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在Keil C51软件中51单片机的中断服务和外设驱动程序的开发

电子设计 2020-09-24 09:47 次阅读

在嵌入式应用中,使用RTOS的主要原因是为了提高系统的可靠性,其次是提高开发效率、缩短开发周期。

μC/OS-II是一个占先式实时多任务内核,使用对象是嵌入式系统,对源代码适当裁减,很容易移植到8“32位不同框架的微处理器上。但μC/OS-II仅是一个实时内核,它不像其他实时操作系统(如嵌入式Linux)那样提供给用户一些API函数接口。在μC/OS-II实时内核下,对外设的访问接口没有统一完善,有很多工作需要用户自己去完成。串口通信是单片机测控系统的重要组成部分,异步串行口是一个比较简单又很具代表性的中断驱动外设。本文以单片机中的串口为例,介绍μC/OS—II下编写中断服务程序以及外设驱动程序的一般思路。

1 μC/OS-II的中断处理及51系列单片机中断系统分析

μC/OS-II中断服务程序(ISR)一般用汇编语言编写。以下是中断服务程序的步骤。

保存全部CPU寄存器;调用OSIntEnter()或OSIntNesting(全局变量)直接加1;

执行用户代码做中断服务;

调用0SIntExit();

恢复所有CPU寄存器;

执行中断返回指令。

μC/OS-II提供两个ISR与内核接口函数;OSIntEnter()和OSIntExit()。OSIntEnter()通知μC/OS—II核,中断服务程序开始了。事实上,此函数做的工作是把一个全局变量OSIntNesting加1,此中断嵌套计数器可以确保所有中断处理完成后再做任务调度。另一个接口函数OSIntExit()则通知内核,中断服务已结束。根据相应情况,退回被中断点(可能是一个任务或者是被嵌套的中断服务程序)或由内核作任务调度。

用户编写的ISR必须被安装到某一位置,以便中断发生后,CPU根据相应的中断号运行准确的服务程序。许多实时操作系统都提供了安装和卸载中断服务程序的API接口函数,但μC/OS—II内核没有提供类似的接口函数,需要用户在对CPU的移植中自己实现。这些接口函数与具体的硬件环境有关,接下来以51单片机下的中断处理对此详细说明。

51单片机的中断基本过程如下:CPU在每个机器周期的S5P2时刻采样中断标志,而在下一指令周期将对采样的中断进行查询。如果有中断请求,则按照优先级高低的原则进行处理。响应中断时,先置相应的优先级激活触发器于相应位,封锁同级或低级中断,然后根据中断源类别,在硬件控制下,将中断地址压入堆栈,并转向相应的中断向量入口单元。通常在入口单元处放一跳转指令,转向执行中断服务程序.当执行中断返回指令RETI时,把响应中断时所置位的优先级激活触发器清零后,从堆栈中弹出被保护的断点地址,装入程序计数器PC,CPU返回原来被中断处继续执行程序。

在移植的过程中,采用Keil C51作为编译环境。KeilC5l集成C编译和汇编器。中断子程序用汇编语言编写,放到移植μC/0S—II后的OS_CPU_A.ASM汇编文件中。下面是以串行口中断为例的移植中断服务子程序代码。 

在Keil C51软件中51单片机的中断服务和外设驱动程序的开发

2 串口驱动程序

笔者已在5l单片机上成功移植了μC/0S-II内核,移植过程在此不再讨论。这里重点分析μC/0S—II内核下串口驱动程序编写。

由于串行设备存在外设处理速度和CPU速度不匹配的问题,所以需要一个缓冲区.向串口发送数据时,只要把数据写到缓冲区中,然后由串口逐个取出往外发。从串口接收数据时,往往等收到若干个字节后才需要CPU进行处理,所以这些预收的数据可以先存于缓冲区中。实际上,单片机的异步串口中只有两个相互独立、地址相同的接收、发送缓冲寄存器SBUF。在实际应用中,需要从内存中开辟两个缓冲区,分别为接收缓冲区和发送缓冲区。这里把缓冲区定义为环形队列的数据结构。

μC/OS-II内核提供了信号量作为通信和同步的机制,引入数据接收信号量、数据发送信号量分别对缓冲区两端的操作进行同步。串口的操作模式如下:用户任务想写,但缓冲区满时,在信号量上睡眠,让CPU运行别的任务,待ISR从缓冲区读走数据后唤醒此睡眠的任务;同样,用户任务想读,但缓冲区空时,也可以在信号量上睡眠,待外部设备有数据来了再唤醒。由于μC/OS-II的信号量提供了超时等待机制,串口当然也具有超时读写能力。

数据接收信号量初始化为0,表示在环形缓冲区中无数据。

接收中断到来后,ISR从UART的接收缓冲器SBUF中读入接收的字节(②),放入接收缓冲区(③),然后通过接收信号量唤醒用户任务端的读操作(④、①)。在整个过程中,可以查询记录缓冲区中当前字节数的变量值,此变量表明接收缓冲区是否已满。UART收到数据并触发了接收中断,但如果此时缓冲区是满的,那么放弃收到的字符。缓冲区的大小应合理设置,降低数据丢失的可能性,又要避免存储空间的浪费。

发送信号量初始值设为发送缓冲区的大小,表示缓冲区已空,并且关闭发送中断。发送数据时,用户任务在信号量上等待(①)。如果发送缓冲区未满,用户任务向发送缓冲区中写入数据(②)。如果写入的是发送缓冲区中的第一个字节,则允许发送中断(②)。然后,发送ISR从发送缓冲区中取出最早写入的字节输出至UART(④),这个操作又触发了下一次的发送中断,如此循环直到发送缓冲区中最后一个字节被取走,重新关闭发送中断。在ISR向UART输出的同时,给信号量发信号(⑤),发送任务据此信号量计数值来了解发送缓冲区中是否有空间。

3 串口通信模块的设计

每个串行端口有两个环状队列缓冲区,同时有两个信号量:一个用来指示接收字节,另一个用来指示发送字节。每个环状缓冲区有以下四个要素:

◇存储数据(INT8U数组);

◇包含环状缓冲区字节数的计数器;

◇环状缓冲区中指向将被放置的下一字节的指针;

◇环状缓冲区中指向被取出的下一字节的指针。

SerialGetehar()用来获取接收到的数据,如果缓冲区已空时将任务挂起,接收到字节时,任务将被唤醒,同时从串行口接收字节。SerialPutRxChar()用来将接收的字节放到缓冲区中,如果接收缓冲区已满,则该字节被丢弃。当字节插入到缓冲区中,SerialPutRxChar()通知数据接收信号量,使之将数据己到的消息传达给所有等待的任务。为防止挂起应用任务,可以通过调用SceiallsEmPty()去发现环状队列中是否有字节。

当需要发送数据给串行端口时,SerialPurChar()等待信号量在初始化发送信号量时应该初始为缓冲区的大小。因此,当缓冲区中没有更多空间时,SerialPutChar()就挂起任务,只要UART再次发送字节,挂起任务就将恢复。SerialGctChar()被中断服务程序调用,如果发送缓冲区至少还有一个字节,Seri-a1GetChar()就返回一个从缓冲区发送的字节。如果缓冲区己空,则SerialGetChar()返回Null,这将使调用停止进一步的发送中断,一直到有数据发送为止。

4 异步串行通信的接口函数

应用任务可以通过如下的几个函数来控制和访问UART:SerialCfgPort()、SerialGetChar()、SerialInit()、SerialIsEmpty()、SerialIsFull()和SerialPutChar()。

SerialCfgPort()用于建立串行端口的特征,在为指定端口调用其他服务前,必须先调用该函数,包括确定波特率、比特数、奇偶校验和停止位等。

SerialGetChar()使应用程序从接收数据的环状缓冲区中取出数据。

SerialInit()用于初始化整个串口软件模块,且必须在该模块提供的其他任何服务前调用。SeriallInit()将环状缓冲区计数器的字节数清零,并初始化每个环状缓冲区的IN和OUT指针,指向数据存储区的开始处。数据接收信号量初始化为0,表示在环状缓冲区无数据。用传送缓冲区大小初始化数据传送信号量,表示缓冲区已空。

SerialIsEmpty()允许应用程序确定是否有字节从串口接收进来。本函数允许在无数据时避免将任务挂起。

SerialIsFull()允许应用程序确定传送环状缓冲区的状态,本函数可以在缓冲区已满时避免将任务挂起。

SerialPutChar()允许应用程序向一个串行端口发送数据。

结 语

该串口通信模块充分利用了实时内核的任务调度功能和信号量机制,系统软件模块化,可读性增强,便于修改和移植,其设计思路和方法可以很好的应用在多种情况下的测控系统中,系统的扩展方便,具有一定的借鉴作用。该串口通信模块已作为某铁路供水远程控制终端的一部分,运行稳定,提高了整个系统的运行效率和实时性。

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SMV512K32是一款高性能异步CMOS SRAM,由32位524,288个字组成。可在两种模式:主控或受控间进行引脚选择。主设件为用户提供了定义的自主EDAC擦除选项。从器件选择采用按要求擦除特性,此特性可由一个主器件启动。根据用户需要,可提供3个读周期和4个写周期(描述如下)。 特性 20ns读取,13.8ns写入(最大存取时间) 与商用 512K x 32 SRAM器件功能兼容 内置EDAC(错误侦测和校正)以减轻软错误 用于自主校正的内置引擎 CMOS兼容输入和输出电平,3态双向数据总线 3.3±0.3VI /O,1.8±0.15V内核 辐射性能放射耐受性是一个基于最初器件标准的典型值。辐射数据和批量验收测试可用 - 细节请与厂家联系。 设计使用基底工程和抗辐射(HBD)与硅空间技术公司(SST)许可协议下的< sup> TM 技术和存储器设计。 TID抗扰度&gt; 3e5rad(Si) SER&lt; 5e-17翻转/位 - 天使用(CRPLE96来计算用于与地同步轨道,太阳安静期的SER。 LET = 110 MeV (T = 398K) 采用76引线陶瓷方形扁平封装 可提供工程评估(/EM)样品这些部件只用于工程评估。它们的加工工艺为非兼容流程(例如,无预烧过程等),...
发表于 01-08 17:47 237次 阅读
SMV512K32-SP 16MB 防辐射 SRAM

SN74HCT273A 具有清零功能的八路 D 类触发器

与其它产品相比 D 类触发器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Rating Operating temperature range (C)   SN74HCT273A HCT     2     6     Catalog     -40 to 85    
发表于 01-08 17:46 192次 阅读
SN74HCT273A 具有清零功能的八路 D 类触发器

SN74HC273A 具有清零功能的八路 D 类触发器

与其它产品相比 D 类触发器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) Rating Operating temperature range (C)   SN74HC273A HC     2     6     8     Catalog     -40 to 85    
发表于 01-08 17:46 273次 阅读
SN74HC273A 具有清零功能的八路 D 类触发器

SN74ABT16373A 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

'ABT16373A是16位透明D型锁存器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入端设置的电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ABT16373A的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74ABT16373A的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。 ...
发表于 10-11 15:07 128次 阅读
SN74ABT16373A 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

SN74ALVCH16820 具有双路输出和三态输出的 3.3V 10 位触发器

这个10位触发器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 < p> SN74ALVCH16820的触发器是边沿触发的D型触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,器件在Q输出端提供真实数据。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将10个输出放入正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \输入不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑电平。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 数据输入端的总线保持消除了对外部上拉/下拉电阻的需求 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护超过JESD 22 2000-V人体模型(...
发表于 10-11 14:49 40次 阅读
SN74ALVCH16820 具有双路输出和三态输出的 3.3V 10 位触发器

SN74ABT16374A 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

'ABT16374A是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗而设计负载。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出采用在数据(D)输入处设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ABT16374A的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74ABT16374A的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。 特性 ...
发表于 10-11 11:46 68次 阅读
SN74ABT16374A 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

SN74AHCT16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

'AHCT16374器件是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对较低的电容而设计阻抗负载。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出取数据(D)输入的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 为了确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 SN54AHCT16374的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74AHCT16374的工作温度范围为-40°C至85°C。   特性 德州仪器WidebusTM家庭成员 EPICTM(...
发表于 10-11 11:32 123次 阅读
SN74AHCT16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

CY74FCT162374T 具有三态输出的 16 位边沿触发 D 类触发器

CY74FCT16374T和CY74FCT162374T是16位D型寄存器,设计用作高速,低功耗总线应用中的缓冲寄存器。通过连接输出使能(OE)和时钟(CLK)输入,这些器件可用作两个独立的8位寄存器或单个16位寄存器。流通式引脚排列和小型收缩包装有助于简化电路板布局。 使用Ioff为部分断电应用完全指定此设备。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。 CY74FCT16374T非常适合驱动高电容负载和低阻抗背板。 CY74FCT162374T具有24 mA平衡输出驱动器,输出端带有限流电阻。这减少了对外部终端电阻的需求,并提供最小的下冲和减少的接地反弹。 CY74FCT162374T非常适合驱动传输线。 特性 Ioff支持部分省电模式操作 边沿速率控制电路用于显着改善的噪声特性 典型的输出偏斜< 250 ps ESD&gt; 2000V TSSOP(19.6密耳间距)和SSOP(25密耳间距)封装 工业温度范围-40°C至+ 85°C VCC= 5V±10% CY74FCT16374T特点: ...
发表于 10-11 11:28 205次 阅读
CY74FCT162374T 具有三态输出的 16 位边沿触发 D 类触发器

SN74ALVCH16260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器

这个12位至24位多路复用D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16260用于必须将两个独立数据路径复用到单个数据路径或从单个数据路径解复用的应用中。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。该器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许在A到B方向上进行存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存,直到锁存使能输入返回高电平为止。 确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 < p> SN74ALVCH16260的工...
发表于 10-11 11:08 49次 阅读
SN74ALVCH16260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器

SN74ALVCH16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

这个16位边沿触发D型触发器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16374特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。它可以用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出取数据(D)输入的逻辑电平。 OE \可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 工作电压范围为1.65至3.6 V 最大tpd为4.2 ns,3.3 V ±24-mA输出驱动在3.3 V 数据输入...
发表于 10-11 11:06 71次 阅读
SN74ALVCH16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

SN74ALVCH16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

这个16位透明D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16373特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。该器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常状态逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 工作电压范围为1.65 V至3.6 V 最大tpd3.6 ns,3.3 V ...
发表于 10-11 11:02 100次 阅读
SN74ALVCH16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

SN74LVCH16373A 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

这个16位透明D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 特性 德州仪器宽带总线系列成员 典型VOLP(输出接地反弹) &lt; 0.8 V,VCC= 3.3 V,TA= 25°C 典型VOHV(输出V < sub> OH Undershoot) &gt; 2 V在VCC= 3.3 V,TA= 25°C Ioff支持实时插入,部分 - 电源关闭模式和后驱动保护 支持混合模式信号操作(具有3.3VVCC的5V输入和输出电压) < li>数据输入端的总线保持消除了对外部上拉或下拉电阻的需求 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护超过JESD 22 < ul> 2000-V人体模型(A114-A) 200-V机型(A115-A) 参数 与其它产品相比 D 类锁存器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) ...
发表于 10-11 11:00 227次 阅读
SN74LVCH16373A 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

SN74ABTH16260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器

SN54ABT16260和SN74ABTH16260是12位至24位多路复用D型锁存器,用于必须复用两条独立数据路径的应用中,或者从单个数据路径中解复用。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。该器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存状态,直到锁存使能输入返回高电平为止。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 ...
发表于 10-11 10:51 64次 阅读
SN74ABTH16260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器

SN74ABT162823A 具有三态输出的 18 位总线接口触发器

这些18位总线接口触发器具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器,I /O端口,带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。 ?? ABT162823A器件可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能(CLKEN)\输入为低电平时,D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器,从而锁存输出。将清零(CLR)\输入设为低电平会使Q输出变为低电平而与时钟无关。 缓冲输出使能(OE)\输入将9个输出置于正常逻辑状态(高电平)或低电平)或高阻抗状态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动器提供了驱动总线线路的能力,无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 输出设计为源电流或吸收电流高达12 mA,包括等效的25- 串联电阻,用于减少过冲和下冲。 这些器件完全符合热插拔规定使用Ioff和上电3状态的应用程序。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置...
发表于 10-11 10:48 60次 阅读
SN74ABT162823A 具有三态输出的 18 位总线接口触发器

SN74ABTH162260 具有串联阻尼电阻和三态输出的 12 位到 24 位多路复用 D 类锁存器

'ABTH162260是12位至24位多路复用D型锁存器,用于两个独立数据路径必须复用或复用的应用中。 ,单一数据路径。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。这些器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存状态,直到锁存使能输入返回高电平为止。 B端口输出设计为吸收高达12 mA的电流,包括等效的25系列电阻,以减少过冲和下冲。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过...
发表于 10-11 10:45 70次 阅读
SN74ABTH162260 具有串联阻尼电阻和三态输出的 12 位到 24 位多路复用 D 类锁存器

SN74ABT162841 具有三态输出的 20 位总线接口 D 类锁存器

这些20位透明D型锁存器具有同相三态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 ?? ABT162841器件可用作两个10位锁存器或一个20位锁存器。锁存使能(1LE或2LE)输入为高电平时,相应的10位锁存器的Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。 缓冲输出使能(10E或2OE)输入可用于放置输出。相应的10位锁存器处于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。 输出设计为吸收高达12 mA的电流,包括等效的25- 用于减少过冲和下冲的串联电阻。 这些器件完全适用于使用I的热插入应用关闭并启动3状态。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。 为确保上电或断电期间的高阻态, OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 OE \不影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据...
发表于 10-11 10:43 126次 阅读
SN74ABT162841 具有三态输出的 20 位总线接口 D 类锁存器

SN74ALVTH16821 具有三态输出的 2.5V/3.3V 20 位总线接口触发器

'ALVTH16821器件是20位总线接口触发器,具有3态输出,设计用于2.5 V或3.3 VVCC操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。 这些器件可用作两个10位触发器或一个20位触发器。 20位触发器是边沿触发的D型触发器。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在D输入端设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将10个输出置于正常逻辑状态(高电平或低电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 SN54ALVTH16821的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74ALVTH16821的工作温度范围为-40&de...
发表于 10-11 10:35 40次 阅读
SN74ALVTH16821 具有三态输出的 2.5V/3.3V 20 位总线接口触发器

SN74ALVTH16374 具有三态输出的 2.5V/3.3V 16 位边沿 D 类触发器

'ALVTH16374器件是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,设计用于2.5V或3.3VV < sub> CC 操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。这些器件特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位翻转器。翻牌。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在数据(D)输入处设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE不影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 /p> 当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ALVTH16374的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度...
发表于 10-11 10:31 51次 阅读
SN74ALVTH16374 具有三态输出的 2.5V/3.3V 16 位边沿 D 类触发器

SN74ABTH16823 具有三态输出的 18 位总线接口触发器

这些18位触发器具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器,I /O端口,带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。 'ABTH16823可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能(CLKEN \)输入为低电平时,D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器,锁存输出。将清零(CLR \)输入置为低电平会使Q输出变为低电平,与时钟无关。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将9个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 ...
发表于 10-10 17:15 103次 阅读
SN74ABTH16823 具有三态输出的 18 位总线接口触发器

SN74AHCT16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

SNxAHCT16373器件是16位透明D型锁存器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 特性 德州仪器Widebus™系列的成员 EPIC™(增强型高性能注入CMOS)工艺 输入兼容TTL电压 分布式VCC和GND引脚最大限度地提高高速 开关噪声 流通式架构优化PCB布局 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护每个MIL-STD超过2000 V- 883, 方法3015;使用机器型号超过200 V(C = 200 pF,R = 0) 封装选项包括: 塑料收缩小外形(DL)封装 < li>薄收缩小外形(DGG)封装 薄超小外形(DGV)封装 80-mil精细间距陶瓷扁平(WD)封装 25密耳的中心间距 参数 与其它产品相比 D 类锁存器   ...
发表于 10-10 16:23 111次 阅读
SN74AHCT16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器