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台积电将统治全球的5nm产业链?

2020-09-27 11:41 次阅读

目前的5nm制造玩家,只有台积电和三星这两家了。而三星要到明年才能实现量产,就今年来看,台积电将统治全球的5nm产业链。

在过去的一年里,台积电的5nm研发节奏很快,该公司在2019年三月进入了风险试产阶段,据说试产良率可以达到40%,而在今年的第二季度,就可以实现大规模的量产。面对这一商机,全球5nm产业链上的相关厂商都绷紧了神经,要么争取分一杯羹,要么争取产能。

因此,关注的焦点都聚集到了台积电身上。据悉,该公司将今年资本支出提升到了150亿~160亿美元,除了用于扩充7nm产能外,更重要的就是完成5nm量产及产能建置。按照计划,台积电将在第二季度进入5nm量产阶段,第三季度以最快速度提升产能,下半年5nm产能提升速度及幅度有望创下该公司产能新纪录。

到了5nm阶段,台积电的投资额进一步攀升,16nm制程下,1万片产能投资约15亿美元,7nm制程下,1万片产能投资估计30亿美元,而5nm制程1万片产能投资估计达到了50亿美元。

与7nm相比,高精尖的5nm对所涉及的供应链要求更高,无论是上游的半导体制造设备商,还是与台积电制造相关的原材料、零部件及服务商,或是芯片封测厂,以及相关的人才需求,都提出了更高的要求,同时也蕴藏着可观的商机。各路诸侯摩拳擦掌,都在围绕台积电展示着各自的实力。

设备

为了尽快实现5nm量产并提升产能和良率,在过去的一年里,台积电一直在加快购买半导体制造设备,涉及的厂商主要有ASML、KLA、应用材料、中微半导体等,他们供应的光刻机、蚀刻机等都是制造芯片的重要设备。

台积电将统治全球的5nm产业链?

2019年1-11月,台积电的半导体制造设备采购金额达105亿美元,同比增长了46%。今年,台积电的设备采购量将集中在6-9月,这四个月内采购额将占全年的2/3,主要就是用于扩充5nm制程的产能。

据悉,全球排名前五的半导体设备供应商在台积电采购中占比达75%,其中,ASML占比1/3,是第一大设备供应商。据统计,去年台积电设备采购中,ASML光刻机等设备金额约为34亿美元,占台积电总采购额的33%,其次是应用材料,采购额约为17亿美元,占比16%,TEL约12亿美元,占11%,Lam Research为10亿美元,占台积电采购额的9%,迪恩士占5%,KLA占4%。

ASML

目前,全球仅有ASML一家公司掌握着EUV光刻机的核心技术,这也是5nm制程必需的设备,但EUV光刻机的成本十分高昂,每台售价高达1.2亿美元,几乎是DUV光刻机价格的2倍。

根据ASML公司发布的财报,2019全年共出货了26台EUV光刻机,预计2020年将交付35台EUV光刻机,2021年则会达到45-50台的交付量。这其中很大一部分都供给了台积电,用于扩充5nm,以及7nm产能。

中微半导体

除光刻机之外,蚀刻机也是5nm制程工艺不可缺少的,目前,全球高端刻蚀机玩家仅剩下应用材料、Lam Research、东京电子和中微半导体,而通过台积电5nm工艺认证的则更少。

在这个领域,中国大陆的中微半导体取得了可喜的进步,其5nm蚀刻机已经打入台积电供应链。

中微半导体主要生产蚀刻机、MOCVD等设备,它们与光刻机被称为半导体制造三大关键设备,而中微的5nm等离子蚀刻机已经具备了国际竞争力。等离子刻蚀机是芯片制造中的关键设备,用来在芯片上进行微观雕刻,每个线条和深孔的加工精度都是头发丝直径的几千分之一到上万分之一,精度控制要求非常高。

先进的蚀刻机售价也要数百万美元,而且一条生产线要使用多台蚀刻机,对于卖方来说,总价值很可观。

制造

目前,有5nm芯片制造能力的只有台积电一家,该公司也是产业链的核心。

根据台积电的规划,南科14厂和18厂分别专注于12nm和16nm制程技术,以及5nm和 3nm技术,而中科15厂则负责28nm和7nm制程技术。

台积电的5nm晶圆厂从2018年开始启动,有5000多名工作人员日夜赶工,厂房建置完成后,于2019年初进入设备安装阶段,并在去年第二季度进行了风险试产。据悉,5nm制程设备的搬入速度,几乎是以“平均每1.5个小时搬入一台”的进度入厂,台积电在全力推动5 nm晶圆厂进入生产状态。

C在掩模方面,5nm需要14-15层,而7nm+EUV只需要4 层。

据业内人士透露,目前台积电5nm的试产良率已经达到80%,且月产能也从最初的5万片晶圆增至8万片。

制造所需原材料及服务

对于晶圆代工厂来说,要进行5nm制程的芯片制造,除了工艺技术和设备之外,相应的半导体材料、配件,以及各种服务工作也是不可或缺的,需要产业链上的合作伙伴共同参与完成。

5nm及更先进制程的发展,并不能单纯依靠核心工艺的创新与EUV设备的加持。从材料角度来说,光刻胶等半导体材料的创新也是制程演进的关键所在。

去年,日韩之间的半导体材料大战爆发,韩国用于制造半导体和零部件设备的光刻胶、高纯度氟化氢和含氟聚酰亚胺三大半导体材料,均遭到日本的出口限制,对韩国部分重要的产业发展造成了不小的影响。

光刻胶则是这三类半导体材料中的重中之重。

在芯片制造过程中,曝光、显影和刻蚀等重要工艺步骤都与光刻胶有关,耗时占总工艺时长的40%至60%,成本也占整个芯片制造成本的35%。

有机光刻胶主要用于90nm到7nm的芯片制造,但随着制程推进到5nm,将开始需要无机光刻胶。

目前来看,中高端光刻胶产品主要还是掌控在日本厂商手中,台积电与日本合作伙伴保持着紧密的联系。

对于中国大陆的半导体材料厂商来说,机会也越来越多,如安集微电子、江丰电子等都是台积电的供应商。2016-2018年,安集微电子来自台积电的收入占比依次是10.7%、9.7%、8.1%,但安集微主要为台积电成熟制程提供抛光液等产品。江丰电子的重要客户中也包括台积电,其钽靶材及环件已在应用于台积电7nm芯片中。但要想打入其5nm制程供应链,大陆半导体材料厂商还需要再努力。

掩模方面,家登是台积电掩模传送盒的独家供货商,随着台积电在7nm导入EUV,加上5nm量产,EUV掩模传送盒出货可望倍增,且导入EUV后,掩模可曝光次数为原先四分之一,带动掩模传送盒需求进一步提升。

除了家登之外,台积电相关设备与周边材料供货商,还包括承包无尘室工程厂汉唐、帆宣,以及晶圆可靠性等分析的闳康、应材备品代工厂京鼎、后段湿式制程设备弘塑、辛耘,和相关自动化及接口设备的迅得、信纮科等。

在设备维护中,可运用AI进行预测性维护。与此同时,台积电也利用深度学习方法进行自动化影像识别,对缺陷进行及时准确查询,这方面,迅得获得了7nm及5nm生产线自动化系统订单。

对于测试来说,任何晶圆有错误就会直接报废,同时也会按照小批量处理原则给客户提供风险评估报告。而针对可靠性测试,如果有任何die fail,旁边4个临近die也会fail,边缘的die良率低的话也会fail。台积电改善了抽测方式,以确保不会发生故障。

此外,精测是主要晶圆测试板及探针卡供货商,宜特提供5nm相关材料及可靠性分析服务。

封测

台积电对其先进制程芯片的封测业务早有布局,7nm就已经能够自给自足了,在此基础上,自家封测厂在很大程度上也能够保证5nm的需求,且在不断扩充之中。

台积电在竹科、中科、南科、龙潭等地都设有先进封测厂,苗栗竹南封测基地将是第五座先进封测厂。该厂预计投资3000亿元新台币,位于竹南科学园区周边特定区、大埔范围。

为了满足5nm及更先进制程的需求,台积电已建立了整合扇出型(InFO)及CoWoS等封测产能支持,完成了3D IC封装技术研发,包括晶圆堆叠晶圆(WoW)及系统整合单芯片(SoIC)等技术,业界预期竹南厂未来将以3D IC封装及测试产能为主。预计明年量产。

人才

半导体制造主要依靠资金和人才,而这两项台积电都具有优势,且在不断扩充。

去年,全球首座5nm晶圆厂进入量产测试阶段的同时,负责这座5nm的Fab 18内部人事方案也随之确定,由近两年刚升任晶圆厂营运副总的王英郎统筹18厂的人事安排,他在台积电内部有最年轻的副总之称。

其中,厂长由曾任台积电中科15厂的厂长刘晓强担任,而两位副厂长则由之前曾任职南科 14厂的杨怀德和林俞谷出任。

今年2月,台积电在网上公布了1500多个招聘职位,涵盖半导体工程师、设备工程师、光学工程师及制程技术员等,主要就是为了全力冲刺5nm,以及明年更先进制程。

对于此次的千人招聘计划,台积电给普通工程师开出的薪资为每月3.2万元新台币,至于半导体工程师、设备工程师、光学工程师等,根据技术程度,开出的薪资从3.8万至4.5万元不等。

客户

制程工艺越来越先进,台积电的5nm制程成本也水涨船高,开发一款芯片的费用将达到5.4亿美元,台积电5nm全掩模流片费用大概要3亿人民币,而且还不包含IP授权费用。如此高的门槛,大部分公司都会选择观望。目前,也只有华为海思、苹果这样的大客户烧得起钱,据悉,它们的麒麟1020、A14芯片会是5nm芯片的两大客户。苹果可能将独揽台积电三分之二产能,今年6月底开始量产。

然而,即使费用昂贵,台积电5nm的产能似乎还是很紧张,据悉,来自苹果和海思的5nm订单正在迫使台积电加大对于5nm晶圆工厂的投入,而2020年5nm订单预计将贡献台积电约8%的营收。

除了苹果和华为海思,高通一部分5G X60芯片也会由台积电5nm代工生产。

另外,博通联发科AMD等大客户后续也将开始展开5nm芯片设计并导入量产,但今年恐怕拿不到产能了,得等到明年。

结语

从以上叙述可以看出,还未量产,台积电的5nm产能很可能已经被抢光了。

今年的5nm代工产能如此紧张,对于台积电及其产业链上下游的合作伙伴来说,又将会是一个丰收年。
       责任编辑:tzh

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芯片失效分析探针台测试

芯片失效分析探针台测试简介: 可以便捷的测试芯片或其他产品的微区电信号引出功能,支持微米级的测试点信号引出或施加,配备硬...
发表于 10-16 16:05 0次 阅读
芯片失效分析探针台测试

开源资料自制一个光立方体

功能描述: 8*8*8光立方主控板,采用STC12C5A60S2单片机为主控芯片,驱动电路采用8个SN74HC573为驱动锁存器和ULN28...
发表于 10-15 10:44 606次 阅读
开源资料自制一个光立方体

求助 我没有大神知道这个是哪个型号的芯片

有没有大神知道这个是哪个型号的芯片 小弟在此多谢啦...
发表于 10-12 21:13 50次 阅读
求助 我没有大神知道这个是哪个型号的芯片

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 54次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 105次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 199次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 93次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 66次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 115次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 101次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 107次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 120次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 92次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 97次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 181次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 183次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 126次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 96次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 90次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 262次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 100次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 223次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 480次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5