侵权投诉

晶圆产能紧张需求暴涨 MOSFET价格或飙升20%

Simon观察 2020-08-26 06:24 次阅读


电子发烧友报道(文/黄山明)近段时间,各大晶圆厂纷纷晒出自己的傲人财报,下游需求旺盛,晶圆产能紧张,让台积电、联电、世界先进三大代工厂将8寸晶圆线代工价格纷纷调高10%-20%。而8寸晶圆的主要需求端为功率器件、电源管理IC、影像传感器指纹识别芯片和显示驱动IC等,MOSFET正是其中之一。
 
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)依靠开关速度快、易于驱动、损耗低等优势,成为当前主要的功率器件之一。由于MOSFET本身技术并不高,需求量巨大,但生产主要依赖于8寸晶圆,因此8寸晶圆产能吃紧,必然会导致缺货、涨价。
 
需求提振价格上涨 第四季度将现缺货潮
 
中国是全球最大的MOSFET市场,对于MOSFET有巨大的需求。据相关资料统计,在中国市场MOSFET应用中,汽车电子及充电桩占比达20%-30%,消费电子占比达20%以上,工业领域应用约占20%左右。
 
当前,MOSFET多使用8寸晶圆制造,加工技术成熟,产品性能较为稳定。不过此次8寸晶圆骤然紧缺,主要由于今年的特殊情况。深圳市拓锋半导体科技有限公司总经理陈金松在接受记者采访时表示:“此次晶圆涨价的主要原因一个在于外延片的延期交货,受到疫情影响,外延片交货不及时,原材料无法得到充足的供应;另一个原因则是受到大环境的影响,包括我们这种设计公司,在海外投片时会遇到一些困难,所以都转而向国内厂商进行下单,使得国内厂商订单量飙升,供给不足,才导致了这种情况。”
 


全球MOSFET市场规模|国元证券

 
与此同时,由于物联网、5GAI等信息产业的快速发展,MOSFET年化增长率开始逐渐攀升,预测至2022年,市场规模将达到68亿美元。对于MOSFET需求的增加从陈金松的口中得到了证实,虽然今年上半年由于疫情的缘故,市场处于淡季,但目前而言已基本恢复到了去年同期的水平,并且第三、第四季度订单并未减少,反而有所增加。
 
不过也正是由于疫情的缘故,此次MOSFET的涨价将带来更大的影响。广州飞虹半导体有限公司副总经理江波表示,价格预计上涨应该已成定局,并且由于上半年疫情影响,多数MOSFET制造厂商与下游应用客户普遍备货不足,随着需求上涨,产能不足,预计第四季度将造成缺货潮。在行情逐渐复苏,各地复工复产的当下,MOSFET所带来的缺货,对中下游企业将造成极大的影响。
 
与此同时,不仅是上游晶圆厂商价格上涨,对于中下游MOSFET厂商而言,交货也在推迟。据陈金松透露,目前MOSFET芯片交付周期基本向后延长一个月,以前约定正常交付的产品,均被告知需要延期交付。据了解,最受影响的为中低压MOSFET,交期最长达半年。
 
不过相比之下,拓锋可能成为目前这个市场的受益者,陈金松表示,在上半年淡季时期,许多厂商由于需求减少,对于芯片的采购量也相应减少,而拓锋仍然按照预定计划进行芯片的采购,因此目前而言备货算是较为充足。
 
形势严峻 MOSFET厂商下一步如何走
 
8寸晶圆的紧缺短时间内并没有缓解的迹象,据业内人士透露,目前8寸晶圆紧缺状况将持续至2021年。此外,8寸硅片价格从2007年至今,一路下跌超过40%,厂商对此扩产的欲望并不强烈,源头材料无法解决,下游需求旺盛,矛盾无法解决,是导致价格上涨,晶圆产能紧张的主要原因。
 
即便是如拓锋半导体一样提前备货的厂商,据陈金松透露,也仅能保证接下来两个月的库存供应。飞虹半导体方面则表示,一方面正在与上游晶圆代工厂落实后续计划与交期;另一方面去开辟新的资源渠道,但这需要时间,短期内无法解决与替代。
 

全球MOSFET市场格局|中银证券

 
从全球MOSFET市场格局来看,欧美及日系厂商占据主要地位,仅英飞凌安森美瑞萨三家份额就接近了50%。但随着如今国产替代热潮的持续,不少下游厂商开始尝试使用国产分立器件产品替代进口产品。
 
但8寸晶圆紧缺的问题暂时还无法得到解决,许多晶圆厂都将重点投向了利润更高的12寸晶圆,想要建设新的8寸晶圆产线,基本只能采用老旧设备。不过也并非完全没有好消息,如华润微表示目前正在规划12英寸晶圆生产线项目,用于MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品的生产。
 
那么可以用12寸晶圆投产来缓解目前MOSFET缺货的情况吗?答案是很难。
 
一方面,国内的12寸晶圆仍处于供不应求的阶段,分配给MOSFET的份额不会太多,即便用12寸晶圆生产MOSFET也只是短期行为,一些新建产线仍处于试产阶段,很难在今年3-4季度达到稳定量产;另一方面则是成本,当前使用8寸晶圆进行MOSFET生产的技术最为成熟,性价比最高,而12寸晶圆较为昂贵,以MOSFET的利润率很难承担,所以不论是使用12寸晶圆还是6寸晶圆,都不太合适。
 
上游晶圆紧缺,芯片交期延长,MOSFET价格上涨成为了必然,但厂商对于MOSFET的涨价却尤为谨慎。陈金松表示:“由于拓锋此前已经备好了一批芯片,同时仍在进行新的投片,暂时不会对客户去涨价。即便涨价,也不会是第一个,率先涨价的厂商将面临客户的极大压力。不过从上游回馈的情况来看,芯片价格会上浮10-20%左右。”
 
那么针对下游的厂商,目前该如何去应对?两位行业人士都给出了自己的建议。
 
陈金松表示,面对这种情况,下游厂商需要根据自己的订单量,多准备半个月到一个月的库存,除了价格因素以外,更重要的是保障自己正常的贸易或生产交期。
 
江波认为,除了提醒客户尽快做好库存备货准备,并与现在的供应商渠道落实第四季度的需求计划与交期以外,还需要及时开拓新的供应渠道。在当前的世界格局下,国产替代进口势在必行,行动慢的将面临无米下锅的窘境。
 
小结
 

以目前的形式来看,上游8寸晶圆紧缺,将对MOSFET市场造成极大影响,预计MOSFET芯片将涨价10-20%。对于从业者而言,MOSFET量价齐升显然是利好的消息,尤其是对于已经备好一定库存的商家而言更是如此,但对于更多玩家而言,缺货将成为下半年最主要的问题,即便价格上涨,也与他们无关。而对于更下游的厂商而言,尽快备好一定存库是企业能否“过冬”的关键。
 
短期来看,产品将成为这轮涨价潮上船的门票,长期来看,虽然芯片仍然投产,但疫情何时过去还是未知数,寻找新的供货渠道至关重要,国产替代也将再次加速,届时国内的MOSFET市场也将迎来新的格局。
 
本文由电子发烧友网原创,未经授权禁止转载。如需转载,请添加微信号elecfans999。
 

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

国内IC龙头企业明微电子宣布照明系列驱动IC产品涨价

高工LED从市场获知,国内驱动IC龙头企业明微电子已于10月18日宣布通用照明、景观亮化和LED显示....
的头像 高工LED 发表于 10-29 17:48 115次 阅读
国内IC龙头企业明微电子宣布照明系列驱动IC产品涨价

半导体业产业仍然呈现低迷状态?

整体状况的好转,是由半导体业各个板块的回暖综合效应促成的,特别是业内几大热门领域,大都出现了十分吸引....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-29 14:49 171次 阅读
半导体业产业仍然呈现低迷状态?

台积电的晶圆密度超越全球芯片巨头英特尔?

日前,中国台湾“内政部 ”公布归化高级专业人才审查会审查结果,美国籍的曹敏通过审查,归化成为台湾人,....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-29 14:24 143次 阅读
台积电的晶圆密度超越全球芯片巨头英特尔?

超详细的全球晶圆产线盘点

近年来全球硅晶圆供给不足,中国大陆8寸、12寸硅片自主供应能力弱,高度依赖进口,是集成电路产业链中的....
的头像 传感器技术 发表于 10-29 14:13 94次 阅读
超详细的全球晶圆产线盘点

Nexperia将首次亮相第三届中国国际进口博览会

Nexperia为多个汽车应用领域贡献力量,约270款Nexperia产品运用在不同的汽车应用中。
发表于 10-29 14:01 29次 阅读
Nexperia将首次亮相第三届中国国际进口博览会

宜普电源转换推出eGaN®FET 98%效率、250W/48V的DC/DC解决方案

EPC9153是一款250 W超薄电源模块,采用简单且低成本的同步降压配置,峰值效率高达98.2%,....
发表于 10-29 09:32 59次 阅读
宜普电源转换推出eGaN®FET 98%效率、250W/48V的DC/DC解决方案

权衡功率密度与效率的方法

能量转换效率是一个重要的指标,各制造商摩拳擦掌希望在95%的基础上再有所提升。为了实现这一提升,开始逐渐采用越来越复杂的转换...
发表于 10-29 07:12 0次 阅读
权衡功率密度与效率的方法

如何选择用于热插拔的MOSFET?

当电源与其负载突然断开时,寄生元件上的大摆动会产生巨大的尖峰,对电路上的元件造成十分不利的影响。与电池保护应用类似,此处...
发表于 10-29 06:54 0次 阅读
如何选择用于热插拔的MOSFET?

中国芯片产业破釜沉舟,8英寸石墨烯晶圆问世

自华为遭遇漂亮国芯片打压后,陷入芯片危机之后,中国芯片产业进入破釜沉舟阶段,成为当下我国重点发展项目....
发表于 10-28 17:14 90次 阅读
中国芯片产业破釜沉舟,8英寸石墨烯晶圆问世

因产能紧张晶圆行业报价明年上半年都有可能会上调

10 月 28 日消息,据国外媒体报道,在此前报道中,产业链人士曾多次提到,由于产能紧张,8 英寸晶....
的头像 工程师邓生 发表于 10-28 16:12 109次 阅读
因产能紧张晶圆行业报价明年上半年都有可能会上调

MOSFET的漏极导通特性解析

MOSFET的漏极导通特性如图1所示,其工作特性有三个工作区:截止区、线性区和‍完全导通区。其中,线....
的头像 陈翠 发表于 10-28 15:46 145次 阅读
MOSFET的漏极导通特性解析

中国移动启动了大规模eSIM晶圆采购项目,总规模达7000万颗

近日,中国移动启动了大规模eSIM晶圆采购项目,总规模达7000万颗,其中级晶圆4000万颗,级晶圆....
的头像 Les 发表于 10-28 15:06 274次 阅读
中国移动启动了大规模eSIM晶圆采购项目,总规模达7000万颗

8吋晶圆代工需求强劲,联电将扩大营运规模

据悉,东芝目前共有Fab 1与Fab 2等两座8吋晶圆厂,联电传出将斥资百亿元内拿下这两座厂。法人认....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-28 14:53 177次 阅读
8吋晶圆代工需求强劲,联电将扩大营运规模

使具有AI功能的开关芯片产品多样化需要多长时间?

如果我们巧妙地越过专利组合的那薄弱的威胁,以及它对 Cerebras 的可能性证明所鼓舞的潜在初创公....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-28 14:40 123次 阅读
使具有AI功能的开关芯片产品多样化需要多长时间?

SK海力士将收购Intel部件和晶圆以及在中国大连的闪存工厂

在这笔交易中,中国大连的Fab 68工厂尤其引人注目,该工厂最早在2007年投资建立,2010年正式....
的头像 lhl545545 发表于 10-28 12:08 207次 阅读
SK海力士将收购Intel部件和晶圆以及在中国大连的闪存工厂

紫光同芯中标7000万颗eSIM晶圆的采购大单

昨日,紫光集团宣布,在中国移动物联网有限公司的“eSIM晶圆采购项目”招标中,紫光国微旗下紫光同芯作....
的头像 电子魔法师 发表于 10-28 12:05 568次 阅读
紫光同芯中标7000万颗eSIM晶圆的采购大单

晶圆代工产能不足,多家芯片厂商缺货被迫涨价

近期关于芯片涨价的消息层出不穷,尤其是ST的货,真是相当极其特别的供不应求求求求求求求求求,求的人太....
的头像 如意 发表于 10-28 11:41 136次 阅读
晶圆代工产能不足,多家芯片厂商缺货被迫涨价

日本半导体公司旭化成就遭遇大火,工厂至少要半年时间才有可能恢复

据报道,发生火灾的是旭化成旗下集团公司从事半导体制造的旭化成微电子株式会社延冈制造所的一处工厂,主要....
的头像 lhl545545 发表于 10-28 10:37 792次 阅读
日本半导体公司旭化成就遭遇大火,工厂至少要半年时间才有可能恢复

紫光中标中国移动7000万颗eSIM晶圆大单

紫光国微官方宣布,紫光同芯独家中标中国移动物联网有限公司7000万颗eSIM晶圆大单。 紫光国微表示....
的头像 工程师邓生 发表于 10-28 10:21 104次 阅读
紫光中标中国移动7000万颗eSIM晶圆大单

紫光集团将帮助中国移动成为专业的eSIM物联网解决方案提供商

这包括4000万颗消费级eSIM晶圆、3000万颗工业级eSIM晶圆,将帮助中国移动成为专业的eSI....
的头像 lhl545545 发表于 10-28 10:04 283次 阅读
紫光集团将帮助中国移动成为专业的eSIM物联网解决方案提供商

28nm-5nm高端制程的产能将被全球各大芯片巨头瓜分

二、8英寸晶圆产能的紧张,部分原因是由于8英寸晶圆产线数量不断下滑,部分原因是设备厂商基本停止8英寸....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-28 09:37 258次 阅读
28nm-5nm高端制程的产能将被全球各大芯片巨头瓜分

eSIM是运营商拓展新业务的重要抓手

目前,eSIM技术已被应用于可穿戴设备,下一步将在消费电子、车联网等业务中扮演越来越重要的角色。国内....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-28 09:19 155次 阅读
eSIM是运营商拓展新业务的重要抓手

集成MOSFET如何提升功率密度

集成是固态产品的基础,将类似且互补的功能汇集到单一器件中的能力驱动着整个行业的发展。随着封装、晶圆处理和光刻技术的发展,...
发表于 10-28 09:10 0次 阅读
集成MOSFET如何提升功率密度

Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界出色水平,提高功率密度和效率

节省空间的器件采用小型PowerPAIR® 3x3S封装,最大RDS(ON)导通电阻降至8.05 m....
发表于 10-27 16:03 125次 阅读
Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界出色水平,提高功率密度和效率

一文详解晶圆BUMP加工工艺和原理

随着现代电子装置对小型化、轻量化、高性能化、多功能化、低功耗化和低成本化方面的要求不断提高,IC芯片....
的头像 陈翠 发表于 10-27 15:06 331次 阅读
一文详解晶圆BUMP加工工艺和原理

近期关于芯片涨价的消息层出不穷,尤其是ST,极其的供不应求

近期关于芯片涨价的消息层出不穷,尤其是ST的货,真是相当极其特别的供不应求求求求求求求求求,求的人太....
的头像 Les 发表于 10-27 14:43 531次 阅读
近期关于芯片涨价的消息层出不穷,尤其是ST,极其的供不应求

台积电第六代CoWoS晶圆级芯片封装量产,单封装内集成多达12颗HBM内存

据媒体报道,作为全球一号代工厂,台积电已经开始大规模量产第六代CoWoS晶圆级芯片封装技术,集成度大....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-27 14:37 166次 阅读
台积电第六代CoWoS晶圆级芯片封装量产,单封装内集成多达12颗HBM内存

浅谈高通与联发科在5G智能手机市场的竞争

归纳来看,在全年度营收可回归正成长表现后,Qualcomm在中国5G 中低端市场的经营就不需要太高积....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-27 14:10 510次 阅读
浅谈高通与联发科在5G智能手机市场的竞争

英特尔或将扩大芯片外包代工?

近日英特尔发表2020 年第3 季财报,而在发表财报的同时,该公司执行长罗伯特·斯旺(Robert ....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-27 14:10 248次 阅读
英特尔或将扩大芯片外包代工?

中国平板电脑市场将面临重新洗牌

整体而言,在芯片断供的冲击下,预估华为2021年全球平板电脑出货将大跌50%以上。取而代之的是,三星....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-27 11:36 1877次 阅读
中国平板电脑市场将面临重新洗牌

Soitec发布2021财年第二季度财报,收入达1.41亿欧元

自疫情爆发以来,Soitec 的所有生产设备维持正常运转,持续为客户供应产品,依照产品路线图的规划推....
发表于 10-27 11:08 94次 阅读
Soitec发布2021财年第二季度财报,收入达1.41亿欧元

三星面临的第一个问题是谁将成为第三代掌门人?

三星集团由李健熙之父李秉喆创办,并在李秉喆手中成为韩国头号企业。李健熙接手三星后,续写了三星发展传奇....
的头像 lhl545545 发表于 10-27 10:02 585次 阅读
三星面临的第一个问题是谁将成为第三代掌门人?

中国驱动IC市场仍处于供不应求的情况

根据涨价通知显示,集创北方所有基本款(含双锁存)恒流驱动IC调增0.01元;行驱动IC调增0.01元....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-27 09:13 396次 阅读
中国驱动IC市场仍处于供不应求的情况

功率MOSFET的应用PDF电子书免费下载

本书是由电子工业部电子材料与固体器件教材编审委员会半导体物理与器件编审小组评选审定、推荐出版的全国第....
发表于 10-27 08:00 31次 阅读
功率MOSFET的应用PDF电子书免费下载

台积电量产第六代CoWoS晶圆封装:12颗封装CPU可集成192GB内存

据媒体报道,作为全球一号代工厂,台积电已经开始大规模量产第六代CoWoS晶圆级芯片封装技术,集成度大....
的头像 工程师邓生 发表于 10-26 17:10 271次 阅读
台积电量产第六代CoWoS晶圆封装:12颗封装CPU可集成192GB内存

华为、台积电在5G和晶圆制造领域干得漂亮

华为、台积电分别在5G和晶圆制造领域干得漂亮 在5G领域内,华为可以说干得最漂亮的企业,短短几年时间....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 10-26 15:22 270次 阅读
华为、台积电在5G和晶圆制造领域干得漂亮

我国芯片的国产替代道路遭遇阻碍?

与此同时,美国的作法也给我们带来提示,不仅要掌握自己的核心技术,还要守护好核心技术,作法就可以参照美....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-26 15:15 225次 阅读
我国芯片的国产替代道路遭遇阻碍?

先进封装技术及其对电子产品革新的影响

有一种先进封装技术被称为“晶圆级封装”(WLP),即直接在晶圆上完成集成电路的封装程序。通过该工艺进....
发表于 10-26 15:01 89次 阅读
先进封装技术及其对电子产品革新的影响

英特尔被视为NAND闪存解决方案的全球领导者

Lee说,价格担忧似乎主要来自英特尔在大连的工厂,但总体而言这笔交易是“合理的估值”。由于工厂过时的....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-26 14:36 360次 阅读
英特尔被视为NAND闪存解决方案的全球领导者

tsmc却传出对高通不好的信息

华为是国內最有名的手机厂商,另外也是1家出色的芯片公司。在2020年上半年度,华为的手机销量顺利地超....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 10-26 14:36 245次 阅读
tsmc却传出对高通不好的信息

中芯国际已经着手进行大规模扩产!

中芯国际,营收、毛利双创利好。产能紧张,或启动大规模扩产。顾文君曝光,为抢产能,芯片厂老总嚎啕大哭。....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 10-26 11:53 529次 阅读
中芯国际已经着手进行大规模扩产!

台积电透露其3nm制程工艺的细节

另外,该报道称台积电将会积极采购EUV光刻机设备,未来3~5年仍将是拥有全球最大EUV产能的半导体厂....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-26 11:50 418次 阅读
台积电透露其3nm制程工艺的细节

苹果已着手进行新一代A15系列处理器开发

6纳米已在第四季进入量产,EUV光罩层数较7+纳米增加一层,包括联发科、辉达、英特尔等大厂都将采用6....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-26 11:26 347次 阅读
苹果已着手进行新一代A15系列处理器开发

英特尔放弃打造先进制程晶体管?

另外,Jefferies分析师Mark Lipacis发表研究报告指出,若台积电同意在英特尔积极追赶....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-26 11:18 426次 阅读
英特尔放弃打造先进制程晶体管?

同步降压转换器TPS54302的功能特性及应用范围

TPS54302 是一款输入电压范围为4.5V至28V的3A同步降压转换器。该器件包含两个集成式开关....
发表于 10-26 10:53 77次 阅读
同步降压转换器TPS54302的功能特性及应用范围

台基股份募资投建高功率半导体器件等项目

10月25日晚间,*ST康得发布2020年第三季度报告,实现营业收入3.32亿元,同比增长3.65%....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-26 09:14 755次 阅读
台基股份募资投建高功率半导体器件等项目

全球硅晶圆产能逐渐向中国大陆转移

这种心理预期也进一步导致业界的恐慌。齐松指出,比如设计厂商实际需求一万片一月,但可能会向代工厂申请两....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-26 09:09 326次 阅读
全球硅晶圆产能逐渐向中国大陆转移

SCT2331同步降压变换器的数据手册免费下载

SCT2331是一款高达32V宽输入电压范围的3A同步降压变换器,它完全集成了80mΩ高压侧MOSF....
发表于 10-26 08:00 41次 阅读
SCT2331同步降压变换器的数据手册免费下载

PixelCam多光谱相机的特点优势和应用范围

PixelCam多光谱相机提供3-9波段的视频率动态图像。同步多光谱快速获取传递丰富的实时数据,无拍....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-25 14:08 188次 阅读
PixelCam多光谱相机的特点优势和应用范围

中芯国际收入预增的增长或许主要归因于8寸晶圆涨价

中芯国际H股公告,上调2020年三季度收入和毛利率指引,截至2020年9月30日止三个月的收入环比增....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 10-25 11:19 695次 阅读
中芯国际收入预增的增长或许主要归因于8寸晶圆涨价

物理所成功制备单层MoS2晶圆,将推动二维半导体材料的研究发展进程

本期为大家介绍的是中国科学院物理研究所在高质量二维半导体材料研究领域获得的新进展,张广宇课题组以自主....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 10-25 10:05 219次 阅读
物理所成功制备单层MoS2晶圆,将推动二维半导体材料的研究发展进程

芯片行业全球化合作的趋势不可挡

共识一:芯片行业全球化合作的趋势不可挡 小小的芯片,可以说是全球化发展最精细的代表作。它是信息技术产....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 10-25 09:46 289次 阅读
芯片行业全球化合作的趋势不可挡

国内MOSFET市场存在恶性竞争,或无法顺利涨价

据台媒报道称,台湾联电自2020年以来8吋晶圆代工产能一直维持满载,且已满载到2021年下半年,此外....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-25 09:39 480次 阅读
国内MOSFET市场存在恶性竞争,或无法顺利涨价

3.5V至28V的TPS54231降压转换器与集成高边n沟道MOSFET

输出电压可调低至0.8V TPS54231为28 V,2 a非同步降压集成低RDS(on)高侧的转换器•集成80 mΩ高侧MOSFET支...
发表于 10-16 16:55 0次 阅读
3.5V至28V的TPS54231降压转换器与集成高边n沟道MOSFET

Q4驱动IC、MOSFET芯片将涨10%

猎芯网近期表示,芯片供应商生产成本明显上升,不少成本敏感的芯片报价已经开始往上涨,其中,2020年第3季就一再喊涨的LCD驱动...
发表于 10-15 16:30 0次 阅读
Q4驱动IC、MOSFET芯片将涨10%

掌握这些法宝,学习电压转换电路设计不是难题

标准三端线性稳压器的压差通常是 2.0-3.0V。要把 5V 可靠地转换为 3.3V,就不能使用它们。压差为几百个毫伏的低压降 (Low D...
发表于 10-11 09:30 320次 阅读
掌握这些法宝,学习电压转换电路设计不是难题

mos管发热原因

1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做...
发表于 10-10 11:21 44次 阅读
mos管发热原因

改善电路的EMI特性的有效措施

开关式电源设计发展趋势是小型化。开关电源小型化设计中,提高开关频率可有效提高电源的功率密度。但随着开关频率提升,电路电...
发表于 10-10 08:31 141次 阅读
改善电路的EMI特性的有效措施

通过安全退磁来切换感应负载

本应用笔记旨在为系统工程师提供Maxim MAX14912 / MAX14913产品独特功能的详细信息,并特别说明如何利用Maxim的SafeDe...
发表于 09-25 10:51 108次 阅读
通过安全退磁来切换感应负载

1200V碳化硅MOSFET系列选型

  SiC材料与目前应该广泛的Si材料相比,较高的热导率决定了其高电流密度的特性,较高的禁带宽度又决定了SiC器件的高击穿场...
发表于 09-24 16:23 202次 阅读
1200V碳化硅MOSFET系列选型

STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1单片VR用于基于所述PM6641单片VR为芯片组和DDR2芯片组和DDR2 / 3演示板/ 3供应用于超移动PC(UMPC)应用

部为0.8V±1%的电压基准 2.7 V至5.5 V输入电压范围 快速响应,恒定频率,电流模式控制 三个独立,可调节, SMPS对于DDR2 / 3(VDDQ)和芯片组供应 S3-S5状态兼容DDR2 / 3部分 有源软端所有输出 为VDDQ可选跟踪放电 独立的电源良好信号 脉冲在轻负载跳过 可编程电流限制和软启动所有输出 锁存OVP,UVP保护 热保护 参考和终止电压(VTTREF和VTT )±2的.apk LDO为DDR2 / 3端点(VTT)与折返 远程VTT输出感测 在S3高阻VTT输出 ±15 mA低噪声DDR2 / 3缓冲基准(VTTREF) 在STEVAL-ISA050V1演示板是基于PM6641,这是一个单片电压调节器模块,具有内部功率MOSFET,专门设计来提供DDR2 /在超移动PC和房地产便携式系统3内存和芯片组。它集成了三个独立的,可调节的,恒定频率的降压转换器,一个±2的.apk低压降(LDO)线性调节器和±15 mA低噪声缓冲基准。每个调节器提供基本电压下(UV)和过电压(OV)的保护,可编程软启动和电流限制,有源软端的和跳脉冲在轻负载。...
发表于 05-21 05:05 48次 阅读
STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1单片VR用于基于所述PM6641单片VR为芯片组和DDR2芯片组和DDR2 / 3演示板/ 3供应用于超移动PC(UMPC)应用

AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根据该L99SM81V用于汽车应用的步进电机驱动器评估板

用于汽车应用L99SM81V可编程步进电机驱动器板的功能: 具有微步进和保持功能 BEMF监测失速检测 经由SPI可编程配置 5V内部线性电压调节器(输出上板连接器可用) 板反向电池保护用STD95N4F3 MOSFET,其可以具有两个被取代可选地安装二极管和一个跨接 输入工作电压范围从6 V至28 V 输出电流至1.35A 板尺寸:65毫米长×81毫米宽×11毫米最大元件高度 WEEE和RoHS标准 所有ST组分是合格汽车级 的AutoDevKit部分™主动 应用:汽车双极步进电动机 在AEK-MOT-SM81M1评估板设计用于驱动在微步进模式中的双极步进电机,与COI升电压监测失速检测。...
发表于 05-20 18:05 58次 阅读
AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根据该L99SM81V用于汽车应用的步进电机驱动器评估板

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节™和iOS™应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 17:05 81次 阅读
ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电(PoE)的IEEE 802.3bt标准的参考设计

805的PoE-PD接口的 特点: 系统在封装中集成一个双活性桥,热插拔MOSFET和PoE的PD 支持传统高功率,4对应用 100伏与0.2Ω总路径电阻N沟道MOSFET,以每个有源桥 标识哪些种PSE(标准或传统)它被连接到,并提供成功的符合IEEE 802.3af / AT / BT分类指示为T0,T1和T2信号的组合(漏极开路) 通过STBY,仿和RAUX控制信号智能操作模式选择的PM8804 PWM控制器的 QFN 56 8x8mm封装43个管脚和6个露出垫 特点: PWM峰值电流模式控制器 输入操作电压高达75伏 内部高电压启动调节器与20毫安能力 可编程固定频率高达1MHz 可设置的时间 软关闭(任选地禁用) 双1A PK ,低侧互补栅极驱动器 GATE2可以被关闭以降低功耗 80 %的最大占空比与内部斜率补偿 QFN 16 3x3mm的封装,带有裸垫 此参考设计表示3.3 V,20 A转换器解决方案非常适合各种应用,包括无线接入点,具有的PoE-PD接口和一个DC-DC有源钳位正激变换器提供。...
发表于 05-20 12:05 60次 阅读
STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电(PoE)的IEEE 802.3bt标准的参考设计

STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器

LLC谐振变换器的同步整流器,具有自适应的导通和关断 V CC 范围:4.5 V至32 V 最大频率:500kHz的 对于N沟道MOSFET双栅驱动器(STRD级驱动程序) SR MOSFET类型:STP120N4F6(40 N - 4.3MΩ)TO -220 符合RoHS 在STEVAL-ISA165V1是产品评估电路板,旨在演示SRK2001同步整流控制器的性能。所述SRK2001器具的控制方案特异于在使用的变压器与绕组的全波整流中间抽头次级LLC谐振转换器的次级侧同步整流。它提供了两个高电流栅极驱动输出(用于驱动N沟道功率MOSFET)。每个栅极驱动器被单独地控制和联锁逻辑电路防止两个同步整流器(SR)MOSFET同时导通。装置的操作是基于两者的导通和关断的同步整流MOSFET的自适应算法。在快速的负载转变或上述谐振操作期间,另外的关断机构设置的基础上,比较器ZCD_OFF触发非常快的MOSFET关断栅极驱动电路。该板包括两个SR的MOSFET(在一个TO-220封装),并且可以在一个现有的转换器,作为整流二极管的替代很容易地实现。...
发表于 05-20 12:05 63次 阅读
STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器

STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的电机控制电源板

电压:125 - 400 VDC 额定功率:高达1500W的 允许的最大功率是关系到应用条件和冷却系统 额定电流:最多6 A 均方根 输入辅助电压:高达20 V DC 单或用于电流检测的三分流电阻(与感测网络) 电流检测两个选项:专用的运算放大器或通过MCU 过电流保护硬件 IPM的温度监测和保护 在STEVAL-IPMM15B是配备有SLLIMM(小低损耗智能模制模块)第二串联模块的小型电动机驱动电源板第二系列n沟道超结的MDmesh™DM2快速恢复二极管(STIB1560DM2T-L)。它提供了一种用于驱动高功率电机,用于宽范围的应用,如白色家电,空调机,压缩机,电动风扇,高端电动工具,并且通常为电机驱动器3相逆变器的负担得起的,易于使用的解决方案。...
发表于 05-20 10:05 56次 阅读
STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的电机控制电源板

NCP81143 VR多相控制器

43多相降压解决方案针对具有用户可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。该控制系统基于双边沿脉冲宽度调制(PWM)与DCR电流检测相结合,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应。它具有在轻负载运行期间脱落到单相的能力,并且可以在轻负载条件下自动调频,同时保持优异的瞬态性能。 NCP81143提供两个内部MOSFET驱动器,带有一个外部PWM信号。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-09 11:36 366次 阅读
NCP81143 VR多相控制器

NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

031是一款可调输出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。 保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。 其他功能包括低静态电流睡眠模式和微处理器兼容使能引脚。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 准确的电压调节 2 MHz固定频率操作 卓越的瞬态响应,较小尺寸的滤波元件,基频高于AM频段 宽输入电压范围3.2 V至40 V,45 V负载转储 适用于各种应用 输入Und ervoltage Lockout(UVLO) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 减少启动期间的浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭状态电流消耗 逐周期电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关断(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启动 - 停止系统 SEPIC(非反相降压 - 升压),升压,反激...
发表于 07-29 19:02 287次 阅读
NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

1-1是一款可调输出,同步降压控制器,可驱动双N沟道MOSFET,是大功率应用的理想选择。平均电流模式控制用于在宽输入电压和输出负载范围内实现非常快速的瞬态响应和严格调节。该IC集成了一个内部固定的6.0 V低压差线性稳压器(LDO),为开关模式电源(SMPS)底栅驱动器提供电荷,从而限制了过多栅极驱动的功率损耗。该IC设计用于在宽输入电压范围(4.5 V至40 V)下工作,并且能够在500 kHz下进行10至1次电压转换。其他控制器功能包括欠压锁定,内部软启动,低静态电流睡眠模式,可编程频率,SYNC功能,平均电流限制,逐周期过流保护和热关断。 特性 优势 平均电流模式控制 快速瞬态响应和简单的补偿器设计 0.8 V 2%参考电压 可编程输出电压的严格公差 4.5 V至40 V的宽输入电压范围 允许通过负载突降情况直接调节汽车电池 6.0 V低压差线性稳压器(LDO) 耗材栅极驱动器的内部电源 输入UVLO(欠压锁定) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 降低浪涌电流并避免启动时输出过冲 睡眠模式下1.0μA的最大静态电流 睡眠电流极低 自适应非重叠...
发表于 07-29 19:02 380次 阅读
NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

JA是一个降压电压开关稳压器。 特性 优势 宽输入动态范围:4.5V至50V 可在任何地方使用 内置过流逐脉冲保护电路,通过外部MOSFET的导通电阻检测,以及HICCUP方法的过流保护 烧伤保护 热关闭 热保护 负载独立软启动电路 控制冲击电流 外部信号的同步操作 它可以改善发生两个稳压器IC之间的振荡器时钟节拍 电源正常功能 稳定性操作 外部电压为输出电压高时可用 应用 降压方式开关稳压器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 19:02 224次 阅读
LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初级侧调节PWM

代初级侧调节(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多种功能,以增强低功耗反激式转换器的性能。 FSEZ1317WA的专有拓扑结构TRUECURRENT®可实现精确的CC调节,并简化电池充电器应用的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,可以实现低成本,更小,更轻的充电器。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供关断时间调制,以在轻载时线性降低PWM频率条件。绿色模式有助于电源满足节能要求。 通过使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件实现充电器并降低成本。 特性 30mW以下的低待机功率 高压启动 最少的外部元件计数 恒压(CV)和恒流(CC)控制无二次反馈电路 绿色模式:线性降低PWM频率 固定频率为50kHz的PWM频率以解决EMI问题 CV模式下的电缆补偿 CV中的峰值电流模式控制模式 逐周期电流限制 V DD 使用Auto Restar进行过压保护t V DD 欠压锁定(UVLO) 栅极输出最大电压钳位在15V 自动重启固定过温保护 7导联SOP 应用 电子书阅读器 外部AC-DC商用电源 - 便携消费型 外部AC-D...
发表于 07-29 19:02 168次 阅读
FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初级侧调节PWM

FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器

度集成的PWM控制器具备多种功能,可增强低功率反激转换器的性能.FSEZ1016A专有的拓扑简化了电路设计,特别是电池充电器应用中的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更轻的充电器。启动电流仅为10μA,允许使用大启动电阻以实现进一步的节能。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供了关断时间调制,以在轻载条件下线性降低PWM频率。绿色模式有助于电源达到节电要求。通过使用FSEZ1016A,充电器可以用极少的外部元件和最低的成本来完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引脚SOIC封装。 特性 恒压(CV)和恒流(CC)控制( 通过飞兆专有的TRUECURRENT™技术实现精准恒定电流 绿色模式功能:线性降低PWM频率 42 kHz的固定PWM频率(采用跳频来解决电磁干扰问题) 恒压模式下的电缆补偿 低启动电流:10μA 低工作电流:3.5 mA 恒压模式下的峰值电流模式控制 逐周期限流 V DD 过压保护(带自动重启) V DD 欠压锁定(UVLO) 带闩锁的固定过温保护(OTP) 采用SOIC-7封装 应用 ...
发表于 07-29 19:02 232次 阅读
FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器

NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用

31 USB供电(PD)控制器是一款针对USB-PD C型解决方案进行了优化的同步降压控制器。它们是扩展坞,车载充电器,台式机和显示器应用的理想选择。 NCP81231采用I2C接口,可与uC连接,以满足USB-PD时序,压摆率和电压要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 优势 I2C可配置性 允许电压曲线,转换速率控制,定时等 带驱动程序的同步降压控制器 提高效率和使用标准mosfet 符合USB-PD规范 支持usb-pd个人资料 过压和过流保护 应用 终端产品 USB Type C 网络配件 消费者 停靠站 车载充电器s 网络中心 桌面 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 19:02 229次 阅读
NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用

NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

39 USB供电(PD)控制器是一种同步降压升压,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑,平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时,NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计,要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关,允许其降压或升压,并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能,该功能适用​​于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流保护 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展...
发表于 07-29 19:02 324次 阅读
NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔®IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...
发表于 07-29 19:02 279次 阅读
ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...
发表于 07-29 19:02 118次 阅读
NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

NCP81141 Vr12.6单相控制器

41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器,可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 443次 阅读
NCP81141 Vr12.6单相控制器

NCP81147 低压同步降压控制器

47是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机保护 确保稳健的设计 过压和过流保护 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度,锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 热能补偿电流监测 ...
发表于 07-29 18:02 418次 阅读
NCP81147 低压同步降压控制器

NCP5230 低压同步降压控制器

0是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器 >内部软启动/停止 0.5%内部电压精度,0.8 V基准电压 OCP精度,锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V电压)通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压保护(OVP)内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n保护集成MOSFET驱动器集成BOOST二极管,内部Rbst = 2.2 自动省电模式,最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 246次 阅读
NCP5230 低压同步降压控制器

NCP3030 同步PWM控制器

0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...
发表于 07-29 17:02 162次 阅读
NCP3030 同步PWM控制器