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分析我国存储芯片的发展现状

2020-09-28 17:50 次阅读

据报道,2018年全球存储芯片市场规模高达1620亿美元,其中NOR Flash 全球市场规模约为26亿美元(占比为1.6%),NAND Flash全球市场规模约为610亿美元(占比37.65%),DRAM全球市场规模约为960亿美元(占比59.2%)。DRAM,NAND,NOR占据了所有存储芯片市场规模的98%以上,然而存储芯片高度垄断,主要参与者为韩国和欧美企业。

全球NAND闪存行业正处在2D向3D的转进期,几大巨头将重点都放在了3D的比拼上,未来没有计划增加2D的产能,并有可能进一步降低2D的生产比重。产业巨头逐步放弃中小容量,这就给国内存储企业创造了历史性的发展机遇。

我国存储芯片的发展现状

近年来在存储国产化的政策支持下,随着产品技术和研发经验的不断积累,部分国内优秀厂商已开发出更贴近本土用户需求的高性价比存储产品,我国几大做存储芯片的企业业务模式大致情况如下:

日前半导体行业观察记者采访到了东芯半导体的助理总经理陈磊,谈到当下存储芯片的现状时,陈总阐述道:“现在国内每年进口的半导体产品金额是最大的,而其中,存储器产品又是最大量的进口半导体器件。目前东芯半导体的产品包括NOR FLASH,SLC NAND Flash和DRAM的产品,我们在存储器产品上的布局还是比较全面的。”

NOR FLASH产品的应用领域非常的广泛,只要你的系统有软件代码,就肯定需要或大或小容量的NOR FLASH来做存储。从大类来分的话,主要应用领域包括消费类,通讯类,电脑,工业和汽车这5大领域。

SLC NAND包括SPI NAND目前国内主要应用在通讯类(GPON, EPON),还有一些视频监控产品也需要低容量的NAND FLASH。

DRAM产品的市场和NOR,NAND的市场非常接近,所以,从产品布局上来看,东芯半导体非常有优势,我们可以在终端客户面前做到“一站式”的存储器供应商的领先优势。

分析我国存储芯片的发展现状

业内预计,中小容量存储芯片市场规模将保持在120亿-200亿美元,其中低容量NAND 60亿-100亿美元,NOR约30亿,低容量DRAM约70亿美元。东芯在这3个领域的布局明显是看中了其广阔的市场前景。

尽管国内的内存芯片厂商取得了一些成绩,但我们需要清醒地认识到,在核心技术、市场份额、人才储备等方面,差距仍然很大。近年来,很多国外厂商以知识产权等方式压制国内厂商,这更要求企业拥有自己的核心技术。

陈磊讲到,整体上来看,我们国内的存储器公司和国外的差距还是非常大的。当然,我们国内的存储企业在近几年也都在努力的奋起直追,从产品来看,我们已经在消费市场完成了“国产替代”,在包括智能电视,机顶盒等领域,现在都是国内存储器的天下,甚至在一些工业,汽车方面,我们也都在积极的进入。

总体来看,国内存储芯片市场需求巨大,但目前严重依赖于进口;存储是信息安全的基础,国产替代需求空间大;国家产业政策支持下,本土企业面临重大发展机遇;存储行业更新迭代快,对设计能力和制造工艺提出了极高的要求,属于技术、人才、资金高度密集型行业,进入门槛相当高,本土参与企业非常稀少;所以发展存储芯片已经成为国家繁荣富强的重中之重。

发展存储芯片的重要性

存储芯片是电子信息领域的重大战略性支柱产品,是应用面最广、市场比例最高的集成电路基础性产品之一。对电子产品来说,存储芯片就像粮食一样不可或缺。它与数据相伴而生,哪里有数据,哪里就会需要存储芯片。随着大数据、物联网、人工智能、智慧产业等新兴产业的发展,存储产业的重要性与日俱增。

发展存储芯片的三大原因:

必要性:存储芯片是电子系统的粮仓,数据的载体,关乎数据的安全;其市场规模足够大,约占半导体总体市场的三分之一。

安全性:存储芯片非常重要,但目前存储芯片中NAND、DRAM我国自给率几乎为零。

紧急性:我国在存储芯片上的进口总额高达880亿美元,对外依赖度超过90%。

前几年,内存涨价一直是困扰很多国内电子厂商的“心病”,由于存储芯片的国产化很低,导致很多国外厂商疯狂涨价,对整个产业链影响很大。存储芯片又被称为电子产品的“粮食”,能占产品成本的二成左右,在竞争激烈的电子产业链里面,没有核心技术的企业,就容易被人扼住喉咙。另外,发展存储芯片还可助力“大国”崛起,提升国际话语权。从国家的一些政策就可以看出其重要性。

自2000年开始,国家的政策就在积极鼓励国内集成电路企业的发展,2000年和2011年先后出台了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》、《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》,其主要内容包括财税政策、投融资政策、研究开发政策、进出口政策、人才政策、知识产权政策、市场政策等,对推动我国集成电路产业发展发挥了重要作用。

2014年6月国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要》,设立国家集成电路产业投资基金,解决了制约产业发展的投资瓶颈问题,我国集成电路产业进入跨越式发展的历史时期。

2014年9月国家集成电路产业投资基金成立之后,即投资近400亿元入股长江存储,兆易创新和合肥长鑫等,占其首期募资1387亿元的近30%,体现了国家对发展本土存储芯片产业的高度重视。

2015年5月国务院印发《中国制造2025》的通知,将集成电路产业列为10大战略发展产业的首位,要求着力提升集成电路设计水平,突破关系国家信息与网络安全及电子整机产业发展的核心通用芯片,提升国产芯片的应用适配能力。

2017年大基金启动第二步规划,重点布局国家战略和新兴行业,进一步推动投融资与产业发展形成合力。

存储芯片的发展是未来国家战略的一部分,企业除了闭门造车,也得时刻关注政策、市场变化,通过产业链引导来满足更多规模的应用,只有让相关产业链的企业享受到经济收益,才能发挥存储芯片的价值,做出最有市场价值的存储芯片。

东芯的存储之路

鉴于欧美韩占据了存储大部分的市场规模,再加之新一代万亿蓝海物联网设备需要大量的数据存储和传输,中小容量存储芯片将更合适物联网发展的需要。所以现在国内的存储企业大都避开巨头,在中小容量存储芯片发力。

东芯是一家Fabless芯片企业,聚焦中小容量NAND、NOR闪存芯片、DRAM内存及MCP的设计、生产和销售,是目前国内唯一可以同时提供NAND/NOR/DRAM/MCP设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。

2014年11月,东芯半导体有限公司成立

2014年12月,与中芯国际共同开发24nm工艺制程的NAND Flash

2015年4月,收购Fidelix ,成为其第一大股东

2015年10月,国内首颗1G SPI NAND芯片,在中芯国际38nm工艺生产线上成功流片

2016年7月,国内首颗4G SLC NAND芯片,在中芯国际24nm工艺生产线上成功流片

2016年09月 , 11月,获得上海市科委举办的创新创业大赛一等奖,获得上海市高新技术企业认定

2017年03月,获得上海市集成电路行业协会理事单位荣誉,50nm Wide-range NOR Flash 在武汉新芯成功流片

2017年04月,自主研发的16Gb MLC NAND Flash系列芯片获得上海市经信委软件和集成电路专项资金支持

2017年09月,国内首颗 2G SPI NAND芯片在中芯国际 38nm 工艺生产线成功流片

现在,东芯半导体不仅是行业领军企业,而且多次缩小了国家存储芯片IC设计能力与国际领先水平的差距。“东芯半导体虽然成立时间不长,但是我们整个产品设计,IP有过往二十多年的经验和积累,这个是国内的很多初创团队不具备的。包括产品质量,和晶圆厂的工艺参数的磨合,在产品交付,全球大客户的合作上,我们都非常的有优势。目前,我们在国内合作的晶圆厂,都非常期待和我们一起开发新工艺,新产品,大家一起合作,努力把国内的整个存储器行业提升到新的高度。”东芯半导体助理总经理陈磊日前在接受半导体行业观察时谈到。

陈磊还讲到,东芯的芯片应用领域集中在消费类产品,比如智能电视,机顶盒,穿戴式产品等,还有网络通讯产品,如我们每家每户都需要用的上网的光猫。我们也在进入工业和汽车的市场,这些市场对产品各方面要求高,包括质量,产品交付,而且设计周期长,但是这是我们必须要做的前期工作。

东芯半导体致力于大力发展具有自主知识产权的国内存储芯片技术并积极开拓国内市场应用,迅速提升中国在Memory行业的设计研发能力。对此,东芯采取了一系列的业务发展战略。

东芯采取的产品战略是,避开和大公司广谱产品进行全线竞争,聚焦中小容量闪存市场的开拓,充分发挥公司的技术优势和研发能力,提升产品性价比,抓住存储器国产替代进口的市场机会,快速成长为闪存尤其是NAND闪存领域的龙头企业。

从市场来看,东芯深入研究用户需求,加大差异化定制产品的比重,增强客户粘性,逐步成为各主要应用市场主导公司的核心品牌供应商。

研发上,东芯坚持自主研发保持公司在国内小容量NAND, NOR, DRAM 领域的领先优势,在不断提升和完善38nm&24nm NAND ,48nm NOR 闪存产品品质的前提下,积极开展1xnm NAND闪存的产品开发,达到国际最先进生产水平,目前已取得105项专利。

生产方面,和晶圆代工、封装测试龙头企业建立稳定而深入的战略合作关系,实现互利共赢。

资本方面,充分利用资本市场实现跨越式发展,为长期可持续发展奠定基础。

在谈到东芯未来的3-5年规划时,陈磊谈到,公司首先还是要做好产品的品质,这个是我们的立足根本。在NOR FLASH领域,产品发展已经做的很完善了。我们目前着眼于NAND FLASH,包括大容量的NAND FLASH的产品布局,还有就是我们的DRAM产品,我们希望可以在后两者上多下苦功,给我们的客户带来更多EPN,更有性价比的产品,帮助我们的客户实现更多的设计功能。

存储技术未来该如何发展?陈磊认为:“全球范围对新的存储器技术的研发一直没有停止过,我们现在看到的,比如3D Xpoint,RRAM,FeRAM,MRAM, PCM等都是过去数十年的投入,到今天才算开花结果。现在国内也有公司在做新一代的存储器产品,包括和海外合作。简单的说,新一代存储器要解决的问题,就是“非掉电易失性”和容量/性能的问题。我们需要更大容量,更高密度的存储器,同时性能(读写速度,擦写次数,功耗等)也要更好。在一些特定产品领域,如嵌入式(主要是微控制器),新一代的存储器也要考虑工艺制程的微缩,现在最新的逻辑工艺可以做到7nm,甚至5nm,那存储器的工艺如何跟上,这方面譬如MRAM, RRAM都是比较适合的。”
       责任编辑:tzh

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oelectronics STM32 L5超低功耗MCU设计用于需要高安全性和低功耗的嵌入式应用。这些MCU基于Arm树皮-M33处理器及其TrustZone,用于Armv8-M与ST安全实施结合。STM32 L5 MCU具有512KB闪存和256KB SRAM。借助全新内核和ST ART Acccelerator™, STM32 L5 MCU的性能进一步升级。这些STM32 L5 MCU采用7种形式封装,提供大型产品组合,支持高达125°C的环境温度。 特性 超低功耗,灵活功率控制: 电源范围:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至+85/+125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模式下187nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,17nA(5个唤醒引脚) 待机模式下,108nA(5个唤醒引脚) 待机模式下,配备RTC,222nA 3.16μA停止2,带RTC 106μA/MHz运行模式(LDO模式) 62μA/MHz 运行模式(3V时)(SMPS降压转换器模式) ...
发表于 10-28 15:01 20次 阅读
STM32L552CCT6 STMicroelectronics STM32L5超低功耗微控制器

STM32H743ZGT6 STMicroelectronics STM32H7 高性能MCU

oelectronics STM32H7高性能MCU基于高性能Arm® Cortex®-M7 32位RISC内核,工作频率高达400MHz。Cortex-M7内核具有浮点单元 (FPU) 精度,支持Arm双精度(符合IEEE 754标准)和单精度数据处理指令与数据类型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存储器保护单元 (MPU),可增强应用的安全性。 该MCU采用高速嵌入式存储器,具有高达2MB的双区闪存、1 MB的RAM(包括192 KB的TCM RAM、864KB的用户SRAM以及4KB的备份SRAM)。另外,该器件还具有各种连接到APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵的增强型I/O和外设,以及支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。 该器件设有三个ADC、两个DAC、两个超低功耗比较器、一个低功耗RTC、一个高分辨率定时器、12个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器、五个低功耗定时器和一个真随机数发生器 (RNG)。该器件支持四个用于外部Σ-Δ调制器 (DFSDM) 的数字滤波器,并设有标准和高级通信接口。 特性 核心 ...
发表于 10-28 14:50 39次 阅读
STM32H743ZGT6 STMicroelectronics STM32H7 高性能MCU

ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

标准的参数搜索 易于访问密钥产品参数 部件号搜索用于直接访问特定的产品 数据表的下载离线咨询 来采样和购买 最喜欢的部分数字管理 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 适用于Android™或iOS™操作系统 在Wandoujia应用程序商店,为中国用户提供 在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS设备上使用的手机应用程序提供通过www.st.com在线产品组合中的一个用户友好的替代搜索,驱动用户使用以及便携式设备顺利和简单的导航体验。参数搜索引擎允许用户快速识别出最适合其应用合适的产品。此应用程序可在谷歌播放,App Store和Wandoujia。...
发表于 05-21 07:05 80次 阅读
ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序

,零件编号和产品 技术数据表下载和离线咨询一系列的搜索功能 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表收藏栏目 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 可在安卓™和iOS™应用商店 ST-DIODE-FINDER是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索使用便携式设备的ST二极管的产品组合。您可以轻松地定义设备最适合使用参数或一系列的搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 18:05 67次 阅读
ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序

ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS

引导搜索 部分号码搜索能力 主要产品功能发现 数据表下载和离线咨询 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 样品订购所选产品的 主屏幕上的语言选择 ST-EEPROM-FINDER是探索意法半导体串行EEPROM组合最快和最明智的方式使用智能电话或平板。
发表于 05-20 17:05 58次 阅读
ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节™和iOS™应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 17:05 85次 阅读
ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备

于Android和iOS电话移动应用 友好的用户界面 的直观的产品的选择: MEMS和传感器 评估工具 应用 参数搜索使用多个过滤器 部件号搜索 访问技术文档 从ST经销商在线订购 通过电子邮件或社交媒体最喜欢的部分数字管理经验分享 支持的语言:英语(中国,日本和韩国即将推出) 在ST-SENSOR-FINDER提供移动应用程序的Android和iOS,提供用户友好的替代通过MEMS和传感器网络产品组合搜索,驱动用户一起顺利和简单的导航体验。...
发表于 05-20 17:05 70次 阅读
ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 56次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 128次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 100次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 110次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 219次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 203次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 142次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 112次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 102次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 276次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 106次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 239次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 517次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5