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日本半导体产业发展趋势如何?

2020-08-10 10:26 次阅读

2019 年,日韩骤起贸易争端,日本方面称可能停止韩国的半导体原材料供应,一时间吃瓜群众以为将看到两国大战。没想到的是,强悍的韩国半导体很快“怂”了下来,三星太子李在榕第一时间飞到东京寻求解决,还碰了一鼻子灰悻悻而归。

在我们的印象里,日本半导体行业不是衰退了吗?怎么还是在贸易争端中给人能一击致命的感觉?

事实上,在今天的半导体全球分工中,日本半导体在芯片生产设备、生产原料等领域依旧占据着举足轻重的地位,并且拥有全流程、体系完善、专利覆盖全面的半导体业态。在中美围绕半导体展开新一轮科技交锋时,日本的产业链也成为了中国宝贵的外部资源。

根据日本半导体制造装置协会(SEAJ)发布的报告,预计 2020 年日本半导体制造设备销售额将达到 2.2181 万亿日元,同比 2019 年度增长 7%。而半导体设备之所以能在发展缓慢的日本经济中“一枝独秀”,就是因为中美科技博弈大背景下,中国加大了对日本半导体设备、原材料、半成品的采购力度,目前中国已经是日本半导体产业第一大出口市场。而广为国人所知的华为、中芯国际,都是日本半导体设备与原材料的重要买家。更有甚者,在美国宣布对华为进一步科技封锁后,传出了华为希望与尼康、佳能合作光刻机的消息。日本半导体行业在中美芯片博弈中的地位可见一斑。

而这所有日本半导体产业的区位优势,都可以说是上世纪八十年代——那个日本经济黄金时期,也是日本半导体黄金十年的留下的“遗产”。

承接上文所述,日本从 60 年代开始,在 LSI 等领域推行了激进的贸易保护与产业刺激措施,最终培育出索尼、日立等一系列国际顶尖公司。到了 80 年代,日本继续这条产业路线,抓住 DRAM 的技术机遇一飞冲天,超过美国成为全球半导体第一大国。1986 年,日本的半导体产能全球占比达到 45%;1989 年, 日本公司占据了世界存储芯片市场 53% ,而美国仅占 37%;1990 年,全球前 10 大半导体公司中,日本公司就占据了 6 家,NEC、东芝与日立割据三甲,后来统一了 CPU 市场的英特尔也只能屈居第四。

日本半导体产业发展趋势如何?

与产业份额、公司地位同样成功的,是当时日本半导体堪称“高质量”的代名词。1980 年,惠普在 16K DRAM 验收测试中发现,日本日立、NEC、富士通三家公司的产品,不良率是惊人的 0,远远好于英特尔、德州仪器、莫斯泰克这美国三强。

盛极一时,风头无两的日本半导体 80 年代,可能是中国产业最希望学习和模仿的案例,而这个时代仅仅维持了 10 年,也是国人必须引以为鉴的历史。

那个硅谷从 0 到 1,富士山下从 2 到 3 的神奇时代,究竟发生了什么?

属于霓虹国的 DRAM 时代

所谓硅谷从 0 到 1,日本从 2 到 3,在 70 年代中已经发生了一个深刻的变化。50、60 年代,日本商人更多是购买美国专利,通过高良品率和低生产成本来打入民用市场。这种模式在美国公司逐渐重视民用市场后,很快就失去了效果。但在半导体市场上积攒了足够技术、产能与野心的日本企业,开始寻觅更大的机会:在核心市场中,技术领先美国,质量全面占优的机会。

这个机会就是此前我们专门讨论过的 DRAM,即动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)。随着 70 年代后半期,超大规模集成电路的发展,以及存储市场应运而生,DRAM 变成了全球半导体产业的新焦点。存储市场技术门槛不高,但需要制程、工艺上的长期钻研与演进,并且对良品率有较高的要求,这一切都正中长期布局 LSI 技术的日本企业与学、政各界之下怀。

DARM 很像今天的 5GAI,新的技术创造新的需求,新的需求导致新的机遇。想要改写此前坚固的产业规则,就不能在别人身后疲于奔命,而是要在新技术变局中迎头赶上,创造身位交错的历史契机。

回头来看,会发现 DRAM 的发展就是日本的契机。在 DRAM 产业化初期,1K 的 DRAM 最早在 1970 年于美国完成,日本在 1972 年才研制成功。而 16K DARM 就变成了美、日在 1976 年同年研制成功。第二年,也就是 1977 年,日本就突破了 64K 的 DRAM 生产,美国却等到 1979 年才研制出来。而 64K 不仅让日本一举赢得了 DRAM 市场的全球占有率桂冠,同时也宣布日本领先美国进入了 VLSI(超大规模集成电路)时代,两强交错就此完成。

在此期间,日本可谓以举国之力,集合了产、学、政各种力量来突破 64K 和 128K DRAM 工艺,并且实现了相关半导体工艺的全面国产化。通过全产业链模式,不再依靠西方上游产业的日本半导体实现了惊人高的良品率,为 80 年代的黄金十年奠定了最重要的产业基础。而日本 NEC、日立、东芝等主要公司也乘势而起,成为全球半导体版图中的顶尖存在。同时,大量日本制造业、化工业,甚至船舶和冶金业公司也纷纷被 DRAM 的庞大蛋糕吸引,加入了 DRAM 产业链当中。今天日本有千奇百怪的半导体公司,基本都是受到 DRAM 风暴的感召。

需要注意的是, 虽然日本 DRAM 技术表现突出,但在处理器等更高端半导体产业依旧缺乏独立性与基础创新能力。日本产通省和日本商人更多瞄准的是利益,而不是底层技术的自主可控。高端芯片依旧牢牢控制在硅谷手中,这也是日本黄金十年背后若隐若现的忧患。

而今看来,中国半导体面对的局势可以说与日本当时有几分相似。美国虽然牢牢控制着产业链上游,但 AI、5G、物联网等新技术的崛起却在带来新的变数和机遇。尤其是物联网芯片,其与通信产业高度相关、低门槛、低成本的特征,非常适合中国半导体产业的发展。或许物联网就是 21 世纪的 DRAM——毕竟大量设备的涌现,很可能给半导体生产系统造成剧烈的底部变化。

当然,这只是一个姑妄言之的猜测。

黄金十年背后的 VLSI 研究所

理解日本半导体的黄金十年,我们可能需要更多一些归因。比如 DRAM 是日本的机遇,但日本到底是如何能在核心技术上超越美国,抓住这个机遇的呢?

这里有个隐藏的胜负手,就是堪称彼时最成功产业协同组织的日本 VLSI 研究所——很多日本学者,将这一组织定义为半导体黄金十年最大的幕后功臣。

VLSI 研究所为何重要?这还需要从日本半导体产业的独特模式与发展机遇说起。

70 年代中期,日本 IC 产业在 LSI 领域赚的盆满钵满,但美国公司强大的研发和底层创造能力始终是太平洋彼岸最强大的敌人。比如 IBM 预计在 1978 年推出采用 VLSI(超大规模集成电路)的新型计算机,如果日本产业链还处在 LSI 的传统产业周期,势必很快在半导体贸易自由化背景下被美国公司轻易击垮。

技术竞赛的警钟拉响,团结的日本半导体产业迅速集结起来,开始思考如何应对这场危机。想要与美国公司进行科技竞赛,最大问题在于开发 VLSI 需要消耗巨大的产业投入。而此时日本公司的体量与研发能力,对比 IBM 这样的美国巨头还有巨大差距。

既然单打独斗,各自闭门造车无济于事,日本产通省决定祭出日本商人的传统艺能:团结就是力量。组织各公司、大学共同研究突破 VLSI 的技术难题,最终成果各大公司共享。用军团战术来应对美国巨兽的潜在威胁。于是,1976 年日本产通省通从所属电子技术综合研究所选拔出一系列半导体专家, 由他们牵头组织日本五大计算巨头:富士通、NEC、日立、东芝和三菱电机,共同打造了“VLSI 研究所”。这个组织的目的在于超越美国,制造出最先进的 VLSI 存储芯片,之前我们说过日本在 DRAM 上连连赶超美国,就是 VLSI 研究所造就的半导体奇迹。从 1976 到 1980 年,VLSI 研究所总共消耗研究资金 737 亿日元, 其中五巨头出资 446 亿日元, 日本政府以向成员企业提供免息贷款形式补助 291 亿日元,此后相关投入从专利收入和 DRAM 的市场回报中得到了有效回收。

并且 VLSI 研究所虽然到 1980 年宣布结束,但这种多家企业、大学、政府组成专项研究所的模式却得到了继承。80 年代日本能够成为全球半导体第一,很大程度依赖于研究所模式能够有效建立基础研究底座,避免重复劳动,集中研究经费,从而让日本半导体具备清晰的产业方向与较高的发展速度。

VLSI 研究所模式,成功消解了日本公司相对弱小,无法集中力量攻克研发难关的问题。并且这个模式中规定了只开发基础技术,而不涉及半导体产品的研发,从而保证了日本几大公司可以在享用共同开发技术之后,在产品阶段继续保持竞争,开发市场,从而在一致对外与保持内部竞争间达成了相对的平衡。

通过 VLSI 研究所模式,日本一举在 DRAM 基础技术上超越了美国,从而导致此后一系列产业格局的改写。相比而言,美国在 70 年代出现了明显的经济滞胀,科技企业缺乏创新的动力与支持。而集中力量干大事的日本看准了美国公司的停滞,一举冲垮了根深蒂固的半导体防线。某种意义上来说,在 5G 等技术上,今天的美国同样出现了创新力不足、研发投入放缓的现象,那么五十年之后的中国又该如何抓住这个机会呢?或许这是中国半导体产业,乃至社会各界需要更深层思考的话题。

回顾历史,会发现 VLSI 研究所模式的优缺点是相当明显的,其分摊成本、集中力量突破基础研究的方式当然值得借鉴;然而其没有改变商业模式与产业链模式,让日本各企业依旧独立发展,缺乏上下游搭建,也客观上培养日本几大企业都成了大而全的产业体态,缺乏灵活多元的模块化特征。这也为后续日本半导体的衰落埋下了隐忧。

到了 80 年代,随着 VLSI 技术以及 DRAM 产品的成功,大量日本半导体产品与日本公司走向了美国。大量日本公司在美国建立子公司、合资公司,以及收购美国半导体产业。至此,日本半导体走向了耀眼的盛世。

但极速扩张的日本半导体,也引发了美国的深刻忌惮与反弹。

日本的后路

如果从更长期历史的角度看,VLSI 研究所模式到底是成功还是失败了?这个问题可能颇具争议。毕竟其滋养出全产业链模式的日本公司,确实在 90 年代一败涂地。也给日本半导体产业扣上了缺乏变通、举国体制的种种帽子。但换个角度看,VLSI 研究所更像是日本在当时特殊情况下没有选择的选择。如果不这样做,日本半导体将无法触及核心科技,势必被掉头走向民用且资源强大的美国公司席卷一空。

另一方面,VLSI 研究所虽然没有长期确保日本半导体的领先地位,但却给日本半导体留下了后路。开头我们所说的日本能够通过光刻胶等几个“小玩意”制裁韩国,背后都有 VLSI 研究所留下的影响。

在 70 年代中后期,日本的半导体设备与原材料同样主要依靠从欧洲、美国进口。但在 VLSI 研究所逐步推进的过程里,日本半导体产业开始在产通省的有意引导下,以 DRAM 作为商业契机,推动本土半导体生产设备与生产材料快速发展。在政府高度补贴、几大公司拿出真金白银进行产业合作的背景下,VLSI 研究所孵化了多种多样的半导体上游企业。比如在其资助下,开发了各种类型的电子束曝光装置、干式腐蚀装置等制造半导体关键设备。在 VLSI 研究所的引导下,光学领域、印刷领域、化工领域的日本公司,以各自擅长的方式,在产业链上游切入了半导体行业。我们最近热议的佳能、尼康的光刻机生产能力,就是在这一阶段得到了 VLSI 研究所的大力培养,甚至一度制霸全球。

毕竟半导体产业具有极高的门槛,内部体系精密、技术秘诀众多。一家非半导体公司想要进入产业上游,缺乏技术、信息、市场规则上的沟通很难成功。而 VLSI 研究所却以半官方半产业的方式,给这些公司提供了沟通半导体行业,拿到订单与资金支持,发挥自身特长,加入产业链的机会。最终,VLSI 研究所变成了一次国民行动,培养起来的半导体生产设备与原材料公司也将产品输送到国际。在这个竞争相对较弱,适合慢工出细活的产业周期里,日本企业相对来说更加如鱼得水。即使 90 年代日本半导体全线败落,大量由 VLSI 研究所孵化的上游公司依旧确保了在全球产业链中的优势地位。今天,日本是最大的半导体原材料出口国,拥有全球非常少见的全产业链能力,或许也是 VLSI 研究所或有心或无意,给日本半导体工业留下的“退路”。

VLSI 研究所模式,也体现了美国与日本在国家扶持半导体方面极大的不同。彼时,美国的扶持方式主要是通过政府和军方订单来催生半导体产业发展。而日本产通省则更多是通过多方面的资源调配与产业合作,瞄准民用市场机遇,进行有组织有竞争的产业协调与帮扶。

日本半导体的黄金十年已经远去,但其所面临形势与发展模式,却与今天的中国留有非常多的相似之处。从那段历史里,也能整理出几份今天仍可借鉴的经验。比如说:

1、半导体突围,必须依靠底层技术和核心产业发展。

VLSI 研究所模式的初衷,就是打破日本半导体擅于制造,不擅创新的瓶颈。通过对底层技术的突破,尤其是对上游产业的大力发展,日本确实完成了美国重压下的翻盘。并且在半导体上游的布局,直接影响了日本半导体如今的地缘区位,成为国际贸易中的一把“利剑”。直面艰难且充满困境的底层技术、核心产业,可能才是半导体博弈永恒的重心。

2、积极展开产学研政沟通,求得最有效的产业效率。

无论是 VLSI 研究所的成功,还是后来美国牵头打造全球半导体协作体系,都证明了半导体不可能是一家公司勇往直前,而必须建立在有效的平台模式、协作机制、模块化分工之上。产业协作、专家监督的另一重意义在于,可以有效克服急于求成、外行领导内行,或者盲目跟风、轻率投资、项目造假等情况的发生。这点在中国尤其需要注意。

3、找到变数,并且合理驱动变数放大。

客观来说,日本半导体产业在 70-80 年代,确实完成了我们总是挂在嘴边的“弯道超车”。日本半导体没有选择核心处理器这种高难度应用,而是瞄准了 DRAM 这种相对难度较低、市场广阔的应用场景。在发展半导体产业的过程里,清晰合理的预判,以及对变化的预估,甚至推动变化发生都是非常重要的。经常出现的情况是,我们或许没必要砸下天文数字去搞高性能 CPU,或者难度极大的光刻制程工艺。但可以从新市场、新需求出发,去抢占先机,然后平衡以往的产业劣势。在芯片博弈中,需要洞若观火的预见能力。物联网、自动驾驶、AI 芯片,甚至量子计算芯片,芯片需求和芯片市场本身的变化,就是冲垮半导体枷锁的战局所在。选对方向,把核心攻坚和未来发展调一致,才是冲出封锁的正道。

一系列正确的选择,让日本半导体来到了全球第一的宝座。但接下来的局势却更加复杂。日本产业链、公司甚至社会舆论的错误认识,以及众多“形势比人强”的不得已因素,最终导致日本很快又丢掉了努力数十年的成果。

伴随着日本经济泡沫的破裂,富士山上闪耀十年的芯片之光,竟然就此成了绝响。
      责任编辑:tzh

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发表于 09-22 16:07 35次 阅读
如何把220V电压转变成12V电压的芯片

1.5V升压3.3V,1.5V升压3.3V芯片

1.5V升压3.3V,1.5V升压5V 1.5V升压3.3V芯片,1.5V升压5V芯片:      PW5100 是一款高效率...
发表于 09-21 19:25 99次 阅读
1.5V升压3.3V,1.5V升压3.3V芯片

Skyworks CLA系列硅限幅二极管键合芯片

应用 •LNA接收器保护 •商用和国防雷达 特征 •已建立的Skyworks限制器二极管工艺 •高功率、中档和清洁设计 •低插入...
发表于 09-21 18:04 101次 阅读
Skyworks CLA系列硅限幅二极管键合芯片

HarmonyOS开箱直播精华问答(四)

对于鸿蒙系统,可能有的小伙伴已经上手了,而有的小伙伴对此还有一些问题待解答,在电子发烧友和华为官方合作的里各位老师会对各...
发表于 09-21 10:25 281次 阅读
HarmonyOS开箱直播精华问答(四)

AC7801X

1.  AC7801X产品特性 32位ARM CPU 架构良好的生态环境 适应AUTOSAR架构拓展 CAN-FD开房需...
发表于 09-19 11:24 101次 阅读
AC7801X

麻烦大神 帮忙看看是什么芯片

钓鱼灯 的八脚芯片坏了。两个开关分别控制蓝光和白光 灯光有强弱两档  蓝色灯在关闭的状态下常亮。电路板 N1是电源输入.N2和...
发表于 09-19 10:53 207次 阅读
麻烦大神 帮忙看看是什么芯片

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 38次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 101次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 191次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 89次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 60次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 95次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 97次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 99次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 108次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 80次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 87次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 159次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 161次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 120次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 90次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 80次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 241次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 96次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 205次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 444次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5