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台积电登顶背后的三大关键

传感器技术 2020-08-14 15:36 次阅读

过去十几年间,台积电的耀眼光芒,让半导体业界其他企业的进步,都显得黯然失色。而在疫情肆虐和中美摩擦日益严峻的2020,台积电更是捷报频频。2020年第二季度台积电净利润暴涨81%,创下六年来最大利润记录,同时二季度占全球代工市场份额的51.9%;根据企业追踪机构CEO Score和韩联社的分析数据,本周四台积电以总市值3063亿美元荣登全球半导体企业榜首,三星其次,然后是英伟达英特尔博通第五;再加上传来其先进的3nm工艺制程也将于明年下半年量产的消息。正所谓“鲲之大,不知其几千里也”。   “积土成山,风雨兴焉;积水成渊,蛟龙生焉”。台积电能成为今天市值第一,占据代工半壁江山,造就一代半导体王国。这一路走来,台积电以技术取胜,也见证许多竞争对手的起落,其背后是多种因素使然,或因为张忠谋的带领,或因为敏锐的市场嗅觉,或因为多年高强度的研发投入,或因为对先进封装制程的追逐,总之,不能一言以蔽之。   不过需要关注的是,在半导体界,选择和努力同样重要,台积电前COO蒋尚义在退休时讲了一句话:“当初做的一些决定,事前根本不知道是对是错,很多决定都是因为执行得很好,才变成对的决定。”对于台积电来说,有三个节点的选择对其如今的地位起了至关重要的作用。  

研究出0.13微米铜制程

台积电于1987年创立,最初的技术来自于飞利浦公司,最开始台积电从量产0.8微米芯片开始发展。原本是台积电仰望飞利浦的技术,但是后来台积电逐渐赶超。发生如此重大反转变化的关键是,台积电于2000年开始投入研发的0.13微米铜制程技术。而余振华是当年带领台积电开发0.13微米铜制程的重要人物。   余振华在一次人物专访中谈到,大约1997年,台积电获悉了IBM发表的铜制程技术,那是台积电第一次听到铜制程,以前都是用铝!铜的电阻系数比铝还要低三倍,当电流流量大时,会产生电迁移 (electromigration)现象,而电阻系数低可以降低电迁移所导致的原子流失。对于半导体技术来说,阻抗低是一项优势。但是之前铜制程的技术尚未成熟,只能先开发铝制程。   余振华透露,台积电并不是一开始就决定要自行开发铜制程。当时,IBM 想要把这个技术卖给台积电,而台积电认为IBM技术不成熟,不如自己干。后来余振华带领一组开发团队到台南,前后待了一年半。而那时候联电则向IBM买技术,两家公司用不同方式竞争铜制程的未来。   当时余振华带领着一支独立的研发团队,与IBM领头的世界级研发大联盟竞争,战况极为激烈。“那时候我们在台南,每天早上开会前第一件事,就是先问对手有没有消息,有没有开记者会宣布做出来了。有没有?有没有?没有,好,那开会。晚上开会前再问一次,有没有?有 没有?没有,好,大家晚安。”余振华描述到,可以看出当时与对手竞争的焦灼心情。   铜制程的研发完全要靠自己,没有借鉴。关键是,除了铜,还有Low-K Dielectric(低介电质绝缘),电容与电阻决定了技术。余振华描述铜是骨头,Low K像肌肉一样,这两者都很重要。台积电是直接在生产线上开发,这要求很高,一步都不能错,于是在无尘室里,其他人都穿白色无尘衣,但负责开发铜制程的人员是穿粉红色无尘衣!因为当时台积电对铜制程不了解,怕制程中的污染扩散,因此拟定了非常严格的开发步骤。连在里面走路的路线都在地板上画好,不能走偏。   严谨的开发过程,很快就让台积电收获了成果。当时台积电选了几个客户尝试铜制程,获得 非常好的成果。于是,余振华的顶头上司蒋尚义,做了一个很大胆的决定,跳过0.15微米,直接量产0.13微米。0.13微米是在2000年开始生产,当时遇到网络泡沫,各家公司业绩都直线落,但凭借 0.13 微米台积电不但支撑住了业绩,还大幅提升了市占率。经此一役,台积电的技术,尤其是铜制程相关的技术,从此被肯定为第一流,远远的把其他公司甩在后头。   台积电的铜制程已经走向市场,而IBM的技术在当时比台积电领先2代。但十年后,IBM倒贴15亿美元,将代工业务转给了格芯,彻底退出了代工领域。   铜制程是奠定台积电霸主地位的关键技术。那么,在铜制程之后呢?  

张忠谋回归,押宝28nm大杀四方

2009年,金融危机的余韵还在继续,台积电正处于内忧外患之际:内部,蔡力行实行了严酷的裁员潮,而且公司新产线良率也迟迟得不到改善,客户甚至取消订单;外部三星开始进军芯片代工,并且来势汹汹。于是已经78高龄退休的张忠谋重新回炉。   张忠谋看到了未来智能手机市场需求的潜力,他立即将2010年的资本支出增加了一倍,达到59亿美元,主要集中在28nm制程上,这是当时最先进的晶圆制程。尽管大胆的投资策略震惊了业界,但也为台积电接下来几年的快速增长奠定了基础。   当时临危受命的蒋尚义投入28nm制程的研发中,更为重要的是蒋尚义选择了后闸级方案,而非三星正在研发的前闸级。这又是一次类似于0.13微米战役的巨大获胜,正确的判断、严格的工艺,台积电良率大幅提升。终于,在2011年10月24日, 台积电宣布,其28nm工艺的量产和生产晶圆已经发货给客户。台积电领导晶圆代工部门实现28nm节点的批量生产。   28nm工艺节点的突破对台积电和业界来说都是一个巨大的节点!对台积电来说,28nm节点不但贡献了巨大的营收,还巩固了市场地位。当年一起竞争的28nm制程格罗方德、联电等大厂,无不纷纷败下阵来,无论是在资金和技术上都难以追赶,还相继宣布退出先进制程竞赛。   在2011年量产的当年28nm节点就贡献了1.5亿美元(约43亿新台币)的营收。2013年增长至60亿美元(约1765亿元新台币)。到2014年,台积电营收突破7500亿元新台币,比2013年增加了28%,28nm营收占比超过3成,台积电在晶圆代工市场的市占率也从2009年的45%提高到了52%以上。台积电 2016 年28nm占据 60%以上的市场,且收入占比维持25%左右。台积电自2013年很长一段时间以来,28nm工艺一直占据其收入的 20%以上比重,是前二大收入来源,且大部分时间是第一大制程业务。  

台积电28nm节点占营收的百分比(图源:西南证券)   另一方面,台积电的客户也得以采用最先进的技术来满足市场需求。五个台积电28nm客户分别是Xilinx,Altera,Nvidia,AMD高通。28nm满足了Altera FPGA新技术,AMD的图形IP借用台积电的28nm技术实现了图形性能的下一个重大飞跃,英伟达提供出市场上最节能的GPU和最高性能的图形处理器,高通在28nm节点上推出了第一个集成的智能手机处理器Snapdragon S4类处理器。   在行动装置、高效能运算、汽车电子及物联网四个快速成长的主要市场,台积电分别建立了四个不同的技术平台,而在这四个技术平台中都有28nm的身影,可以看出 28纳米的地位之显赫。  

台积电的四大技术平台中都有28nm的身影(图源:西南证券)   然而,此时的台积电将目光放在了更远的大洋之外,那里有能支撑任何一个代工厂走向世界顶峰的超级客户:苹果。  

进军封装领域,独霸苹果订单

早年,苹果iPhone处理器一直是三星的禁脔。但台积却能从A11开始,接连独拿两代iPhone处理器订单,让业绩与股价持续翻红。关键就是台积电的全新封装技术InFo,它减少手机30%的厚度,腾出宝贵的手机空间给电池或其他零件。   时间回到2011年的台积电第三季法说会上。当时,张忠谋毫无预兆的掷出一个震撼弹─台积电要进军封装领域。这一个炸弹一经掷出,硝烟一直弥漫到现在。从价格偏贵导致鲜有人问津的CoWoS开始,到首度用在iPhone 7与7Plus的InFO封装技术。正是最不被人看好的整合连结与封装部门,为台积电赢家通吃奠定了坚实的基础。   要知道,晶圆厂向封装领域进军,这在业界看来,台积电根本不可能成功!首先,在成本面上就难与传统封测厂竞争,因为封装厂也在不断发展新技术,而台积电的人力成本远高过封装业,因此要求产品毛利要达到50%,但日月光、矽品只要20%就能做了。另外,外资分析师也看衰,美商伯恩斯坦证券分析师Mark Li当时的研究报告写着:“InFo会让台积相对于英特尔与三星更有竞争力吗?不,我们不认为。”   为何会这么认为呢?当时三星和英特尔的扇出型晶圆级封装的专利数分别名列全球第二、三,而刚入门的台积电连前十的门槛都没摸到。这样看来,业界看衰似乎都是合理的。   在默默无闻的那些年,我们不知道台积电经历了什么,有的说台积付出了昂贵的学费,5年间产线烧坏了几千片昂贵的晶圆,也有的说良率一直上不去,众说纷纭,具体实况我们不去考究了,毕竟其结果是美的。   2016年,CoWoS的新客户开始如雨后春笋般出。英伟达推出了该公司第一款采用CoWoS封装的绘图芯片GP100;谷歌的AI芯片TPU 2.0,就是AlphaGo打败世界棋王柯洁背后的那款新品;英特尔与Facebook合作推出的Nervana类神经网路处理器。这些巨头的AI芯片都采用台积电CoWoS封装制造。   2018年台积电已完成搭载7nm逻辑IC及第二代高频宽记忆体(HBM 2)的 CoWoS 封装量产,并借由高制造良率、更大硅中介层与封装尺寸能力的增强、以及功能丰富的矽中介层,例如内含嵌入式电容器的矽中介层,使得台积电在 CoWoS 技术上的领先地位得以更加强化。   另外,2019年10月,台积电在美国举办的开放创新平台论坛上,台积电与ARM公司共同发布了业界首款采用CoWoS封装并获得硅晶验证的7纳米芯粒(Chiplet)系统。   除了CoWoS和InFO这两大2.5D IC封装技术外,台积电在3D IC封装上还有SoIC 及 WoW。2019年,台积电已顺利试产 7nm系统整合芯片(SoIC)及 16 纳米晶圆堆叠晶圆(WoW)等 3D IC 封装制程,预期 2021 年之后进入量产。   在手机市场疲软已渐成现实的情况下,物联网是台积电下一个发展目标,张忠谋此前直指,如果想要掌握物联网商机,就要掌握三大技术:系统封装、低功耗、传感器。在物联网领域,台积电把自己放在很重要的位置上。  

结语

变革半导体的游戏规则,一步步坐稳代工龙头,在封装的边缘不断试探,抗住疫情的蹂躏,利润创下8年纪录,超越三星英特尔英伟达,市值登上第一,我们不知道台积电这头大象的舞池尽头在哪?只知道要尽情享受,接着奏乐,接着舞~

原文标题:台积电登顶背后的三大关键

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如何把220V电压转变成12V电压的芯片 输入电压20V-480VAC,默认12V输出,输出电压可根据所需电压调整FB脚即可实现,输出...
发表于 09-22 16:07 35次 阅读
如何把220V电压转变成12V电压的芯片

1.5V升压3.3V,1.5V升压3.3V芯片

1.5V升压3.3V,1.5V升压5V 1.5V升压3.3V芯片,1.5V升压5V芯片:      PW5100 是一款高效率...
发表于 09-21 19:25 99次 阅读
1.5V升压3.3V,1.5V升压3.3V芯片

Skyworks CLA系列硅限幅二极管键合芯片

应用 •LNA接收器保护 •商用和国防雷达 特征 •已建立的Skyworks限制器二极管工艺 •高功率、中档和清洁设计 •低插入...
发表于 09-21 18:04 101次 阅读
Skyworks CLA系列硅限幅二极管键合芯片

HarmonyOS开箱直播精华问答(四)

对于鸿蒙系统,可能有的小伙伴已经上手了,而有的小伙伴对此还有一些问题待解答,在电子发烧友和华为官方合作的里各位老师会对各...
发表于 09-21 10:25 281次 阅读
HarmonyOS开箱直播精华问答(四)

麻烦大神 帮忙看看是什么芯片

钓鱼灯 的八脚芯片坏了。两个开关分别控制蓝光和白光 灯光有强弱两档  蓝色灯在关闭的状态下常亮。电路板 N1是电源输入.N2和...
发表于 09-19 10:53 207次 阅读
麻烦大神 帮忙看看是什么芯片

一文汇总ADF7021高性能窄带收发芯片的资料

解调器注意事项 2FSK前导码 2FSK的推荐前导码位模式是无直流模式(例如10101010…模式)。也可以使用具有较长游程长度约...
发表于 09-16 17:22 39次 阅读
一文汇总ADF7021高性能窄带收发芯片的资料

芯片供电

请问大家芯片LTC1063  第6管脚  是V+,5V,可以用这个管脚给另一个放大器芯片PGA204  第...
发表于 09-16 16:30 40次 阅读
芯片供电

物联网用海思芯片会收到制裁影响吗?

如题,物联网用海思芯片会收到制裁影响吗? ...
发表于 09-15 14:38 114次 阅读
物联网用海思芯片会收到制裁影响吗?

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 38次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 101次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 191次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 87次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 60次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 95次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 97次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 99次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 108次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 80次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 87次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 159次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 161次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 120次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 90次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 80次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 241次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 96次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 205次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 442次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5