0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

碳化硅功率器件在航天电子产品中的应用领域

h1654155282.3538 来源:海乐飞技术 作者:海乐飞技术 2020-10-02 18:22 次阅读

随着全球气候变暖,“低碳”变成了当今社会的热门词语,“低碳经济”、“低碳生活方式”,甚至连最热门的房地产行业最近也推出了“低碳楼盘”。而归根到底,“低碳”的本质就是降低能耗,减少二氧化碳的排放。据统计,60%~70%的电能是在低能耗系统中使用的,而绝大多数是消耗于电力变换和电力驱动。而提高电力利用效率中,起关键作用的是功率器件,因此如何降低功率器件的能耗已成为全球性的重要课题。

在航天电子产品中,电子设备的功耗、体积和重量比地面设备更加重要,有时甚至是衡量该产品的主要指标。

碳化硅(SiC)功率器件耐高温、抗辐射、具有较高的击穿电压和工作频率,适于在恶劣条件下工作,特别是与传统的硅(Si)功率器件相比,碳化硅功率器件可将功耗降低一半,因此可大幅度降低开关电源电机驱动器等电路的热耗、体积和重量。

虽然,碳化硅功率器件在近几年才向市场推广,但目前已应用于混合动力汽车和电动汽车设备中,正因其在很多方面具有普通硅功率器件无与伦比的优点,把碳化硅功率器件向航天电子产品中推广就具有了很重要的实际意义。

碳化硅功率器件在航天电子产品中的应用

根据上述分析,结合航天军工实际,碳化硅功率器件在航天电子产品中的应用主要集中在下面几个领域。

1. 弹/箭上开关电源和卫星/飞船上的太阳能电源系统

在开关电源系统中,二极管一般被用作整流、续流保护等。用做整流时,经常会因为整流二极管的反向恢复时间过长,进而导致转换效率降低,发热增加。虽然使用肖特基二极管可解决反向恢复问题,但普通硅(Si)肖特基二极管的击穿电压很低(通常低于200V),再加上降额设计,不适合高压应用。而用碳化硅(SiC)制作的肖特基二极管耐压可达1200V,反向恢复电流几乎可忽略不计,因而能大大减小器件的开关损耗,同时,还可简化开关电源电路中的保护电路,图2是Cree公司提供的使用碳化硅肖特基二极管后对Boost型拓扑结构开关电源的简化。

2. 弹/箭上无刷直流电机或电动舵机的驱动器

目前,弹/箭上使用的无刷直流电机或电动舵机的功率日趋增加,对于无刷直流电机或电动舵机的驱动器来说,因弹/箭上电池电压的限制,只有提升电流才能输出足够的功率。而大的电流带来了更大的耗散功率和发热量,这就会增加驱动器的体积、重量,无形中就增加了弹/箭的无效载荷,缩短了射程。

碳化硅肖特基二极管所具有的耐高温、反向恢复电流为零的特性,可极大地提高电机驱动器的性能,减小耗散功率、体积和重量,提高产品的可靠性。

另外,当SiC MOSFET制作工艺成熟后,如能替代当前使用的开关功率器件,因其高温性能卓著,还可进一步降低电机驱动器的体积和重量。

3. SiC MESFET在星载/机载雷达发射机中的应用

SiC MESFET主要应用于微波领域,非常适合在雷达发射机中使用;使用它可显著提高雷达发射机的输出功率和功率密度,提高工作频率和工作频带宽度,提高雷达发射机的环境温度适应性,提高抗辐射能力。

和普通硅(Si)功率器件相比,碳化硅(SiC)功率器件所具有的优势非常明显。虽然碳化硅功率器件的市场化推广还处于起步阶段,但其应用前景广大,发展速度迅猛,在“低碳”经济理念的推动下,必将加快其发展步伐。航天电子产品对其重量、体积、功耗和抗辐射程度都有严格的要求,碳化硅功率器件的出现及进一步推广,必将对今后航天电子产品的开发产生深远影响。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 功率器件
    +关注

    关注

    40

    文章

    1523

    浏览量

    89470
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    24

    文章

    2427

    浏览量

    47492
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    碳化硅深层的特性

    。强氧化气体1000℃以上与SiC反应,并分解SiC.水蒸气能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸气的气氛,能促进绿色碳化硅氧化从100℃开始,随着温度的提高,氧化程度愈为明显,到140
    发表于 07-04 04:20

    碳化硅二极管选型表

    反向恢复电流,其关断过程很快,开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高,可以制作出超过1000V的反向击穿电压。3kV以上的整流器应用领域,由于SiC PiN二极管与Si器件
    发表于 10-24 14:21

    【罗姆BD7682FJ-EVK-402试用体验连载】基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究

    用于电机驱动领域的优势,寻找出适合碳化硅功率器件的电机驱动场合,开发工程应用技术。现已有Sct3017AL实验室初步用于无感控制驱动技术
    发表于 04-21 16:04

    碳化硅半导体器件有哪些?

      由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅
    发表于 06-28 17:30

    碳化硅基板——三代半导体的领军者

    超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前电力电子领域
    发表于 01-12 11:48

    碳化硅陶瓷线路板,半导体功率器件的好帮手

    已经成为全球最大的半导体消费国,半导体消费量占全球消费量的比重超过40%,其中以碳化硅材料(SiC)为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前电力
    发表于 03-25 14:09

    传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)

    应用领域,SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上,电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然
    发表于 09-23 15:02

    你知道为飞机电源管理提供解决方案的碳化硅吗?

    ,在这些环境,传统的硅基电子设备无法工作。碳化硅高温、高功率和高辐射条件下运行的能力将提高各种系统和应用的性能,包括飞机、车辆、通信设备
    发表于 06-13 11:27

    功率模块的完整碳化硅性能怎么样?

      本文重点介绍赛米控碳化硅功率模块的性能,特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。  分立器件(如 TO-2
    发表于 02-20 16:29

    归纳碳化硅功率器件封装的关键技术

    ,导通电阻更低;碳化硅具有高电子饱和速度的特性,使器件可工作更高的开关频率;同时,碳化硅材料更高的热导率也有助于提升系统的整体
    发表于 02-22 16:06

    浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别

    风险,配置合适的短路保护电路,可以有效减少开关器件使用过程因短路而造成的损坏。与硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短路耐受时间更短。  1)硅IGBT:  硅IGBT的承受退保和短
    发表于 02-27 16:03

    图腾柱无桥PFC混合碳化硅分立器件的应用

    的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封,部分应用可以替代传统的IGBT (硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封),使得IGBT的开关损耗大幅降低。这款混合碳化硅分立
    发表于 02-28 16:48

    开关电源转换器充分利用碳化硅器件的性能优势

    MOSFET之所以有如此的大吸引力,在于与它们具有比硅器件更出众的可靠性,持续使用内部体二极管的连续导通模式(CCM)功率因数校正(PFC)设计,例如图腾功率因数校正器的硬开关拓扑
    发表于 03-14 14:05

    碳化硅功率器件的基本原理、应用领域及发展前景

    随着电力电子技术的不断发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新型的半导体材料,逐渐在电力电子领域
    的头像 发表于 12-21 09:43 429次阅读

    碳化硅功率器件简介、优势和应用

    碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率
    的头像 发表于 01-09 09:26 680次阅读