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关于早期的图形处理系统与CAD技术的起源

机器人大讲堂 2020-07-08 16:10 次阅读

哈尔滨工业大学校园里,一场其乐融融的MATLAB校园版推广讲座正在进行。

美国公司的专家详细讲解了两个小时,吸引在场满当当一教室的学生积极互动。配合推广活动,现场还有小礼物发放,显得诚意十足。

由于功能完善、智能化程度高,商业数学软件MATLAB有“工科神器”的称号,在全球180多个国家的院校机构拥有超过三百万多科研用户,别无二家。

对于一名普通的工科生而言,MATLAB重要性不用多说了,很多不善言辞的男生甚至用它写表白代码,在520顺利脱单。

但可能当时参加讲座的双方都没想到,几天后,中美谈判风云突变,贸易战陡然升级。

中美对抗的火也烧到了MATLAB的头上,作为国防相关重点院校,哈工大与兄弟院校哈工程一起,光荣进入美国制裁实体清单,跻身中国最有排面的高校。

十几天后,学生发现学校购买的正版MATLAB无法正常授权使用。

MATLAB的断供,严重干扰了学校的正常科研教学,还意味师生公开发表的论文中不允许有MATLAB的任何内容,给紧张忙碌的毕业生们来了一次当头暴击。

一夜之间,工科神器沦为科研枷锁。从高校圈到科技界,一片哗然,然后是对国内工业软件现状的反思与沉默。

一个声音在回荡,国产工业软件去哪了?

要说起国产工业软件,其实也有它的黄金时代。

1978年,中国工业软件的启蒙就已经开始了,而且起点并不低。

那一年,沈阳鼓风机厂从意大利引进大型鼓风机技术,并从IBM以94万美元引进370/138大型机以及配套当时最先进的MRPII软件(企业制造资源计划)。

本着“既要吃鱼肉也要抓鱼竿”的精神,负责技术的北京机械工业自动化研究所(简称北自所)工程师从IBM带回来八本黑皮书,其中详尽记录了MRPII软件的基本原理和算法。

这就是早年在中国工业软件界鼎鼎大名的“黑八本”。靠吃透这几本书,中国工业软件产业开始起步,建立起了一所行业黄埔军校,诞生了一批知名的工业工程管理专家。

其中就包括荣获得建国70周年纪念章的北自所首席专家蒋明炜。

整个80年代,以蒋明炜为代表的的北自所专家们不断克服系统兼容与标准问题,在全国各地陆续成功运行计算机辅助企业管理信息系统项目。

1986年,工业软件发展进入了国家“863”计划,北自所落实了第一批22个示范项目,蒋明炜团队还获得了机械部科技进步一等奖,国家科委技术进步二等奖。

与北自所的企业管理软件一样,国产CAD软件的起步也得益于国家80年代后期开始的大力扶持。中科院、清华、北航等等院校与研发机构,高喊着“甩掉绘图板”的口号,抓住了国外工业软件本土化不足的契机,纷纷拿出了自己的成果。

但随着改革开放的深入,市场化的春风已经演变为狂风巨浪。

在“下海经商”的时代浪潮里,体制内的科研单位经费有限与收入太低,人才不断流失,连蒋明炜也只能眼看着自己辛苦栽培的研究生一个个抓上了外资的高薪橄榄枝。

1994年,北自所也下海了,而且给自己选了一个高大上的外资合伙人,成立了北京利玛自动化技术有限责任公司,蒋明炜出任总工程师、总经理。

背靠北自所的业界地位与”863计划”的技术背景,北京利玛很快打开了市场、打出了名气,坐上了企业管理工业软件龙头位置。

很多与北自所一样的体制内科研机构,也纷纷下海,以多年体制内的技术积累成立公司,在自己擅长的工业领域开始了工业软件的掘金之路。

在蒋明炜看来,当时市场上国产工业软件与国外产品相比并不差,加上国外产品引进有汉化和适应中国国情的问题,有些方面国产工业软件的优势还比较明显。

据统计,上世纪90年代中后期,国产工业软件平均市场占有率在25%左右,其中个别专项领域曾达到45%左右,数千家的各类各样的国产工业软件企业如雨后春笋、遍地开花,进入了黄金时代。

但看似繁荣的市场化非但没有助推国产工业软件崛起,反而将北京利玛等先行者推入深渊。

因为尴尬的事情出现了——这些工业软件叫好难叫座。

90年代,中国市场经济处于边奔跑边修补的状态,绝大部分私营企业都是人力密集型、粗放式增长,赶上了平均10%以上的GDP增幅,才经营得红红火火有声有色。

但老板们对企业运营的认知还处于原始的阶段,更不用谈信息化水平。

所以,市场需求看似旺盛,真正买单的却不多,价格要不上去。连北京利玛在内的头部企业盈利状况都不乐观,甚至连年亏损,研发投入无力,更不用谈跟着它喝汤的小弟们。

此外,行业恶性竞争也让盈利前景雪上加霜,这一点在国产CAD软件上尤为突出。

1997年,北京举办了首届CAD应用工程博览会,国产CAD企业集体亮相,阵容之庞大让国内外眼前一亮。不完全统计,上个世纪最后一个十年,全国从事CAD研究与开发的机构已达到300余家。

但随之而来的就是各自为战、恶性竞争,大家哪怕没经历过那个年代,也能从今天多个互联网公司的互相争斗中一窥企业大战时的惨烈内耗。

降价原本是正常的商业竞争手段,但很快就失控了。

市场上国产CAD软件价格从近万元掉到了不足5000,把整个行业吓了一跳,很多企业叫苦不迭。有人甚至干脆以500一套的白菜价格抛售绘图软件,同行看在眼里却无能为力,只能听之任之。

产品重复、恶性压价、利润微薄是国产软件产业的内忧。

偏偏这个时候,国外工业软件企业也强势入侵,带来了更大的外患。

关于早期的图形处理系统与CAD技术的起源

那个年代,外企在资金和资本运营经验上天然就比国内企业丰富,虽然当时还没有什么现在流行的“用户黏性”、“流量至上”等通俗易懂的说法。

但在市场营销与客户争夺上,在资本市场待惯了的外企明显还是棋高一着,让资金本来就不足的国内企业完全不是对手。

其中最厉害的争夺方法有两种:

1. 从大学与科研机构开始,从源头上垄断市场。

外企通过捐赠和赞助,让大学科研教育工作捆绑国外公司知名软件,教授国外软件的操作,结课时也用它们完成设计。

这导致学生从一开始就培养出使用国外现成软件的习惯,研发设计能力也逐步退化,在哈工大搞校园行的MATLAB最擅长此道。

以CAD为例子,一个普遍情况是,学校里面老师教的是美国AuotCAD,学生学的是AutoCAD,很多人便认为CAD就是AutoCAD,要改变习惯再回头用国产CAD就难了。

2. 放任盗版抢占市场,挤压国产软件市场。

当时国人还普遍比较缺乏版权意识,面对四处泛滥的盗版国外软件,外企睁一只眼闭一只眼,国产工业软件本就微薄的利润失去了生存和成长的空间。

当企业把自己的研发、生产捆绑在盗版软件,形成行业标准后,国产软件却面临兼容问题,纷纷被用户抛弃。 此外,大量的生产数据也帮助外国软件不断进行优化,拉开了与国产软件的差距。

微软在中国扩张时就用了这个思路,纵容盗版Windows泛滥,利用格式兼容,把所有金山WPS的用户引流到了Office Word上,成为了国产软件行业一大恨事。

WPS和作者求伯君曾一起被誉为民族软件的一面旗帜

面对外国的凶猛进攻,国产工业软件企业不打算坐以待毙。

前文所提的北京利玛,选择了进一步融资,试图解决盈利与研发困境。

2001年,利玛经过几番周折,选来选去找到了上市公司光明家具。

但开始就有人怀疑,光明家具是想借着工业软件,打造一个网络题材的个股,拉抬股价。

没想到一语成谶,果然出问题了。

原定光明家具投资3000万、占利玛 51% 股份,并且只派一个财务人员,不干涉公司运转。

结果,先是说好的3000万资金迟迟不到账,好不容易到账后,光明又放弃承诺,空降一个总经理,把蒋明炜降级为执行经理。随后公司的发展方向也完全背离了北自所和蒋明炜融资的初衷,不以技术为核心。

一气之下,蒋明炜带着利玛公司一大批技术人员集体哗变,另组了一个新利玛。

没想到,这个时候对方又拿起了知识产权大棒,与新利玛对簿公堂,致使原有的研发根基毁于一旦。

那几年,类似利玛这种工业软件企业败在了资本脚下的例子屡见不鲜。

当时并不是没有人意识到了单打独斗很难赢外国软件这个问题,比如各自为战的国产CAD企业,就选择了产业联盟的方式,团结在一起对抗美国的AutoCAD。

1996年,一个国产CAD软件产业联盟就喊出了“国产软件我们的旗帜,民族产业我们的目标”。

到了2008年,几家头部CAD企业又搞了一次“国产CAD软件联盟”。

但结果都是雷声大雨点小,各家因为产品雷同、利益交叉、约束力太低、规范不明而无法拧成一股绳。

面对国产工业软件无力对抗外企的现状,蒋明炜也提出“国外软件三分之一可用,三分之一修改后可用,三分之一不可用”的观点,希望国家能大力扶持国产工业软件。

可惜,他一个人孤掌难鸣,反被那些外国软件供应商和代理商打成了“闭关守旧的代表”。

眼见自主研发难以出头,很多国内企业只能无奈选择给国外软件做代理,或者二次开发,走上了为他人作嫁衣裳的道路。

在2001年中国加入WTO后,海外高端设备捆绑式国外工业软件大规模进入中国市场,一没资金二没政策的中国本土工业软件企业道路越发艰难。

起了个大早,赶了个晚集,起步早起点高的工业软件变成了改革开放以后少有与国外不断拉大差距的工业细分领域,彻底沦为了短板。

造不如买、买不如租,过于迷信资本与市场,是那个年代的通病。

比如一直让大家惋惜的“运十”的下马。

运十项目是1970年立项的,与空客同年成立。如今空客已经成为民用航空巨头,中国的大飞机C919却才刚刚迈出步伐不久。

运10是总重110吨的大型客机,采用了当时国内近百项新材料、新标准、新工艺,第一次参照西方适航标准研制的,走出了苏联飞机的影子,主要性能超过了当时中国的民航主力三叉戟客机。

运十项目还培养起了一只强大的技术团队,一举打下中国民航飞机制造业崛起的根基。

1980年11月28日,英国路透社评价运10首飞成功:“在得到这种高度复杂的技术时,再也不能视中国为一个落后国家了。”

可最终,这个中国大飞机的幼苗却被认为是五六十年代过时的产物、没有经济性的领导定制机,甚至被民航局自己人打上了不信任的标签而屡遭白眼,最终因为区区3000万试飞油费给拖黄了,连队伍都散了。

与此同时,一个用市场换技术的国产飞机“三步走”方案出现了。

第一步是装配和部分制造支干线飞机,当时主要是装配麦道系列飞机,由麦道提供技术;

第二步与国外合作,联合设计研制100座级飞机;

第三步是2010年实现自行设计、制造180座级干线飞机。

为了这个计划,原准备做第三架运10的价值数千万元的材料的最后结局,是在上海飞机制造厂为和麦道合作作准备、练铆钉枪用了。

可是,理想是丰满的,现实却是骨感的,外国不会轻易把关键的技术给中国人学会的,中国是在摸索了很久以后,才在引进德日法高铁的时候成功用市场换到了技术。

在此之前的种种尝试,都以失败告终。

1985年开始,组装麦道飞机的项目除了让中国获得了一定的制造工艺,并没有获得什么设计能力。

1990年,“运十”总设计师马凤山积劳成疾,病逝于上海,年仅61岁。

1996年,麦道公司被波音并购,几番周折的“三步走”方案宣告彻底搁浅。

兜兜转转了一大圈,最后还是不得不面对那个问题——这技术还得自己学,就像上学一样,偷懒抄作业到了最后,考试的时候还是要吃亏,无非是浪费你学习的时间而已。

2000年之后,国产大飞机重回“自主研发”的旧路!多吃了十几年的苦,重新踉踉跄跄地追了上来。

随着信息披露,人们怀疑在运十夭折的背后,是麦道公司在背后不断游说中国民航局与负责大飞机项目的部门导致的。

大家的猜测是否属实,这谁也不好说,但从运十和一系列工业软件上,我们是真切地被人家好好上了一课。

在事关国家前途的领域,并不能把命运完全交给市场。

马斯克的SpaceX已经成为了一个符号,一个象征私营太空时代的符号。

在各路媒体眼里,马斯克仿佛成了一个无所不能的现实钢铁侠,凭借一己之力攻克了依靠国家才能推动的航天事业,把包括中美俄在内的全球各国官方航天机构一一踩在脚下。

但真相是,SpaceX就是NASA的干儿子,无论是人才、技术还是合同,都少不了NASA的照顾,另一个被照顾的就是波音。

2000年前后,美国的私人航天发展得如火如荼,但最后能拿出像样成果的只有马斯克。

而SpaceX成功的关键,就在于他把商业需求与美国国家利益结合了起来,拿到了政府拨款,弥补了航天飞机退役之后的发射市场空白。

很多媒体在大肆吹捧马斯克神话时,都会故意明里暗里告诉你,只要把一切交给市场、交给资本、交给私有化,就一灵百灵,就能实现奇迹。

这种声音不是孤例。

马云以前还说过,“如果银行不改变,我们就改变银行”的豪言壮语,仿佛支付宝就是来吊打工农中建的。

但实际上,支付宝等第三方支付之所以能成功,离不开国有银行为根基的普惠金融体系,两者是一起成长起来的,少了谁都不行。

支付宝们把最关键、成本最高、风险最大的实名成本甩给了国有为主体的手机运营商和银行,自己坐收利润最高的手续费、信贷以及投资业务。

这也是为什么淘宝已经风靡全世界了,但支付宝依旧只能是中国人玩,也就是因为欧美国家银行根本不会放弃手中的蛋糕。

更不用说大家平时用惯的网络购物,在线点餐,不能只把功劳归到那些电商平台、互联网企业的头上。

去过外国的都知道,外国同样的网络购物,外卖,效率就比中国低一些,如果不是中国强大的基建能力,魔鬼一样的电网、高速网、信号网的铺设,现在我们享受到的很多习以为常的服务,都要打很大一个折扣。

有基建这个基础,面子才能支棱起来。

而这个基础因为利润薄规模大耗时长,只有用国家力量推动。

CAD技术的起源可以追溯到20世纪50年代美国空军的SAGE系统(半自动地面环境防空系统)。

这个由麻省理工学院林肯实验室设计的系统,催生了许多重要技术,包括高性能计算机、大型磁芯存储器和交互式的电脑绘图。

早期的图形处理系统

这个SAGE系统不仅帮助美国空军完善了防御体系,而且催生了新一代的科技型企业。

其中交互式的电脑绘图技术更是经历了几次转让,才等到配套硬件成熟,才有了后来的CAD商业成功。

直到今天,美国政府依然没放松对工业软件的扶持。

美国国防部在旧金山举办的“电子复兴计划ERI”的首次峰会,选出了第一批入围扶持项目。

在一堆赫赫有名的大学里,一家电子设计软件EDA的公司Cadence拿到了最高的资助,也是该类别扶持项目中唯一的公司。

在这个峰会三个月前,对中兴第一个下手的,也正是这家Cadence。

工业软件这个领域,不如航天科技这样高大上,没什么逾越不过的技术门槛,其尴尬的商业变现能力实在配不上巨大的商业价值,还容易被大众舆论忽视,觉得不自主也无所谓,可谓姥姥不疼舅舅不爱。

可工业软件是工业的神经大脑,现在美国一禁止,我们就发现还是挺麻烦的,谁有都不如自己有好使。

美国禁止MATLAB之后,有一家国内做同类型软件的公司在知乎上发帖,让大家宽心,只要给他们时间,半年内就可以实现MATLAB科学计算与图形显示的70%,一年内100%实现。

相信,有过了之前的教训,这次我们在面对国产软件的时候,或者以后我们在面对类似问题的时候,都能好好吸取教训,走出一条康庄大道。
       责任编辑:pj

原文标题:热点|中国工业软件失落的30年

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内蒙古联合浪潮为远程容灾备份解决方案

STM32单片机的入门教程总结

优秀的处理器配合好的开发工具和工具链成就了单片机的辉煌,这是单片机开发者辛勤劳动的结果。也正因为此,....
发表于 10-13 17:36 275次 阅读
STM32单片机的入门教程总结

单片机微型计算机接口技术及其应用的复习题免费下载

1.简述80C51 单片机的4 个I/O 口在使用上有哪些分工和特点? 2.80C51 单片机的串....
发表于 10-13 16:51 48次 阅读
单片机微型计算机接口技术及其应用的复习题免费下载

在进一步拓展AI的应用领域时,研究人员遇到了“前学后忘”的问题

人工神经网络是用计算机来模拟人类大脑的AI技术,这一方法取得了很大的成功,谷歌设计的阿尔法狗已经在围....
的头像 知社学术圈 发表于 10-13 16:48 198次 阅读
在进一步拓展AI的应用领域时,研究人员遇到了“前学后忘”的问题

赛普拉斯的65nm SRAM与ASIC/FPGA/控制器的接口

赛普拉斯瞄准的市场增长速度要快于包括汽车,工业和消费电子市场任内的半导体行业。在安全无线技术,连同MCU,存储器,模拟I...
发表于 10-13 16:06 0次 阅读
赛普拉斯的65nm SRAM与ASIC/FPGA/控制器的接口

人工智能未来的技术前景怎么样

人工智能的前景非常广阔,是几乎所有行业中最有前途的技术之一,并将在生产,生活和科研的各个方面发挥积极....
的头像 电子魔法师 发表于 10-13 15:01 574次 阅读
人工智能未来的技术前景怎么样

华芯无线科技自研的滤波器芯片将遇到哪些机遇与挑战?

近日,以“开放合作· 世界同‘芯’”为主题,2020世界半导体大会举行。华芯无线科技(深圳)有限公司....
的头像 lhl545545 发表于 10-13 14:56 378次 阅读
华芯无线科技自研的滤波器芯片将遇到哪些机遇与挑战?

全球平板计算机出货量将下滑10.5%

DIGITIMES Research观察,2020年全球平板计算机市场受新冠肺炎疫情触发在家工作、娱....
的头像 DIGITIMES 发表于 10-13 10:56 409次 阅读
全球平板计算机出货量将下滑10.5%

如何利用Open GL在MFC中实现喷泉模拟应用程序的开发设计

由于自然环境中大部分景物(如云彩、火焰、烟雾、瀑布、雪花等特效)具有不规则性、复杂性与随机性,且随着....
的头像 电子设计 发表于 10-13 10:34 462次 阅读
如何利用Open GL在MFC中实现喷泉模拟应用程序的开发设计

基于C语言编程实现串口通讯接口的设计和应用分析

串行通信在通讯领域被广泛应用,标准的RS232接口已成为计算机、外设、交换机和许多通讯设备的标准接口....
的头像 电子设计 发表于 10-13 10:19 414次 阅读
基于C语言编程实现串口通讯接口的设计和应用分析

AD5253/AD5254是四通道非易失性存储器

特征 AD5253:四位64位分辨率;AD5254:四个256位置分辨率;1千欧、10千欧、50千欧、100千欧;非易失性存储器[1]存储带写保...
发表于 10-10 17:29 0次 阅读
AD5253/AD5254是四通道非易失性存储器

FRAM低功耗设计使写非易失性数据操作消耗更少的功耗

FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3,而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。...
发表于 10-09 14:27 0次 阅读
FRAM低功耗设计使写非易失性数据操作消耗更少的功耗

双1024位的非易失性存储器ADN2850介绍

特征 双通道,1024位置分辨率;25 kΩ,250 kΩ标称电阻;最大±8%标称电阻公差误差;低温系数:35ppm/℃;2.7 V至5 V单电源或...
发表于 09-30 16:57 162次 阅读
双1024位的非易失性存储器ADN2850介绍

实例说明写入FRAM的零时钟周期延迟的影响

写入FRAM的零时钟周期延迟 一个典型的EEPROM需要5毫秒的写周期时间,以将其页面数据转移到非易失性EEPROM内...
发表于 09-28 14:42 101次 阅读
实例说明写入FRAM的零时钟周期延迟的影响

DRAM,SRAM,FLASH和新型NVRAM:有何区别?

在本文中,我们将介绍一种新型的非易失性DRAM,以及它与当前内存技术的比较。 DRAM是计算技术中必不可少的组件,但并...
发表于 09-25 08:01 101次 阅读
DRAM,SRAM,FLASH和新型NVRAM:有何区别?

避免存储器件掉电丢数据,我们要怎么做?

记录数据的可靠性,通常只考虑到突然掉电、写入不完全等,往往忽略了存储器件的使用寿命。存储器件的擦除次数寿命是行业公认...
发表于 09-16 10:58 101次 阅读
避免存储器件掉电丢数据,我们要怎么做?

非易失性MRAM关键特性-MR2A16A

经过超过八年的MRAM研发,Everspin MR2A16A是第一款4Mbit MRAM商业设备。该器件采用256K x 16位配置(图1),并具...
发表于 09-15 14:20 0次 阅读
非易失性MRAM关键特性-MR2A16A

使用NVRAM的简单解决方案

许多供应商提供专为NVRAM使用的现成文件系统软件。除非要求某些专门功能,否则开发人员自行设计在经济上会所产生的问题。数...
发表于 09-14 16:00 0次 阅读
使用NVRAM的简单解决方案

ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

标准的参数搜索 易于访问密钥产品参数 部件号搜索用于直接访问特定的产品 数据表的下载离线咨询 来采样和购买 最喜欢的部分数字管理 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 适用于Android™或iOS™操作系统 在Wandoujia应用程序商店,为中国用户提供 在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS设备上使用的手机应用程序提供通过www.st.com在线产品组合中的一个用户友好的替代搜索,驱动用户使用以及便携式设备顺利和简单的导航体验。参数搜索引擎允许用户快速识别出最适合其应用合适的产品。此应用程序可在谷歌播放,App Store和Wandoujia。...
发表于 05-21 07:05 66次 阅读
ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序

,零件编号和产品 技术数据表下载和离线咨询一系列的搜索功能 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表收藏栏目 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 可在安卓™和iOS™应用商店 ST-DIODE-FINDER是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索使用便携式设备的ST二极管的产品组合。您可以轻松地定义设备最适合使用参数或一系列的搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 18:05 55次 阅读
ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序

ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS

引导搜索 部分号码搜索能力 主要产品功能发现 数据表下载和离线咨询 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 样品订购所选产品的 主屏幕上的语言选择 ST-EEPROM-FINDER是探索意法半导体串行EEPROM组合最快和最明智的方式使用智能电话或平板。
发表于 05-20 17:05 51次 阅读
ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节™和iOS™应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 17:05 81次 阅读
ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备

于Android和iOS电话移动应用 友好的用户界面 的直观的产品的选择: MEMS和传感器 评估工具 应用 参数搜索使用多个过滤器 部件号搜索 访问技术文档 从ST经销商在线订购 通过电子邮件或社交媒体最喜欢的部分数字管理经验分享 支持的语言:英语(中国,日本和韩国即将推出) 在ST-SENSOR-FINDER提供移动应用程序的Android和iOS,提供用户友好的替代通过MEMS和传感器网络产品组合搜索,驱动用户一起顺利和简单的导航体验。...
发表于 05-20 17:05 61次 阅读
ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
发表于 04-18 20:05 227次 阅读
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...
发表于 04-18 19:35 40次 阅读
AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...
发表于 04-18 19:35 40次 阅读
AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 80次 阅读
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 62次 阅读
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 76次 阅读
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 83次 阅读
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 177次 阅读
AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
发表于 04-18 19:29 157次 阅读
AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
发表于 04-18 19:28 197次 阅读
AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...
发表于 04-18 19:28 182次 阅读
AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 143次 阅读
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...
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CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 108次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 143次 阅读
CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI