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Microchip宣布推出业内首款Wi-Fi单片机模块

Microchip微芯 2020-10-22 16:18 次阅读

随着物联网从家庭自动化领域拓展到如供暖、通风与空调(HVAC)、车库门和电风扇等家庭控制领域,以及在建筑和工业自动化领域的加速应用,市场对高度集成、可靠和安全的工业物联网(IIoT)连接性的需求前所未有地增加。美国微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)今天宣布推出业内首款Wi-Fi单片机模块。该模块采用Microchip的Trust&Go技术,能实现独特的身份验证功能。

对于设计安全的工业物联网系统的开发人员来说,Microchip高度集成的WFI32E01PC是一款为云平台预设置,支持Trust&Go安全平台的Wi-Fi 单片机模块。该模块符合Wi-Fi联盟(WFA)规范,并获得美国联邦通信委员会(FCC),加拿大工业部(IC)和欧洲无线电设备指令(RED)三家世界级监管机构的全面认证。Microchip WFI32E01PC内部的Trust&Go平台采用安全元件技术,为云身份验证进行预先配置和设置,简化了网络身份验证的过程。

与现有设备不同,Microchip的新技术包括顶尖的PIC32 单片机内核、丰富的外设支持和成熟的硬件安全平台。新技术不仅能提供Wi-Fi,还能充当整个工业互联网系统的强大单片机内核。

Microchip无线解决方案事业部副总裁Steve Caldwell表示:“随着攻击事件的增加,传统的软件数据加密已不足以保护数据传输的安全。器件需要一个硬编码、可验证和可信任的身份才能安全地连接到云端。今天推出的产品是业内第一款安全、预设置且带Wi-Fi的单片机,可以从工厂直接供货或通过分销网络向客户供货”。

与基于模块的设计不同,由于需要为多个芯片开发驱动器和电路,离散设计会变得很困难,特别是当芯片来自不同的供应商时更是如此。通常来说,从供应商那里很难获得系统级的支持,因为他们的专业知识仅限于他们生产的产品。而嵌入式设计人员需要一种高度集成的模块解决方案,这个解决方案要能提供工业级单片机功能,强健的Wi-Fi连接以及硬件安全与身份验证功能。采用多合一模块的WFI32E01PC可以提供更多功能,提高了射频RF)功率,并且更加安全。

除工业应用外,WFI32E01PC还适用于家庭自动化设备、计算和消费产品。

作为全面的系统解决方案供应商,Microchip提供广泛的产品组合,将WFI32E01PC模块与其他Microchip的领先器件配对,可简化物联网和工业物联网系统。这些领先的器件包括KSZ8081以太网PHY系列,MCP2542WFD CAN收发器系列,传感器和包括蓝牙低功耗(BLE)、远程(LoRa)和IEEE 802.15.4在内的无线技术等。Microchip的系统解决方案方法提供即时可用的软件驱动程序和硬件参考设计,能显著降低项目风险,缩短产品上市时间。

开发工具

Microchip的WFI32E01PC受PIC32MZW1 Curiosity开发板支持。Microchip还提供多种软件和硬件支持。软件支持包括Microchip的MPLAB X集成开发环境(IDE)和MPLAB Harmony v3嵌入式软件开发框架。支持工具包括板上调试器和用于MPLAB Snap或MPLAB Pickit 4的在线串行编程头,或MPLAB ICD 4外部编程器/调试器。

Curiosity 开发板已通过AWS IoT Core平台认证,并被列入Amazon Web Services(AWS)合作伙伴设备目录。此开发板包含一个开箱即用的演示,演示内容包括与AWS IoT Core的注册和通信,以及使用Alexa语音服务(AVS)与板载传感器的交互。AWS IoT Core认证平台包括代码示例、WLAN软件以及可以MPLAB Harmony v3中找到的网络协议栈。

供货和定价

WFI32E01PC-I器件(54引脚SMD,24.5 x 20.5 x 2.5 mm)现已量产,10,000枚起售,每片8.14美元起。此外,Microchip还提供带外部天线的模块,但不具有Trust&GO安全功能。如需了解更多信息,请联系Microchip销售代表、全球授权分销商或访问Microchip官方网站。欲购买本文提到的产品,请访问Microchip直销网站或联系Microchip授权分销商。

Microchip Technology Inc. 简介

Microchip Technology Inc.(纳斯达克股市代号:MCHP)是致力于智能、互联和安全的嵌入式控制解决方案的领先供应商。其易于使用的开发工具和丰富的产品组合让客户能够创建最佳设计,从而在降低风险的同时减少系统总成本,缩短上市时间。Microchip的解决方案为工业、汽车、消费、航天和国防、通信以及计算市场中12万多家客户提供服务。Microchip总部位于美国亚利桑那州Chandler市,提供出色的技术支持、可靠的产品交付和卓越的质量。详情请访问公司网站www.microchip.com 。

注:Microchip的名称和徽标组合、Microchip徽标及MPLAB均为Microchip Technology Incorporated在美国和其他国家或地区的注册商标。PICkit为Microchip Technology Inc.在美国和其他国家或地区的商标。在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有。

责任编辑:lq

原文标题:Microchip推出首款Trust&Go Wi-Fi® 32位单片机模块,提供高级外设选项

文章出处:【微信号:MicrochipTechnology,微信公众号:Microchip微芯】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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TP2535 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,25欧姆

TP2635 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.0V) 高阻抗 低输入电容 快速切换速度 低导通电阻 免于中学故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:04 54次 阅读
TP2635 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 51次 阅读
TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 65次 阅读
TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-240V,8欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 60次 阅读
TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-240V,8欧姆

TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,3.5 Ohm

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 43次 阅读
TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,3.5 Ohm

TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,6.0欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 高输入阻抗和高增益 低功率驱动要求 &nbsp ; 易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体来源 - 二极管 免于二次故障 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 68次 阅读
TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,6.0欧姆

TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 82次 阅读
TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为85pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 84次 阅读
TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-20V,2.0欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 78次 阅读
TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-20V,2.0欧姆

TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,2.0欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值95pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 248次 阅读
TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,2.0欧姆

TC1321 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为群

信息 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。与TC1321的通信通过简单的2线SMBus / I2C™兼容串行端口实现,TC1321仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 10位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电。 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断。< / p> Monotonicity Ensured。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:02 170次 阅读
TC1321 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为群

TC1320 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为地面

信息 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。通过简单的2线SMBus / I2C™兼容串行端口与TC1320进行通信,TC1320仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 8位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断 8引脚SOIC和8引脚MSOP封装 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:02 126次 阅读
TC1320 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为地面

TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值

信息 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。例如,5uV最大VOS规格比行业标准OP07E提高了15倍。 50 nV /°C偏移漂移规格比OP07E低25倍以上。性能的提高消除了VOS修整程序,周期性电位器调整以及修剪器损坏引起的可靠性问题。无需额外的制造复杂性和激光或“齐纳击穿”VOS微调技术所带来的成本,即可实现TC7650的性能优势。 TC7650归零方案通过温度校正DC VOS误差和VOS漂移误差。归零放大器交替校正其自身的VOS误差和主放大器VOS误差。失调归零电压存储在两个用户提供的外部电容上。电容连接到内部放大器VOS零点。主放大器输入信号从不切换。 TC7650输出端不存在开关尖峰。 14引脚双列直插式封装(DIP)具有外部振荡器输入,用于驱动归零电路以获得最佳噪声性能。 8引脚和14引脚DIP均具有输出电压钳位电路,可最大限度地减少过载恢复时间。 低偏移和偏移漂移的零漂移架构 ;低偏移,5uV(最大) 低偏移漂移,50nV /°C 宽工作电压范围,4.5V至16V 单一和拆分供应 No 1 / f Noise 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:07 153次 阅读
TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值

TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器

信息 TC7652是TC7650的低噪声版本,牺牲了一些输入规格(偏置电流和带宽)以实现噪声降低10倍。存在斩波技术的所有其他益处,即,不受外部调整部件的偏移调整,漂移和可靠性问题的影响。与TC7650一样,TC7652仅需要两个非关键的外部电容来存储斩波的零电位。没有明显的斩波峰值,内部影响或超量程锁定问题。 漂移操作电压:5到16 单一和分离供应 低噪音 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:07 171次 阅读
TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器