三安集成将持续投入砷化镓射频芯片制造工艺领域
10月14日，三安集成连续第四次参加电子设计创新大会（EDICON），与通讯行业同仁共同探讨行业热门话题。本次展会，三安集成携最新突破的第三代HBT以及ED-mode pHEMT制程工艺，为客户呈现两场技术交流分享会。
三安集成在砷化镓射频芯片制造工艺领域持续投入，不断提高工艺水平，第三代HBT工艺可以应用于HPUE/APT PA，提供了更高的功率密度以及PAE水平，支持客户在高频段消费类通讯的应用需求。另外，0.1/0.15/0.25um pHEMT工艺均已实现量产，可以为客户提供世界一流的生产能力和性能水平。在展会期间，砷化镓射频事业部的林义书处长就5G应用市场阐述三安集成的服务能力。
为配合客户在射频前端模组的设计需求，三安集成也在积极建设滤波器产业链，于日本成立研发中心，汇集国际尖端科研智慧，及时响应市场动态，为客户提供最新的技术成果；三安集成在泉州南安制造基地布局了完整的滤波器供应链，垂直整合了研发设计，衬底材料，芯片制造和封装测试等环节，确保稳定持续的产能供应，预计到2021年第二季度，产能可以达到120Mu/月。滤波器事业部的谢祥政经理也就表面声波滤波器仿真的相关议题进行了分享。
三安以近20年的化合物半导体制造经验，专业的设计支持团队，以及丰沛的产能，为微波射频、功率电子以及光技术领域的客户提供标准化及客制化的生产服务。
责任编辑:tzh
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