侵权投诉

电源电路原理图

电源联盟 2020-08-04 10:43 次阅读

在电信工业和微波电路设计领域,普遍使用MOS管控制冲击电流的方达到电流缓启动的目的。MOS管有导通阻抗Rds_on低和驱动简单的特点,在周围加上少量元器件就可以构成缓慢启动电路。虽然电路比较简单,但只有吃透MOS管的相关开关特性后才能对这个电路有深入的理解。

本文首先从MOSFET的开通过程进行叙述:

尽管MOSFET在开关电源、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用,但是许多电子工程师并没有十分清楚的理解MOSFET开关过程,以及MOSFET在开关过程中所处的状态一般来说,电子工程师通常基于栅极电荷理解MOSFET的开通的过程,如图1所示此图在MOSFET数据表中可以查到

图1 AOT460栅极电荷特性

MOSFET的D和S极加电压为VDD,当驱动开通脉冲加到MOSFET的G和S极时,输入电容Ciss充电,G和S极电压Vgs线性上升并到达门槛电压VGS(th),Vgs上升到VGS(th)之前漏极电流Id≈0A,没有漏极电流流过,Vds的电压保持VDD不变。

当Vgs到达VGS(th)时,漏极开始流过电流Id,然后Vgs继续上升,Id也逐渐上升,Vds仍然保持VDD当Vgs到达米勒平台电压VGS(pl)时,Id也上升到负载电流最大值ID,Vds的电压开始从VDD下降。

米勒平台期间,Id电流维持ID,Vds电压不断降低。

米勒平台结束时刻,Id电流仍然维持ID,Vds电压降低到一个较低的值米勒平台结束后,Id电流仍然维持ID,Vds电压继续降低,但此时降低的斜率很小,因此降低的幅度也很小,最后稳定在Vds=Id×Rds(on)因此通常可以认为米勒平台结束后MOSFET基本上已经导通。

对于上述的过程,理解难点在于为什么在米勒平台区,Vgs的电压恒定?驱动电路仍然对栅极提供驱动电流,仍然对栅极电容充电,为什么栅极的电压不上升?而且栅极电荷特性对于形象的理解MOSFET的开通过程并不直观因此,下面将基于漏极导通特性理解MOSFET开通过程。

MOSFET的漏极导通特性与开关过程。

MOSFET的漏极导通特性如图2所示MOSFET与三极管一样,当MOSFET应用于放大电路时,通常要使用此曲线研究其放大特性只是三极管使用的基极电流、集电极电流和放大倍数,而MOSFET使用栅极电压、漏极电流和跨导。

图2 AOT460的漏极导通特性

三极管有三个工作区:截止区、放大区和饱和区,MOSFET对应是关断区、恒流区和可变电阻区注意:MOSFET恒流区有时也称饱和区或放大区当驱动开通脉冲加到MOSFET的G和S极时,Vgs的电压逐渐升高时,MOSFET的开通轨迹A-B-C-D如图3中的路线所示

图3 AOT460的开通轨迹

开通前,MOSFET起始工作点位于图3的右下角A点,AOT460的VDD电压为48V,Vgs的电压逐渐升高,Id电流为0,Vgs的电压达到VGS(th),Id电流从0开始逐渐增大

A-B就是Vgs的电压从VGS(th)增加到VGS(pl)的过程从A到B点的过程中,可以非常直观的发现,此过程工作于MOSFET的恒流区,也就是Vgs电压和Id电流自动找平衡的过程,即Vgs电压的变化伴随着Id电流相应的变化,其变化关系就是MOSFET的跨导:Gfs=Id/Vgs,跨导可以在MOSFET数据表中查到

当Id电流达到负载的最大允许电流ID时,此时对应的栅级电压Vgs(pl)=Id/gFS由于此时Id电流恒定,因此栅极Vgs电压也恒定不变,见图3中的B-C,此时MOSFET处于相对稳定的恒流区,工作于放大器的状态

开通前,Vgd的电压为Vgs-Vds,为负压,进入米勒平台,Vgd的负电压绝对值不断下降,过0后转为正电压驱动电路的电流绝大部分流过CGD,以扫除米勒电容的电荷,因此栅极的电压基本维持不变Vds电压降低到很低的值后,米勒电容的电荷基本上被扫除,即图3中的C点,于是,栅极的电压在驱动电流的充电下又开始升高,如图3中的C-D,使MOSFET进一步完全导通

C-D为可变电阻区,相应的Vgs电压对应着一定的Vds电压Vgs电压达到最大值,Vds电压达到最小值,由于Id电流为ID恒定,因此Vds的电压即为ID和MOSFET的导通电阻的乘积

基于MOSFET的漏极导通特性曲线可以直观的理解MOSFET开通时,跨越关断区、恒流区和可变电阻区的过程米勒平台即为恒流区,MOSFET工作于放大状态,Id电流为Vgs电压和跨导乘积

电路原理详细说明:

MOS管是电压控制器件,其极间电容等效电路如图4所示。

图4. 带外接电容C2的N型MOS管极间电容等效电路

MOS管的极间电容栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs、漏源电容Cds可以由以下公式确定:

公式中MOS管的反馈电容Crss,输入电容Ciss和输出电容Coss的数值在MOS管的手册上可以查到。

电容充放电快慢决定MOS管开通和关断的快慢,Vgs首先给Cgs 充电,随着Vgs的上升,使得MOS管从截止区进入可变电阻区。进入可变电阻区后,Ids电流增大,但是Vds电压不变。随着Vgs的持续增大,MOS管进入米勒平台区,在米勒平台区,Vgs维持不变,电荷都给Cgd 充电,Ids不变,Vds持续降低。在米勒平台后期,MOS管Vds非常小,MOS进入了饱和导通期。为确保MOS管状态间转换是线性的和可预知的,外接电容C2并联在Cgd上,如果外接电容C2比MOS管内部栅漏电容Cgd大很多,就会减小MOS管内部非线性栅漏电容Cgd在状态间转换时的作用,另外可以达到增大米勒平台时间,减缓电压下降的速度的目的。外接电容C2被用来作为积分器对MOS管的开关特性进行精确控制。控制了漏极电压线性度就能精确控制冲击电流。

电路描述:

C2可以按以下公式选定:

R2由允许冲击电流决定:

其中Vmax为最大输入电压,Cload为C3和DC/DC电源模块内部电容的总和,Iinrush为允许冲击电流的幅度。

图5 有源冲击电流限制法电路

D1是一个稳压二极管,用来限制MOS管 Q1的栅源电压。元器件R1,C1和D2用来保证MOS管Q1在刚上电时保持关断状态。具体情况是:

上电后,MOS管的栅极电压要慢慢上升,当栅源电压Vgs高到一定程度后,二极管D2导通,这样所有的电荷都给电容C1以时间常数R1×C1充电,栅源电压Vgs以相同的速度上升,直到MOS管Q1导通产生冲击电流。

以下是计算C1和R1的公式:

其中Vth为MOS管Q1的最小门槛电压,VD2为二极管D2的正向导通压降,Vplt为产生Iinrush冲击电流时的栅源电压。Vplt可以在MOS管供应商所提供的产品资料里找到。

MOS管选择

以下参数对于有源冲击电流限制电路的MOS管选择非常重要:

l 漏极击穿电压 Vds

必须选择Vds比最大输入电压Vmax和最大输入瞬态电压还要高的MOS管,对于通讯系统中用的MOS管,一般选择Vds≥100V。

l 栅源电压Vgs

稳压管D1是用来保护MOS管Q1的栅极以防止其过压击穿,显然MOS管Q1的栅源电压Vgs必须高于稳压管D1的最大反向击穿电压。一般MOS管的栅源电压Vgs为20V,推荐12V的稳压二极管。

l 导通电阻Rds_on.

MOS管必须能够耗散导通电阻Rds_on所引起的热量,热耗计算公式为:

其中Idc为DC/DC电源的最大输入电流,Idc由以下公式确定:

其中Pout为DC/DC电源的最大输出功率,Vmin为最小输入电压,η为DC/DC电源在输入电压为Vmin输出功率为Pout时的效率。η可以在DC/DC电源供应商所提供的数据手册里查到。MOS管的Rds_on必须很小,它所引起的压降和输入电压相比才可以忽略。

图6. 有源冲击电流限制电路在75V输入,DC/DC输出空载时的波形

设计举例

已知:Vmax=72V

Iinrush=3A

选择MOS管Q1为IRF540S

选择二极管D2为BAS21

按公式(4)计算:C2》》1700pF。选择 C2=0.01μF;

按公式(5)计算:R2=252.5kW。选择 R2=240kW,选择R3=270W《《R2;

按公式(7)计算:C1=0.75μF。选择 C1=1μF;

按公式(8)计算:R1=499.5W。选择 R1=1kW

图6所示为图5 电路的实测波形,其中DC/DC电源输出为空载。

原文标题:【收藏】电源的缓启动电路设计及原理

文章出处:【微信号:Power-union,微信公众号:电源联盟】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

MOS管栅极套磁珠的原因是什么

磁珠等效于电阻和电感串联,但电阻值和电感值都随着频率变化而变化,它有很高的电阻率和磁导率。
的头像 陈翠 发表于 10-20 17:46 109次 阅读
MOS管栅极套磁珠的原因是什么

判定MOS管的带载能力的方法

MOS管带载能力与漏源电流和内阻息息相关。漏源电流越大,内阻越小,带载能力越强。
的头像 陈翠 发表于 10-20 17:33 127次 阅读
判定MOS管的带载能力的方法

一文详解MOS管充放电原理

MOS管本身有Cgs,Cgd,Cds寄生电容,这是由制作工艺决定的。MOS管的开通和关断其实就是对C....
的头像 陈翠 发表于 10-20 17:26 105次 阅读
一文详解MOS管充放电原理

东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料,与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT产品相比,....
发表于 10-20 15:18 132次 阅读
东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

MOS管的基本开关电路详解

对于NMOS,当Vg-Vs》Vgs(th)时,MOS管导通,即G极和S极的差大于一定值,MOS管会导....
的头像 陈翠 发表于 10-20 15:13 108次 阅读
MOS管的基本开关电路详解

一文详解MOS管防电源反接电路

输入电源是5V,当5V正常接时,5V从U1的D极经过体二极管到达S极,因为有一个压降,S极电压约4.....
的头像 陈翠 发表于 10-20 15:05 82次 阅读
一文详解MOS管防电源反接电路

磁珠是如何影响电源的完整性

磁珠的全称为铁氧体磁珠滤波器(另有一种是非晶合金磁性材料制作的磁珠),是一种抗干扰元件,滤除高频噪声....
的头像 陈翠 发表于 10-20 14:38 159次 阅读
磁珠是如何影响电源的完整性

工业交换机与普通商用交换机有什么不一样,都具有哪些特点优势

工业交换机是专门为满足灵活多变的工业应用需求而设计的,从可靠性和抗干扰方面考虑,工业级别的交换机和商....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-20 14:32 42次 阅读
工业交换机与普通商用交换机有什么不一样,都具有哪些特点优势

一文知道MOS管关键参数计算

根据P=U*U/R,得出输出的平均电压U=82V,这是平均值,需要转化成峰值电压Uo=√2*U=11....
的头像 陈翠 发表于 10-20 14:21 56次 阅读
一文知道MOS管关键参数计算

电源完整性(PI)设计和测试

电源完整性是指电源波形的质量,研究的是电源分配网络(PDN),并从系统供电网络综合考虑,消除或者减弱....
发表于 10-20 14:08 35次 阅读
电源完整性(PI)设计和测试

MOS管的开通过程以及米勒平台的形成分析

本文将以网上了解到的相关资料为基础并结合自己的理解,分析MOS管开通过程以及米勒平台的形成。
的头像 陈翠 发表于 10-20 14:02 82次 阅读
MOS管的开通过程以及米勒平台的形成分析

电源完整性(PI)设计以及测试方法

电源完整性是指电源波形的质量,研究的是电源分配网络(PDN),并从系统供电网络综合考虑,消除或者减弱噪声对电源的影响。电...
发表于 10-20 13:57 112次 阅读
电源完整性(PI)设计以及测试方法

干货:四个提高锂电池系统能量密度的方法

提高锂电池系统的能量密度能让锂电池更好的工作,发挥它的性能,那么怎么提高锂电池系统能量密度的呢?下面....
发表于 10-20 11:59 133次 阅读
干货:四个提高锂电池系统能量密度的方法

氢燃料电池和智能锂离子电池是欧洲绿色复苏的关键

长期以来,制造商、气候专家和政治人物一直在讨论氢作为未来能源的前景。这些讨论在欧盟委员会的经济复苏计....
发表于 10-20 11:51 73次 阅读
氢燃料电池和智能锂离子电池是欧洲绿色复苏的关键

中国电源行业年会在北京圆满召开

2020年10月16日,中国电源行业年会及四会两盟理事扩大会在北京.国家会议中心圆满召开。 来自全国....
的头像 中国电源 发表于 10-20 10:46 112次 阅读
中国电源行业年会在北京圆满召开

电子工程师必备44份自制原理图

最近看到一份很不错的资料,牛人总结的,觉得很不错,现在分享给大家,44个自制原理图。有需要的小伙伴可以下来参考参考,一定会...
发表于 10-20 10:01 226次 阅读
电子工程师必备44份自制原理图

在应用时该选择如何吉时利的系列产品

吉时利电源具有宽范围的电压、电流和功率输出,广泛用于大功率晶体管进行击穿测试,低功耗、便携式、以电池....
发表于 10-20 09:51 46次 阅读
在应用时该选择如何吉时利的系列产品

隔离变压器的工作原理及优势讲解

隔离变压器用于隔离电源和负载,使两侧之间没有直接的电气连接,一般用于低压仪表。普通变压器根据电气设备....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-20 09:40 111次 阅读
隔离变压器的工作原理及优势讲解

浅谈电池修复技术之UPS电源明细(四)

A.什么叫数字式智能化:UPS电源对不同的事故以数字和文字的表达方式做出不同反映,减少人为操作失误的....
的头像 电瓶修复技术中心 发表于 10-20 09:05 418次 阅读
浅谈电池修复技术之UPS电源明细(四)

【每日精选】HarmonyOS资料下载专题&电源电路设计(海量资源供你下)

简介:HarmonyOS资料下载专题:从鸿蒙出世到现在,对于鸿蒙资料查询下载,大家是否有点迷茫-不知去何处查找。为此,本专题汇集...
发表于 10-19 18:47 42次 阅读
【每日精选】HarmonyOS资料下载专题&电源电路设计(海量资源供你下)

信号完整性系列之“串扰”

本文主要介绍串扰的概念,及其FEXT、NEXT等,以及串扰的消除措施。 串扰串扰是指当信号在传输线上....
的头像 inr999 发表于 10-19 17:54 111次 阅读
信号完整性系列之“串扰”

功率MOSFET的栅极电荷参数解析

栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中,栅极使用恒流源驱动,也就是使用恒流源IG给测....
的头像 陈翠 发表于 10-19 17:39 121次 阅读
功率MOSFET的栅极电荷参数解析

探索世界上最被需要的医疗电源

当前,全球正面临着COVID-19 新冠肺炎疫情、社会老龄化、医护人员短缺等全球性医疗挑战。在这种环....
的头像 inr999 发表于 10-19 17:15 88次 阅读
探索世界上最被需要的医疗电源

东芝推出新款1200V碳化硅MOSFET产品,主要面向工业应用

该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料,与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT产品相比,....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-19 16:11 157次 阅读
东芝推出新款1200V碳化硅MOSFET产品,主要面向工业应用

未来时代,锂电池将主导公用事业的储能发展

业界对锂离子的接受度越来越高,但是其局限性为其他技术在储能组合中竞争提供了空间。
发表于 10-19 15:41 265次 阅读
未来时代,锂电池将主导公用事业的储能发展

耗尽型MOSFET的结构_特性曲线与符号

耗尽型MOSFET(depletion-type MOSFET)的输出特性与转移特性与JFET比较相....
的头像 陈翠 发表于 10-19 15:38 342次 阅读
耗尽型MOSFET的结构_特性曲线与符号

实验室粉碎机的作用是什么,它的原理是怎样的

实验室粉碎机是由托普云农研发供应的,该仪器是专门用于各类谷物、干燥的植物茎叶、种子、饲料等物品粉碎,....
发表于 10-19 15:37 104次 阅读
实验室粉碎机的作用是什么,它的原理是怎样的

2W充电器:替代非稳压线性电源的解决方案分享

使用linkSwitch-LP的反激式变换器具有类似于非稳压的工频变压器电源的输出VI特性,但其输出....
发表于 10-19 14:35 31次 阅读
2W充电器:替代非稳压线性电源的解决方案分享

2W充电器:替代非稳压线性电源的解决方案

使用LinkSwitch-LP的反激式变换器具有类似于非稳压的工频变压器电源的输出VI特性,但其输出电流被加以限制,使其不会超过最...
发表于 10-19 14:07 202次 阅读
2W充电器:替代非稳压线性电源的解决方案

设计多轨电源时可能会忽略的问题

紧迫的时间表有时会让工程师忽略除了 VIN、 VOUT和负载要求等以外的其他关键细节,将PCB应用的....
的头像 inr999 发表于 10-19 13:53 75次 阅读
设计多轨电源时可能会忽略的问题

使用EMI滤波器导致触电

传感器技术 在宿舍的其他众多安全问题中,其中一个问题是建筑的布线未通过任何电源插座接地最后我只能强制....
的头像 inr999 发表于 10-19 11:43 141次 阅读
使用EMI滤波器导致触电

你常用哪款软件设计PCB呢?

硬件工程师是离不开原理图设计和PCBLayout的,为了设计出高效的PCB大家一定都有使用比较顺手的....
的头像 inr999 发表于 10-19 11:24 184次 阅读
你常用哪款软件设计PCB呢?

Boost电路资料(结构及工作原理)

Boost升压电路的英文名称为“theboostconverter”,或者叫“step-upconverter”,是一种开关直流升压电路,它能够将直流电变为另...
发表于 10-19 11:13 344次 阅读
Boost电路资料(结构及工作原理)

电路设计中有几种地?

电路设计中有几种地?各类GND的含义详解 问一个简单而又很难回答的电路问题:电路中的地线GND,它的....
的头像 inr999 发表于 10-19 10:40 170次 阅读
电路设计中有几种地?

电源基础电路原理图集合

本资料搜集了稳压电源、DCDC转换电源、开关电源、充电电路、恒流源相关的经典电路资料,为工程师提供最....
发表于 10-19 10:03 83次 阅读
电源基础电路原理图集合

电源基础电路原理图资料集合

本资料搜集了稳压电源、DCDC转换电源、开关电源、充电电路、恒流源相关的经典电路资料,为工程师提供最新鲜的电路图参考资料...
发表于 10-19 09:51 318次 阅读
电源基础电路原理图资料集合

利用吉时利DAQ6510进行实时状态显示关键测量和告警

这些时候就会需要一套多通道、易操作、高精度的数据采集系统配合相应的环境设备(环境箱、老化房、烧机室等....
发表于 10-19 09:47 60次 阅读
利用吉时利DAQ6510进行实时状态显示关键测量和告警

常见的电源恒流电路解析

随着工业智能化的不断发展,嵌入式系统对供电的要求越来越高,对输入电压范围也越来越宽,对输出电流精度要....
的头像 陈翠 发表于 10-18 10:38 247次 阅读
常见的电源恒流电路解析

碳化硅有哪些优势?能应用在那些方面

电力电子朝向碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽能隙(WBG)材料发展,虽然硅仍然占据市场主流,但....
的头像 Wildesbeast 发表于 10-17 11:01 577次 阅读
碳化硅有哪些优势?能应用在那些方面

3.5V至28V的TPS54231降压转换器与集成高边n沟道MOSFET

输出电压可调低至0.8V TPS54231为28 V,2 a非同步降压集成低RDS(on)高侧的转换器•集成80 mΩ高侧MOSFET支...
发表于 10-16 16:55 0次 阅读
3.5V至28V的TPS54231降压转换器与集成高边n沟道MOSFET

通信行业设备为什么是-48V直流供电__48V与-48V电源的区别

由于电信局与家庭里的电话机之间的距离比较远,为了保证一定的服务范围,局端交换机的电源电压不能过低,所....
的头像 陈翠 发表于 10-16 16:17 154次 阅读
通信行业设备为什么是-48V直流供电__48V与-48V电源的区别

MAXM17635AMG+ MaximIntegratedMAXM17633MAXM17634MAXM17635电源模块

Integrated MAXM17633、MAXM17634和MAXM17635电源模块是一系列稳压器IC和电源模块。这些器件实现散热更好、尺寸更小且更加简单的电源解决方案。MAXM17633、MAXM17634和MAXM17635具有集成控制器、MOSFET、补偿元件和电感器,可在宽输入电压范围内工作。该模块在4.5V至36V输入范围内工作,可提供高达2A输出电流。 特性 简单易用 宽输入范围:4.5V至36V 0.9V至12V可调输出 (MAXM17635) 3.3V和5V固定输出电压版本 (MAXM17633和MAXM17634) 400kHz至2.2MHz可调频率,可实现与外部时钟同步 反馈精度:±1.2% 输出电流:高达2A 内...
发表于 10-16 16:06 4次 阅读
MAXM17635AMG+ MaximIntegratedMAXM17633MAXM17634MAXM17635电源模块

MAXM17630AME+ MaximIntegratedMAXM17630MAXM17631和MAXM17632电源模块

Integrated MAXM17630、MAXM17631和MAXM17632喜马拉雅uSLIC™降压电源模块可用来设计散热更好、尺寸更小、更加简单的电源解决方案。MAXM17630和MAXM17631是高效同步降压型DC-DC模块,具有集成控制器、MOSFET、补偿元件和电感器,可在宽输入电压范围内运行。 该电源模块的工作电压范围为4.5V至36V,可提供高达1A的输出电流。MAXM17630和MAXM17631模块分别具有3.3V和5V固定输出电压。MAXM17632模块具有可调输出电压(0.9V至12V)。该器件提供真正的即插即用电源解决方案,&#...
发表于 10-16 16:06 4次 阅读
MAXM17630AME+ MaximIntegratedMAXM17630MAXM17631和MAXM17632电源模块

高温氧化锆氧气传感器的性能特点及在厌氧发酵监测中的应用

由上可是厌氧发酵是当周围环境中没有氧气或者其他电子受体时,细胞用于从碳水化合物中提取能量的一种方式,....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-16 14:56 343次 阅读
高温氧化锆氧气传感器的性能特点及在厌氧发酵监测中的应用

基于TMS320F2812 DSP器件实现高频高压电源的控制系统设计

本文所研究的静电除尘用高频高压电源克服了这些缺点,输出电压可达80 kV,输出电流达到了1 200m....
发表于 10-16 11:42 185次 阅读
基于TMS320F2812 DSP器件实现高频高压电源的控制系统设计

PCB设计师必学的5个PCB设计指南

在纸上或任何物理形式上设计真实的电路板的关键是什么?让我们探讨设计一个可制造,功能可靠的PCB时需要....
的头像 inr999 发表于 10-16 11:24 200次 阅读
PCB设计师必学的5个PCB设计指南

Maxim超低功耗模数转换器MAX19527的特性及应用

MAX19527为八通道、12位模/数转换器(ADC),优化用于要求低功耗、高动态范围的医学成像设备....
发表于 10-16 11:11 92次 阅读
Maxim超低功耗模数转换器MAX19527的特性及应用

碳化硅与硅相比有何优势?

文章来源:电子技术设计 作者:廖均 电力电子朝向碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽能隙(WBG)....
的头像 inr999 发表于 10-16 10:47 302次 阅读
碳化硅与硅相比有何优势?

嵌入式系统设计开发大全!

整理 | 付斌 公众号 | 嵌入式ARM 01 嵌入式系统设计方法变化的背景 嵌入式系统设计方法的演....
的头像 inr999 发表于 10-16 10:12 308次 阅读
嵌入式系统设计开发大全!

私藏电源工程师常用八大电源设计

本资料罗列了八个电源工程师常用的电源设计技巧。助你的设计一臂之力!一、反激式电源中的铁氧体磁放大器 ....
发表于 10-16 10:11 56次 阅读
私藏电源工程师常用八大电源设计

电源工程师常用八大电源设计技巧

本资料罗列了八个电源工程师常用的电源设计技巧。助你的设计一臂之力!一、反激式电源中的铁氧体磁放大器 :对于两个输出端都提供...
发表于 10-16 09:54 690次 阅读
电源工程师常用八大电源设计技巧

图解开关稳压电源的设计与应用

最新开关稳压电源的集成控制器也变成用于驱动FET,考虑使用这种控制器多的原因是容易得到辅助电源。另外,电流型集成控制器、...
发表于 10-16 09:43 546次 阅读
图解开关稳压电源的设计与应用

100万次寿命的欧姆龙D2SJ微动开关

说到微动开关可能大家不是很熟悉,其实它离我们非常的近。日常工作与游戏中,我们常常说的按键,如鼠标按键....
的头像 inr999 发表于 10-15 18:18 297次 阅读
100万次寿命的欧姆龙D2SJ微动开关

TI 低 EMI 技术的主要优势有哪些?

在我们的日常工作中,电源管理对实现电子元件的进一步集成至关重要。数十年来,TI 致力于开发新的工艺、....
的头像 inr999 发表于 10-15 18:09 272次 阅读
TI 低 EMI 技术的主要优势有哪些?

8寸晶圆吃紧 市场行情要回暖了吗?

最近几天,8寸晶圆短缺,传交货等半年、深圳两大厂商发布涨价通知,MOSFET价格上涨20%等在朋友圈....
的头像 inr999 发表于 10-15 17:09 295次 阅读
8寸晶圆吃紧 市场行情要回暖了吗?

Q4驱动IC、MOSFET芯片将涨10%

猎芯网近期表示,芯片供应商生产成本明显上升,不少成本敏感的芯片报价已经开始往上涨,其中,2020年第3季就一再喊涨的LCD驱动...
发表于 10-15 16:30 0次 阅读
Q4驱动IC、MOSFET芯片将涨10%

PLC故障来源_分析原则_解决方法

自可编程序控制器PLC诞生五十年来,极大推动了工业自动化的发展进程,深刻影响着人们的工作和生活。PL....
发表于 10-15 16:02 396次 阅读
PLC故障来源_分析原则_解决方法

BUCK变换器多层PCB热设计技巧

实际的应用中,很多降压型BUCK变换器,通常要利用连接到相应管脚的大片PCB铜皮来散热:单芯片的BU....
的头像 inr999 发表于 10-15 15:02 181次 阅读
BUCK变换器多层PCB热设计技巧

380V/220V电力系统中各种“线”的含义

在实际工作中,有的初学者会简单地认为零线就是地线,对电力系统中经常用到的PE线、PEN线等的区别不太....
的头像 inr999 发表于 10-15 14:57 142次 阅读
380V/220V电力系统中各种“线”的含义

如何让升压转换器的功率翻倍提高?

工程界普遍认为,当升压转换器必须提供高输出电压、在低输入电压下工作、提供高升压比或支持高负载电流时,....
的头像 inr999 发表于 10-15 14:54 250次 阅读
如何让升压转换器的功率翻倍提高?

工业电路板常用元器件损坏特点及检测方法讲解

阻值小的电阻经常用于供电线路上起限流的作用,也就是起保险丝的作用,若电流过大,首先会把其烧断。另外,....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-15 14:38 301次 阅读
工业电路板常用元器件损坏特点及检测方法讲解

十二个电路基础知识汇总

一、电路基础 电压电流 电流的参考方向可以任意指定,分析时:若参考方向与实际方向一致,则i》0,反之....
的头像 inr999 发表于 10-15 14:29 403次 阅读
十二个电路基础知识汇总

STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1单片VR用于基于所述PM6641单片VR为芯片组和DDR2芯片组和DDR2 / 3演示板/ 3供应用于超移动PC(UMPC)应用

部为0.8V±1%的电压基准 2.7 V至5.5 V输入电压范围 快速响应,恒定频率,电流模式控制 三个独立,可调节, SMPS对于DDR2 / 3(VDDQ)和芯片组供应 S3-S5状态兼容DDR2 / 3部分 有源软端所有输出 为VDDQ可选跟踪放电 独立的电源良好信号 脉冲在轻负载跳过 可编程电流限制和软启动所有输出 锁存OVP,UVP保护 热保护 参考和终止电压(VTTREF和VTT )±2的.apk LDO为DDR2 / 3端点(VTT)与折返 远程VTT输出感测 在S3高阻VTT输出 ±15 mA低噪声DDR2 / 3缓冲基准(VTTREF) 在STEVAL-ISA050V1演示板是基于PM6641,这是一个单片电压调节器模块,具有内部功率MOSFET,专门设计来提供DDR2 /在超移动PC和房地产便携式系统3内存和芯片组。它集成了三个独立的,可调节的,恒定频率的降压转换器,一个±2的.apk低压降(LDO)线性调节器和±15 mA低噪声缓冲基准。每个调节器提供基本电压下(UV)和过电压(OV)的保护,可编程软启动和电流限制,有源软端的和跳脉冲在轻负载。...
发表于 05-21 05:05 44次 阅读
STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1单片VR用于基于所述PM6641单片VR为芯片组和DDR2芯片组和DDR2 / 3演示板/ 3供应用于超移动PC(UMPC)应用

AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根据该L99SM81V用于汽车应用的步进电机驱动器评估板

用于汽车应用L99SM81V可编程步进电机驱动器板的功能: 具有微步进和保持功能 BEMF监测失速检测 经由SPI可编程配置 5V内部线性电压调节器(输出上板连接器可用) 板反向电池保护用STD95N4F3 MOSFET,其可以具有两个被取代可选地安装二极管和一个跨接 输入工作电压范围从6 V至28 V 输出电流至1.35A 板尺寸:65毫米长×81毫米宽×11毫米最大元件高度 WEEE和RoHS标准 所有ST组分是合格汽车级 的AutoDevKit部分™主动 应用:汽车双极步进电动机 在AEK-MOT-SM81M1评估板设计用于驱动在微步进模式中的双极步进电机,与COI升电压监测失速检测。...
发表于 05-20 18:05 56次 阅读
AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根据该L99SM81V用于汽车应用的步进电机驱动器评估板

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节™和iOS™应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 17:05 81次 阅读
ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电(PoE)的IEEE 802.3bt标准的参考设计

805的PoE-PD接口的 特点: 系统在封装中集成一个双活性桥,热插拔MOSFET和PoE的PD 支持传统高功率,4对应用 100伏与0.2Ω总路径电阻N沟道MOSFET,以每个有源桥 标识哪些种PSE(标准或传统)它被连接到,并提供成功的符合IEEE 802.3af / AT / BT分类指示为T0,T1和T2信号的组合(漏极开路) 通过STBY,仿和RAUX控制信号智能操作模式选择的PM8804 PWM控制器的 QFN 56 8x8mm封装43个管脚和6个露出垫 特点: PWM峰值电流模式控制器 输入操作电压高达75伏 内部高电压启动调节器与20毫安能力 可编程固定频率高达1MHz 可设置的时间 软关闭(任选地禁用) 双1A PK ,低侧互补栅极驱动器 GATE2可以被关闭以降低功耗 80 %的最大占空比与内部斜率补偿 QFN 16 3x3mm的封装,带有裸垫 此参考设计表示3.3 V,20 A转换器解决方案非常适合各种应用,包括无线接入点,具有的PoE-PD接口和一个DC-DC有源钳位正激变换器提供。...
发表于 05-20 12:05 58次 阅读
STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电(PoE)的IEEE 802.3bt标准的参考设计

STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器

LLC谐振变换器的同步整流器,具有自适应的导通和关断 V CC 范围:4.5 V至32 V 最大频率:500kHz的 对于N沟道MOSFET双栅驱动器(STRD级驱动程序) SR MOSFET类型:STP120N4F6(40 N - 4.3MΩ)TO -220 符合RoHS 在STEVAL-ISA165V1是产品评估电路板,旨在演示SRK2001同步整流控制器的性能。所述SRK2001器具的控制方案特异于在使用的变压器与绕组的全波整流中间抽头次级LLC谐振转换器的次级侧同步整流。它提供了两个高电流栅极驱动输出(用于驱动N沟道功率MOSFET)。每个栅极驱动器被单独地控制和联锁逻辑电路防止两个同步整流器(SR)MOSFET同时导通。装置的操作是基于两者的导通和关断的同步整流MOSFET的自适应算法。在快速的负载转变或上述谐振操作期间,另外的关断机构设置的基础上,比较器ZCD_OFF触发非常快的MOSFET关断栅极驱动电路。该板包括两个SR的MOSFET(在一个TO-220封装),并且可以在一个现有的转换器,作为整流二极管的替代很容易地实现。...
发表于 05-20 12:05 61次 阅读
STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器

STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的电机控制电源板

电压:125 - 400 VDC 额定功率:高达1500W的 允许的最大功率是关系到应用条件和冷却系统 额定电流:最多6 A 均方根 输入辅助电压:高达20 V DC 单或用于电流检测的三分流电阻(与感测网络) 电流检测两个选项:专用的运算放大器或通过MCU 过电流保护硬件 IPM的温度监测和保护 在STEVAL-IPMM15B是配备有SLLIMM(小低损耗智能模制模块)第二串联模块的小型电动机驱动电源板第二系列n沟道超结的MDmesh™DM2快速恢复二极管(STIB1560DM2T-L)。它提供了一种用于驱动高功率电机,用于宽范围的应用,如白色家电,空调机,压缩机,电动风扇,高端电动工具,并且通常为电机驱动器3相逆变器的负担得起的,易于使用的解决方案。...
发表于 05-20 10:05 54次 阅读
STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的电机控制电源板

NCP81143 VR多相控制器

43多相降压解决方案针对具有用户可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。该控制系统基于双边沿脉冲宽度调制(PWM)与DCR电流检测相结合,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应。它具有在轻负载运行期间脱落到单相的能力,并且可以在轻负载条件下自动调频,同时保持优异的瞬态性能。 NCP81143提供两个内部MOSFET驱动器,带有一个外部PWM信号。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-09 11:36 362次 阅读
NCP81143 VR多相控制器

NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

39 USB供电(PD)控制器是一种同步降压升压,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑,平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时,NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计,要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关,允许其降压或升压,并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能,该功能适用​​于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流保护 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展...
发表于 07-29 19:02 310次 阅读
NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔®IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...
发表于 07-29 19:02 273次 阅读
ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...
发表于 07-29 19:02 114次 阅读
NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

NCP81038 具有自动省电模式和内置LDO的同步降压控制器

38是一款双同步降压控制器,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为台式机和笔记本电脑系统所需的多个电源轨。 NCP81038包括两个降压开关控制器,通道2上固定5.0 V输出,通道1上3.3 V,两个板载LDO,三个输出:5 V / 60 mA和3.3 V或12 V / 10 mA。 NCP81038支持高效率,快速瞬态响应并提供电力信号。安森美半导体专有的自适应纹波可控制器从CCM到DCM的无缝过渡,其中转换器运行时降低了开关频率,在轻载时具有更高的效率。该器件的工作电源电压范围为5.5 V至28 V 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 203次 阅读
NCP81038 具有自动省电模式和内置LDO的同步降压控制器

NCP81141 Vr12.6单相控制器

41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器,可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 439次 阅读
NCP81141 Vr12.6单相控制器

NCP81148 具有自动省电模式和内置LDO的同步降压控制器

48是一款双同步降压控制器,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为台式机和笔记本电脑系统所需的多个电源轨。 NCP81148由两个降压开关控制器组成,通道2上固定5.0 V输出,通道1上为3.3 V,两个板载LDO具有三个输出:5 V / 60 mA和3.3 V或12 V / 10 mA。 NCP81148支持高效率,快速瞬态响应并提供电力商品信号。安森美半导体专有的自适应纹波可控制器从CCM到DCM的无缝过渡,其中转换器运行时降低了开关频率,在轻载时具有更高的效率。该器件的工作电源电压范围为5.5 V至28 V. 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 84次 阅读
NCP81148 具有自动省电模式和内置LDO的同步降压控制器

NCP81147 低压同步降压控制器

47是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机保护 确保稳健的设计 过压和过流保护 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度,锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 热能补偿电流监测 ...
发表于 07-29 18:02 412次 阅读
NCP81147 低压同步降压控制器

NCP4200 具有I2C接口的多相同步降压转换器

0是一款集成电源控制IC,具有I 2 C接口。它结合了高效,多相,同步降压开关稳压控制器和I 2 C接口,可实现关键系统参数的数字编程。 特性 优势 I 2 C 启用关键系统参数的数字化编程 快速增强型PWM弹性模式架构 出色的负载瞬态性能 应用 终端产品 CPU Vcor​​e 游戏,桌面,服务器 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-29 18:02 144次 阅读
NCP4200 具有I2C接口的多相同步降压转换器

NCP5230 低压同步降压控制器

0是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器 >内部软启动/停止 0.5%内部电压精度,0.8 V基准电压 OCP精度,锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V电压)通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压保护(OVP)内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n保护集成MOSFET驱动器集成BOOST二极管,内部Rbst = 2.2 自动省电模式,最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 242次 阅读
NCP5230 低压同步降压控制器

NCP4208 同步降压转换器 8相 VR11.1可编程 带I2C接口

8是一款集成电源控制IC,具有I 2 C接口。 NCP4208是一款高效,多相,同步降压开关稳压控制器,可帮助设计高效率和高密度解决方案。 NCP4208可编程为1,2,3,4,5,6,7或8相操作,允许构建多达8个互补降压开关级。 特性 优势 快速增强PWM 出色的负载转换性能 应用 终端产品 CPU Vcor​​e 台式电脑,服务器 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-29 17:02 111次 阅读
NCP4208 同步降压转换器 8相 VR11.1可编程 带I2C接口

NCP3030 同步PWM控制器

0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...
发表于 07-29 17:02 158次 阅读
NCP3030 同步PWM控制器