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矩阵锁存器是如何工作的?

EDA365 2020-07-08 11:30 次阅读

对于计算机我们肯定都很熟悉,它的内部有ALU进行算术和逻辑运算,可是他们运算得出的结果怎么办?扔掉吗?那这个计算就没有任何意义了。

因此,那些计算出来的结果就需要存起来,于是就有了计算机内存。

当打游戏或者编辑某个文档且进入尾声的时候,电源被切断的惨痛经历大家应该都经历过,再次打开电脑的时候,上次的数据都没了,这就是随机存取存储器,简称RAM,还有一种就是电源关闭了数据还在,这就是持久存储。

上面的有没有理解不重要,现在我们从简单的只能存1个bit电路开始,来了解一下内存的工作原理吧!

先看OR门,将输出传回输入,看看发生了什么?

矩阵锁存器是如何工作的?

首先,将两个输入A、B均设为0,“0 OR 0”是0,输出0;如果将A变成1“1 OR 0”为1,输出1,输出回到B,B变为1,后面再怎么改变A的值,输出仍然为1,这个电路可以用来记录1。

再来看看AND门

将A和B都设为1,“1 AND 1”的输出是1;如果将A变为0,输出0,输出回到B,B变为0,后面再怎么改变A的值,输出仍然为0,这个电路记录0。

现在有了记录1和0的电路,为了做出有用的存储(memory),我们将两个电路合起来,变成了“AND-OR锁存器”

它有两个输入,“设置”( SET )和“复位” ( RESET ),如果“设置”和“复位”都是0,电路的输出就是最后放入的内容,它存住了1 bit的信息,这就是存储!

注:之所以叫“锁存”,是因为它“锁定”一个特定值并保持状态不变。数据放入叫“写入” ,数据输出叫“读取”。

矩阵锁存器是如何工作的?

用两个输入SET和RESET有点麻烦,为了更方便,我们只用一个输入线,将它设为0或1来存储值,再加一根“允许输入线”来“启用”(enable)内存,启用时允许写入,未启用时“锁定”,再与一些额外逻辑门就可以组成一个叫“门锁”(Gated Latch)的电路。

刚刚我们只存了1bit,没什么大用,但如果我们并排放8个锁存器,就可以存8位信息,这个8bit数字组的锁存器叫“寄存器”,寄存器能存多少个Bit叫“位宽”。

早期电脑用8位寄存器,然后是16位,32位,如今大多计算机都是64位宽的寄存器。

矩阵锁存器是如何工作的?

在写入寄存器之前,要启用里面所有锁存器,我们可以用一根线连接所有“允许输入线”,并设为1,然后用8条数据线发数据,最后将“允许写入线”设回0,8bit的值就存好了。

对于bit少的,这样并排摆放锁存器可以,可是对于64位寄存器要64根数据线,64根连到输出端,这怎么办?

幸运的是,只要1根线启用所有锁存器,这样加起来也要129根线;那存256个bit,要513根线,存放的数据越多,需要的线就越多,那有什么好的解决方法吗?

矩阵锁存器是如何工作的?

解决方法就是用矩阵!

在矩阵中,我们将锁存器做成网格,那么存256位只需要16x16的锁存器。

让我们看看矩阵锁存器是如何工作的吧?

如果想打开某个锁存器,就打开这个锁存器交叉处的“允许写入线”,这种行/列配置方法,需要一根共享的“允许写入线”连接所有锁存器,为了使锁存器变为“允许写入”状态,行线、列线和“允许写入线”都必须为1,而且每次只能有1个锁存器启用并锁存数据,这样就可以用一根“数据线”连接所有锁存器来传数据。

这样256位的存储,只需要35根线——1根“数据线”,1根“允许写入线”,1根“允许读取线”和16行16列的用于选择锁存器的线。

为了将地址转成行和列,我们需要一个叫“多路复用器”的部件,它的工作方式是:当输入一个4 bit数字时,它会把那根线连到相应的输出线,如果输入0000,它会选择第一列;如果输入0001,则选择下一列,依此类推。

一个多路复用器处理行(row),另一个多路复用器处理列(column),那么把256位内存当成一个组件来看,它需要一个8bit地址:4bit代表哪一列,4 bit 代表哪一行,还需要“允许写入线”和“允许读取线”,最后,还需要一条数据线,用于读/写数据。

今天,我们用锁存器做了一块SRAM(静态随机存取存储器),还有其他类型的RAM,如DRAM,闪存和NVRAM,它们在功能上与SRAM相似,比如用不同的逻辑门,电容器,电荷陷阱或忆阻器等,但从根本上说,所有这些技术都是用矩阵层层嵌套存储大量信息的,有没有觉得很不可思议呢?
       责任编辑:pj

原文标题:数据是如何存入计算机的?

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MC100E116 ECL Quint差分线路接收器

ADN4668 3 V LVDS 四通道CMOS差分线接收器

和特点 接收器输入引脚提供±15 kV ESD保护开关速率:400 Mbps(200 MHz)流通引脚配置简化印制电路板布线 通道到通道偏移:150 ps(典型值) 差分偏移:100 ps(典型值) 传播延迟:2.7 ns(最大值)电源电压:3.3 V断电时具有高阻抗输出低功耗设计(待机功耗典型值为3 mW)可与现有的5 V LVDS驱动器配合使用接收小摆幅(典型值310 mV )差分输入信号电平支持开路、短路,以及终止输入故障安全 产品详情 ADN4668是一款四通道CMOS低压差分信号(LVDS)线接收器,提供400 Mbps(200 MHz)以上的数据速率及超低功耗。ADN4668具有流通引脚配置,可以轻松实现印制电路板布线以及输入信号与输出信号的分离。这款器件接收低压(典型值310 mV)差分输入信号,并将其转换为单端3 V TTL/CMOS逻辑电平。ADN4668还提供高电平有效和低电平有效的启用/禁用输入(EN 和/EN),以控制全部的4个接收器。它们可禁用接收器,并将输出切换为高阻抗状态。这个高阻抗状态允许对一个或多个ADN4668的输出进行多路复用,以将待机功耗降低至3 mW(典型值)。ADN4668及与其配合使用的驱动器ADN4667,可为高速点对点数据传输提供全新的解决...
发表于 02-22 13:39 31次 阅读
ADN4668 3 V LVDS 四通道CMOS差分线接收器

ADN4662 单通道、3 V、CMOS、LVDS差分线路接收器

和特点 输入引脚提供±15 kV ESD保护转换速率:400 Mbps (200 MHz)直通式引脚排列可简化PCB布局传播延迟:2.5 ns(最大值)3.3 V 电源关断时为高阻抗输出与现有5 V LVDS驱动器兼容接受小摆幅(典型值310 mV)差分信号电平支持开路、短路和端接输入故障安全功能阈值区间:0 V至−100 mV符合TIA/EIA-644 LVDS标准工业温度范围:−40°C至+85°C 产品详情 ADN4662是一款单通道、CMOS、低压差分信号(LVDS)线路接收器,提供400 Mbps (200 MHz)以上的数据速率,功耗超低。它采用直通式引脚排列,便于PCB布局以及输入与输出信号分离。             该器件接受低压(典型值310 mV)差分输入信号,并将其转换为单端3 V TTL/ CMOS逻辑电平。ADN4662及其配套驱动器ADN4661为高速点对点数据传输提供一种新的解决方案,可以代替射极耦合逻辑(ECL)或正射极耦合逻辑(PECL),功耗则更低。              应用点对点数据传输多分支总线时钟分配网络背板接收器 方框图...
发表于 02-22 13:30 22次 阅读
ADN4662 单通道、3 V、CMOS、LVDS差分线路接收器

ADN4667 3 V LVDS四通道CMOS差分线驱动器

和特点 输出引脚提供±15 kV ESD(静电放电)保护开关速率:400 Mbps (200 MHz)流通引脚排列简化印制电路板(PCB)布线差分偏移:300 ps(典型值)差分偏移:400 ps(最大值)传播延迟:1.7 ns(最大值)电源电压:3.3 V 欲了解更多信息,请参考数据手册 产品详情 ADN4667是一款四通道CMOS低压差分信号(LVDS)线驱动器,提供400 Mbps以上的数据速率(200MHz)和超低功耗。它具有流通引脚,可以轻松实现印制电路板布局以及输入与输出信号的分离。 ADN4667接收低压TTL/CMOS逻辑信号,并将其转换为一个差分电流输出信号,来驱动双绞线等传输媒介,输出电流的典型值为±3.1 mA。传输信号在接收端的终端电阻上产生典型值为±310 mV的差分电压。然后再通过ADN4668等LVDS接收器转换为TTL/CMOS逻辑电平。ADN4667还提供高电平和低电平有效的使能/禁用输入(EN和/EN)。这些输入控制全部的4个驱动器,并在禁用状态关闭电流输出,以将待机功耗降低至10 mW(典型值)。ADN4667及与其配合使用的LVDS接收器ADN4668,可为高速点对点数据传输提供全新的解决方案,并为发射极耦合逻辑(ECL)或正电压射极耦合逻...
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ADN4667 3 V LVDS四通道CMOS差分线驱动器

ADN4664 双通道、3 V、CMOS、LVDS差分线路接收器

和特点 输出引脚提供±15 kV ESD保护转换速率:400 Mbps (200 MHz)直通式引脚排列可简化PCB布局通道间偏斜:100 ps(典型值)传播延迟:2.5 ns(最大值)3.3 V电源关断时为高阻抗输出低功耗:3 mW(静态典型值)与现有5 V LVDS驱动器兼容接受小摆幅(典型值310 mV)差分信号电平支持开路、短路和端接输入故障安全功能阈值区间:0 V至−100 mV 产品详情 ADN4664是一款双通道、CMOS、低压差分信号(LVDS)线路接收器,提供400 Mbps (200 MHz)以上的数据速率,功耗超低。它采用直通式引脚排列,便于PCB布局以及输入与输出信号分离。该器件接受低压(典型值310 mV)差分输入信号,并将其转换为单端3 V TTL/ CMOS逻辑电平。              ADN4664及其配套LVDS驱动器ADN4663为高速点对点数据传输提供一种新的解决方案,可以代替射极耦合逻辑(ECL)或正射极耦合逻辑(PECL),功耗则更低。          应用点对点数据传输多分支总线时钟分配网络背板接收器 方框图...
发表于 02-22 13:30 120次 阅读
ADN4664 双通道、3 V、CMOS、LVDS差分线路接收器

ADN4665 3 V、LVDS、四通道、CMOS差分线路驱动器

和特点 输出引脚提供±15 kV ESD保护转换速率:400 Mbps (200 MHz)差分偏斜:100 ps(典型值)差分偏斜:400 ps(最大值)传播延迟:2 ns(最大值)3.3 V电源差分信号:±350 mV低功耗:13 mW(典型值)与现有5 V LVDS接收器兼容关断时为高阻抗LVDS输出符合TIA/EIA-644 LVDS标准欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情 ADN4665是一款四通道、CMOS、低压差分信号(LVDS)线路驱动器,提供400 Mbps (200 MHz)以上的数据速率,功耗超低。     该器件接受低压TTL/CMOS逻辑信号,并将其转换成典型值为±3.5 mA的差分电流输出,以便驱动双绞线电缆等传输介质。所传输的信号在接收端的端接电阻上产生典型值为±350 mV的差分电压,然后由LVDS接收器将其转换为TTL/CMOS逻辑电平。     ADN4665还提供高电平有效和低电平有效使能/禁用输入(EN和EN)。这些输入控制所有四个驱动器,并在禁用状态下关闭电流输出,将静态功耗降至典型值10 mW。ADN4665为高速点对点数据传输提供一种新的解决方案,可以代替射极耦合逻辑(ECL)或正射极耦合逻辑(PECL),功耗则更低。         应用背板...
发表于 02-22 13:30 24次 阅读
ADN4665 3 V、LVDS、四通道、CMOS差分线路驱动器

SSM2141 高共模抑制差分线路接收器

和特点 High Common-Mode RejectionDC: 100 dB typ60 Hz: 100 dB typ20 kHz: 70 dB typ40 kHz: 62 dB typ Low Distortion: 0.001% typ Fast Slew Rate: 9.5 V/µs typ Wide Bandwidth: 3 MHz typ Low Cost Complements SSM2142 Differential Line Driver产品详情 SSM2141是一款集成式差分放大器,用于接收平衡线路输入,适合要求高抗扰度和最佳共模抑制的音频应用。该器件的共模抑制(CMR)性能通常可以达到100 dB,而利用四个现有精密电阻的运算放大器实施方案,通常共模抑制只能达到40 dB,不能满足高性能音频的要求。SSM2141通过保持9.5 V/µs的高压摆率和高开环增益来实现低失真性能。在整个音频带宽内,其失真低于0.002%。SSM2141与平衡线路驱动器SSM2142互为补充。这些器件组合在一起可构成一个完全集成的解决方案,能够实现音频信号的等效变压器平衡,而不会有失真、电磁辐射(EMI)场和高成本等问题。SSM2141的其它应用包括信号求和、差分前置放大器和600 Ω低失真缓冲放大器。如需增益G = 1/2的类似性能器件,请参考SSM2143。 方框图...
发表于 02-22 13:08 64次 阅读
SSM2141 高共模抑制差分线路接收器

SSM2143 -6 dB 差分线路接收器

和特点 高共模抑制 DC: 90 dB(典型值) 60 Hz: 90 dB(典型值) 20 kHz: 85 dB(典型值) 超低总谐波失真(THD): 0.0006%(典型值,1 kHz) 快速压摆率: 10 V/ms(典型值) 宽带宽: 7 MHz(典型值,G = 1/2) 提供两个增益级: G = 1/2或2 低成本 产品详情 SSM2143是一款集成式差分放大器,用于接收平衡线路输入,适合要求对共模噪声有高抗扰度的音频应用。该器件通过对电阻进行激光调整,使之达到优于0.005%的精度,从而实现典型值为90 dB的共模抑制(CMR)。                                    该器件的其它特性包括10 V/µs的压摆率和宽带宽。在整个音频频段内,总谐波失真(THD)低于0.004%,即使驱动低阻抗负载时也是如此。SSM2143输入级设计用于处理高达+28 dBu的输入信号(G = 1/2)。虽然该器件主要针对G = 1/2的应用,但通过反接+IN/-IN和SENSE/REFERENCE,也可以实现2倍增益。采用增益为1/2的配置时,SSM2143与平衡线路驱动器SSM2142可提供全集成式单位增益解决方案,能够在长电缆上驱动音频信号。如需增益G = 1的类似性能器件,请参考SSM2141。 方...
发表于 02-22 13:08 26次 阅读
SSM2143 -6 dB 差分线路接收器

ADN4666 3 V、LVDS、四通道、CMOS差分线路接收器

和特点 接收器输入引脚提供±8 kV ESD IEC 61000-4-2接触放电保护 转换速率:400 Mbps (200 MHz) 通道间偏斜:100 ps(典型值) 差分偏斜:100 ps(典型值) 传播延迟:3.3 ns(最大值) 3.3 V 电源 关断时为高阻抗输出 欲了解更多特性,请参考数据手册。产品详情 ADN4666是一款四通道、CMOS、低压差分信号(LVDS)线路接收器,提供400 Mbps (200 MHz)以上的数据速率,功耗超低。     该器件接受低压(典型值350 mV)差分输入信号,并将其转换为单端3 V TTL/ CMOS逻辑电平。       ADN4666还提供高电平有效和低电平有效使能/禁用输入(EN和EN),用来控制所有四个接收器。这些输入可禁用接收器,将输出切换至高阻抗状态。因此,一个或多个ADN4666器件的输出可以多路复用,将静态功耗降至典型值10 mW。    ADN4666及其配套驱动器ADN4665为高速点对点数据传输提供一种新的解决方案,可以代替射极耦合逻辑(ECL)或正射极耦合逻辑(PECL),功耗则更低。   应用点对点数据传输多分支总线时钟分配网络背板接收器 方框图...
发表于 02-22 12:02 155次 阅读
ADN4666 3 V、LVDS、四通道、CMOS差分线路接收器

INA1651 SoundPlus™™ 高共模抑制、低失真差分线路接收器

INA1650(双通道)和INA1651(单通道)SoundPlus™音频线路接收器可实现91dB的超高共模抑制比(CMRR),同时对于22dBu信号电平可在1kHz时保持-120dB的超低THD + N.片上电阻器的高精度匹配特性为INA165x器件提供了出色的CMRR性能。这些电阻器具有远远优于外部组件的匹配特性,并且不受印刷电路板(PCB)布局所导致的失配问题的影响。不同于其他线路接收器产品,INA165x CMRR在额定温度范围内能保持特性不变,经生产测试可在各种应用中提供始终如一的性能。 INA165x器件支持±2.25V到±18V的宽电源电压范围,电源电流为10.5mA。除线路接收器通道之外,INA165x器件还包含一个缓冲的中间电压基准输出,因此可将其配置为用于双电源或单电源应用。中间电源输出可用作信号链中其他模拟电路的偏置电压。这些器件的额定温度范围为-40°C至125°C。 特性 高共模抑制: 91dB(典型值) 高输入阻抗:1MΩ差分 超低噪声:-104.7dBu,未加权 超低总谐波失真+噪声: -120dB THD + N(22dBu,22kHz带宽) 高带宽:2.7MHz 低静态电流:6mA(INA1651,典型值) 短路保护 集成电磁干扰(EMI)滤波器 宽电源电压...
发表于 01-08 17:51 112次 阅读
INA1651 SoundPlus™™ 高共模抑制、低失真差分线路接收器

SMV512K32-SP 16MB 防辐射 SRAM

SMV512K32是一款高性能异步CMOS SRAM,由32位524,288个字组成。可在两种模式:主控或受控间进行引脚选择。主设件为用户提供了定义的自主EDAC擦除选项。从器件选择采用按要求擦除特性,此特性可由一个主器件启动。根据用户需要,可提供3个读周期和4个写周期(描述如下)。 特性 20ns读取,13.8ns写入(最大存取时间) 与商用 512K x 32 SRAM器件功能兼容 内置EDAC(错误侦测和校正)以减轻软错误 用于自主校正的内置引擎 CMOS兼容输入和输出电平,3态双向数据总线 3.3±0.3VI /O,1.8±0.15V内核 辐射性能放射耐受性是一个基于最初器件标准的典型值。辐射数据和批量验收测试可用 - 细节请与厂家联系。 设计使用基底工程和抗辐射(HBD)与硅空间技术公司(SST)许可协议下的< sup> TM 技术和存储器设计。 TID抗扰度&gt; 3e5rad(Si) SER&lt; 5e-17翻转/位 - 天使用(CRPLE96来计算用于与地同步轨道,太阳安静期的SER。 LET = 110 MeV (T = 398K) 采用76引线陶瓷方形扁平封装 可提供工程评估(/EM)样品这些部件只用于工程评估。它们的加工工艺为非兼容流程(例如,无预烧过程等),...
发表于 01-08 17:47 216次 阅读
SMV512K32-SP 16MB 防辐射 SRAM

SN74HCT273A 具有清零功能的八路 D 类触发器

与其它产品相比 D 类触发器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Rating Operating temperature range (C)   SN74HCT273A HCT     2     6     Catalog     -40 to 85    
发表于 01-08 17:46 180次 阅读
SN74HCT273A 具有清零功能的八路 D 类触发器

SN74HC273A 具有清零功能的八路 D 类触发器

与其它产品相比 D 类触发器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) Rating Operating temperature range (C)   SN74HC273A HC     2     6     8     Catalog     -40 to 85    
发表于 01-08 17:46 249次 阅读
SN74HC273A 具有清零功能的八路 D 类触发器

SN74ALVTH16374 具有三态输出的 2.5V/3.3V 16 位边沿 D 类触发器

'ALVTH16374器件是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,设计用于2.5V或3.3VV < sub> CC 操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。这些器件特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位翻转器。翻牌。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在数据(D)输入处设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE不影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 /p> 当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ALVTH16374的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度...
发表于 10-11 10:31 45次 阅读
SN74ALVTH16374 具有三态输出的 2.5V/3.3V 16 位边沿 D 类触发器

SN74ABTH16823 具有三态输出的 18 位总线接口触发器

这些18位触发器具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器,I /O端口,带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。 'ABTH16823可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能(CLKEN \)输入为低电平时,D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器,锁存输出。将清零(CLR \)输入置为低电平会使Q输出变为低电平,与时钟无关。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将9个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 ...
发表于 10-10 17:15 97次 阅读
SN74ABTH16823 具有三态输出的 18 位总线接口触发器

SN74AHCT16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

SNxAHCT16373器件是16位透明D型锁存器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 特性 德州仪器Widebus™系列的成员 EPIC™(增强型高性能注入CMOS)工艺 输入兼容TTL电压 分布式VCC和GND引脚最大限度地提高高速 开关噪声 流通式架构优化PCB布局 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护每个MIL-STD超过2000 V- 883, 方法3015;使用机器型号超过200 V(C = 200 pF,R = 0) 封装选项包括: 塑料收缩小外形(DL)封装 < li>薄收缩小外形(DGG)封装 薄超小外形(DGV)封装 80-mil精细间距陶瓷扁平(WD)封装 25密耳的中心间距 参数 与其它产品相比 D 类锁存器   ...
发表于 10-10 16:23 101次 阅读
SN74AHCT16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

SN74BCT543 八路寄存收发器

'BCT543八进制收发器包含两组D型锁存器,用于临时存储在任一方向上流动的数据。为每个寄存器提供单独的锁存使能(LEAB \或LEBA \)和输出使能(OEAB \或OEBA \)输入,以允许在数据流的任一方向上进行独立控制。 A-to-B使能(CEAB \)输入必须为低电平才能从A输入数据或从B输出数据。如果CEAB \为低电平且LEAB \为低电平,则A- to-B闩锁是透明的;随后LEAB的从低到高的转换将A锁存器置于存储模式。 CEAB \和OEAB \均为低电平时,3态B输出有效,并反映A锁存器输出端的数据。从B到A的数据流类似,但需要使用CEBA \,LEBA \和OEBA \输入。 SN54BCT543的特点是在整个军用温度范围内工作,温度范围为 特性 最先进的BiCMOS设计显着减少了我 CCZ 3-状态真实输出 存储背靠背寄存器 ESD保护超过MIL-STD-883C 2000 V,方法3015 封装选项包括塑料小外形封装(DW),陶瓷芯片载体(FK)和扁平封装(W),塑料和陶瓷300密耳DIP(JT,NT) ...
发表于 10-09 11:00 92次 阅读
SN74BCT543 八路寄存收发器