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造芯泡沫对于中国芯的启示

2020-10-25 10:40 次阅读

最近,半导体项目“武汉弘芯”居然烂尾了,业内震惊,一片哗然。这可不是小项目,三年前成立之初,它可是“全村的希望”:它财大气粗:规划总投资额高达1200多亿,政府先期投入150多亿元;它精兵强将:技术牵头人是来自台积电的蒋尚义,被中国台湾半导体圈尊称为“蒋爸”,曾率队赢得了IBM之间的铜制程对决,是张忠谋的左膀右臂;它武器精良:进场设备是传说中“国内唯一能生产7纳米的核心设备ASML高端光刻机”。

但,它还是烂尾了。工厂建设都没完成,更别提技术推进。只留下了一个烂摊子:政府投资回收困难、银行贷款坏账必然、农民工久久领不到工资。而当时攒局、承诺为项目找投资,曾经卖过酒、搞过药的斜杠商人,依然还在济南周边晃荡。

然而,弘芯工程的荒唐结局,并不是孤例。

2015年,南京德科码半导体项目成立,号称投资30亿美金,在南京、淮安、宁波三市落地,但今年7月份,公司宣布破产;大股东就是动动嘴皮子,几乎没出什么钱。

2017年,成都格芯启动,投资规模号称100亿美元。结果只是买了一些新加坡厂2010年的设备,最终多方谈判未果,项目遗憾宣布裁员、停运。

2010年,长沙创芯项目启动,没几年就烂尾了。2016年有投资方接管,但今年年初再度烂尾,土地房屋资产在淘宝上被法拍。

这失败的一幕幕,不禁令人想起一位编剧的话,“怀念煤老板的日子”,至少他们真的出钱,而且不瞎指挥。

但,造芯浪潮并不都是充满失败。尽管仍有不足、需要提升,但长江存储的固态硬盘、合肥长鑫的内存条都被消费者称赞不断,而广州粤芯的12英寸晶圆也在产能爬坡中。

一成一败之间,到底有什么不同?显然,同一个时代、同一片土地,地方造芯工程已经不缺“天时、地利”,而不同的正是“人和”。要实现人和,却又必须“同时”具备“三大支柱”。

造芯工程的第一大支柱,便是“企业家”式的地方政府。要理解这一点,就需要从张五常提出的“县域竞争”来谈。

张五常认为,改革开放后,中国每一个县政府,就是一个微缩版的企业。地方长官的快速晋升,取决于经济增长的成效与质量。在强烈的政绩指标驱动下,不同地方政府之间会相互竞争,殷勤而热心地招徕企业,同时,地方长官对于经济事务越发专业娴熟。

“县域竞争”理论高度解释了造芯所需要的产业环境。

从国家意志、省部意愿到中层执行,只有“上下同欲”,造芯工程的土壤才能被培育出来。而造芯又是一个极其综合的工程,从最基础的纯净水供应,土地环评与规划,在地高校、研究机构的人才培养,到市场环境的发酵等等各环节,都非常受制于所在地官员的素质,需要通力合作。

比如广州粤芯,深处改革开放的高地,宏观方面的营商环境自不待言。而合肥长鑫所在的合肥市,在营商环境上并不输于长三角、珠三角的高效与专业。

在珠三角的电子展会上,合肥市招商官员的身影随处可见。而合肥市也经历了家电、面板、芯片三波高科技制造业的锻造后,成为举国公认的“风投”式地方政府,并形成了“地方经济→产业集群→二级市场”的“合肥模式”。

其实,合肥的玩法并不算新鲜,地方政府的成功秘诀也早已遍知,但为什么很难再出一个合肥?

原因是在三波产业升级中,合肥市历练了一批极为专业的经济、技术官员,他们各有职司,对于高技术产业的理解、掌握与寻找的经验,在官僚系统中沉淀下来,形成了地方政府的肌肉记忆。

不仅如此,合肥市实际上遵循了由产业下游往上游的跃迁规律,每一步都需要十年作为一个周期才能稳固。无论是京东方的屏幕产能,晶合的面板驱动芯片,还是长鑫的存储芯片,虽然看上去是合肥市府主动出击,但其实都依赖于上游足够的海量需求,而这些需求均为市场自发,并不是政府硬拗能拗得出来的。

武汉造芯也有技术官僚的引导,比如唐良智,毕业于华中科大半导体专业,对技术、行业也非常熟悉。但同在武汉,为何既有成功的长江存储,却又有烂尾的武汉弘芯?同在南京,为何有台积电厂的投产、又有德科的破产?

因为地方政府的高素质,只是造芯工程落地的第一条要求。要完成成功,还需要落实剩余两大支柱,“作战部队”和“作战战略”。

在战争中,既需要顶级“王牌”人物,成为部队的核心灵魂;又需要成建制的“老兵”组成军团。否则,便是光杆司令一个,难以发挥其威力。这点对于芯片产业更是如此。

芯片生产中,既有高精尖的技术环节、需要“王牌”人物实现突破;又有复杂的工艺环节,需要数万人同时紧密分工协作。而在落后追赶时期,更需要如此。比如当年台积电大战三星时,如果没有“十万青年十万肝”的三班倒,仅靠几个蒋尚义等王牌人物,也无济于事。

而对于中国芯片而言,20年前,需要的是“王牌精兵”,像张汝京、张忠谋这样的领军人物。但如今,最需要的莫过于能打的“老兵”,无“老兵”,不成军。唯有大量技术过硬、品质可靠的中层干部,以实现对年轻一代的传帮带,才能扎实提高整体战斗力。

而目前推进至量产节点的三大造芯工程,无一不是“王牌+老兵”的组合,久经国内市场战阵的洗礼。

长江存储的高启全被誉为台湾DRAM之父;而CEO杨士宁,则是中芯国际的创业元老,曾为张汝京麾下宿将。2011年,中芯国际接管武汉新芯,国内芯片制造业的黄埔军校,就此在武汉开了分校,一批中芯的老兵在武汉生根发芽。

杨士宁的下属程卫华,便是这批中芯来汉的典型“老兵”。程卫华从浙大毕业后即加入华晶,参与了908工程,留学新加坡后于中芯创业期加盟,深为张汝京看重。当杨士宁来武汉后,程卫华也跟随而来,作为长江存储联席首席技术官、负责技术研发团队工作。

合肥长鑫则经历了两任CEO接力。前任王宁国先后就任于华虹、中芯,回国效力已十多年。现任朱一明是典型的“清华帮”创业,从外资瞧不上眼的利基市场一路拼杀出来,带领一支市场经验极为丰富的团队成就了兆易创新

长存与长鑫都有着结构长期稳定、奋战在一线的“老兵”。十年的艰难创业,足以形成牢固的战友情谊,并筛选出一批最具战斗力的将才。而粤芯的团队组建时间虽然不长,但其总裁陈卫曾为华虹副总裁,团队多元化、也有多位“老兵”。

在三大造芯项目的官网和官微上,都能看到规模盛大的校园招聘与新人破冰活动。在今年7月1日培训营上,长鑫的领导鼓励新人们:选择长鑫,是选择了伟大的集成电路事业。

在当前环境下、在科技趋势下,半导体确实是伟大的事业。也更需要“王牌”与“老兵”的双剑合璧,培养出能力过硬、可堪大用的人才梯队,以继承、传承芯片伟业。

在所有的造芯工程中,广受诟病的几乎都是技术;而与之相伴的,则是或畸形或残缺的市场。比如成都格芯与福建晋华,两大项目都是工厂已经落定,却因为技术问题而抱憾。

根据集微网的报道,成都市政府不乐意于外资方格罗方德以旧设备作价入股,所以谈判失败、成都格芯告停。而福建晋华的合作伙伴台联电,因为追赶台积电的愿望过于迫切,也早就被产业认为其屡屡游走在技术诉讼的边缘。

自己没有技术,企图依赖他人的拿来主义,是不可取的。

而又不得不承认的是,在大多数高科技领域,中国作为一个后发追赶国家,“自主创新”极为艰难。因此,大多情况下,许多领域都遵循着一条“引进、消化、再创新”的技术路线。而关键点则在于“如何获得技术”。

而长江存储和合肥长鑫的技术突破,都是独辟蹊径,却又完全合规,实现了与国际大厂在舞台上一竞高低。

比如合肥长鑫,就通过购买早已破产数十年的奇梦达资产,完美地避开了专利陷阱;这个专利包足足有一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据。当在2019年宣布技术来源时,市场既震惊又质疑。震惊的是,合肥长鑫居然钻进了丢弃数十年的“矿山”,质疑的是,这里是否还能挖出矿来。

然而,几个月后,合肥长鑫19nm的存储芯片量产,彻底打破了质疑。

而长江存储为了避免一直在背后追赶吃土的困境,采用了两招:一方面通过自主开发了Xtacking架构,缩小了技术差距;另一方面跨出了两大步:制造上,跳过32层,直接量产64层;设计上,跳过96层,直接设计128层。如今,长江存储的64层产品已经量产。

长江存储前执行董事长高启全接受采访时表示,他进入紫光后即主张,一定要花时间把技术稳健扎根、布局缜密专利,然后才有计划地逐步扩产,千万不能急。而长江存储的研发设计团队也分布广泛,在硅谷有一个、上海有一个,有国外的人才力量,也有中科院同仁。

长存、长鑫造芯工程的技术突破战略,就像中国历史上一直存在的“子午谷奇谋”:

成功的关键不在于这一策略有多么意想不到,而在于我方的后勤、中军与前线部队是否准备充足。基于长远的战略考虑,不管是奇梦达的德国工程师,还是日韩的退休老者,都应该是我方的战斗人员。而团结一切可以团结的力量,中国的造芯工程才可在技术上用奇致胜。

粤芯走的则是市场成熟的技术路线。早在项目签约之时,粤芯绑定了高云半导体、联芸科技、晟矽微等十几个芯片设计公司,并对这些公司的未来营收做出测算。可以说,粤芯项目的设立是从一开始就算好账,做好排列组合的。

而与技术用奇配合的,是在市场路线上用正,与合作伙伴共存共荣。

芯片从起点的制造研发、到最后应用于整机,是一条漫长的链路。长存与长鑫团结了行业上下游的主要参与者,包括存储控制器厂、模组厂、代工厂、消费电子品牌商等等。共同发力,做强国产芯片技术、做大国产芯片市场。

2015年以来的造芯热潮,其实是第三次了。

第一次是改革开放之初,国家引进了数十条芯片产线,因为对软件、工程等两眼一抹黑,这些产线几乎全部失败。无锡的742厂,即后来的华晶,是这轮造芯热中唯一的成功者,也由此先后承担了国家的“531”、“908”工程。

第二次出现于世纪之交。但所有的官方IDM项目,要么退出历史舞台,要么被迫转型。华晶几经波折引进技术,不堪贷款利息之重,转型代工。北京声势浩大的首钢NEC项目,则因为日本存储巨头在国际市场上需求锐减,最终失败。上海华虹也同样受到波及,艰难转型。

过程虽然痛苦,但经历了两轮造芯热潮的洗礼,还是沉淀了不少成果。比如“风投之王”合肥市政府,比如在中芯、兆易等公司几经摔打的国际化团队、再比如敢于介入、真正在做芯片的跨领域民营资本。

不可否认,在各地造芯热潮中,确实有一些沉渣间歇性地泛起,甚至让人生怕2003年的“汉芯”事件重演。确实,历史的进步从来是螺旋上升的,有多少夺人眼球的成功,就有多少令人心酸的落寞。

中国的造芯之路,道阻且长。而需要齐聚的“地方政府、作战队伍、作战战略”等三大人和支柱,却也并非易事。在成功、失败之间,在地方造芯热的分水岭,妄图再复制一个合肥是不可取的,但其中的经验却值得反复品味:

在每一波周期中,不盲目跟风大炼钢铁,而是顺势而为;发挥政府的主动、却又厘清政府的边界;重视王牌领军人物、却更在意人才环境建设;撬动市场的杠杆、却有尊重市场规律。唯有此,无论芯片、还是其他,才不会那么容易成为刹那花火的泡沫。

责任编辑:xj

       原文标题:造芯泡沫启示录

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原文标题:造芯泡沫启示录

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一个SOP14封装的IC,11脚输入方波4.096MHz和13脚输入锯齿波即可调整占空比,并从8和9脚输出,是什么芯片详细情况请看图:...
发表于 11-30 13:45 75次 阅读
请教 谁知道这个芯片是什么?

求大神指点这是什么芯片

哪位大神知道这个是什么芯片?有奖
发表于 11-28 15:02 102次 阅读
求大神指点这是什么芯片

芯片堆叠的主要形式

  芯片堆叠技术在SiP中应用的非常普遍,通过芯片堆叠可以有效降低SiP基板的面积,缩小封装体积。      芯片堆叠的主...
发表于 11-27 16:39 101次 阅读
芯片堆叠的主要形式

有人知道SM1258+这个芯片嘛

有人知道SM1258+这个芯片嘛,封装是ABS的或者其它封装也可以 ...
发表于 11-27 12:18 118次 阅读
有人知道SM1258+这个芯片嘛

请问什么NuMicro®芯片系列支持函数映射中断向量表到SRAM?

什么NuMicro®芯片系列支持函数映射中断向量表到SRAM? ...
发表于 11-27 07:32 0次 阅读
请问什么NuMicro®芯片系列支持函数映射中断向量表到SRAM?

SRAM在芯片复位时不初始化的办法

如何保持SRAM的状态,在芯片复位时不初始化? ...
发表于 11-27 07:14 0次 阅读
SRAM在芯片复位时不初始化的办法

请问断电模式下如何控制一个芯片达到最节能的状态?

断电模式下如何控制一个芯片达到最节能的状态...
发表于 11-27 06:33 0次 阅读
请问断电模式下如何控制一个芯片达到最节能的状态?

三节锂电池充电芯片,设计5V和18V输入资料共享

    三节3.7V的锂电池串联,11.1V和最大12.6V锂电池充电电路的解决方案。在应用中,一般使用低压5V,如USB口...
发表于 11-26 18:34 208次 阅读
三节锂电池充电芯片,设计5V和18V输入资料共享

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 56次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 121次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 215次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 103次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 77次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 143次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 107次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 117次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 128次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 106次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 110次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 225次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 205次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 144次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 112次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 102次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 278次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 108次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 241次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 532次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5