侵权投诉

高通推出支持移动运营商部署新一代开放和虚拟化RAN(vRAN)网络

2020-10-24 11:14 次阅读

据外媒报道,高通公司宣布推出一整套为广泛部署场景设计的5G基础设施半导体平台,以加快蜂窝生态系统向虚拟化和可操作性无线接入网络(RAN)的过渡。

高通推出支持移动运营商部署新一代开放和虚拟化RAN(vRAN)网络

该公司在一份声明中表示,产品组合范围从具有大规模MIMO(多输入多输出)的宏基站到具有紧凑设计的微基站。

据悉,高通推出了三种新的5G RAN平台产品,包括:高通射频单元平台、高通分布式单元平台和高通分布式射频单元平台,新平台是旨在支持领先的移动运营商部署新一代融合、开放和虚拟化RAN(vRAN)网络。

高通公司总裁Cristiano Amon表示:“高通在5G专业知识和技术地位方面的独特地位使公司能够提供一个全面的水平基础架构平台,从而能够大规模部署创新,高性能,虚拟化和模块化的5G网络。我们正与移动运营商、网络设备供应商、标准机构和其他关键利益相关者密切合作,以实现这些网络的部署。”

5G RAN平台的组合旨在让成熟的和新兴的网络供应商加快vRAN设备和功能的部署和商业化,以满足公网和私网对5G的需求。新平台提供了一个完全可扩展和高度灵活的体系结构,支持分布式单元(DU)和射频单元(RU)之间的所有5G功能划分选项,用于宏观和微观部署,补充了该公司目前针对小单元的5G RAN平台产品。
       责任编辑:pj

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

瑞萨电子宣布将在明年1月1日起涨价

日本半导体制造商瑞萨电子(Renesas Electronics)于11月30日向客户发送了一封产品....
的头像 如意 发表于 12-02 17:03 4次 阅读
瑞萨电子宣布将在明年1月1日起涨价

未来5年,发展数据中心需抓住两个基本点

今年以来,新基建加码提速,在何宝宏看来“其实新基建在今年提出之前一直在路上。比如,从1995年互联网....
的头像 通信视界 发表于 12-02 16:54 15次 阅读
未来5年,发展数据中心需抓住两个基本点

5G技术为网络视听带来更广阔前景

中国网络视听节目服务协会近日在四川成都发布的《2020中国网络视听发展研究报告》显示,截至2020年....
的头像 工程师邓生 发表于 12-02 16:53 17次 阅读
5G技术为网络视听带来更广阔前景

VoltDB具有四大特性,助力企业加快5G部署

VoltDB作为满足5G支持应用实时流式数据需求的唯一企业级数据平台,VoltDB资深高级工程师鲁阳....
的头像 通信视界 发表于 12-02 16:49 17次 阅读
VoltDB具有四大特性,助力企业加快5G部署

iPhone 13系列最新爆料

此时此刻,我们应该大喊一声“不愧是你(苹果)”。很明显,相比iPhone 12系列,大家更期待iPh....
的头像 我快闭嘴 发表于 12-02 16:49 31次 阅读
iPhone 13系列最新爆料

中移物联在5G专网上构建智慧工厂、数字孪生、工业大数据的探索及思考

中移物联总结出了工业大数据的几大关键特征。在王明儒看来,工业大数据要求超低时延的控制,数据不出场、安....
的头像 通信视界 发表于 12-02 16:37 37次 阅读
中移物联在5G专网上构建智慧工厂、数字孪生、工业大数据的探索及思考

日本半导体制造商瑞萨电子发布涨价通知 2021年1月1日起生效

12月2日消息,日本半导体制造商瑞萨电子(Renesas Electronics)于11月30日向客....
的头像 工程师邓生 发表于 12-02 16:36 27次 阅读
日本半导体制造商瑞萨电子发布涨价通知 2021年1月1日起生效

赛灵思将举办“Xilinx Adapt China:5G”虚拟研讨会

听最潮的 5G 大局 解最硬的技术疑惑 拿最不经意的红包 抢最幸运的 lucky draw ........
的头像 FPGA开发圈 发表于 12-02 16:36 22次 阅读
赛灵思将举办“Xilinx Adapt China:5G”虚拟研讨会

5G引领未来,机遇与挑战并存

杜华兴表示,通信技术成为社会进步和技术的底层驱动力,全球领先的电信服务商都在关注企业5G,对于企业来....
的头像 通信视界 发表于 12-02 16:35 26次 阅读
5G引领未来,机遇与挑战并存

李秀川与中国移动彼此陪伴的这20载时光

国外的网络基本只覆盖在人口众多的大城市,而中国移动的网络不仅在城市、人口集中的地方实现全面覆盖,在农....
的头像 通信视界 发表于 12-02 16:29 20次 阅读
李秀川与中国移动彼此陪伴的这20载时光

12英寸晶圆代工市场产能紧张程度加重?

今年下半年以来晶圆代工产能奇缺,代工费用也是持续上涨,并且已向下传导到了封测端,使得封测产能也被挤爆....
的头像 我快闭嘴 发表于 12-02 16:28 22次 阅读
12英寸晶圆代工市场产能紧张程度加重?

5G助力疫情防控方案分析

面对突发传染病流行事件,医院抗击新冠肺炎疫情面临以下三个问题。一是现有病房设施如何快速转换为新冠肺炎....
的头像 通信视界 发表于 12-02 16:26 85次 阅读
5G助力疫情防控方案分析

多种手段降低网络Capex,持续创新全面优化5G网络

5G网络建设撬动万亿产出,作为本身的部署需要考虑投入价值,更快更好的完成基础网络建设,探索降低Cap....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-02 16:25 21次 阅读
多种手段降低网络Capex,持续创新全面优化5G网络

5G有望改变4G时代射频前端的“模组鸿沟”

相比于4G入门级手机的2~4根天线,5G入门级手机的天线数目增加到了8~12根;需要支持的频段及频段....
发表于 12-02 16:25 6次 阅读
5G有望改变4G时代射频前端的“模组鸿沟”

中兴通讯《5G消息技术白皮书》,将5G消息划分为三大类消息业务

近日,中兴通讯发布《5G消息技术白皮书》,全面阐述中兴通讯5G消息解决方案,旨在打造5G杀手级业务,....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-02 16:21 74次 阅读
中兴通讯《5G消息技术白皮书》,将5G消息划分为三大类消息业务

高通预计全球5G智能手机明年出货4.5亿到5.5亿部

12月2日消息,据国外媒体报道,自去年4月3日韩国率先开通5G商用服务以来,各国运营商在5G基础设施....
的头像 工程师邓生 发表于 12-02 16:21 63次 阅读
高通预计全球5G智能手机明年出货4.5亿到5.5亿部

中国移动将在2021年投入10亿级资源

就在同一日举行的中国移动产品创新开放合作论坛上,和彩云生态白皮书也是被隆重推荐的重磅内容,该白皮书的....
的头像 通信视界 发表于 12-02 16:19 106次 阅读
中国移动将在2021年投入10亿级资源

5G商用一周年,中国已建成全球最大的5G SA网络

进入5G时代,万物互联成为产业发展趋势,5G通过场景开放,将核心技术与场景深度结合,开发新技术、新产....
的头像 通信视界 发表于 12-02 16:16 47次 阅读
5G商用一周年,中国已建成全球最大的5G SA网络

中兴官方宣布中兴天机Axon 20 5G 尊版上市

据悉在今日下午,中兴手机官方宣布,中兴天机Axon 20 5G 尊版手机售价为——RMB3498元。
的头像 lhl545545 发表于 12-02 16:14 3次 阅读
中兴官方宣布中兴天机Axon 20 5G 尊版上市

中国移动召开5G泛智能终端渠道生态合作峰会

会上,中国移动发布的2021年5G终端产品策略指出,面对5G带来的新变革,中国移动将借助用户市场规模....
的头像 通信视界 发表于 12-02 16:11 47次 阅读
中国移动召开5G泛智能终端渠道生态合作峰会

高通骁龙888会有哪些不同?

昨天,高通正式公布了新一代手机旗舰SOC,名字是骁龙888,不知道英文读起来是不是很费劲,但这个名字....
的头像 我快闭嘴 发表于 12-02 16:05 93次 阅读
高通骁龙888会有哪些不同?

中国移动“梧桐杯”大数据创新应用大赛拉开帷幕

近年来,中国移动打造“生态开放、技术先进、数据全面、规模巨大”企业级大数据平台,实现企业内全域数据的....
的头像 通信视界 发表于 12-02 16:01 40次 阅读
中国移动“梧桐杯”大数据创新应用大赛拉开帷幕

高通:未来两年5G智能手机的出货将超过12亿部

12月2日消息,据国外媒体报道,自去年4月3日韩国率先开通5G商用服务之后,各国运营商在5G基础设施....
的头像 电子魔法师 发表于 12-02 15:58 56次 阅读
高通:未来两年5G智能手机的出货将超过12亿部

高通透露:在移动技术的研发方面投入了660亿美元

在技术研发的投入方面,高通总裁克里斯蒂亚诺·阿蒙(Cristiano Amon)透露,他们在移动技术....
的头像 电子魔法师 发表于 12-02 15:55 44次 阅读
高通透露:在移动技术的研发方面投入了660亿美元

“新基建”加持 诺基亚贝尔迎来新机遇

在今日开幕的中国移动合作伙伴大会上,诺基亚贝尔携5G全频段、全场景基站设备、以及宽带接入、新一代云网....
的头像 通信视界 发表于 12-02 15:49 63次 阅读
“新基建”加持 诺基亚贝尔迎来新机遇

5G+工业互联网领域实践及展望的主题演讲

本次展会,集团从能力展示和应用展示两大方面,分“数字化设计、智能化生产、网络化协同、服务化延伸、规模....
的头像 通信视界 发表于 12-02 15:46 50次 阅读
5G+工业互联网领域实践及展望的主题演讲

三星将进一步扩大在芯片制造领域的影响力

据报道,三星电子于周三任命了新的内存与代工业务负责人。该公司宣布,53岁的Lee Jung-bae被....
的头像 我快闭嘴 发表于 12-02 15:43 66次 阅读
三星将进一步扩大在芯片制造领域的影响力

三大运营商公开了各自10月运营情况

据了解,中国移动移动10月客户数净增16.3万户,累计达到9.46344亿户。10月,中国移动5G(....
的头像 通信视界 发表于 12-02 15:30 36次 阅读
三大运营商公开了各自10月运营情况

高通推出了最新一代的旗舰层级芯片骁龙888移动平台

高通每一代手机芯片的更新换代,都会给智能手机带来体验的大幅提升。12月1日,随着高通最新一代的旗舰层....
的头像 电子观察说 发表于 12-02 15:29 16次 阅读
高通推出了最新一代的旗舰层级芯片骁龙888移动平台

韩国5G网上终端连接数已超过1个亿

据外媒,根据韩国科学和信息通信技术部的统计,韩国的5G用户在10月底达到了接近1000万的水平,值得....
的头像 lhl545545 发表于 12-02 15:28 16次 阅读
韩国5G网上终端连接数已超过1个亿

骁龙888正式发布,高通全面进入5nm时代

其AI算力达到了26 TOPS,问鼎移动芯片;GPU性能提升35%,ISP每秒可处理27亿像素,支持....
的头像 我快闭嘴 发表于 12-02 15:28 395次 阅读
骁龙888正式发布,高通全面进入5nm时代

日本半导体制造商瑞萨电子发布涨价通知

在近期的缺货涨价潮中,更多的是在生产制造环节,比如晶圆代工、封装测试等,终端方面涨价较多的则是mos....
的头像 璟琰乀 发表于 12-02 15:26 66次 阅读
日本半导体制造商瑞萨电子发布涨价通知

传三星有意联手ASML开发次世代的EUV设备市场

三星电子近期为争抢极紫外光(EUV)设备,高层频频传出密访ASML。继三星电子副会长李在镕(Lee ....
的头像 我快闭嘴 发表于 12-02 15:25 60次 阅读
传三星有意联手ASML开发次世代的EUV设备市场

5G小基站大有用武之地 业界给出乐观预期

目前,5G正式商用一年有余,那么小基站何时隆重登场?11月23日,通信世界全媒体策划组织了5G“加速....
的头像 通信视界 发表于 12-02 15:20 76次 阅读
5G小基站大有用武之地  业界给出乐观预期

中国联通在推进5G微站技术和产业发展方面

作为通信世界全媒体的老朋友以及业界知名专家,中国联通研究院无线技术研究中心总监李福昌应邀出席本次沙龙....
的头像 通信视界 发表于 12-02 15:18 67次 阅读
中国联通在推进5G微站技术和产业发展方面

苹果和亚马逊正在减少对英特尔芯片技术的依赖

近十年来,不少为手机提供芯片技术支持的公司要撼动计算机市场。但他们大多铩羽而归。现在,这种情况似乎最....
的头像 我快闭嘴 发表于 12-02 15:15 145次 阅读
苹果和亚马逊正在减少对英特尔芯片技术的依赖

芯华章:让面向未来的EDA技术诞生在中国

EDA是半导体设计中至关重要的开发工具,是集成电路产业创新的关键技术,设计和制造芯片不可或缺的核心工....
发表于 12-02 15:09 65次 阅读
芯华章:让面向未来的EDA技术诞生在中国

在2020中国移动全球合作伙伴大会期间,5G消息产业发展又进一程

通信世界全媒体记者看到,2020中国移动全球合作伙伴大会期间,中国移动推出了短信小程序,全量终端可达....
的头像 通信视界 发表于 12-02 15:05 89次 阅读
在2020中国移动全球合作伙伴大会期间,5G消息产业发展又进一程

资讯:Verizon Business为通用汽车和霍尼韦尔提供室内5G超宽带网络

根据爱立信消费者实验室最新发布的《释放5G消费市场潜力》报告,到2030年,全球5G消费市场价值有望....
的头像 通信视界 发表于 12-02 14:59 72次 阅读
资讯:Verizon Business为通用汽车和霍尼韦尔提供室内5G超宽带网络

TrendForce第三季度手机生产量排名:OPPO小米并列第二

根据 TrendForce 旗下半导体研究处调研,第三季全球智能手机生产量表现受惠于防疫政策松绑与旺....
的头像 璟琰乀 发表于 12-02 14:59 47次 阅读
TrendForce第三季度手机生产量排名:OPPO小米并列第二

收购Siltronic后,环球晶全球市占将登上第二宝座

随着台积电等晶圆代工厂持续扩建新厂,制程向3纳米及2纳米世代微缩,DRAM制造技术采用极紫外光(EU....
的头像 我快闭嘴 发表于 12-02 14:58 72次 阅读
收购Siltronic后,环球晶全球市占将登上第二宝座

realme将推出搭载骁龙888 5G移动平台的旗舰5G手机“Race”

2020年12月2日——2020高通骁龙技术峰会上,realme成为首批搭载全新高通骁龙888 5G....
的头像 lhl545545 发表于 12-02 14:55 27次 阅读
realme将推出搭载骁龙888 5G移动平台的旗舰5G手机“Race”

中国5G+工业互联网发展报告

为深入贯彻习近平总书记关于推动5G、工业互联网等新型基础设施加快发展的重要指示精神和党中央、国务院的....
的头像 重庆市物联网产业协会 发表于 12-02 14:49 80次 阅读
中国5G+工业互联网发展报告

中国联通CAT.1和5G新产品发展交流会圆满举办

2020年11月20日,由重庆市物联网产业协会、重庆市物联网技术创新战略联盟、重庆市通信智能终端产业....
的头像 重庆市物联网产业协会 发表于 12-02 14:48 88次 阅读
中国联通CAT.1和5G新产品发展交流会圆满举办

高通调制解调器集成性能曝光

全面进入5G时代会为全人类带来什么?以前这个话题可能大家想都想不到,但是刚刚,高通为我们描绘出了未来....
的头像 lhl545545 发表于 12-02 14:46 29次 阅读
高通调制解调器集成性能曝光

又搞小团体?三家半导体巨头相继投靠AMD

现在的通信5G的普及程度越来越广,在电子产品的研发上,更为精益求精。芯片作为决定电子产品性能好与不好....
的头像 工程师邓生 发表于 12-02 14:40 66次 阅读
又搞小团体?三家半导体巨头相继投靠AMD

高通骁龙888:首款集成式旗舰级5G SoC

就在刚刚,2020高通骁龙技术峰会首日的主题演讲正式结束。受疫情影响,今年的骁龙技术峰会首次采用了线....
的头像 我快闭嘴 发表于 12-02 14:27 148次 阅读
高通骁龙888:首款集成式旗舰级5G SoC

三星暂时没有2021年开发新版Galaxy Note的计划

据报道,三星旗下最经典的Galaxy Note系列或将在明年停产。当我看到这则消息时表示非常震惊,但....
的头像 lhl545545 发表于 12-02 14:16 80次 阅读
三星暂时没有2021年开发新版Galaxy Note的计划

全新一代OPPO Find X系列即将官宣

高通昨晚官宣了骁龙888 5G平台,众多国内手机品牌也都争相呼应。刚刚OPPO官微表示,反正也睡不着....
的头像 lhl545545 发表于 12-02 14:11 71次 阅读
全新一代OPPO Find X系列即将官宣

华为智能矿山联合解决方案带来传统产业新变革

2020环球趋势大会围绕“优化营商环境”和“ESG发展”两大主题举办两场高峰论坛,50余位发言嘉宾围....
的头像 lhl545545 发表于 12-02 11:41 49次 阅读
华为智能矿山联合解决方案带来传统产业新变革

半导体失效分析项目介绍

半导体失效分析项目介绍,主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-R...
发表于 11-26 13:58 202次 阅读
半导体失效分析项目介绍

半导体芯片内部结构详解

在我们阐明半导体芯片之前,我们先应该了解两点。其一半导体是什么,其二芯片是什么。半导体半导体(semiconductor),指常温下导...
发表于 11-17 09:42 198次 阅读
半导体芯片内部结构详解

半导体洁净车间微粒在线监测系统集大成者

导读:洁净室(区)是对悬浮粒子及微生物污染规定需要进行环境控制的区域,其建筑结构装置及使用均要求具有减少对洁净区域内污染...
发表于 11-16 14:46 202次 阅读
半导体洁净车间微粒在线监测系统集大成者

2020半导体尘埃粒子检测仪器行业报告究竟前景如何

手术室的装备已成为衡量医院综合技术水平的重要指标,现代手术室建设中数字化技术的应用等各方面特点为患者和医护人员提供了一个...
发表于 11-13 14:07 304次 阅读
2020半导体尘埃粒子检测仪器行业报告究竟前景如何

友恩半导体持续开发高功率、低功耗、高集成度等产品

友恩芯片基于高低压集成技术平台进行技术升级,未来三年将持续开发高功率、低功耗、高集成度等产品,公司在研项目正稳步推进:公...
发表于 10-30 09:39 101次 阅读
友恩半导体持续开发高功率、低功耗、高集成度等产品

求问:芯片设计厂商一般营收情况怎么样?怎样找到客户的呢?

各位大佬好! 行研新人求问:半导体行业协会说中国现在有1700多家设计厂商了,像海思这种老大就不说了,中小芯片设计厂商一般的...
发表于 09-30 17:25 303次 阅读
求问:芯片设计厂商一般营收情况怎么样?怎样找到客户的呢?

半导体器件物理

半导体器件物理(胡正明)
发表于 09-22 19:57 202次 阅读
半导体器件物理

智芯半导体推出 磁吸轨道灯 调光调色双色温 DALI智能调光 HI7001

Hi7001 是一款外围电路简单的多功能平均电流型LED 恒流驱动器,适用于 5-100V 电压范围的降压BUCK 大功率调光恒流 LE...
发表于 09-11 14:23 808次 阅读
智芯半导体推出 磁吸轨道灯 调光调色双色温  DALI智能调光 HI7001

TVS二极管与TSS固态放电管的区别分析

                          通常...
发表于 09-08 14:24 465次 阅读
TVS二极管与TSS固态放电管的区别分析

5G工程师必备半导体测试指南!

[摘要]我们​知道​测试​宽​带​5G IC​非常​有​挑战​性,​因而​撰写​了​《5G​半导体​测试​工程​师​指南》​来...
发表于 09-01 15:41 769次 阅读
5G工程师必备半导体测试指南!

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 1438次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 325次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 272次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 357次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 614次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 279次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 433次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 675次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 1547次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 776次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 187次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 354次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 334次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 388次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 552次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 582次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 600次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 321次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 303次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 356次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器