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多年酝酿之后,eMRAM终于要爆发了?

2020-09-27 11:46 次阅读

日前,晶圆大厂格芯宣布,其22nm FD-SOI 平台的嵌入式eMRAM已投入生产。公司也在接洽多家客户,计划2020年安排多次生产流片。此次公告是一个重要的行业里程碑,表明eMRAM可在物联网(IoT)、通用微控制器、汽车、终端人工智能和其他低功耗应用中作为先进工艺节点的高性价比选择。

而据Yole数据统计显示,到2024年,eMRAM将增长到12亿美元,这得益于一些大型公司的支持。而独立的MRAM市场预计将比eMRAM市场增长缓慢,到2024年的销售额约为5.8亿美元。后者更将带动晶圆代工厂涉足这个市场,多年酝酿之后,eMRAM终于要爆发了?

eMRAM确立领先地位

MRAM是Magnetic Random Access Memory的缩写,中文名称“磁性随机存取存储器”。而eMRAM是指嵌入式磁性随机存取存储器,可作为系统级芯片(SoC、MCU 等)产品的片上存储解决方案。

不同于传统半导体存储器如DRAM、SRAM 和 NAND 闪存等利用电子的电荷特性进行数据存储,eMRAM的技术原理是利用电子的自旋特性实现数据存储,其核心存储器件为磁性隧道结 MTJ。

要说eMRAM的发展机会,就不得不先谈起嵌入式闪存(eFlash)。

eFlash是一种存储模块,用于将信息存储在系统半导体中,例如微电子单元(MCU)和用于小型电子产品(如IoT设备)的SoC中的信息。专家认为,28nm / 22nm硅光刻节点将是eFlash的最后一个具有成本效益的技术节点,而向22nm几何尺寸的过渡就必须找到一种新的嵌入式NVM技术,来适用于新型且快速增长的低功耗应用的替代产品。要知道这是由于经济原因,而不是技术可伸缩性限制。

多年酝酿之后,eMRAM终于要爆发了?

eMRAM时代的到来很大程度上是因为嵌入式NOR闪存需要太多的掩码(一打或更多)才能在28nm节点或更高的节点上制造,嵌入式NOR闪存也需要高电压才能写入数据,而且写入时间相当长。

与NAND闪存比较的话,eMRAM的单元大小与NAND闪存相当。但是,与NAND闪存不同,它仅需要额外的2或3个掩模层,这使得添加到CMOS裸片变得容易得多。与NAND闪存不同,它没有耐久性问题。这将是非常重要的,特别是对于那些由于大量写入活动而导致NAND闪存故障的现场问题的公司而言。

相较于其他新兴嵌入式NVM,除了卓越的性能,eMRAM也具备更高的技术成熟度:成熟的磁学物理理论,简单可控的写入机制 (无需先擦除再写入,也无需分步写入),单比特出错率低,业界已经有28纳米以下的成品,可展示多个Megabit阵列,高良率,高可靠性,并能够与先进工艺无缝融合。下图为不同嵌入式NVM技术比较。

凭借其高数据密度、高速度,耐用性,低功耗和非易失性的特点,以及卓越的性能和技术成熟度,嵌入式非易失性存储器eMRAM成为设计公司在28nm及以下工艺平台的不二选择。

eMRAM之于MCU

现在几乎所有的MCU细分市场现在都使用eFlash解决方案。而eMRAM比eFlash更快,更省电。首先让我们看下eFlash的几个重要衡量参数,包括在特定温度范围内的持久性和保留率,以及内存模块在最大系统频率下需要多少等待状态(额外的时钟周期)方面的性能。下表比较了eMRAM与ST Micro (ST)、TI、MicrochipNXP和Freescale等公司基于ARM的SoC中广泛使用的闪存。

微控制器单元(MCU)是单个集成电路上的小型计算机,通常包含中央处理单元(CPU)核心、静态随机存取存储器(SRAM)模块、嵌入式闪存模块(eFlash)、系统集成模块和包括定时器模数转换器ADC)、串行通信和联网的外围模块。片上闪存提供的可编程代码存储有助于降低生产成本,扩大实时自适应控制应用。

相比eFlash主要用于代码存储,eMRAM在MCU中可以同时存储代码和数据,从而实现高效的小系统解决方案。eMRAM是一种可伸缩、高性能、节能的嵌入式非易失性技术,可作为MCU内存子系统的一部分,它可以提供非易失性数据存储需求。而且eMRAM具有非常高的数据持久性和数据保留限制。

对SoC设计者来说,eMRAM为其提供了显著的性能优势,包括超快地写入速度 (《200ns),极高的擦写次数 (~10E8 次),可 在逻辑Vcc供电下运行 (无需Charge PUMP),功耗低比eFlash低10倍,无bitcell静态漏电(0 pA vs 50pA for a SRAM bitcell)。

自从三星和Arm在去年6月共同开发eMRAM以来,有关eMRAM的研究一直很活跃。随着全耗尽式绝缘体上硅(FD-SOI)作为基底技术的广泛商业化,eMRAM的市场机会进一步涌现。eMRAM与FD-SOI两者的搭配带来了同类产品最佳的性能。不同于eFlash是一种前端技术,eMRAM的磁性存储元件搭建于后端金属层上,这就利于将其集成逻辑制程,FD-SOI不会对前端晶体管造成影响。

晶圆厂积极拥抱eMRAM技术

过去,人们认为eMRAM无法商用,因为它在制造成本和可靠性方面存在巨大挑战,具体表现为材料复杂、高温条件下的数据维持能力低、抗磁力干扰能力差,价格高昂和制造过程复杂。因其技术特点和应用场景与逻辑工艺紧密相关,所以eMRAM技术工艺得到了全球前几大代工厂商的高度重视。

通过业界的不断努力,几大晶圆代工厂已经解决了材料及制造工艺过程复杂的问题,多家主流晶圆设备生产商与晶圆厂采用了更适合eMRAM 技术的淀积和蚀刻装置,提高了产出,使得生产成本具备了竞争力。

在ISSCC 2020上,台积电介绍了其32Mb MRAM的进展。台积电的嵌入式MRAM芯片采用22nm ULL逻辑制程,22nm ULL逻辑平台提供超高Vt NMOS/PMOS (eHVT),低功耗待机模式下电流小于55uA,唤醒时间低于100ns,与40nm超低功耗平台相比,待机功耗降低约3.3倍。其读写速度为10ns,读取功率为0.8 uA/ mhz,可以承受1M循环写寿命可靠性测试,可将数据在150°C下保持10年。并且有per-SA微调和1T4R参考单元的传感方案,可以在较宽温度范围内运行。

早在2017年5月,台积电技术长孙元成发表eMRAM和eRRAM(嵌入式电阻式记忆体)技术,分别预定在2018年和2019年进行风险性试产,且将采用22nm制程,其目标就是为了达成更高的效能、更低的电耗以及更小的体积,满足智慧化与物联网的全方位运算需求。

今年2月28日,格芯宣布,其基于其22nm FD-SOI 平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。据悉,新的eMRAM具有非常强的鲁棒性,可以将数据保持在-40摄氏度至125摄氏度的温度范围内,并且可以承受100,000个周期,因此可以将数据保留长达10年。格芯并未透露将利用其eMRAM的特定产品,但表示正在“与多个客户合作,并计划在2020年安排多次生产流片”。

据格芯介绍,他们的eMRAM旨在通过提供性能,可靠性和功耗方面的改进来替代老化的NOR闪存,并且可以定期通过更新或日志记录进行重写。其写入速度大大提高,主要归因于技术的本质:基于磁阻原理,对存储材料的写入在写入所需数据之前不需要擦除周期,从而大大提高了写入速度。宏容量从4-48Mb不等,将作为合作伙伴的嵌入式工具包提供。

格芯的差异化eMRAM部署在业界最先进的FDX平台上,在易于集成的eMRAM解决方案中提供了高性能RF,低功耗逻辑和集成电源管理的独特组合,使客户能够提供新一代的超高性能,低功耗MCU和连接的IoT应用。

三星大约在一年前开始在28nm平台上开始批量生产eMRAM。2019年3月,三星推出首款商用eMRAM产品,三星的eMRAM模块采用三星的28nm FD-SOI工艺技术制成,可以通过添加三个额外的掩膜集成到芯片制造工艺的后端。因此,该模块不一定依赖于使用的前端制造技术,允许将其插入使用bulk、FinFET或FD-SOI制造工艺生产的芯片中。三星表示,由于其eMRAM在写入数据之前不需要擦除周期,因此它比eFlash快1000倍。与eFlash相比,它还使用了较低的电压,因此在写入过程中消耗的能量大约为1/400。

另外在2019 IEDM上,三星成功演示了采用28nm FDSOI技术的高密度1Gb嵌入STT-MRAM。基于高度可靠且可制造的eMRAM技术,在满足令人满意的读取,写入功能和10年保留时间的情况下,可以达到90%以上的高良率。并且达到了高达1E10周期的提高的耐久性,从而扩展了eMRAM应用。

英特尔是在2018年12月上旬的国际电子设备会议(IEDM)上首次发表详细介绍其MRAM研究的新论文。英特尔推出一款整合于其22nm FinFET制程的自旋转移力矩式记忆(STT-MRAM),称其为首款基于FinFET的MRAM技术,并表示该技术目前的生产已经就绪。

除了台积电,中芯国际和华为海思也开始积极进行布局,并且取得了快速发展。但总体来看,我国境内地区eMRAM技术领域则相对非常空白,主要为几家高校和科研机构从事较为分散的自旋电子基础科研活动。在ISSCC 2020上,国立清华大学介绍了关于STT-MRAM的进展,他们证明22nm 1Mb 1024b-读和近内存计算双模式STT-MRAM宏具有42.6GB/s的读带宽,适用于安全意识强的移动设备。

在各大晶圆厂的努力之下,eMRAM的商业化发展很快。2018年,Arm发布了业界首款基于三星Foundry 28FDS工艺技术的嵌入式MRAM (eMRAM)编译器IP,包括一个位于18FDS (18nm FDSOI工艺)的eMRAM编译器。这一平台有助于推动在5G、人工智能(AI)、汽车、物联网(IoT)和其他细分市场的功耗敏感应用领域的推动新的前沿设计。

2019年12月16日,Mentor宣布,它将为基于Arm Found的eMRAM(嵌入式磁阻随机存取存储器)编译器IP提供独特的IC测试解决方案,该解决方案基于三星的28nm FDSOI工艺技术。Mentor的eMRAM测试解决方案利用了Mentor经过行业验证的Tessent Memory BIST产品,为SRAM和eMRAM提供了一套统一的存储器测试和修复IP。

结语

虽然采用eMRAM技术的产品不会这么快出现在市场上,但从这些晶圆大厂的发展走向来看,新一代嵌入式记忆体技术与次世代非挥发性记忆体的组合不仅为旧式记忆体的困境带来新的发展契机,也为新式记忆体解决方案的发展迈出一大步。
       责任编辑:tzh

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      提及物联网,各位能真正理解物联网内部核心架构吗?还是只是对关于物联网技术层面或多或少的有所了解...
发表于 10-29 09:45 0次 阅读
物联网的内部核心架构介绍

数据中心减小尺寸增强可靠性并降低运营成本的方法

身处社会,我们每天都在创建、使用和分享前所未有的数据,无论是在我们的个人生活中还是在我们工作的时候。此外,联接数十亿设备...
发表于 10-29 08:33 0次 阅读
数据中心减小尺寸增强可靠性并降低运营成本的方法

STM32L552CCT6 STMicroelectronics STM32L5超低功耗微控制器

oelectronics STM32 L5超低功耗MCU设计用于需要高安全性和低功耗的嵌入式应用。这些MCU基于Arm树皮-M33处理器及其TrustZone,用于Armv8-M与ST安全实施结合。STM32 L5 MCU具有512KB闪存和256KB SRAM。借助全新内核和ST ART Acccelerator™, STM32 L5 MCU的性能进一步升级。这些STM32 L5 MCU采用7种形式封装,提供大型产品组合,支持高达125°C的环境温度。 特性 超低功耗,灵活功率控制: 电源范围:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至+85/+125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模式下187nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,17nA(5个唤醒引脚) 待机模式下,108nA(5个唤醒引脚) 待机模式下,配备RTC,222nA 3.16μA停止2,带RTC 106μA/MHz运行模式(LDO模式) 62μA/MHz 运行模式(3V时)(SMPS降压转换器模式) ...
发表于 10-28 15:01 10次 阅读
STM32L552CCT6 STMicroelectronics STM32L5超低功耗微控制器

TMS320F28076 TMS320F2807x Piccolo 微控制器

C2000™32位微控制器在处理,传感和驱动方面进行了优化,可提高实时控制应用中的闭环性能,例如工业电机驱动,光伏逆变器和数字电源,电动车辆与运输,电机控制以及传感和信号处理.C2000产品线包括Delfino™高端性能系列和Piccolo™入门级性能系列。 TMS320F2807x微控制器平台属于Piccolo™系列,适用于高级闭环控制应用,例如工业电机驱动,光伏逆变器和数字电源,电动车辆与运输以及传感和信号处理。数字电源和工业驱动器的完整开发包作为powerSUITE和DesignDRIVE方案的一部分提供。 F2807x是基于TI行业领先的C28x内核的32位浮点微控制器。此内核的性能通过三角运算硬件加速器得到了提升,该加速器利用CPU指令(如正弦,余弦和反正切函数)提高了转矩环路和位置计算中常见的基于三角运算的算法性能。 F2807x微控制器系列采用一个CLA实时控制协处理器.CLA是一款独立的32位浮点处理器,运行速度与主CPU相同。该CLA会对外设触发器作响响应,并与主C28x CPU同时执行代码。这种并行处理功能可有效加倍实时控制系统的计算性能。通过利用CLA执行时间关键型功能,主C28x CPU可以得到释放,以便用于执行通信和诊断等其...
发表于 01-08 17:49 394次 阅读
TMS320F28076 TMS320F2807x Piccolo 微控制器

MSP430F2619S-HT 高温 16 位超低功耗 MCU,具有 120KB 闪存、4KB RAM、12 位 ADC、双 DAC、2 个 USCI、HW 乘法器和 DMA

MSP430F2619S超低功耗微控制器具有针对各种应用的不同外设集。该架构与五种低功耗模式相结合,经过优化,可在便携式测量应用中实现更长的电池寿命。该器件具有功能强大的16位RISC CPU,16位寄存器和常量发生器,可实现最高的代码效率。数字控制振荡器(DCO)允许在不到1μs的时间内从低功耗模式唤醒到工作模式。 MSP430F2619S是一款微控制器配置,带有两个内置16位定时器,速度快12位A /D转换器,比较器,双12位D /A转换器,4个通用串行通信接口(USCI)模块,DMA和最多64个I /O引脚。 典型应用包括捕获模拟信号,将其转换为数字值,然后处理数据以供显示或传输到主机系统的传感器系统。独立的RF传感器前端是另一个应用领域。 特性 1.8 V至3.6 V的低电源电压范围 超低功耗 有效模式:1 MHz时为365μA,2.2 V 待机模式(VLO):0.5μA 关闭模式(RAM保持):0.1μA < /li> 在小于1μs的待机模式下唤醒 16位RISC架构,62.5 ns指令周期时间 三通道内部DMA 具有内部参考,采样保持和自动扫描功能的12位模数(A /D)转换器 双12位数模(D) /A)具有同步功能的转换器 具有三个捕捉/比较寄存器的...
发表于 11-02 18:49 163次 阅读
MSP430F2619S-HT 高温 16 位超低功耗 MCU,具有 120KB 闪存、4KB RAM、12 位 ADC、双 DAC、2 个 USCI、HW 乘法器和 DMA

MSP430F2618-EP 增强型产品 16 位超低功耗 MCU,具有 92KB 闪存、8KB RAM、12 位 ADC、双 DAC、2 个 USCI

德州仪器(TI)MSP430系列超低功耗微控制器由多个器件组成,具有针对各种应用的不同外设集。该架构与五种低功耗模式相结合,经过优化,可在便携式测量应用中实现更长的电池寿命。该器件具有功能强大的16位RISC CPU,16位寄存器和恒定发生器,有助于实现最高的代码效率。经过校准的数字控制振荡器(DCO)允许在不到1μs的时间内从低功耗模式唤醒到工作模式。 MSP430F2618是一个带有两个内置16位定时器的微控制器配置,快速12位A /D转换器,比较器,双12位D /A转换器,4个通用串行通信接口(USCI)模块,DMA和最多64个I /O引脚。典型应用包括传感器系统,工业控制应用,手持式仪表等。 特性 低电源电压范围,1.8 V至3.6 V 超低功耗: 有源模式:1 MHz时为365μA,2.2 V 待机模式(VLO):0.5μA 关闭模式(RAM保持):0.1μA 小于1μs从待机模式唤醒 16位RISC架构,62.5 ns指令周期时间 三通道内部DMA < /li> 具有内部参考的12位模数(A /D)转换器,采样保持和自动扫描功能 双12位数字转换器 - 具有同步功能的模拟(D /A)转换器 具有三个捕捉/比较寄存器的16位Timer_A 具有七个捕捉/比较阴...
发表于 11-02 18:49 179次 阅读
MSP430F2618-EP 增强型产品 16 位超低功耗 MCU,具有 92KB 闪存、8KB RAM、12 位 ADC、双 DAC、2 个 USCI

MSP430F2013-EP 增强型产品 16 位超低功耗微处理器,2kB 闪存、128B RAM、16 位 Σ-Δ A/D

德州仪器(TI)MSP430系列超低功耗微控制器包含多种器件,它们具有面向多种应用的不同外设集。种架构与5种低功耗模式相组合,专为在便携式测量应用中延长电池的使用寿命而优化。该器件具有一个强大的16位RISC CPU,16位寄存器和有助于获得最大编码效率的常数发生器。数字控制振荡器(DCO)可在不到1μs的时间里完成从低功耗模式至运行模式的唤醒。 MSP430F2013是一个具有内置16位时钟和10个I /O针脚的超低功率混合信号微控制器。除此之外,MSP430F2013有一个使用同步协议(SPI或I2C)的内置通信组件和一个16位的三角积分(Sigma-Delta)A /D转换器。 典型应用包括传感器系统,此类系统负责捕获模拟信号,将之转换为数字值,随后对数据进行处理以进行显示或传送至主机系统。独立射频(RF)传感器前端属于另外的应用域。 特性 低电源电压范围:1.8 V至3.6 V 超低功耗 运行模式:220μA(在1MHz频率和2.2V电压条件下) 待机模式:0.5μA 关断模式(RAM保持):0.1μA 5种节能模式 可在不到1μs的时间里超快速地从待机模式唤醒 16位RISC架构,62.5ns指令周期< /li> 基本时钟模块配置: 高达16 MHz的内...
发表于 11-02 18:49 75次 阅读
MSP430F2013-EP 增强型产品 16 位超低功耗微处理器,2kB 闪存、128B RAM、16 位 Σ-Δ A/D

MSP430FR5739-EP MSP430FR5739-EP 混合信号微控制器

德州仪器(TI)573MSP430FRx系列超低功率微控制器包含多个器件,该系列器件具有嵌入式FRAM非易失性存储器,超低功率16位MSP430 CPU,以及针对多种应用的不同外设。此架构,FRAM,和外设,与7种低功率模式组合在一起,针对在便携式和无线感测应用中实现延长电池寿命进行了解优质.FAM是一款全新的非易失性存储器,此存储器将SRAM的速度,灵活性,和耐久性与闪存的稳定性和可靠性结合在一起,总体能耗更低。其外设包括:1个10位模数转换器(ADC),1个具有基准电压生成和滞后功能的16通道比较器,3个支持I 2 C,SPI或UART协议的增强型串行通道,1个内部直接存储器访问(DMA),1个硬件乘法器,1个实时时钟(RTC),5个16位定时器和数字I /O. 特性 嵌入式微控制器 时钟频率高达24MHz的16位精简指令集(RISC)架构 < li>宽电源电压范围(2V至3.6V) 工作温度范围-55°C至85°C 经优化超低功率模式 激活模式:81.4μA/MHz(典型值) 待机(具有VLO的LPM3):6.3μA(典型值) 实时时钟(具有晶振的LPM3.5):1.5μA(典型值) 关断(LPM4.5):0.32μA(典型值) 超低功率铁电...
发表于 11-02 18:49 83次 阅读
MSP430FR5739-EP MSP430FR5739-EP 混合信号微控制器

MSP430G2332-EP .混合信号微控制器

德州仪器公司MSP430系列超低功耗微控制器包含多种器件,这些器件特有面向多种应用的不同外设集。为了延长便携式应用中所用电池的寿命,对这个含5种低功耗模式的架构进行了优化。该器件具有一个强大的16位RISC CPU,16位寄存器和有助于获得最大编码效率的常数发生器。数控振荡器(DCO)允许在不到1μs的时间内从低功耗模式唤醒到工作模式。 MSP430G2332系列微控制器是超低功耗混合信号微控制器,此微控制器带有内置的 16位定时器,和高达16个I /O触感使能引脚以及使用通用串行通信接口的内置通信功能.MSP430G2332系列带有一个10位模数(A /D)转换器。配置详细信息,请见。典型应用包括低成本传感器系统,此类系统负责捕获模拟信号,将之转换为数字值,随后对数据进行处理以进行显示或送至主机系统。 特性 低电源电压范围:1.8 V至3.6 V 超低功耗 运行模式:220μA(在1 MHz频率和2.2 V电压条件下) 待机模式:0.5μA 关闭模式(RAM保持):0.1μA 5种节能模式 可在不到1μs的时间里超快速地从待机模式唤醒 16位RISC架构,62.5ns指令周期时间 基本时钟模块配置 带有四个已校准频率的高达16MHz的内部频率 内部超...
发表于 11-02 18:49 97次 阅读
MSP430G2332-EP .混合信号微控制器

MSP430F2274-EP 具有 32kB 闪存和 1K RAM 的 16 位超低功耗微控制器

德州仪器(TI)MSP430系列超低功耗微控制器由多个器件组成,具有针对各种应用的不同外设集。该架构与五种低功耗模式相结合,经过优化,可在便携式测量应用中实现更长的电池寿命。该器件具有功能强大的16位RISC CPU,16位寄存器和常量发生器,可实现最高的代码效率。数字控制振荡器(DCO)允许在不到1μs的时间内从低功耗模式唤醒到工作模式。 MSP430F2274M系列是一款超低功耗混合信号微控制器,带有两个内置16-位定时器,通用串行通信接口,带集成参考和数据传输控制器(DTC)的10位A /D转换器,MSP430F2274M器件中的两个通用运算放大器,以及32个I /O引脚。 < p>典型应用包括捕获模拟信号,将其转换为数字值,然后处理数据以供显示或传输到主机系统的传感器系统。独立的RF传感器前端是另一个应用领域。 特性 1.8 V至3.6 V的低电源电压范围 超低功耗 活动模式: 1 MHz时270μA,2.2 V 待机模式:0.7μA 关闭模式(RAM保持):0.1μA 待机模式下的超快唤醒时间小于1μs 16位RISC架构,62.5 ns指令周期时间 基本时钟模块配置 内部频率高达16 MHz,具有四个校准频率至±1% 内部超低功耗低频振荡器 32...
发表于 11-02 18:49 106次 阅读
MSP430F2274-EP 具有 32kB 闪存和 1K RAM 的 16 位超低功耗微控制器

MSP430F2132-EP MSP430F2132-EP 混合信号微控制器

MSP430F2132是一款超低功耗微控制器。这种架构与5种低功耗模式相组合,专为在便携式测量应用中延长电池使用寿命而优化。该器件具有一个强大的16位RISC CPU,16位寄存器和有助于获得最大编码效率的常数发生器。数字控制振荡器(DCO)可在不到1μs的时间里完成从低功耗模式至运行模式的唤醒。 MSP430F2132有两个内置的16位定时器,一个具有集成基准和数据传输控制器(DTC)的快速10位模数转换器,一个比较器,由通用串行通信接口实现的内置通信能力,以及多达24个输入输出(I /O)引脚。 特性 低电源电压范围:1.8V至3.6V 超低功耗 激活模式:250μA(在1MHz频率和2.2V电压条件下) 待机模式:0.7μA 关闭模式(RAM保持):0.1μA < /li> 可在不到1μs的时间里超快速地从待机模式唤醒 16位精简指令集(RISC)架构,62.5ns指令周期时间 基本时钟模块配置 高达16MHz的内部频率并具有4个精度为±1%的校准频率 内部超低功耗低频振荡器 32kHz晶振晶体振荡器不能在超过105°C的环境中运行。 高达16MHz的高频(HF)晶振 谐振器 外部数字时钟源 外部电阻器 配有3个捕获/比较寄存器的16位Timer0_A3 具有2个捕捉...
发表于 11-02 18:49 122次 阅读
MSP430F2132-EP MSP430F2132-EP 混合信号微控制器

MSP430FR5989-EP 具有 128KB FRAM、2KB SRAM、48 IO、ADC12、Scan IF 和 AES 的 16MHz ULP 微控制器

MSP430™超低功耗(ULP)FRAM平台将独特的嵌入式FRAM和整体超低功耗系统架构组合在一起,从而使得创新人员能够以较少的能源预算增加性能.FRAM技术以低很多的功耗将SRAM的速度,灵活性和耐久性与闪存的稳定性和可靠性组合在一起。 MSP430 ULP FRAM产品系列由多种采用FRAM,ULP 16位MSP430 CPU的器件和智能外设组成,可适用于各种应用.ULP架构具有七种低功耗模式,这些模式都经过优化,可在能源受限的应用中实现较长的电池寿命。 作为一款高可靠性增强型产品,此器件具有受控的基线,扩展的温度范围(-55°C至95°C)和金键合线封装,尤其适用于任务关键型应用。 特性 嵌入式微控制器 高达16 MHz时钟频率的16位精简指令集(RISC)架构 宽电源电压范围(1.8V至3.6V) 每SVS H 上电电平所需的最小上电电源电压为1.99V 经优化的超低功率模式 工作模式:大约100μA/MHz 待机(具有低功率低频内部时钟源(VLO)的LPM3):0.4μA(典型值) 实时时钟(RTC)(LPM3.5):0.35μA(典型值)(1) 关断(LPM4.5):0.02μA(典型值) 超低功耗铁电RAM(FRAM) 高达...
发表于 11-02 18:49 98次 阅读
MSP430FR5989-EP 具有 128KB FRAM、2KB SRAM、48 IO、ADC12、Scan IF 和 AES 的 16MHz ULP 微控制器

MSP430F249-EP 增强型产品 16 位超低功耗微处理器,具有 60KB 闪存、2KB RAM、12 位 ADC、2 个 USCI

德州仪器(TI)MSP430系列超低功耗微控制器由多个器件组成,具有针对各种应用的不同外设集。该架构与五种低功耗模式相结合,经过优化,可在便携式测量应用中实现更长的电池寿命。该器件具有功能强大的16位RISC CPU,16位寄存器和恒定发生器,有助于实现最高的代码效率。经过校准的数字控制振荡器(DCO)允许在不到1μs的时间内从低功耗模式唤醒到工作模式。 MSP430F249系列是带有两个内置16位定时器的微控制器配置,快速12位A /D转换器,比较器,四个通用串行通信接口(USCI)模块和多达48个I /O引脚。 典型应用包括传感器系统,工业控制应用,手工举行米等。 特性 低电源电压范围,1.8 V至3.6 V 超低功耗: 工作模式:1 MHz时270μA,2.2 V 待机模式(VLO):0.3μA 关闭模式(RAM保持):0.1μA 待机模式下的超快速唤醒(小于1μs) 16位RISC架构,62.5-ns 指令周期时间 基本时钟模块配置: 内部频率高达16 MHz 内部超低功耗低频振荡器 32 kHz晶振(-40°C)仅限105°C 内部频率高达16 MHz,四个校准频率为±1% 谐振器 外部数字时钟源< /li> 外部电阻器 12位模数(A /D)转换器带内部参...
发表于 11-02 18:49 202次 阅读
MSP430F249-EP 增强型产品 16 位超低功耗微处理器,具有 60KB 闪存、2KB RAM、12 位 ADC、2 个 USCI

MSP430G2231-EP 混合信号微控制器

MSP430G2231是一款包含几个器件的超低功耗微控制器,这几个器件特有针对多种应用的不同外设集。这种架构与5种低功耗模式相组合,专为在便携式测量应用中延长电池使用寿命而优化。该器件具有一个强大的16位RISC CPU,16位寄存器和有助于获得最大编码效率的常数发生器。数字控制振荡器(DCO)可在不到1μs的时间里完成从低功耗模式至运行模式的唤醒。 MSP430G2231有一个10位A /D转换器和使用同步协议(SPI或者I2C)实现的内置通信功能。配置详细信息,请见。 典型应用包括低成本传感器系统,此类系统负责捕获模拟信号,将之转换为数字值,随后对数据进行处理以进行显示或传送至主机系统。 特性 低电源电压范围:1.8V至3.6V 超低功耗 运行模式:220μA(在1MHz频率和2.2V电压条件下) 待机模式:0.5μA 关闭模式(RAM保持):0.1μA < /li> 5种节能模式 可在不到1μs的时间里超快速地从待机模式唤醒 16位精简指令集(RISC)架构,62.5 ns指令周期时间 基本时钟模块配置 具有一个校准频率并高达16MHz的内部频率 内部极低功率低频(LF)振荡器 li> 32kHz晶振晶体振荡器不能在超过105°C的环境中运行 外部数字...
发表于 11-02 18:49 139次 阅读
MSP430G2231-EP 混合信号微控制器

MSP430F5328-EP 混合信号微控制器,MSP430F5328-EP

为了延长便携式测量应用中的电池使用寿命,对MSP430F5328架构与扩展低功耗模式的组合进行了优化。该器件具有一个强大的这个控制振荡器(DCO)可以在3.5μs(典型值)内从低功率模式唤醒至激活模式。 MSP430F5328是一款微控制器配置,此配置有一个集成3.3V LDO,4个16位定时器,一个高性能12位模数转换器(ADC),2个通用串行通信接口( USCI),硬件乘法器,DMA,带有警报功能的实时时钟模块,和47个I /O引脚。 典型应用包括模数传感器系统,数据记录器和多种通用应用。 特性 低电源电压范围: 3.6V到低至1.8V 超低功耗 激活模式(AM):所有系统时钟激活 8MHz,3V,闪存程序执行时为290μA/MHz(典型值) 8MHz,3V,RAM程序执行时为150μA/MHz (典型值) 待机模式(LPM3):带有晶振的实时时钟,看门狗和电源监控器可用,完全RAM保持,快速唤醒: 2.2V时为1.9μA,3V时为2.1μA(典型值)低功耗振荡器(VLO),通用计数器,看门狗和电源监控器可用,完全RAM保持,快速唤醒: 3V时为1.4 μA(典型值) 关闭模式(LPM4):完全RAM保持,电源监视器可用,快速唤醒: 3V时为1.1μA(...
发表于 11-02 18:49 101次 阅读
MSP430F5328-EP 混合信号微控制器,MSP430F5328-EP

MSP430F5438A-EP 混合信号微控制器,MSP430F5438A-EP

MSP430F5438A-EP是一款超低功耗微控制器。此架构,与多种低功耗模式配合使用,是在便携式测量应用中实现延长电池寿命的最优选择。该器件具有一个强大的16位RISC CPU,16位寄存器,以及常数发生器,以便于获得最大编码效率。此数控振荡器(DCO)可在 3.5 μs(典型值)内实现从低功率模式唤醒至激活模式。 MSP430F5438A-EP是一个微控制器配置,此配置具有三个16位定时器,一个高性能12位模数(A /D)转换器,多达四个通用串行通信接口(USCI),硬件乘法器,DMA,具有报警功能的实时时钟模块以及多达87个I /O引脚。 < p>这个器件的典型应用包括模拟和数字传感器系统,数字电机控制,遥控,恒温器,数字定时器,手持仪表。 特性 低电源电压范围: 3.6V到低至1.8V 超低功耗 激活模式(AM):所有系统时钟激活 8MHz,3.0V,闪存程序执行时为230μA/MHz(典型值) 8MHz,3.0V,RAM程序执行时为110μA /MHz(典型值) 待机模式(LPM3):带有晶振的实时时钟,看门狗且电源监控器可用,完全RAM保持,快速唤醒: 2.2V时为1.7μA,3.0V时为2.1μA(典型值)低功耗振荡器(VLO),通用计数器,看...
发表于 11-02 18:49 98次 阅读
MSP430F5438A-EP 混合信号微控制器,MSP430F5438A-EP

MSP430FR5969-SP 耐辐射混合信号微控制器

MSP430™超低功耗(ULP)FRAM平台将独特的嵌入式FRAM和整体超低功耗系统架构组合在一起,从而使得创新人员能够以较少的能源预算增加性能.FRAM技术以低很多的功耗将SRAM的速度,灵活性和耐久性与闪存的稳定性和可靠性组合在一起。 MSP430FR5969- SP的超低功耗架构可提供七种低功耗模式,这七种模式均经过优化,能够在低功耗的情况下对系统进行分布式遥测和维护。 MSP430FR5969- SP的集成式混合信号特性使其非常适合用于下一代航天器的分布式遥测应用。对单粒子闩锁的强大抗干扰性和电离辐射总剂量使得该器件得以应用于多种空间和辐射环境中。 特性 抗辐射加固 扩展工作温度(-55°C至105°C)(1)< /sup> 单粒子闩锁(SEL)在125°C下的抗扰度可达72 MeV.cm 2 /mg 辐射批次验收测试结果为50krad 48引脚VQFN塑料封装 单受控基线 延长了产品变更通知周期 产品可追溯性 延长了产品生命周期 嵌入式微控制器 时钟频率高达16MHz的16位精简指令集计算机(RISC)架构 宽电源电压范围(1.8V至3.6V)(2) 优化的超低功率模式 工作模式:大约100μA/MHz 待机(具有低功率低频内部时钟源(VL...
发表于 11-02 18:48 357次 阅读
MSP430FR5969-SP 耐辐射混合信号微控制器

MSP430F6459-HIREL MSP430F6459-Hirel

TI的MSP430系列超低功耗微控制器种类繁多,各成员器件配备不同的外设集以满足各类应用的需求。架构与五种低功耗模式配合使用,是延长便携式测量应用电池寿命的最优选择。该器件具有一个强大的16位精简指令集(RISC)中央处理器(CPU),使用16位寄存器以及常数发生器,以便获得最高编码效率。该数控振荡器(DCO)可在3μs(典型值)内从低功率模式唤醒至激活模式。 MSP430F6459-HIREL微控制器配有一个集成式3.3V LDO,四个16位定时器,一个高性能12位ADC,三个USCI,一个硬件乘法器,DMA,具有报警功能的RTC模块,一个比较器和多达74个I /O引脚。 这些器件的典型应用包括模拟和数字传感器系统,数字电机控制,遥控,恒温器,数字定时器以及手持仪表。 特性 低电源电压范围: 1.8V到3.6V 超低功耗 工作模式(AM):所有系统时钟均工作:在8MHz,3V且闪存程序执行时为295μA/MHz(典型值) 待机模式(LPM3):< br>看门狗(采用晶振)和电源监控器工作,完全RAM保持,快速唤醒: 2.2V时为2μA,3V时为2.2μA(典型值) 关断,实时时钟(RTC)模式(LPM 3.5):关断模式,RTC(采用晶...
发表于 11-02 18:48 68次 阅读
MSP430F6459-HIREL MSP430F6459-Hirel

MSP430G2230-EP MSP430G2230-EP 混合信号微控制器

MSP430G2230是一款超低功耗微控制器。这种架构与5种低功耗模式相组合,专为在便携式测量应用中延长电池使用寿命而优化。该器件具有一个强大的16位RISC CPU,16位寄存器和有助于获得最大编码效率的常数发生器。数字控制振荡器(DCO)可在不到1μs的时间里完成MSP430G2230是一款超低功率混合信号微控制器,此微控制器装有一个内置的16位定时器和4个I /O引脚。除此之外,MSP430G2230还有使用同步协议(SPI或者I2C)的内置通信功能和一个10位A /D转换器。 特性 低电源电压范围:1.8V至3.6V 超低功耗 激活模式:220μA(在1MHz频率和2.2V电压条件下) 待机模式:0.5μA 关闭模式(RAM保持):0.1μA < /li> 5种节能模式 可在不到1μs的时间里超快速地从待机模式唤醒 16位精简指令集(RISC)架构,62.5 ns指令周期时间 基本时钟模块配置: 高达16MHz的内部频率并具有4个精度为±1%的校准频率 内部超低功耗低频振荡器 32kHz晶振晶体振荡器不能在超过105°C的环境中运行 外部数字时钟源 < li>具有2个捕捉/比较寄存器的16位Timer_A 带内部基准,采样与保持以及自动扫描功能的10位200ksps模数(A /D)转...
发表于 11-02 18:48 83次 阅读
MSP430G2230-EP MSP430G2230-EP 混合信号微控制器

MSP430G2302-EP .混合信号微控制器

德州仪器(TI)的MSP430系列超低功率微控制器包含几个器件,这些器件特有针对多种应用的不同的外设集这种架构与5种低功耗模式相组合,专为在便携式测量应用中延长电池的使用寿命而进行了优化。该器件具有一个强大的16位RISC CPU,16位寄存器和有助于大大提高编码效率的常数发生器。数控振荡器可在少于1μs内将器件从低功耗模式唤醒至激活模式。 MSP430G2302系列微控制器是超低功耗的混合信号微控制器,此微控制器带有内置的16位定时器,和多达16个I /O触感使能引脚以及使用通用串行通信接口实现的内置通信功能。配置详细信息,请参见。典型应用包括低成本传感器系统,此类系统负责捕获模拟信号,将之转换为数字值,随后对数据进行处理以进行显示或传送至主机系统。 特性 低电源电压范围:1.8V至3.6V 超低功耗 激活模式:220μA(在1MHz频率和2.2V电压条件下) 待机模式:0.5μA 关闭模式(RAM保持):0.1μA < /li> 5种节能模式 可在不到1μs的时间里超快速地从待机模式唤醒 16位精简指令集(RISC)架构,62.5当前超低功耗低频(LF)振荡器 32kHz晶振 外部数字时钟源 一个具有3个捕获/比较寄存器的16位Timer_A ...
发表于 11-02 18:48 153次 阅读
MSP430G2302-EP .混合信号微控制器

TMS570LS3137-EP 16/32 位 RISC 闪存微控制器,TMS5703137-EP

TMS570LS3137-EP 器件是一款用于安全系统的高性能 系列微控制器。 此安全架构包括:以锁步模式运行的双核 CPUCPU 和内存内置自检 (BIST) 逻辑闪存和数据 SRAM 上的 ECC外设存储器的奇偶校验 外设 I/O 上的回路功能 TMS570LS3137-EP 器件集成了 ARM Cortex-R4F 浮点 CPU,此 CPU 可提供一个高效的 1.66 DMIPS/MHz,并且 具有能够以高达 180 MHz 运行的配置,从而提供高达 298 DMIPS。 此器件支持字不变大端序 [BE32] 格式。 TMS570LS3137-EP 器件具有 3MB 的集成闪存以及 256KB 的数据 RAM,这些闪存和 RAM 支持单位错误校正和双位错误检测。 这个器件上的闪存存储器是一个由 64 位宽数据总线接口实现的非易失性、电可擦除并且可编程的存储器。 为了实现所有读取、编程和擦除操作,此闪存运行在一个 3.3V 电源输入上(与 I/O 电源一样的电平)。 当处于管线模式中时,闪存可在高达 180MHz 的系统时钟频率下运行。 在字节、半字、字和双字模式中,SRAM 支持单循环读取和写入访问。 TMS570LS3137-EP 器件特有针对基于实时控制应用的外设,其中包括 2 个下一代高端定时器 ...
发表于 11-02 18:48 522次 阅读
TMS570LS3137-EP 16/32 位 RISC 闪存微控制器,TMS5703137-EP

CC3200MOD SimpleLink Wi-Fi CC3200 片上因特网无线 MCU 模块

使用业界首款可编程FCC,IC,CE和Wi-Fi认证无线微控制器(MCU)模块,内置Wi-Fi,开始您的设计连接。 SimpleLink CC3200MOD专为物联网(IoT)而创建,是一个集成了ARM Cortex-M4 MCU的无线MCU模块,允许客户使用单个设备开发整个应用程序。凭借片上Wi-Fi,互联网和强大的安全协议,无需先前的Wi-Fi体验即可加快开发速度。 CC3200MOD将所有必需的系统级硬件组件(包括时钟,SPI闪存,RF开关和无源元件)集成到LGA封装中,以便于组装和低成本PCB设计。 CC3200MOD作为完整的平台解决方案提供,包括软件,样本应用,工具,用户和编程指南,参考设计以及TI E2E支持社区。 应用MCU子系统包含行业标准的ARM Cortex- M4内核以80 MHz运行。 该器件包括各种外设,包括快速并行相机接口,I2S,SD /MMC,UART,SPI,I2C和四通道ADC。 CC3200系列包括用于代码和数据的灵活嵌入式RAM;带外部串行闪存引导程序和外设驱动程序的ROM;用于Wi-Fi网络处理器服务包,Wi-Fi证书和凭证的SPI闪存。 Wi-Fi网络处理器子系统具有Wi-Fi片上网络,并包含一个附加功能专用的ARM...
发表于 08-20 17:53 376次 阅读
CC3200MOD SimpleLink Wi-Fi CC3200 片上因特网无线 MCU 模块