基于全新的GAA晶体管结构,3nm工艺将三星性能提升35%

当前，最先进的芯片已经采用了5nm工艺（苹果A14），这在另一方面也意味着，晶圆代工厂商们需要更加马不停蹄地推进制程技术的迭代。

来自Digitimes的最新报道称，台积电2nm GAA工艺研发进度提前，目前已经结束了路径探索阶段。

GAA即环绕栅极晶体管，旨在取代走到尽头的FinFET（鳍式场效应晶体管）。FinFET由华人科学家胡正明团队研制，首发于45nm，目前已经推进到5nm。

不过，据说台积电的3nm依然延续FinFET，但三星则会提前于3nm导入GAA技术。

基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），与现在的7nm工艺相比，3nm工艺可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

当然，落后其实并不可怕，最主要看进度。三星7nm也是想“一口吃个胖子”，直接导入EUV极紫外光刻，结果起个大早赶个晚集，被台积电用7nm DUV抢先，自己实际并未揽获多少有价值的订单。

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