分立器件和....
的头像 安森美 发表于 10-20 10:33 184次 阅读

信任,是汽车技术未来发展的基础

汽车行业的未来前景广阔,自动驾驶和全电动汽车等技术正在推动汽车行业快速发展。
发表于 10-20 09:07 78次 阅读

POCV是如何定义的

POCV是什么? 既然有了AOCV,为什么要有POCV?
发表于 10-20 06:31 0次 阅读

深入探讨封装基板

来源:内容来自「驭势资本」,谢谢。 半导体封装基础 半导体制造工艺流程 半导体制造的工艺过程由晶圆制....
的头像 芯片半导体 发表于 10-19 18:14 362次 阅读

小米造车最新进展:小米汽车将在2024年上半年正式量产

小米造车进展将再一次提速,小米集团董事长雷军今日表示小米造车团队各项工作的进展都远超他的预期,预计小....
的头像 lhl545545 发表于 10-19 11:37 626次 阅读

加快电动汽车普及的好处

随着越来越多的混合动力汽车 (HEV) 和电动汽车 (EV) 首次亮相,汽车制造商正在提高车辆动力系....
的头像 德州仪器 发表于 10-19 11:00 175次 阅读

悄悄努力惊艳汽车圈!富士康神速造车,快小米不止一步

电子发烧友网(文/莫婷婷)近年来,国内造车圈加入了不少新玩家,且不说恒大,在PPT造车陆续倒闭之后,....
的头像 Monika观察 发表于 10-19 09:20 857次 阅读
悄悄努力惊艳汽车圈!富士康神速造车,快小米不止一步

力压特斯拉Model Y,“国民神车”五菱宏光MINI EV成9月销冠,有企业在闷声发大财

俗话说:金九银十,每年的9月份和10月份都是各类商品销售的旺季,对于汽车产业也不例外。根据乘联会近日....
的头像 Felix分析 发表于 10-19 04:34 1995次 阅读
力压特斯拉Model Y,“国民神车”五菱宏光MINI EV成9月销冠,有企业在闷声发大财

无人机反制枪安全吗?反无人机枪到底是怎么工作的

无人机市场的迅猛发展同时也带动了相关产业的发展,无人机作为高科技产品,无疑给人们的生活带来了很大的便....
发表于 10-18 16:23 50次 阅读

远景维珍车队新赛季涂装将亮相第26届联合国气候变化大会(COP26)

第26届联合国气候变化大会(以下简称COP26)将于当地时间10月31日在英国格拉斯哥召开
的头像 西西 发表于 10-18 16:19 203次 阅读
远景维珍车队新赛季涂装将亮相第26届联合国气候变化大会(COP26)

低压电池监控器进入高压电动汽车

BMS的主要功能是监控电池状态,对电动汽车而言,就是监视超大电池组或电池堆。
发表于 10-18 11:28 746次 阅读
低压电池监控器进入高压电动汽车

搜狗CEO宣布正式并入腾讯

搜狗CEO王小川近日宣布已经正式卸任CEO,并正式并入腾讯公司。搜狗公司将AI能力赋能到腾讯公司业务....
的头像 lhl545545 发表于 10-18 11:23 585次 阅读

电池串联最多可以串多少块

电瓶修复—电池串联多少都可以吗?
发表于 10-18 11:11 28次 阅读

涨价涨不动、旺季不旺,Q3芯片公司业绩大爆发,却危机四伏……

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)不出意外,第三季度半导体上市公司的业绩又爆发了。从目前部分公司的业绩预....
的头像 芯链 发表于 10-17 07:41 1507次 阅读
涨价涨不动、旺季不旺,Q3芯片公司业绩大爆发,却危机四伏……

大踏步造车!富士康即将发布三款电动车

电子发烧友网报道(文/李弯弯)日前,富士康科技集团发布了数款电动车的预告视频,包括一款纯电动轿车、一....
的头像 Carol Li 发表于 10-17 07:04 859次 阅读
大踏步造车!富士康即将发布三款电动车

承诺2027年达标,ST的“碳中和”之路

作为一家全球知名的半导体公司,意法半导体STMicroelectronics一直在推动可持续发展战略....
的头像 芯链 发表于 10-15 18:05 855次 阅读
承诺2027年达标,ST的“碳中和”之路

DEKRA德凯帮助企业实现高品质车规级半导体

由于汽车电子的使用环境非常复杂,半导体在车内的应用越广泛,对其相应的安全性和可靠性要求也会越高。车规....
的头像 DEKRA德凯 发表于 10-15 15:00 662次 阅读

季丰电子新增应用在MOS等高压IV Curve和高压热点定位

季丰电子新增加高压IV Curve和高压热点定位,主要应用在MOS,SiC,IGBT等高压产品的失效....
的头像 上海季丰电子 发表于 10-15 11:50 323次 阅读
季丰电子新增应用在MOS等高压IV Curve和高压热点定位

电动汽车充电的传导式充电和无线充电

大家好,罗森伯格陪您聊高压迎来第三期啦,上一期为大家介绍了电机过电压(点击查看系列文章“电机过电压”....
的头像 罗森伯格汽车电子 发表于 10-15 11:13 683次 阅读
电动汽车充电的传导式充电和无线充电

求一种符合功能安全的BMS解决方案

BMS是什么? BMS功能安全开发流程是怎样的? ...
发表于 10-15 07:51 0次 阅读

IGBT的内部结构是怎样组成的

IGBT的工作原理和作用是什么? IGBT的内部结构是怎样组成的? IGBT的特点有哪些? ...
发表于 10-15 06:01 0次 阅读

高可靠、高效率、高集成度!电源适配器就需要这个“三高”控制器

内容概述 当今世界正处于百年未有之大变局中,加之”疫“外突袭,全球集成电路产业链经受考验,汽车、手机....
的头像 思睿达小妹妹 发表于 10-14 16:15 1820次 阅读
高可靠、高效率、高集成度!电源适配器就需要这个“三高”控制器

如何实现电池管理系统(BMS)高标准性能测试

电池管理系统(Battery Management System简称BMS),不仅对电池电压、电流、....
发表于 10-14 14:27 116次 阅读
如何实现电池管理系统(BMS)高标准性能测试

新型机械可调谐耿氏二极管波导振荡器介绍

新型振荡器涵盖波导规格WR-90、WR-42和WR-28并支持X、K和Ka波段。
的头像 PASTERNACK 发表于 10-14 13:46 224次 阅读

LED状态指示电池充电器电路设计

接到了一个设计电池充电器的任务。我决定使用德州仪器 (TI) 的 BQ2000TSN,因为它在电池化....
发表于 10-14 09:38 863次 阅读
LED状态指示电池充电器电路设计

充电桩电路图 充电桩电路设计中单向充电桩 双向充电桩解决方案分享

充电桩电路图 充电桩电路设计中单向充电桩 双向充电桩解决方案分享 大家应该还记得假期电动汽车在高速公....
发表于 10-13 18:58 1289次 阅读
充电桩电路图 充电桩电路设计中单向充电桩 双向充电桩解决方案分享

半导体物理与器件:基本原理第四版(尼曼)参考答案汇总

半导体物理与器件:基本原理第四版(尼曼)参考答案汇总
发表于 10-13 17:22 87次 阅读

储能技术实现广泛供电

如果我们不仅能为全球最亟需的地方提供能源,而且是提供经济高效的能源,会怎么样?这是谈到发展中国家时经....
发表于 10-13 16:24 189次 阅读
储能技术实现广泛供电

汽车ET7 0.208的空气阻力系数是如何做到的

9月24日,ET7公布了空气动力学风洞测试成绩,取得了0.208的超低风阻系数,也使得ET7成为了全....
的头像 蔚来 发表于 10-13 16:20 520次 阅读

国内安装储能真的有收益吗

在国内,提到户用储能,大家的反应都是“在国内没必要安装”、“成本太高,收不回本”。的确户用储能在国外....
的头像 固德威光伏社区 发表于 10-13 16:00 288次 阅读
国内安装储能真的有收益吗

传感器助力工业4.0发展

全球进入工业4.0时代,已有许多企业采用机器人、物联网、云端运算等新兴技术进行自动化生产。然而技术从....
的头像 欧时电子RS 发表于 10-13 14:19 779次 阅读

【品牌资讯】国庆赛事 | 2021琼海车辆模型公开赛、2021首届湖南“绿地杯“漂移模型赛完美落幕!

十一黄金周今年的国庆节,“朋友圈摄影大赛”硝烟弥漫。每个人都享受着自己“安逸”的黄金周假期,看惯了朋....
的头像 林伟河 发表于 10-12 18:29 35次 阅读
【品牌资讯】国庆赛事 | 2021琼海车辆模型公开赛、2021首届湖南“绿地杯“漂移模型赛完美落幕!

美商务部拟强制供应链共享信息 苹果、英特尔等都收到灵魂拷问

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)外媒消息称,白宫正在向汽车制造商、芯片公司和其他公司施压,甚至考虑援引....
的头像 电子发烧友网 发表于 10-12 17:57 468次 阅读

浅析超声波涂铟机技术

本仪器主要用于ITO靶材的制造,它可以将铟金属均匀的渗透到铜板、ITO玻璃、二氧化硅等金属与非金属表....
发表于 10-12 17:16 73次 阅读

年薪40万都招不到人 我国半导体人才为何如何稀缺

电子发烧友网报道(文/黄山明)每年的9、10月,号称金九银十,是当年的招聘旺季,对于半导体行业同样如....
的头像 电子发烧友网 发表于 10-12 17:01 458次 阅读

特斯拉CEO稳坐全球首富背后究竟是为何

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)马斯克的全球首富位置坐得更稳了。 9月10日,据彭博亿万富翁指数的最新....
的头像 电子发烧友网 发表于 10-12 16:05 340次 阅读

从工业到汽车,东芝在功率器件市场的布局

电子发烧友网报道(文/程文智)近几年来,新能源汽车发展迅猛,与之配套的汽车功率器件也发展迅速,不少厂....
的头像 电子发烧友网 发表于 10-12 15:41 781次 阅读

三星如何为摩尔定律再度添加一个“维度”

在近期举办的2021年Samsung Foundry论坛上,三星透露了2/3nm制程工艺的新进展,并....
的头像 电子发烧友网 发表于 10-12 14:31 212次 阅读

美政府索要芯片数据原因之一被公开 剑指中国大陆车用芯片产业链

前不久,美政府组织召开了第三轮半导体峰会,依然是为了解决目前严重的缺芯问题。在这一轮峰会上,美政府要....
的头像 电子发烧友网 发表于 10-12 14:31 358次 阅读

新能源汽车呼唤大功率直流快充

在刚刚过去的十一长假里,诞生了一个段子,车主们堵在高速公路上,新能源车排队充电,有网友调侃道,我都到....
的头像 电子发烧友网 发表于 10-12 11:29 747次 阅读

IGBT在国产进程中强势崛起

电子发烧友网报道(文/李宁远)在上一期中,已经提到作为一种功率半导体,IGBT应用非常广泛,小到家电....
的头像 电子发烧友网 发表于 10-12 11:13 421次 阅读

解析电池管理系统(BMS)实现形式及大厂芯片性能

电子发烧友网报道(文/李诚)目前国内碳中和已被提上日程,全球已经有超过120个国家提出了碳中和的目标....
的头像 电子发烧友网 发表于 10-12 11:09 422次 阅读
解析电池管理系统(BMS)实现形式及大厂芯片性能

剖析Mobileye与英伟达在自动驾驶上的不同路线

电子发烧友网报道(文/周凯扬)说起自动驾驶方案,名号最响的当属英伟达与英特尔这两大头部国际厂商,Nv....
的头像 电子发烧友网 发表于 10-12 09:57 367次 阅读

首款国产1700V SiC MOSFET获“低碳能效奖“,可提升电源效率4%!

工业三相供电(400 VAC to 690VAC)的功率变换系统,其母线电压通常高于600V,母线电....
发表于 10-11 17:26 445次 阅读
首款国产1700V SiC MOSFET获“低碳能效奖“,可提升电源效率4%!

TI的集成式变压器模块技术有助于进一步增加混动和电动汽车的行驶时间

通过全新的易用型偏置电源模块,工程师可以将电源解决方案的尺寸减小一半,满足系统小型化和轻量化需求。
发表于 10-11 16:06 262次 阅读
TI的集成式变压器模块技术有助于进一步增加混动和电动汽车的行驶时间

通过分布式架构驱动下一代电动汽车系统

电动汽车需要高标准的可靠性和安全性,而这种要求会渗透到各个功率转换电子设备上。元件必须以受控且经过验....
发表于 10-11 15:56 1196次 阅读
通过分布式架构驱动下一代电动汽车系统

通用汽车与Wolfspeed达成战略供应商协议,在通用汽车未来电动汽车计划中采用SiC

通用汽车于近日宣布达成一项战略供应商协议,约定 Wolfspeed 为通用汽车的未来电动汽车计划开发....
发表于 10-11 15:27 280次 阅读
通用汽车与Wolfspeed达成战略供应商协议,在通用汽车未来电动汽车计划中采用SiC

特斯拉柏林工厂计划周产量达到1万辆 员工短缺问题困扰公司扩张

据路透社的消息,10月10日凌晨,特斯拉CEO马斯克在柏林新工厂的活动上表示,柏林超级工厂的产量为一....
的头像 章鹰 发表于 10-11 13:38 680次 阅读
特斯拉柏林工厂计划周产量达到1万辆 员工短缺问题困扰公司扩张

安川伺服在使用绝对值编码器时如何选用电池?

安川伺服在使用绝对值编码器时如何选用电池?...
发表于 10-11 06:28 0次 阅读

华大半导体:对GPIO操作如何避免入坑

在使用单片机时对GPIO操作是最基础的操作,即使这种操作如果不注意还是会掉到坑里去。例如:使用同一组GPIO端口中的两个...
发表于 10-09 10:53 360次 阅读

iphone PD充电有哪几个阶段

iphone PD充电有几个阶段?分别是哪些?
发表于 10-08 06:26 0次 阅读

三菱伺服电机故障修理的要点有哪些

三菱伺服电机故障修理的要点有哪些?是什么原因造成三菱伺服电机故障的?...
发表于 09-26 06:06 0次 阅读

现代集成电路半导体器件书,胡正明

现代集成电路半导体器件书,胡正明
发表于 09-24 01:09 197次 阅读

充电桩主要特点

背景随着新能源汽车快速发展,人们对电动汽车也越来越认可,特斯拉、BYD、威马、蔚来等品牌的电动汽车在我们日常生活中越来越...
发表于 09-17 07:19 0次 阅读

打印机的原理是什么

打印机原理        激光技术出现于60年代,真正投入实际应用始于70年代初期。最早的激光发射器是...
发表于 09-17 06:23 0次 阅读

NLU1G86 单路2输入异或门

6 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入异或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.5 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 平衡传播延迟 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小Pb免费套餐 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 05:02 270次 阅读
NLU1G86 单路2输入异或门

NLU1G32 单路2输入或门

2 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G32输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.7 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 输入时提供断电保护 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小型无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 255次 阅读
NLU1G32 单路2输入或门

NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

78A是一款4位可配置双电源双向自动感应转换器,不需要方向控制引脚。 V CC I / O和V L I / O端口设计用于跟踪两个不同的电源轨,V CC 和V L 。 V CC 电源轨可配置为1.65V至5.5V,而V L 电源轨可配置为1.65V至5.5V。这允许V L 侧的电压逻辑信号在V CC 侧转换为更低,更高或相等值的电压逻辑信号,反之亦然。 NLSX4378A转换器在I / O线上集成了10K欧姆上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至V L 或V CC 。 NLSX4378非常适合开漏应用,例如I 2 C通信总线。 特性 优势 宽VCC工作范围:1.65V至5.5V 宽VL工作范围:1.65V至5.5V 允许连接多个电压系统 高速,24 Mb / s保证数据速率 最大限度地减少系统延迟 低位偏移 适合差异信号传输 小型包装 - 2.02 x 1.54mm uBump12 节省物理空间解决方案 应用 终端产 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,PDA,相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 335次 阅读
NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s双电源电平转换器

01是一款1位可配置双电源双向自适应传感转换器,不需要方向控制引脚.I / O VCC和I / O VL端口分别用于跟踪两个不同的电源轨,VCC和VL 。 VCC和VLsupply轨道均可配置为1.5 V至5.5 V.这样,VL侧的电压逻辑信号可在VCC侧转换为更低,更高的等值电压逻辑信号,反之亦然.NLSX4401转换器已集成I / O线上有10 k上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至VL或VCC。 NLSX4401非常适合开放式应用,如I2C通信总线。 特性 VL可以小于,大于或等于VCC 宽VCC工作范围:1.5 V至5.5 V 宽VL工作范围:1.5 V至5.5 V 高速,24 Mb / s保证日期速率 低位偏斜 启用输入和I / O引脚是过压容差(OVT)以使能输入和I / O引脚是过压容差(OVT)至5.5 V 非优先通电排序 断电保护 应用 终端产品 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,相机,消费品 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 141次 阅读

NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

125 MiniGate™是一款先进的CMOS高速非反相缓冲器,占用空间极小。 NLU1GT125要求将3状态控制输入()设置为高,以将输出置于高阻态。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT125输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.8 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 17:02 119次 阅读
NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

FSA839 低压 带关断隔功能的0.8Ω单刀双掷(SPDT)模拟开关

是高性能的单刀双掷(SPDT)模拟开关,用于由低电压(1.8V)基带处理器或ASIC驱动的音频应用。该器件在V CC = 4.5 V时具有0.8Ω(最大值)的超低R ON ,可在1.65V到5.5V的宽V CC 范围内工作。该器件采用亚微米CMOS FSA839在低电压ASIC和常规的音频放大器之间连接,CODEC在高达5.5V的工作电压范围内运行。控制电路允许控制引脚(Sel)上提供1.8V(典型值)信号。 应用 多媒体平板电脑 存储和外设 手机 WLAN网卡和宽带接入 PMP / MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 01:02 146次 阅读

NXH240B120H3Q1 功率集成模块(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管

B120H3Q1PG是一款3通道1200 V IGBT + SiC Boost模块。每个通道包括一个快速开关80 A IGBT,一个20 A SiC二极管,一个旁路二极管和一个IGBT保护二极管。该模块具有内置热敏电阻并具有压配销。 特性 优势 1200 V快速开关IGBT 降低IGBT的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 1200 SiC二极管 降低二极管的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 低Vf旁路二极管 提高旁路模式的效率 压合销 无焊接安装 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 分散式公用事业规模太阳能逆变器 商业串式逆变器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 225次 阅读

NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

120H2Q0SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 142次 阅读

NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 152次 阅读

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-31 04:02 214次 阅读

NCV8605 LDO稳压器 500 mA 低压差

5 / NCV8606在固定电压选项下提供超过500 mA的输出电流,或者在5.0 V至1.25 V范围内提供可调输出电压。这些器件专为空间受限和便携式电池供电应用而设计,并提供其他功能,如具有高PSRR,低噪声操作,短路和热保护。这些器件设计用于低成本陶瓷电容器,采用DFN6 3x3.3封装。 NCV8605的设计没有使能引脚,NCV8606设计有使能引脚。 特性 输出电压选项:可调,1.5 V,1.8 V,2.5 V,2.8 V, 3.0 V,3.3 V,5.0 V 外部电阻可调输出,从5.0 V降至1.25 V 电流限制675 mA 低I GND (独立于负载) 1.5%输出电压容差(可调) 在所有工作条件下2%输出电压容差(已修复) NCP605已修复直接替换LP8345 没有旁路电容的50 Vrms的典型噪声电压 增强型ESD额定值:4 kV人体模式(HBM) 400 V Machin e Model(MM) 应用 终端产品 电池电力电子设备 便携式仪器 硬盘驱动程序 笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 19:02 254次 阅读

NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

低压差(LDO)线性稳压器将在固定输出电压下提供1.5 A电流。快速环路响应和低压差使该稳压器非常适用于低电压和良好负载瞬态响应非常重要的应用。器件保护包括电流限制,短路保护和热关断。 NCP566采用SOT-223封装。 特性 超快速瞬态响应(
发表于 07-30 08:02 124次 阅读
NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

4是一款30A POL,适用于在小型电路板占板面积内要求高效率的应用。该器件将DC / DC控制器与两个高效mosfet集成在一个采用热增强型5mm x 6mm QFN封装的信号中。它采用获得专利的增强型斜坡脉冲调制控制架构,可提供超快的负载瞬变,从而减少外部电容和/或提供更好的瞬态容差。与传统的恒定时间控制器相比,新架构还改进了负载调节。 特性 优势 效率高 减少电力损失 快速装载瞬态 减少输出电容的数量 频率选择 优化效率和输出滤波器尺寸的权衡 0.6%准确参考 允许非常精确的输出电压 远程感知 提供准确的输出电压 启用输入和电力良好指标 二手用于控制排序 可调节电流限制 低电流设计的灵活性 可调节软启动 允许控制开启坡道 热增强型QFN封装 改善散热 指定-40C至125C 应用 终端产品 服务器 网络 电信 ASICs servere 存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 449次 阅读

NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

3是一款20A降压转换器(内置MOSFET),工作电压范围为3V至21V,无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率,可调节输出以提供低至0.6V的电压。可调电流限制允许器件用于多个电流水平。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,高效电压模式同步降压转换器,工作电压为3 V至21 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V,5V和12V母线 300kHz,500kHz和1MHz开关频率 用户可选择的选项,允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除,则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压保护和欠压电压保护 应用 终端产品 高电流POL应用 AS...
发表于 07-30 04:02 400次 阅读

NCP3231A 高电流同步降压转换器

1A是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出o电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 313次 阅读

NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

1B是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 1MHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出ove r电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 158次 阅读

NCP3231 高电流同步降压转换器

1是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低 - 侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出过压保护和欠压保护 使用热敏电阻或传感器进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电力良好输出 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 228次 阅读

NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

2是一款低输入电压,6 A同步降压转换器,集成了30mΩ高侧和低侧MOSFET。 NCP1592专为空间敏感和高效应用而设计。主要特性包括:高性能电压误差放大器,欠压锁定电路,防止启动直到输入电压达到3 V,内部或外部可编程软启动电路,以限制浪涌电流,以及电源良好的输出监控信号。 NCP1592采用耐热增强型28引脚TSSOP封装。 特性 30mΩ,12 A峰值MOSFET开关,可在6 A连续输出源或接收器处实现高效率电流 可调节输出电压低至0.891 V,准确度为1.0% 宽PWM频率:固定350 kHz,550 kHz或可调280 kHz至700 kHz 应用 终端产品 低压,高密度分布式电源系统 FPGA 微处理器 ASICs 便携式计算机/笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 160次 阅读

NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

C转换器采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,可提供高达30 A的电流。 特性 优势 效率高 降低功耗并减少散热问题 4.5 V至18 V输入范围 允许使用5 V或12 V母线进行操作 综合mosfets 简化设计并提高可靠性 可调节软启动时序,输出电压 设计灵活性 过压,欠压和过流保护 安全启动到预偏置输出 应用 终端产品 高电流POL应用 为asics,fpga和DSP供电 基站 服务器和存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 180次 阅读

NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器

5是一款带内部MOSFET的15 A DC / DC转换器,设计灵活。该器件可提供低至0.6V至输入电压80%以上的可调输出电压。功能包括可调电流限制,输出电压和软启动时序。引脚可选功能可实现550 kHz或1 MHz的开关频率,选择DCM / CCM工作模式,以及在过流期间锁定或打嗝模式的能力。该器件可配置为在超声模式下工作,以避开音频带。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm TQFN封装。 特性 优势 准确0.6 V参考 可调输出以设置所需电压低至0.6 V DCM / CCM可选择选项 在不连续模式下操作以在轻负载下提高效率 550kHz / 1.1MHz开关频率 选择更高效率或更小输出滤波器的设计灵活性 超声波模式 保持电容器不发出声音 热增强型QFN封装 3个裸露焊盘散布更高 4.5 V至21 V的宽工作范围 允许跨多个应用程序使用 可调软启动 允许在通电期间平稳上升 应用 终端产品 计算/服务器 数据通信/网络 FGPA,ASIC,DSP电源 12 V负载点 桌面 服务器 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 220次 阅读