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集成电路(芯片)制造的短篇漫画

中科院半导体所 2020-09-24 17:08 次阅读

前言:多年前,网上出现一组介绍集成电路(芯片)制造的漫画,而且有英文版。无论从专业角度还是漫画角度看,笔者认为漫画画的很棒!可惜网上漫画清晰度不高。笔者对这些漫画进行了清晰化,并配上了通俗的说明文字和示意图,整理成此文,试图以漫画为主、示意图和文字为辅,对芯片制造过程进行讲解。重点介绍在芯片上集成上百亿只电路元件的“十八般武功”,力求形象生动和便于理解。网上引用这组漫画的文章都未标出漫画原创作者,若读者有相关信息,请不吝赐教。笔者核实后,将在文中列出漫画原创作者。

小小芯片把人类带进信息化智能化世界,芯片和软件构成了信息化社会这座高楼大厦的基础。如果您对芯片还比较陌生,但近两年来,您已经知道了芯片超级重要后,一定想多了解一些芯片知识。下文将用漫画、示意图和说明等形式,通俗直观地对芯片及其制造过程进行介绍。

示意图1带您认识一下用于制造芯片的硅片(晶圆),实现芯片功能的最小单元——晶体管,以及硅片、芯片和晶体管三者的关系。图中麒麟990是华为先进的5G智能手机芯片,采用7nm工艺制造,面积仅为113平方毫米(约1厘米见方,小手指甲大小),上面却集成了约103亿只晶体管。一只晶体管的三维(3D)结构如右上图所示。芯片制造厂采用的12英寸硅片的面积为70659平方毫米,用它大约可以生产600颗麒麟990芯片。

示意图2左图是一张芯片布图(Layout)的局部,把它放大后,在其中找到了一个晶体管的布图,如红方框区域所示。一个晶体管在芯片中仅占头发丝横切面百分之一不到的面积,但它却是由复杂的电路结构组成。晶体管从分布上看是平面的,但从横切面上看是立体的,晶体管三维立体结构如上右图所示。芯片制造完成后,晶体管会“依托”硅片并“扎根”于硅片,上百亿只晶体管由纵横而不交错的金属线条连接起来,实现了芯片的功能。

如何在小手指甲大小的硅片上集成上百亿只晶体管等电路?在芯片制造时都用到了哪些高精尖的技术?下面就让机器人小宝带您走进芯片制造的微观世界,看看集成电路制造的神奇。

芯片细微无法言表,漫画粗旷只能示意。

一、芯片制造过程概述

芯片制造过程大致分为四个阶段。下图中,1-2的工序是芯片设计流程,3-4-5-6的工序是硅片制造流程,7-8-9-10-11的工序是在硅片上制造电路元件的电路制造流程,12-13的工序是收尾流程。其中,硅片制造流程实际是芯片原材料加工过程,一般是在另外的专业工厂中完成。所以,硅片制造可以不包括在芯片制造过程中。本文为了让读者对芯片制造有全局了解,特把硅片制造也包含在芯片制造过程中。

(注:此漫画及后文所有漫画皆来源于网络文章,并经过了笔者加工整理。)

(一)芯片设计流程

芯片设计流程中包括了电路设计和光刻掩膜版制作。电路设计就是通常所说的集成电路设计(芯片设计),它是芯片产业链(设计、制造、封装、测试和应用)的首要环节,电路设计的结果是芯片布图(Layout)。光刻掩膜版制作是把芯片布图拆分成几十层~上百层用于制造芯片的图纸,并把每层图纸制作成光刻掩膜版(Mask),它们将在芯片制造过程中使用。假设一个芯片布图拆分为n层光刻掩膜版,硅片上的电路制造流程各项工序就要循环n次。

1.电路设计:这是晶体管等电路元件摆放、连线和模拟的“设计功”。设计人员要在图形工作站上,利用EDA软件,把上百亿只晶体管等电路元件合理摆放(Place)在设计区域,上下左右、纵横而不交错地准确连接(Route)起来,从而实现预想的电路功能。并且芯片布图在送去制造之前,要反复进行精确地电路功能模拟(Simulation),以保证芯片设计万无一失。

示意图3是Intel公司2000年发布的奔腾P4 CPU的芯片布图,该芯片采用180nm的工艺制造,其上集成了4200万只晶体管,该芯片是台式计算机的CPU。20年后的今天,华为手机CPU芯片麒麟990采用7nm工艺制造,集成了103亿只晶体管,规模是Intel P4的245倍,并且速度更快。现在智能手机的处理能力比二十年前的台式计算机要强很多倍,芯片技术的快速发展功不可没。

2.光刻掩膜版制作:这是把芯片布图拆分成光刻掩膜版的“分层功”。这个工序是芯片制造前的准备工作,分层就是按照芯片制造的工艺要求,把芯片布图拆分成多达几十层的光刻掩膜图形,并制成一层层的光刻掩膜版。传统光刻掩膜版是在很薄很平整的石英玻璃上沉积一层厚约150nm的铬膜,并按光刻图形做出透光与不透光的图形。

示意图4是一个晶体管(示意图2所示)的一套光刻掩膜版图,如果芯片上集成上百亿只晶体管的话,光刻掩膜版上图形数量将是它一百多亿倍,复杂程度可想而知。光刻掩膜版类似于传统照相底版,它上面的图形只有透光和不透光的分区,并精细的多。而照相底版有半透光的过渡性区域,而且精度无法和光刻掩膜版相提并论。

(二)硅片制造流程

硅片制造流程包括了单晶硅棒拉制、硅棒切片、硅片研磨和硅片氧化共4个工序。硅片也叫晶圆,硅片制造也叫做硅晶圆制造。硅片制造一般是在另外的专业工厂完成,然后以原材料产品形式出售给芯片制造厂。硅片典型直径尺寸有4英寸(100mm)、6英寸(150mm)、8英寸(200mm)和12英寸(300mm)。

3.单晶硅棒拉制:多晶硅到单晶硅的“单晶生长功”。根据晶核排列是否同向,硅材料可分为单晶硅和多晶硅,半导体行业使用单晶硅,而且纯度要求为99.999999999%以上(业内简称 11N)。单晶硅棒拉制就是在多晶硅溶液中放入籽晶棒,在熔体温度、提拉速度、籽晶/石英坩埚的旋转速度等合适的条件下,随着籽晶棒边转动边缓缓地拉升,溶液中的晶核沿籽晶同向生长,一个以籽晶棒为中心的单晶硅棒就拉制出了。硅棒直径与条件控制和提拉速度有关。

4.硅棒切片:硬碰硬地切片,要有切得很薄的“刀功”。这道工序是把硅棒切割成硅片。由于硅棒直径和应用不同,硅棒切片的厚度也有差别。半导体用的硅片的切片厚度在450μm~750μm范围,太薄易脆裂不适合芯片制造。但太阳能用的硅片却是越薄越好,切片厚度仅为200μm左右(约2根头发丝的厚度),切割缝隙在120μm左右。由于硅棒非常坚硬,又要切的很薄,很考验设备的“刀功”。常见的硅棒切片方法为金刚线切割法和砂线切割法。

5.硅片研磨:一丝不苟的“磨平功”。成语中的“丝”如果是指头发丝的话,我这句话还应改为“万分之一丝不苟的‘磨平功’”。因为,半导体用的大硅片表面局部平整度(SFQD)要求小于设计线宽的2/3,如果大硅片用来制造14nm工艺的芯片,SFQD要求控制在10nm以内,即头发丝的万分之一。若选用7nm工艺,SFQD应小于5nm,硅片平整度要求更高。这道工序对研磨剂和研磨机都提出了很高的技术要求。

6.硅片氧化:让半导体不导电的“绝缘功”。半导体硅片可以经过加工变成导体,也可以经过加工变成绝缘体。这道工序是在硅片上生成一层很薄的氧化膜,使硅片表面成为绝缘体,为其后在硅片上制作电路元件做准备。氧化膜的成份是SiO2,具有良好的化学稳定性和电绝缘性,可用于晶体管栅极氧化膜、电绝缘层、电容器介质和屏蔽层等。硅片氧化工序还将在电路制造流程中多次应用,如果先做光刻再做氧化,将会在指定区域生成氧化膜,形成局部的绝缘保护。

(三)电路制造流程

准备好了硅片和光刻掩膜版,芯片制造就进入到了硅片表面电路制造的流程。该流程中包括了光刻胶涂布、硅片表面上图形形成、刻蚀、氧化、扩散、CVD、粒子注入和平坦化等工序。电路制造流程是一个循环流程,芯片成套的光刻掩膜版有多少层,这个流程就要循环多少次。每层光刻掩膜版表达的图形内容不同,流程中的个别工序也有可能被跳过。

7.光刻胶涂布:在硅片上涂布光刻胶要有很好的“均匀功”。一般旋转涂布光刻胶的厚度与光刻机曝光的光源波长有关(不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率)。厚度一般在200nm~500nm的范围。光刻胶是芯片制造的重要原材料,2019年7月日本为了抗议韩国法院对“韩国劳工”裁决,就用了光刻胶等原材料卡韩国的“脖子”,使韩国芯片产业一度困难。

示意图5是一小块硅片上的硅片基底、氧化膜和感光胶的三层结构示意图。

8.硅片表面图形形成:像传统照片洗印一样的“精准曝光功和洗印功”。这道工序用来把光刻掩膜版上的图形投影到已涂布好的光刻胶上,进行精准曝光。这项工作由大名鼎鼎的光刻机来完成。在曝光之后,接下来要除去感光了的光刻胶,留下了未感光的光刻胶(假定使用了正性感光胶)。光刻掩膜版上的电路图形就精确地以光刻胶图形“做”在硅片的氧化膜上了。

示意图6是光刻工艺中的曝光(上图)和除胶(下图)工序示意图,等同于传统照相过程中的曝光和洗印。感光胶有正负之分,感光的正性感光胶在显影除胶工序中被除去,保留了未被感光的部分。负性感光胶相反,未被感光的部分被除去,保留了被感光的部分。

9.刻蚀:对光刻胶图形下的氧化膜进行“精准雕刻”。这道工序用来把光刻胶覆盖的氧化膜保留,其它部分去掉。然后再把其余的光刻胶去除。这时,光刻掩膜版上的电路图形就精确地以氧化膜形式“做”在了硅片上。这项工作由刻蚀机来完成。工序7、8、9组成了芯片制造流程中最重要的光刻工艺(也称为平面加工工艺)。

示意图7是把晶体管的第一张光刻掩膜版(示意图4)上的电路图形制作在氧化膜上的示意。同理,电路图形也可以制作在栅极多晶硅膜、绝缘钝化膜、蒸铝连线层上等。

10.氧化、扩散、CVD和粒子注入:这是在硅片上“分区精加工的硬功”。使用上述工序7、8、9的光刻工艺后,就可以在芯片的上指定区域进行多种精加工。氧化是在指定区域生成氧化膜;扩散是对指定区域定量掺入其它元素原子,改变该区域的电性能;CVD是在指定区域沉积一层氧化硅、碳化硅、多晶硅等半导体材料层;离子注入是向指定区域定量注入杂质的原子或粒子,使该区域的电性能发生变化。

示意图8是制作晶体管的P型衬底(示意图2绿色区)的示意图。前道的光刻工艺在氧化膜上开了一个离子注入窗口,在这道精加工的工序中进行离子注入,使窗口下的硅片变为P型衬底。

11.平坦化:电路图形表面“精确磨平功”。在硅片上做了几层电路图形的“光刻”和“加工”循环(工序7、8、9、10)以后,有些地方刻蚀下去,有些地方生长上来,电路图形表面已变得凹凸不平。为了进行下一层的“光刻”和“加工”循环流程,首先要对电路图形表面进行平坦化。平坦化打磨要十分精确,打磨太深会损坏已做好的电路图形,打磨太浅电路图形表面依然不够平整。平坦化工序完成后,跳回到工序7的光刻胶涂布,按照下一张光刻掩版开始下一循环的“光刻”和“精加工”过程。

示意图9是高倍电子显微镜下看到的凹凸不平下层电路图形。

(四)收尾流程

收尾流程中包括了电极形成和硅片检查两道工序,这是芯片制造最后的收尾工序,之后就可以进行芯片封装了。

12.电极形成:金属材料蒸发和淀积的“金属化功”。在电路制造循环完成之后,还要完成一层晶体管等电路元件表层的铝金属连线,并要把芯片引出电信号的连接电极做好。把铝、铜等金属蒸发成气体,传送到芯片表面,并淀积生成一层金属薄膜叫做金属化工艺,金属化是一项难度很大的技术功夫。

13.硅片检查:从批量芯片中找出不良芯片的“火眼金睛功”。在芯片封装之前,要对硅片上成百上千的芯片进行检查,标记出不良的芯片,以便在后续的芯片封装时弃之不用。

二、芯片封装流程概述

芯片封装流程包括了硅片切割、芯片置放、引线键合、塑封模压、切筋成型、劣化试验、产品检验、激光打标八个工序,如下图所示。该封装流程封装的芯片都是四边引线的塑料封装(包括DIP、SOP、QFP、PQFP、LCC、PLCC等),这是传统的二维(2D)封装形式,本文对其中的每道工序不做详细介绍。

(注:此漫画来源于网络文章,并经过了笔者加工整理。)

示意图10是目前芯片封装形式的全景图。分割线左侧是传统的2D塑料封装形式,右侧是更先进的新型封装形式,包括:以阵列引脚封装(PGA)、球栅阵列封装(BGA)、触点阵列封装(LGA)等为代表的球阵封装;晶圆级封装(WLP);系统级封装(SIP);堆叠封装(PoP);多芯片组封装(MCP)和芯片级封装(CSP)等。其中除了球阵封装外,其它都属于系统级或者三维(3D)先进封装。而且随着技术进步,新型封装技术将不断推陈出新,以满足各种新的应用需求。

(注:此图片来源于网络:今日半导体,并经过了笔者加工整理。)

结语:芯片设计和硅片生产是芯片制造的前期准备,电路制造有三个重点内容要了解,一是硅片上的电路是按光刻掩膜版的顺序,一层层用光刻平面工艺循环加工而成,芯片上的电路元件是立体的。二是光刻工艺有4个步骤:涂胶、曝光、除胶、刻蚀,光刻是芯片技术的核心。三是每一循环加工都是由光刻和加工两个阶段组成,光刻指定了后续加工的范围、区域和窗口,后续加工是对硅片上材料真正的处理过程,包括氧化、扩散、CVD、离子注入、钝化等处理。

在芯片制造过程中,芯片设计阶段用到了电路元件摆放、连线和功能模拟的“设计功”、把芯片布图拆分成光刻掩膜版的“分层功”;硅片生产阶段用到了“单晶生长功”、“硅棒切片功”、“硅片磨平功”和“半导体绝缘功”;在电路制造阶段用到了光刻的“精准定位功”和“精细加工功”;在芯片封装阶段也有各种各样的真功夫。芯片制造中的真功夫是芯片高技术含量的具体体现。用漫画把这些真功夫都一一表达出来,其实是一件很难的事情。在此,笔者向文中所引用漫画原创作者致敬。

责任编辑:xj

原文标题:【芯论语】漫画在芯片上“集成”上百亿只“电路”元件的“十八般武功”

文章出处:【微信公众号:中科院半导体所】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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最近一段时间,关于安谋中国和ARM的事情闹得很凶。ARM最后放出了大招,用停止ARM的授权来逼迫安谋....
的头像 工程师邓生 发表于 10-24 10:00 439次 阅读
如果ARM停止授权,中国要做何准备?备胎很重要

人工智能芯片市场研究报告将提供一个与整体市场分析

此外,人工智能(AI)芯片报告还根据最先进的业务进展和智能系统进行估算。人工智能(AI)芯片市场报告....
的头像 倩倩 发表于 10-24 09:20 213次 阅读
人工智能芯片市场研究报告将提供一个与整体市场分析

SK海力士收购英特尔NAND业务,对中国有哪些影响?

10月20日,SK海力士和英特尔在韩国共同宣布签署收购协议,根据协议约定,SK海力士将以90亿美元收....
的头像 inr999 发表于 10-23 18:00 586次 阅读
SK海力士收购英特尔NAND业务,对中国有哪些影响?

芯片行业人才缺口之大远不是一所大学就能“喂饱”的

10月22日,南京集成电路大学在南京江北新区人力资源产业园揭牌,标志着南京集成电路大学正式成立。 近....
的头像 Les 发表于 10-23 17:55 291次 阅读
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海思麒麟 9000 再下一城,华为 Mate 40 Pro 空降 AI 跑分榜第一

IT之家 10 月 23 日消息华为昨晚正式发布了 Mate40 系列手机,与此同时新一代海思麒麟 ....
的头像 嵌入式星球 发表于 10-23 17:31 154次 阅读
海思麒麟 9000 再下一城,华为 Mate 40 Pro 空降 AI 跑分榜第一

iPhone 12系列哪个型号最值得购买?

据悉,iPhone12真机与官网上的图片颜色差异较大,由于iPhone手机背面的玻璃材质的,导致在光....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-23 17:30 824次 阅读
iPhone 12系列哪个型号最值得购买?

iPhone 12全系的电池容量曝光

此前有消息称,苹果的iPhone 12系列中可能采用高通最新的X60基带,但可能由于开发周期的缘故,....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-23 17:21 1501次 阅读
iPhone 12全系的电池容量曝光

7nm工艺延期 Intel关于是否外包表示:明年初会决定

上上个季度的财报会上,Intel宣布7nm工艺要延期,推迟半年到一年时间,意味着至少2022年才能见....
的头像 工程师邓生 发表于 10-23 17:18 207次 阅读
7nm工艺延期 Intel关于是否外包表示:明年初会决定

iPhone12售罄热销之时,新机的散热问题持续发酵

近日,小米在其供应商大会上宣布,对石墨烯厂商追加投资。而在2019年,小米产业基金已投资墨睿科技。目....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-23 17:15 788次 阅读
iPhone12售罄热销之时,新机的散热问题持续发酵

阿里以L4自动驾驶为切入点推出了适用于自动驾驶的芯片玄铁910

自动驾驶的每次进化都意味着技术的一次革新,而芯片则在其中扮演着心脏、大脑、发动机的角色。“过去十年的....
的头像 lhl545545 发表于 10-23 16:18 373次 阅读
阿里以L4自动驾驶为切入点推出了适用于自动驾驶的芯片玄铁910

用AD20绘制NSOP的芯片封装-PCB绘制-适用于其他双排类型的IC-详细过程-学习记录

NSOP封装PCB绘制-绘制记录一、以16NSOP为例,使用软件AD20. 1、封装命名参照图中格式。2、放置首个焊盘焊盘宽度比...
发表于 10-22 17:07 101次 阅读
用AD20绘制NSOP的芯片封装-PCB绘制-适用于其他双排类型的IC-详细过程-学习记录

ARM芯片的应用和选型

1.1 ARM芯核如果希望使用WinCE或Linux等操作系统以减少软件开发时间,就需要选择ARM720T以上带有MMU(memory mana...
发表于 10-22 10:59 101次 阅读
ARM芯片的应用和选型

芯片失效分析探针台测试

芯片失效分析探针台测试简介: 可以便捷的测试芯片或其他产品的微区电信号引出功能,支持微米级的测试点信号引出或施加,配备硬...
发表于 10-16 16:05 0次 阅读
芯片失效分析探针台测试

开源资料自制一个光立方体

功能描述: 8*8*8光立方主控板,采用STC12C5A60S2单片机为主控芯片,驱动电路采用8个SN74HC573为驱动锁存器和ULN28...
发表于 10-15 10:44 606次 阅读
开源资料自制一个光立方体

求助 我没有大神知道这个是哪个型号的芯片

有没有大神知道这个是哪个型号的芯片 小弟在此多谢啦...
发表于 10-12 21:13 50次 阅读
求助 我没有大神知道这个是哪个型号的芯片

求教一老芯片用什么接口写入,谢谢!

各位大侠!求教一老芯片用什么接口写入?有RST,RXD,CLK...
发表于 10-01 22:24 272次 阅读
求教一老芯片用什么接口写入,谢谢!

求推荐一个驱动36V 60W 最高转速4000rpm无刷直流电机的电机驱动芯片

闭环,要能够调速的那种
发表于 09-28 15:49 155次 阅读
求推荐一个驱动36V 60W 最高转速4000rpm无刷直流电机的电机驱动芯片

用RTL8367RB打造的五口全千兆交换机!开源啦

家里局域网,PC都是千兆口,但是桌上的TP-link8口交换机是百兆的,两台机器对传资料备份的时候,峰值只能在11M/s左右。无奈...
发表于 09-28 15:36 101次 阅读
用RTL8367RB打造的五口全千兆交换机!开源啦

电子琴DIY设计(原理图+PCB+源码+仿真)

该设计采用单片机作为主控制芯片,外接灯光闪烁功能和8音调键。共有8个音节和4个功能按键。可播放内置乐曲,可弹奏录音,采用24C...
发表于 09-28 10:42 303次 阅读
电子琴DIY设计(原理图+PCB+源码+仿真)

六个步骤,让你对ESD防护器件选型了解通透

如何选用ESD防护器件? 浪拓电子FAE总结六点: 1)ESD防护器件使用时是并联在被保护电路上,正常情况下对线路的工作不...
发表于 09-25 10:49 102次 阅读
六个步骤,让你对ESD防护器件选型了解通透

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 54次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 103次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 193次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 91次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 64次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 109次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 99次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 107次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 114次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 92次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 95次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 175次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 179次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 122次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 94次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 88次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 255次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 98次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 219次 阅读
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AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 474次 阅读
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