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功率半导体井喷:IGBT模块主流厂商与产品

Simon观察 2020-07-27 10:28 次阅读

功率器件产品线主要包括IGBTMOSFET晶闸管二极管TVS等,其中IGBT集成度最高,结构最复杂,同硅基材料中能承受最高的工作电压,具有最高价值量。目前国外IGBT主要厂商有英飞凌、富士电机、赛米控等,而国内IGBT主要厂商有斯达半导体、中车、广东芯聚能、宏微科技等。目前国内外IGBT实力相差悬殊,但随着新基建、新能源汽车等发展,国内IGBT已经初具规模,并在不断缩小与国外厂商的差距。

一、IGBT市场分析

IGBT供不应求,行业持续向好发展,IGBT下游产业迅速发展,对IGBT需求持续增长,近年来全球市场与中国市场均保持增长态势。

根据英飞凌年报披露,2016-2018年,全球IGBT市场规模分别达到 45.1、52.6、62.2 亿美元,同比增速分别为6.6%、16.5%、18.4%,全球市场加速增长;国内IGBT市场持续向好发展,2019 年市场规模达155亿,同比增长6.4%。

全球IGBT市场规模

其中IGBT模块市场也出现增长,根据IHSMarkit 2018年报告统计数据显示,2017年全球IGBT 模块市场约为47.9亿美金。根据集邦咨询《2019中国IGBT产业发展及市场报告》显示,2017年中国IGBT 市场规模预计为128亿人民币,2018年中国IGBT 市场规模预计为153亿人民币,相较2017年同比增长19.91%。受益于新能源汽车和工业领域的需求大幅增加,中国IGBT市场规模仍将持续增长,到2025 年,中国IGBT市场规模将达到522 亿人民币,年复合增长率达19.11%。

目前IGBT 市场仍主要被境外企业垄断,且构成竞争的企业不超过10 家。根据IHSMarkit 2018 年报告统计数据显示,IGBT 模块前十大供应商占据市场份额超过75%。

总体来看,目前国内IGBT产业处在快速发展阶段,已经形成了相对完整的IGBT产业链。未来随着国内新能源车的放量,中国IGBT企业将迎来快速发展及进口替代的良好机遇。

二、国外主要厂商

1、英飞凌科技公司(Infineon Technologies)

英飞凌科技公司的前身是西门子集团的半导体部门,是全球领先的半导体公司之一。公司的主营业务涉及汽车、芯片卡与安全、工业电源控制和电源管理四个方面。英飞凌科技公司作为行业龙头,是IGBT 技术领导者,根据IHSMarkit 2018年报告,2017 年全球市场占有率为22.40%,对于低电压、中电压和高电压IGBT领域,英飞凌均占据领先地位。

主要产品有HybridPACK DSC S2,通过在HybridPACK DSC模块上配备EDT2技术,这个芯片组具备750 V阻断电压,属于市场主流的电压级别,但是电流能力略低,不过可以采用多模块并联的方案来提升总体性能。表现出基准电流密度、强大的短路耐受能力和优异的轻载功率损耗。DSC S2产品采用成熟的双面散热封装概念,并且可以提供芯片结温最高达175°C的短期运行能力。通过芯片技术升级和提高芯片工作温度,相比于现有的HybridPACK™ DSC S1,它能够以相同外形尺寸,实现40%性能提升。


 

2、三菱电机株式会社(Mitsubishi Electric Corporation)

三菱电机株式会社是三菱集团的核心企业之一,三菱电机在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据着重要的地位。三菱电机半导体产品包括功率模块(IGBT、IPM、MOSFET 等)、微波/射频和高频光器件、光模块和标准工业用的TFTLCD 等。作为全球领先的IGBT 企业,三菱电机在中等电压、高电压IGBT 领域处于领先地位。根据IHSMarkit 2018 年报告,2017 年全球市场占有率为17.90%,仅次于英飞凌。

三菱电机株式会社计划从6月30日开始陆续提供配置第7代硅片的“T系列IGBT模块”样品,共有3种封装48个品种,适用于各种用途的工业设备。这些产品能够满足通用变频器、电梯、不间断电源(UPS)等工业设备低功耗和高可靠性的需求。搭载采用CSTBTTM结构的第7代IGBT,能降低功率损耗和EMI噪声。

通过采用新背面扩散技术的RFC二极管,实现降低功率损耗,且无阶跃恢复(仅限额定电压为1200V的产品)。在阴极部分地增加P层,因而使得恢复波形变得平缓,并且能够抑制电压尖峰。

3、富士电机株式会社(Fuji Electric)

富士电机株式会社成立于1923 年,旗下的富士电机电子技术株式会社负责半导体元件的生产和销售。富士电机在全球生产和销售IGBT、MOSFET 等功率半导体。富士电机IGBT 芯片的设计和生产主要集中在本国进行,在英国、日本和菲律宾都设有功率器件生产工厂。

作为业内领先的IGBT 企业,富士电机主要生产IGBT 模块和IPM 模块,产品在工业控制和变频家电中广泛使用。根据IHSMarkit 2018 年报告,2017 年全球市场占有率为9.00%,位列第三。

EV、HEV用IGBT模块采用直接水冷铜散热片结构、实现了高功率密度和小型封装的EV、HEV用IGBT模块产品中分别内置有6个IGBT和FWD。此外,还内置有用于检测温度的热敏电阻


 

4、赛米控(SEMIKRON)

赛米控是全球领先的电力电子制造商,发明了全球第一款带绝缘设计的功率模块,主要生产中等功率输出范围(约2KW 至10MW)中广泛应用的电力电子组件和系统。生产产品包括芯片、分立器件、二极管、晶闸管、IGBT 功率模块和系统功率组件。赛米控在低电压消费级IGBT 领域具备一定优势,根据IHSMarkit 2018 年报告,2017 年全球市场占有率为8.30%,位列第四。

赛米控的SK 9 BGD 065 ET 具有紧凑型设计、热传导及击穿隔离、高短路容量、低托尾电流等特点。主要应用于换向器与伺服驱动系统。以下是产品图:


 

三、国内主要厂商
 

1、嘉兴斯达半导体


嘉兴斯达半导体股份有限公司是一家专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业,是目前国内IGBT领域的领军企业。

公司主要产品为功率半导体元器件,包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。公司成功研发出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模块,实现了进口替代。其中IGBT模块产品超过600种,电压等级涵盖100V~3300V,电流等级涵盖10A~3600A。产品已被成功应用于新能源汽车、变频器、逆变焊机、UPS、光伏/风力发电、SVG、白色家电等领域。

其600V/650V IGBT模块有A3.1.Half Bridge,采用NPT IGBT技术、10μs短路能力、VCE(sat)具有正温度系数、低电感情况、快速软反向恢复反并行前驱、高功率循环能力的AlSiC底板、AlN基板,低热阻。

2、杭州士兰微电子

杭州士兰微电子股份有限公司是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。士兰微电子已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一,其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均名列前茅。

主要产品有士兰微SGM820PB8B3TFM,采用6单元拓扑,具有高结温,高功率密度,低电感特征。此功率模块是基于精细沟槽的FS-V技术,阻断电压达750V,低开关损耗,使用直接水冷基板,低热阻,符合RoHS和通过UL认证。

3、株洲中车时代半导体有限公司

株洲中车时代半导体有限公司通过十余年持续投入和平台提升,已成为国际少数同时掌握大功率晶闸管、IGCT、IGBT及SiC器件及其组件技术的IDM(集成设计制造)模式企业代表,拥有芯片—模块—装置—系统完整产业链。公司拥有国内首条、全球第二条8英寸IGBT芯片线。

主要产品型号有TIM750ASM65-PSA011,其具有AISiC 基板、AIN 衬板、高热循环能力、10μs短路承受能力,封装外形图如下:


 

四、国内外IGBT营业利润差距大

在低成本与高价格驱动下,国际龙头毛利率水平高于国内龙头。国际龙头由于品牌优势,一般产品定价较高。在更高的单位成本与更低的产品单价双重影响下,斯达等国内品牌的毛利率水平显著低于英飞凌、三菱等国际品牌。斯达半导与英飞凌分别作为国内外主营 IGBT的龙头企业,其毛利率水平差距明显,英飞凌最近三年一期的毛利率分别为 37.2%、38.7%、36.7%与34.5%,斯达半导最近三年一期的毛利率分别为30.6%、29.4%、30.6%与30.9%,前者比后者高出约6%的水平。

但是国内龙头加速IGBT产能扩张,迎来降本空间。斯达半导等国内龙头在产能扩张时有望形成规模效益,带动生产成本的下降;同时,在晶圆生产线升级、新技术研发中心设立等举措影响下,国内厂商的 IGBT 制造水平有望提高,从而提升原材料利用率,进一步降低芯片生产的单位成本。

声明:本文由电子发烧友综合报道,内容参考自英飞凌、斯达半导体、株洲中车时代、士兰微、IHSMarkit等,转载请注明以上来源。如需转载和入群交流,请添加微信elecfans999,投稿爆料采访需求,请发邮箱huangjingjing@elecfans.com。

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  工业生产电子设备的发展趋向是更小的线路板规格、更时尚潮流的外观设计和更具有成本效益。因为这种发展趋势,电子控制系统设...
发表于 07-01 09:09 307次 阅读
集成柔性功率器件在FPGA或SoC电源中的应用

高压套件TMDSHVMTRINSPIN炸管的原因是什么?

购买了高压套件TMDSHVMTRINSPIN,配合TMS320F28335 controlCARD。一直运行正常,昨天下载了HVACI_S...
发表于 05-20 08:51 48次 阅读
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NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

T120L2Q2F2SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个分离式T型中性点钳位三电平逆变器,由两个160A / 1200V半桥IGBT和二极管组成,两个中性点120A / 1200V整流器,两个100A / 600V中性点IGBT,带反向二极管,两个半桥60A / 600V整流器和一个负温度系数热敏电阻(NTC)。 特性 优势 600 V IGBT规格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高效率 1200 V IGBT规格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高的效率 底板 热传播 可焊销 轻松安装 热敏电阻 温度检测 T型中性点钳位三电平逆变器模块 应用 终端产品 DC-AC阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 102次 阅读
NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

120H2Q0SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 48次 阅读
NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

NXH450N65L4Q2 功率集成模块(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二极管

N65L4Q2是功率集成模块,包含I型中性点钳位(NPC)三电平逆变器,由两个225 A / 650 V外部IGBT,两个375 A / 650 V内部IGBT和两个375 A / 650 V中性线组成点二极管。反向二极管是150 A / 650 V器件。该模块包含一个NTC热敏电阻。 特性 优势 现场停止4个650 V IGBT,具有快速开关性能和出色的VCE(SAT) 提高系统效率和简化热设计 焊针版本 应用 终端产品 DC-AC转换 分散式太阳能逆变器 - 1200V 不间断电源 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 51次 阅读
NXH450N65L4Q2 功率集成模块(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二极管

NXH80T120L2Q0 功率集成模块(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

120L2Q0是功率集成模块,包含一个T型中性点钳位(NPC)三电平逆变器,由两个80 A / 1200 V半桥IGBT组成,带有40 A / 1200 V半桥二极管和两个50 A / 600 V NPC IGBT,带有两个50 A / 600 V NPC二极管。模块还包含一个板载热敏电阻。 特性 优势 低VCESAT的高速1200V和650V IGBT 提高效率 预先应用热界面材料(TIM)的选项预先应用的TIM 更简单的安装过程 使用压入销和焊针的选项 模块安装过程的更广泛选择 应用 终端产品 太阳能逆变器 UPS逆变器 太阳能串逆变器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 60次 阅读
NXH80T120L2Q0 功率集成模块(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 44次 阅读
NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

T120L2Q2F2SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个分离式T型中性点钳位三电平逆变器,由两个带反向二极管的160A / 1200V半桥IGBT,两个中性点120A / 1200V整流器组成,两个具有反向二极管的100A / 650V中性点IGBT,两个半桥60A / 650V整流器和一个负温度系数热敏电阻(NTC)。 特性 优势 650 V IGBT规格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高效率 1200 V IGBT规格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高的效率 底板 热传播 可焊销 轻松安装 热敏电阻 温度检测 T型中性点钳位三电平逆变器模块 应用 终端产品 DC-AC阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 40次 阅读
NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

FSBB15CH120DF 运动SPM

CH120DF是一款先进的Motion SPM ® 3模块,为交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。这些模块综合优化了内置IGBT的栅极驱动,最大限度降低电磁辐射和损耗,同时提供多种自带保护功能,包括欠压闭锁,过流关断,驱动芯片热监控和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅驱动器和保护功能 低功耗,额定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 LVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 绝缘等级:2500 V rms /分 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 121次 阅读
FSBB15CH120DF 运动SPM

FSBB15CH120D 运动SPM

CH120D是一款先进的MotionSPM®3模块,用于交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。 这些模块综合优化了内置IGBT的栅极驱动,最大限度降低电磁辐射和损耗,同时提供多种自带保护功能,包括欠压闭锁,过流关断,驱动芯片热监控和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅驱动器和保护功能 低功耗,额定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 LVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 绝缘等级:2500 V rms /分 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 67次 阅读
FSBB15CH120D 运动SPM

NXH80B120L2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二极管

120L2Q0SG是一款功率模块,包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个30A / 1200V硅二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2830 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 Si整流器规格:VF = 2.4 V,IRRM = 53 A 用于中速切换的Si二极管 可焊接针 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + Si整流器模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 05:02 70次 阅读
NXH80B120L2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二极管

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-31 04:02 70次 阅读
FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

NFL25065L4BT 用于2相交错式PFC的PFCSPM®2系列

65L4BT是一款PFCSPM®2模块,为消费,医疗和工业应用提供全功能,高性能的交错式PFC(功率因数校正)输入功率级。这些模块集成了内置IGBT的优化栅极驱动,可最大限度地降低EMI和损耗,同时还提供多种模块内保护功能,包括欠压锁定,过流关断,热监控和故障报告。这些模块还具有全波整流器和高性能输出SiC二极管,可节省更多空间和安装便利性。 特性 650 V - 50 A 2阶段具有整体栅极驱动器和保护的交错式PFC 使用Al2O3 DBC衬底的极低热阻 全波桥式整流器和高性能输出SiC升压二极管 用于温度监控的内置NTC热敏电阻 隔离评级:2500 Vrms / min 应用 终端产品 2相交错式PFC转换器 商用空调 工业电机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 04:02 93次 阅读
NFL25065L4BT 用于2相交错式PFC的PFCSPM®2系列

NFCS1060L3TT 智能功率模块(IPM) PFC组合 600V 10A

60L3TT是一个完全集成的PFC和逆变器功率级,包括一个高压驱动器,六个电机驱动IGBT,一个PFC SJMOSFET,一个用于整流器的PFC SiC-SBD和一个热敏电阻,适用于驱动永磁同步( PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为小腿提供独立的发射极连接,以便在选择控制算法时获得最大的灵活性。 特性 优势 在一个封装中采用PFC和逆变器级的简单散热设计。 保存PCB面积并简化装配流程 交叉传导保护 避免手臂短路输入信号不足 集成自举二极管和电阻器 保存PCB面积 应用 终端产品 电机驱动模块 电机控制系统 工业/通用控制系统HVAC 工业风扇电机 泵 洗衣机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 04:02 46次 阅读
NFCS1060L3TT 智能功率模块(IPM) PFC组合 600V 10A

NFAP1060L3TT 智能功率模块(IPM) 600 V 10 A 带有先进的SIP封装

60L3TT是一个完全集成的逆变器功率级,由高压驱动器,六个IGBT和一个热敏电阻组成,适用于驱动永磁同步(PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为低支路提供独立的发射极连接,在控制算法选择方面具有最大的灵活性。功率级具有全面的保护功能,包括跨导保护,外部关断和欠压锁定功能。连接到过流保护电路的内部比较器和参考电压允许设计人员设置过流保护电平。 特性 紧凑型44mm x 20.9mm单列直插式封装 内置欠压保护 交叉传导保护 集成自举二极管和电阻器 应用 终端产品 工业驱动器 泵 粉丝 Automationas 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 03:02 53次 阅读
NFAP1060L3TT 智能功率模块(IPM) 600 V 10 A 带有先进的SIP封装

NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

4是一款高压功率栅极驱动器,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动器使用2个具有交叉传导保护的独立输入。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 最多输入引脚上的Vcc摆动 两个通道之间的匹配传播延迟 带输入的阶段输出 具有100ns内部固定死区时间的交叉传导保护 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin to Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 128次 阅读
NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

1是一款高压功率栅极驱动器,提供两个输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高侧电源开关。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围从10 V到20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆幅 两个频道之间的匹配传播延迟 内部固定Dea的一个输入d时间(650 ns) 在两个频道的Vcc LockOut(UVLO)下 引脚与引脚兼容行业标准 应用 半桥电源转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 96次 阅读
NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

MC33153 单IGBT驱动器

3专门设计用作高功率应用的IGBT驱动器,包括交流感应电机控制,无刷直流电机控制和不间断电源。虽然设计用于驱动分立和模块IGBT,但该器件为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括选择去饱和或过流检测和欠压检测。这些器件采用双列直插和表面贴装封装,包括以下特性: 特性 高电流输出级:1.0 A源/ 2.0 A接收器 常规和感测IGBT的保护电路 可编程故障消隐时间 防止过电流和短路 针对IGBT优化的欠压锁定 负栅极驱动能力 成本有效地驱动功率MOSFET和双极晶体管 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 355次 阅读
MC33153 单IGBT驱动器

NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

6是一款高压栅极驱动器IC,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT,采用半桥配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动程序使用2个独立输入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高压范围:最高600 V dV / dt抗扰度±50 V / nsec 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆动 匹配传播两个渠道之间的延迟 输入阶段的输出 适应所有拓扑的独立逻辑输入(版本A) 交叉传导保护机智h 100 ns内部固定死区时间(版本B) 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 任何互补驱动转换器(非对称半桥,有源钳位)(仅限A型)。 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 00:02 206次 阅读
NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

FL73282 半桥栅极驱动器

2是一款单片半桥栅极驱动器IC,可驱动工作电压高达+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dV / dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路,可使高侧栅极驱动器的工作电压在V BS = 15 V时达到V S = - 9.8 V(典型值)。当V CC 或V BS 低于指定阈值电压时,两个通道UVLO电路可防止发生故障。输出驱动器的源电流/灌电流典型值分别为350 mA / 650 mA,适用于各种半桥和全桥逆变器。 特性 浮动通道可实现高达+900 V的自举运行 两个通道的源/灌电流驱动能力典型值为350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪声消除电路 容许扩展负V S 摆幅至-9.8 V,以实现V CC = V BS = 15 V时的信号传输 10 V至20 V的V CC 和V BS 供电范围 双通道的欠压锁定功能 匹配传播延迟低于50 ns 内置170 ns死区时间 输出与输入信号同相 应用 照明 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 00:02 333次 阅读
FL73282 半桥栅极驱动器

NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

3系列是一组高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于中高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器和其他汽车等汽车应用电源。通过消除许多外部组件,这些器件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括Active Miller Clamp(用于NCV5703A),精确的UVLO,DESAT保护和漏极开路故障输出。这些驱动器还具有精确的5.0 V输出(适用于所有版本)和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出(仅适用于NCV5703C),便于系统设计。这些驱动器设计用于容纳宽电压范围的单极性偏置电源(以及NCV5703B的双极性偏置电源)。所有版本均采用8引脚SOIC封装,符合AEC-Q100标准。 特性 优势 IGBT米勒平台电压下的高电流输出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低开关损耗并缩短切换时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 活动密勒钳(仅限NCV5703A) 防止假门开启 应用 终端产品 DC-交流变频器 电池充电器 汽车PTC加热器 驱动程序 电机控制 电动汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 22:02 101次 阅读
NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

2是一款高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器,动力总成逆变器和其他汽车电源等汽车应用。该器件通过消除许多外部元件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括有源米勒钳位,精确的UVLO,EN输入,DESAT保护和漏极开路故障输出。该驱动器还具有精确的5.0 V输出和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出,便于系统设计。该驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源,包括单极性和双极性电压。它采用16引脚SOIC封装。符合AEC-Q100标准。 特性 优势 降低开关损耗和缩短开关时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 活动密勒钳 防止伪门开启 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 应用 终端产品 DC-AC逆变器 电池充电器 汽车PTC加热器 板载充电器 xEV充电器 汽车动力总成逆变器 牵引逆变器 电动汽车 EV充电器 牵引 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 22:02 104次 阅读
NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式