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基于PZT材料的传感器的研究进展

MEMS 2020-07-31 16:28 次阅读

摘要:对当前基于锆钛酸铅压电陶瓷(PZT)薄膜微系统器件的研究进展进行了综述,对PZT传感器、PZT能量收集器、PZT驱动器的研究进展以及采用不同工艺PZT薄膜的制备技术进行了阐述。对基于PZT薄膜微系统(MEMS)器件的发展趋势进行了展望。

0引言

微机电系统(micro-electro-mechanicalsystem,MEMS)器件是各种功能器件的集合于一体的微型器件。在MEMS器件中,为实现不同功能,需选用不同的功能材料,压电材料是MEMS器件的关键材料之一。随着压电材料在MEMS领域的不断探索,目前主要应用领域有微型系统,铁电存储器和高频电子器件。

锆钛酸铅压电陶瓷(Pb-basedlanthanum-doped zirconate titanates,PZT)化学式为Pb(Zr11xTix)O3的二元系压电陶瓷,属钙钛矿结构。PZT可以实现机械能(应力、形变)和电能(电荷、电压、电流)之间的双向能量转换。由于其特有的双向压电效用,使其成为智能MEMS传感器的理想材料。结合MEMS系统中传感和驱动两部分模块,使压电材料更适宜于MEMS领域。基于压电效应的MEMS传感器有加速度计、声传感器、超声换能器和执行器包括微型马达、微型泵等。

1 PZT薄膜在微系统器件中应用

1.1 PZT传感器

1993年日本京都大学的Lee C等人研究了PZT压电薄膜力敏传感器,该力敏传感器采用溶胶—凝胶工艺制备PZT薄膜。PZT微悬臂梁通过外力产生形变,使悬臂梁发生振动,再利用外加电压使悬臂梁发生纵向位移。该压电悬臂梁尺寸为200 μm × 50 μm。经过计算和实验测试,该结构的弹簧常量为8.7 N/m,谐振频率为72.5 kHz。

两种不同结构的微型加速度计示意图如图1所示。图1( a)四梁结构微型加速度计的敏感薄膜采用PZT薄膜材料,经制作,该加速度计平行方向灵敏度为8 pC/g,垂直方向灵敏度为22 pC/g,首次实现单质量块3D加速度测量。图1( b)是Trolier-McKinstryS小组研究设计的环形薄膜片结构,这种环形薄膜片制作工艺简单,成品率高,传感面积大,灵敏度高。灵敏度根据结构尺寸的不同可以达到(0.77 ~ 7.6) pC/g,谐振频率35.3 ~ 3.7 kHz。

图1 四梁结构和环形结构的压电加速度计示意

敏感薄膜的厚度是影响薄膜材料电性能的关键因素,所以提出在制备多层结构叠加的PZT薄膜。2018年刘扬等人设计制作了一种柔性压力传感器,该柔性传感器以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)作为柔性衬底,在其表面生长一层氧化铟锡,将其图形化成叉指电极结构;制备PZT纳米纤维薄膜,并转移到PET衬底上;最后在PZT薄膜上制备聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜。PZT纳米纤维柔性压力传感器样品如图2所示。该柔性传感器在20 ~ 60 kPa内,传感器的开路电压随压强的增大而增大,最大约为10 V,其中灵敏度约为180 mV/kPa。

图2 PZT纳米纤维柔性压力传感器样品

1.2 PZT能量收集器

Rajendra K S等人在2003年就在MEMS工艺的基础上制备出了微型的压电式能量收集器,可实现小型无线传感器自供电功能,避免外接电源和断电等问题发生。如图3所示。

图3 压电微能量收集器示意

该结构谐振频率为13.7 kHz,当施加此频率的外接激励时,悬臂梁悬浮端可产生约为3 μm的纵向位移,此时输出电能达1 μW,直流电压达2.36 V,经后续处理,产生的电能可存储于电容中,用于为整个MEMS系统供电。

2010年日本的Morimoto K等人在(001)Pt /MgO衬底上外延生长了(001)晶向的PZT薄膜,所制备的能量收集器的机电转换效率得到很大提升。图4为该压电能量收集器的仿真结构示意图和样品图。

图4 压电能力收集器结构和实物照片

该能量收集器的悬臂梁采用不锈钢材料作为衬底,可提高输出功率,降低共振频率。利用刻蚀及成膜技术,在该不锈钢表面制备(001)晶向的PZT薄膜。该敏感结构的尺寸为20 mm × 5 mm × 50 μm,经计算仿真,该结构的谐振频率为126 Hz,约为工作环境的固有频率。当外加激励为5 m/s2时,并联50 kΩ的输出电阻,可实现机电转换出5.3 μW功率的电能。

1.3 PZT驱动器

Muralt P研究小组制作的超声微马达示意图如图5所示。该结构采用湿法腐蚀、光刻、蒸发等MEMS工艺技术实现。PZT压电敏感薄膜的上电极采用两个环形结构。实现电荷传导。当对压电敏感膜施加外接电压时,由于逆压电效应,悬浮膜片发生振动,使转子运动,微马达运转工作。采用此方法制备的超声微马达优点是厚度薄,转矩高,该结构的微型马达能产生0.3 μNm/Vrms的转矩,远大于同尺寸的静电微马达。

图5 压电薄膜膜片式定子的超声微马达

2012年日本的Kanda K等人利用磁控溅射技术成功制备出了双层PZT压电薄膜微作动器。从图6( a)中可以看出两层PZT薄膜结构类型一致。从图6( b)中可以看出,在外加激励电压相同时,双层PZT薄膜结构的变形位移是单层PZT薄膜的2倍以上。因此得出结论,多层PZT薄膜叠加技术可实现MEMS器件的多层驱动。

图6 双层PZT膜特性

2018年王欢等人设计了悬臂梁式压电微驱动器。为实现该微驱动器的制备,材料上选用压电性能良好的PZT材料;采用键合工艺,利用0.9 μm厚的Au层,将PZT材料与硅衬底键合;采用减薄工艺将PZT材料减薄至30 μm,再通过湿法腐蚀工艺完成微驱动器结构的制作。最后利用准分子激光器实现预制沟槽PZT薄膜。所制备的悬臂梁式微压电驱动器的大小尺寸为1450 μm × 300 μm× 69.8 μm。经测试,该压电微驱动器的谐振频率为18.43 kHz。采用该方法制备的悬臂梁式压电微驱动器成品低、尺寸小,可批量生产。

2018年史平安等人设计了一种基于PZT和Si的蟹爪型MEMS微驱动器,样品如图7所示。该驱动器结构简单,响应速度快,输出位移大。针对该结构使用寿命较低问题,提出采用数值模拟方法,研究对压电层材料厚度等参数对为驱动器性能的影响。经研究,压电材料的性能直接影响微驱动器的性能。PZT-4作为压电层时,微驱动器的稳定性增强但驱动响应降低; 而当选PZT-5和PZT-5H作为压电层时,微驱动器的驱动效应增强但稳定性降低。综合以上因素,确定蟹爪梁结构为最优组合。

图7 微驱动器样品

国内现有的PZT传感器研究仍然以溶胶—凝胶法为主,少数采用经典纺丝技术及外延技术,但是随着磁控溅射技术的不断发展,已经有不少学校开展了PZT磁控溅射技术方面的研究。

1.4 PZT磁控溅射技术

日本京都大学的Wasa K等人采用粉末靶材通过磁控溅射技术在(001)MgO制备了单c电畴的结构压电薄膜。所制备的压电薄膜压电耦合系数可达70 %。且该薄膜具有硬性铁电性,机械品质因子为185,与AlN相似。暗示了PZT薄膜有很大的应用前景。

随后,Wasa K教授在(001)MgO基片上生长出面内无缺陷的PMnN-PZT压电钙钛矿结构薄膜,制备过程中选用100 nm的Pt和SrRuO3作为缓冲层。降温过程不变。通过工艺的改变,制备的薄膜剩余极化强度达到100 μC/cm2,相对介电常数约100 ~ 450,其居里温度达到了600 ℃,该温度使所制备的PZT薄膜能够适用于更多环境中。横向压电系数为-12.0 C/m2,与压电晶体材料相似。这种无应力的外延薄膜与块体材料性能相近,使其在MEMS应用中具有更高的潜力。

2015年爱发科开发出不超过500 ℃的低温PZT压电薄膜溅射工艺。多腔溅射台可以包含用于加速晶化的快速热退火。爱发科使用低温溅射工艺,在硅衬底上形成黏附层、下电极层、缓冲层(专有工艺)、压电层和上电极层五层叠加的PZT压电薄膜MEMS工艺技术。

压电MEMS技术的应用越来越广泛,如用于陀螺仪滤波器、喷墨打印机、MEMS扬声器和麦克风、自动对焦执行器,以及超声波换能器和指纹识别传感器等MEMS产品中。一些代工厂也开发了压电薄膜制造技术,如Globalfoundries公司为Vesper公司代工量产MEMS麦克风,研究AlN压电MEMS技术;意法半导体(STmicroelectronics)公司为Usound公司代工量产MEMS扬声器,研究PZT压电MEMS技术;博世公司在MEMS代工服务中采用爱发科的溅射设备沉积PZT、采用SPTS的Sigma PVD设备沉积AlN。

PZT压电薄膜式未来传感器和微系统发展的一个热点,在麦克风、微镜、喷墨头等领域已经有商业化的产品,在军用电子元器件的低功耗、微型化、集成化方面有很强的发展潜力。

2结束语

本文介绍了基于PZT材料的传感器的研究进展。虽然该领域近年来已经取得了很大的进步,但仍然有很多关键技术需要更加深入的研究探索,如国内现有的PZT传感器研究仍然以溶胶—凝胶法为主,但是随着磁控溅射技术的不断发展,已经有不少学校开展了PZT磁控溅射工艺方面的研究。通过对关键性技术的进一步研究探索和相关工艺的逐渐成熟以及传感器领域的进一步扩大,基于PZT材料的敏感器件将在传感器及微系统领域发挥更大的作用。

原文标题:基于PZT薄膜的微系统器件研究进展

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发表于 10-23 08:00 68次 阅读
使用PLC实现自动药片装瓶机控制系统的设计论文说明

如何实现TMS320F28335与交流永磁伺服驱动器接口的连接

在伺服控制系统中,控制芯片,伺服驱动器和伺服电机的接口电路对于提高控制精度有重要的影响,文章主要研究....
发表于 10-22 17:15 45次 阅读
如何实现TMS320F28335与交流永磁伺服驱动器接口的连接

浅析MEMS传感器产业发展历程

纯 MEMS 代工企业不提供任何设计服务,企业根据客户提供的 MEMS 芯片设计方案,进行工艺制程开....
发表于 10-22 14:24 298次 阅读
浅析MEMS传感器产业发展历程

什么是激光雷达?目前面临哪些挑战?

激光雷达代表光探测和测距,其工作方式与雷达非常相似。一个光源,通常是一个激光器,发射一束光,光束被发....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-22 10:01 547次 阅读
什么是激光雷达?目前面临哪些挑战?

NANOTP11F55红外温度传感器的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是NANOTP11F55红外温度传感器的数据手册免费下载。
发表于 10-22 08:00 32次 阅读
NANOTP11F55红外温度传感器的数据手册免费下载

一种快速测试工具,把多种数据与传感器结合

发明该测试工具的研究团队来自加州理工学院医学工程系助理教授Wei Gao的实验室。其团队开发了无线传....
的头像 微流控 发表于 10-21 17:16 315次 阅读
一种快速测试工具,把多种数据与传感器结合

Arcadium推出MEMS振荡器的全新方案

Arcadium系列振荡器(AS5001/02/03)可兼容替换石英晶振或MEMS振荡器的全新方案 ....
的头像 华兴万邦技术经济学 发表于 10-21 16:47 236次 阅读
Arcadium推出MEMS振荡器的全新方案

无线传感器与有线传感器二者之间的区别是什么

传感器用于许多方面,例如将信息传送到需要它的位置,以及通过计算机远程控制过程。由于传感器是这些设备工....
发表于 10-21 16:32 62次 阅读
无线传感器与有线传感器二者之间的区别是什么

一文知道无线传感器与有线传感器的区别

传感器用于许多方面,例如将信息传送到需要它的位置,以及通过计算机远程控制过程。由于传感器是这些设备工....
发表于 10-21 14:55 149次 阅读
一文知道无线传感器与有线传感器的区别

电子制造业发展迅速,工业机械自动化将成为趋势

小型电机作为新型驱动器,被广泛运用在手机镜头自动对焦、监控摄像头变焦对焦、机器人手指关节及脸部控制、....
的头像 超声波电机徐生 发表于 10-21 13:44 374次 阅读
电子制造业发展迅速,工业机械自动化将成为趋势

LED8102SXTTR STMicroelectronics LED8102S LED阵列驱动器

oelectronics ALED8102S LED阵列驱动器是一款单片、低电压、led驱动器,具有8个低侧通道。ALED8102S设计用于提供高达20V输出驱动能力,支持连接多个串联LED。八个稳压电流源提供5mA至100mA恒定电流来驱动LED。通过一个外部电阻器设置电流。 LED8102S具有热管理功能,可强制关断以保护器件(通常在+170°C时关断,15°C滞后重启)。热保护开关仅关闭输出通道。 工作电源电压范围为3.0V至5.5V。输出控制由四个开关输入提供,实现开/关切换操作。在所有有源输出LED上,可通过应用到输出使能引脚 (OE) 上的全局PWM信号调整亮度。输出可并联,或者不使用时不连接。 LED8102S LED驱动器采用14引脚高热效率薄型微缩小外形封装 (HTTSSOP)。 特性 8个恒定电流输出通道,由4个开关输入控制 输出电流:5mA至100mA 电流可通过外部电阻器编程 电源电压:3.0V至5.5V 20V电流发生器额定电压 热关断 工作结温范围:-40°C至+150°C ...
发表于 10-21 10:45 11次 阅读
LED8102SXTTR STMicroelectronics LED8102S LED阵列驱动器

STSPIN32F0251TR STMicroelectronics STSPIN32F025x250V三相控制器

oelectronics STSPIN32F025x 250V三相控制器是高度集成的解决方案,用于驱动三相应用。由于集成度高,因此有助于设计人员减少PCB占位和总体物料清单。STSPIN32F025x内置STM32F031x6x7 MCU(采用Arm® 32位Cortex®-M0 CPU)和250V三路半桥栅极驱动器。半桥栅极驱动器可驱动N通道功率MOSFET或IGBT。该器件集成了具有高级smartSD功能的比较器,可确保快速有效地防止过载和过流。下部和上部驱动部分还集成了高压自举二极管,以及防交叉传导、死区时间和UVLO保护。这些特性可防止电源开关在低效率或危险条件下运行。低侧和高侧部分之间的匹配延迟可确保无周期失真。集成的MCU可以执行FOC、6步无传感器以及其他高级驱动算法(包括速度控制回路)。 特性 三相栅极驱动器 高达250V高压轨 驱动器电流能力 200mA/350mA拉/灌电流 (STSPIN32F0251) 1.0A/0.85A拉/灌电流 (STSPIN32F0252) dV/dt瞬态抑制:±50V/ns ...
发表于 10-21 10:41 4次 阅读
STSPIN32F0251TR STMicroelectronics STSPIN32F025x250V三相控制器

STGAP2HSMTR STMicroelectronics STGAP2HS4A 单通道栅极驱动器

oelectronics STGAP2HS 4A单通道栅极驱动器在栅极驱动通道、低电压控制和接口电路之间提供电流隔离。STGAP2HS适合用于中等功率和大功率应用,例如工业应用中的电源转换和电机驱动器逆变器,具有4A能力和轨到轨输出。 STM STGAP2HS单通道栅极驱动器有两种不同配置,一种具有独立的输出引脚,另一种具有单输出引脚和米勒钳位功能。借助独立输出引脚的配置,可通过专用栅极电阻分别优化导通和关断。单输出引脚和米勒钳位功能配置可防止半桥拓扑中快速换向时的栅极尖峰。两种配置均为外部元件提供较高的灵活性,降低物料清单成本。 STGAP2HS集成UVLO和热关断保护功能,可简化高可靠性系统的设计。双输入引脚支持选择信号极性控制和实施HW互锁保护,可在控制器发生故障时避免交叉传导。 STGAP2HS 4A单通道栅极驱动器采用宽体SO-8W封装。 特性 高达1200V高压轨 驱动器电流能力:4A拉电流/灌电流(25°C时) dV/dt瞬变抗扰性:±100V/ns,全温度范围内 整体输入-输出传播延迟:75ns ...
发表于 10-21 10:30 6次 阅读
STGAP2HSMTR STMicroelectronics STGAP2HS4A 单通道栅极驱动器

STEVAL-LLL004V1 STMicroelectronics STEVALLLL004V1 LED驱动器

oelectronics STEVAL-LLL004V1 LED驱动器是一款数控恒流LED驱动器。PFC级和两个直流-直流转换器设计用于在转换模式下工作以优化效率。该LED驱动器可提供75W的输出功率。 通过模拟和数字方法,该驱动器可以将LED调暗至最高亮度水平的0.5%。通过任何一种调光技术,该操作在整个调光范围内均无闪烁。该电路板具有高效率,功率因数几乎等于1,并且在宽输入电压和负载条件下具有低THD百分比。这得益于高性能ST电源产品,以及在32位STM32F0微控制器上运行的高级算法。 特性 宽输入电压范围:85VAC至265VAC 转换模式PFC 两个基于不同拓扑、在转换模式下工作的恒流输出: 降压拓扑 反向降压拓扑 输出电流:500mA ±2.5% 输出端连接的LED数量:16至24个白光LED(每个3.3V) 满负载时,PFC > 0.97,THD < 20%(85VAC至265VAC输入电压范围) 最大负载时峰值效率≅ 90% ...
发表于 10-21 10:06 28次 阅读
STEVAL-LLL004V1 STMicroelectronics STEVALLLL004V1 LED驱动器

MEMS发展迅速,预计2023年市场规模超300亿美元

MEMS 全称为 Micro-Electro Mechanical System,即微机电系统,是集....
的头像 旺材芯片 发表于 10-21 09:45 486次 阅读
MEMS发展迅速,预计2023年市场规模超300亿美元

12个集成电路产业项目落户无锡

10月19日,无锡锡山经济技术开发区举办芯谷启航 芯动锡山开发区集成电路产业项目合作交流活动。 活动....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-21 09:08 454次 阅读
12个集成电路产业项目落户无锡

小型电机行业会如何发展

随着工业的的快速发展,小型电机在各行各业就显得尤为重要,即要求超声电机精度高、小体积、低速化。
发表于 10-21 08:00 43次 阅读
小型电机行业会如何发展

农业物联网解决方案的实施速度呈指数级增长

使用超声波测量的液位传感器允许配置自动阈值,以通知液位过低或过高。这些传感器是自主的,其电池可帮助运....
的头像 物联网技术 发表于 10-20 16:23 372次 阅读
农业物联网解决方案的实施速度呈指数级增长

电子产品的传感器正在以非常快的速度发展

随着微处理器,嵌入式系统和其他模块(尤其是微机电系统(MEMS)传感器)的小型化,电子产品中的传感器....
的头像 电子魔法师 发表于 10-20 16:15 430次 阅读
电子产品的传感器正在以非常快的速度发展

Sensirion宣布与TTP Ventus Ltd合作设计紧凑型高性能微流体驱动器

流量和环境传感器的领先制造商Sensirion很高兴宣布与微型泵制造商TTP Ventus Ltd合....
的头像 电子魔法师 发表于 10-20 16:01 316次 阅读
Sensirion宣布与TTP Ventus Ltd合作设计紧凑型高性能微流体驱动器

Allegro推出80V电机驱动器产品组合,满足电动汽车的应用需求

运动控制和节能系统传感和功率解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems(以下简称....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-20 15:37 389次 阅读
Allegro推出80V电机驱动器产品组合,满足电动汽车的应用需求

中国传感器产业面临哪些主要挑战?

Fabrowsky: 与大多数电子元件一样,MEMS的成本由开发和资本支出决定。内容的日益复杂,尤其....
发表于 10-20 12:14 213次 阅读
中国传感器产业面临哪些主要挑战?

LYTSwitch-6安全隔离型LED驱动器IC产品系列迎来新成员

LYTSwitch-6安全隔离型LED驱动器IC产品系列迎来了适用于智能照明应用的新成员。LYT60....
的头像 PI电源芯片 发表于 10-20 10:50 293次 阅读
LYTSwitch-6安全隔离型LED驱动器IC产品系列迎来新成员

Butterfly公司正式推出下一代产品——新型手持式超声波成像系统Butterfly iQ+

Butterfly公司的使命是通过让全世界所有人都可以使用医学成像来实现医疗保健的民主化。从美国医疗....
的头像 MEMS 发表于 10-20 10:31 427次 阅读
Butterfly公司正式推出下一代产品——新型手持式超声波成像系统Butterfly iQ+

如何选择一款适合的功率放大器,要注意哪些方面

高压功率放大器是一个非常通用的测试仪器,配合厂家的任意波信号发生器使用达到,提升其驱动能力,保证驱动....
发表于 10-20 10:02 131次 阅读
如何选择一款适合的功率放大器,要注意哪些方面

荣成歌尔电子信息产业园启用暨智能器件封测项目投产仪式在荣成市举行

荣成歌尔电子信息产业园是山东省重点项目、威海市企业冲击30亿元新目标项目之一,是荣成市引进实施的新一....
的头像 MEMS 发表于 10-20 09:49 369次 阅读
荣成歌尔电子信息产业园启用暨智能器件封测项目投产仪式在荣成市举行

LTC7803 :电源设计更简单更实惠

LTC7803是ADI公司开发的一款同步降压型控制器,可简化高性能电源的设计。这款控制器具有以下主要特性:集成低阻抗栅极驱动...
发表于 10-20 09:31 346次 阅读
LTC7803 :电源设计更简单更实惠

超声电机在微型云台中有什么样的应用

超声电机压电致动器驱动微型云台的应用,超声电机高精度\可中空、体积小、扭力大、断电自锁、适应温度范围....
发表于 10-20 08:00 39次 阅读
超声电机在微型云台中有什么样的应用

Realme刚刚在印度推出了两个新的音频产品

此外,它还支持10mm驱动器,并支持ACC高质量音频,这是一种具有高音乐保真度的高压缩率编码算法。它....
的头像 倩倩 发表于 10-19 16:34 542次 阅读
Realme刚刚在印度推出了两个新的音频产品

UCC27423/4/5系列高速双MOSFET驱动器

特征 工业标准插针 为每个驾驶员启用功能 高电流驱动能力±4 A 独特的双极和CMOS真驱动输出 级在MOSFET上提供大...
发表于 10-14 16:57 101次 阅读
UCC27423/4/5系列高速双MOSFET驱动器

直流电机驱动模块原理图资料

L6201是一种应用多源BCD(Bipolar,CMOS,DMOS)技术来控制电机的全控桥驱动器芯片,这种芯片能将独立的DMOS场效应...
发表于 10-12 16:13 531次 阅读
直流电机驱动模块原理图资料

【大联大友尚 ST MEMS sensor开发板试用体验】+OLED显示环境参数

今天准备用Sensor这款开发板和大家分享下移植一个OLED屏幕显示环境参数的例子。因为板子上有很多的传感器,而官方给了许多要...
发表于 10-10 21:54 202次 阅读
【大联大友尚 ST MEMS sensor开发板试用体验】+OLED显示环境参数

ISL6594A/ISL6594B高频MOSFET驱动器

ISL6594A和ISL6594B是高频MOSFET专为驱动上下功率而设计的驱动器同步整流buck中的N沟道mosfet转换器拓扑。这些驱...
发表于 09-30 16:47 101次 阅读
ISL6594A/ISL6594B高频MOSFET驱动器

具有保护功能的ISL6594A/ISL6594B高频MOSFET驱动器

ISL6594A和ISL6594B是高频MOSFET专为驱动上下功率而设计的驱动器同步整流buck中的N沟道mosfet转换器拓扑。这些驱...
发表于 09-29 17:38 153次 阅读
具有保护功能的ISL6594A/ISL6594B高频MOSFET驱动器

【每日推荐】用了这么久放大器,特性及阻抗你都了解吗?

几十年来使用的三种最常见的多线串行数据传输格式是I 2 C,UART和SPI。本文着眼于串行外设接口(SPI)总线,该总线...
发表于 09-24 11:33 223次 阅读
【每日推荐】用了这么久放大器,特性及阻抗你都了解吗?

RH-OSC04 RH-OSC04抗辐射 晶体振荡器驱动器和分频器

发表于 05-20 17:05 36次 阅读
RH-OSC04 RH-OSC04抗辐射 晶体振荡器驱动器和分频器

EVL6562A-LED EVL6562A-LED恒流逆降压LED驱动器使用L6562A

发表于 05-20 12:05 62次 阅读
EVL6562A-LED EVL6562A-LED恒流逆降压LED驱动器使用L6562A

NUD4001 LED驱动器 高电流

稳压器& LED驱动器旨在取代用于在5V,12V或24V低压AC / DC应用中驱动LED的分立解决方案。外部电阻允许电路设计人员为不同的LED阵列设置驱动电流。这种分立式集成技术通过将单个组件组合到一个封装中来消除单个组件,从而显着降低系统成本和电路板空间。该器件是一个小型表面贴装封装SO8。 特性 为不同的输入电压提供恒定的LED电流。 外部电阻允许设计人员设置电流 - 最高500 mA。 AEC-Q101合格且PPAP能力 适用于汽车和其他需要独特应用的NSV前缀场地和控制变更要求 应用 汽车:尾灯,定向灯,倒车灯和圆顶灯。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 23:02 155次 阅读
NUD4001 LED驱动器 高电流

NCP302155 集成驱动器和MOSFET 55 A.

155将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302155集成解决方案大大降低了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达55A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 支持Intel®PowerState 4 使用3级PWM的零交叉检测选项 内部自举二极管 热警告输出和热关机 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 服务器和工作站,V-Core和非V核DC-DC转换器 大电流DC-DC负载点转换器 小型电压调节器模块 电源和笔记本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 22:02 326次 阅读
NCP302155 集成驱动器和MOSFET 55 A.

NCP303151 集成驱动器和带集成电流监视器的MOSFET

151将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP303151集成解决方案大大降低了封装寄生效应和电路板空间。 特性 能够达到50 A的平均电流 30 V / 30 V击穿电压MOSFET具有更高的长期可靠性 能够以高达1 MHz的频率切换 与3.3兼容V或5 V PWM输入 正确响应3级PWM输入 精确电流监测 具有3级PWM的过零检测选项 内部自举二极管 欠压锁定 支持英特尔®PowerState 4 应用 桌面和笔记本微处理器 图形卡 路由器和交换机 支持英特尔®PowerState 4 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 22:02 462次 阅读
NCP303151 集成驱动器和带集成电流监视器的MOSFET

NCP302040 集成驱动器和MOSFET 40 A.

040将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302040集成解决方案大大减少了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达40A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 正确响应3级PWM输入 支持英特尔®电源状态4 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 电源和笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 22:02 175次 阅读
NCP302040 集成驱动器和MOSFET 40 A.

NCP302150 集成驱动器和MOSFET 45 A.

150将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302150集成解决方案大大降低了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达45A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 正确响应3级PWM输入 支持英特尔®电源状态4 使用3级PWM进行零交叉检测的选项 热警告输出和热关机 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 服务器和工作站,V-Core和非V-Core DC-DC Con转换器 小型电压调节器模块 高电流DC-DC负载点转换器 电源和笔记本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 21:02 275次 阅读
NCP302150 集成驱动器和MOSFET 45 A.

NCP302055 集成驱动器和MOSFET 50 A.

055将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302055集成解决方案大大减少了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达50A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 支持Intel®PowerState 4 使用3级PWM的零交叉检测选项 内部自举二极管 热警告输出和热关机 热关机 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 服务器和工作站,V -Core和非V-DC DC-DC转换器 大电流DC-DC负载点转换器 小型电压调节器模块 电源和笔记本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 21:02 211次 阅读
NCP302055 集成驱动器和MOSFET 50 A.

NCP6992 AIRFUEL-MR无线电源发送器ASIC

2是一款无线电源ASIC,可提供符合AirFuel MR标准的非接触式6.78 MHz电力传输单元(PTU)所需的电源,测量和支持功能。 NCP6992与蓝牙信令协议(BLE)相结合,通过管理功率传输(包括效率和故障条件管理),有助于调整和优化发送器线圈的功率。 特性 输入电压范围4.5V至22V 提供小型7x7mm²可湿性侧翼电镀QFN-56封装,间距0.4mm 直接从墙上适配器或USB端口供电 可通过3.4 MHzI²C接口进行广泛编程 50 W功率升压控制器,具有可在9V至55.2V(200mV步进)下编程的转换器,具有OVP和自动控制输入选项 可配置的睡眠模式和使用直接输入控制的快速唤醒循环 In集成式降压转换器5V& 500mA 2通用GPIO可用于逻辑I / O,ADC输入或时钟输出 系统LDO可编程为1.2V至3.6V,100 mV步进,带动态电压调节(DVS) USB BC 1.2检测的前端 具有OCP的四相可选6.78MHz PA驱动器 用于天线切换的PWM控制继电器驱动器 用于PA电源电压,电流和温度测量的10位ADC 一个阻抗控制检测器 具有ADC读数的差分...
发表于 07-29 18:02 138次 阅读
NCP6992 AIRFUEL-MR无线电源发送器ASIC