侵权投诉

全球半导体销售额下降,美国半导体公司占据市场份额近一半

2020-07-07 17:28 次阅读

1、全球半导体销售额下降,英特尔超越三星排名第一

Gartner数据显示,2007-2019年,全球半导体市场规模呈波动变化趋势。由于金融危机,2009年,半导体销售额跌至2284亿美元,后呈小幅上升趋势,2018年达到最大值4767亿美元。2019年全球半导体市场销售额共计4183亿美元,同比下滑12.25%,全球各大半导体厂商业绩均出现不同程度的下滑。尤其是行情显著恶化的存储芯片,销售额同比减少超过30%。

全球半导体销售额下降,美国半导体公司占据市场份额近一半

2019年全球半导体供应商中,英特尔排名第一,收入约658亿美元,其次是三星,收入522亿美元。SK海力士和美光半导体的收入分别为224亿美元和200亿美元,分别位居第三和第四。

Gartner称,由于服务器市场放缓,CPU供应持续受限,以及将蜂窝基带业务出售给苹果的影响,英特尔的半导体收入在2019年下降了0.7%。由于内存市场的低迷,三星跌至第二。

2019年全球半导体主要供应商收入占比统计情况

2、半导体主要应用于智能手机、电脑、消费电子等领域

数据显示,半导体绝大部分应用领域为消费者购买的产品,如通讯工具(智能手机)、平板电脑等。2019年全球半导体产业下游应用中,通讯设备占32.93%;消费电子(可穿戴/电视等)占13.27%。

2019年全球半导体产业下游应用领域分布情况

3、美国在全球半导体市场中居主要地位,市场份额近一半

美国半导体协会数据显示,2019年美国拥有全球近一半的半导体市场份额,占比为47%,排名第一,其他技术先进的国家半导体产业的全球市场占有率处于5%到19%之间。

2019年全球半导体产业市场份额区域分布情况

2019年,美国半导体公司在世界各大主要市场中均占有领先市场份额,在中国市场占比为48.8%;欧洲市场占比为50%;日本市场占比为39.8%。

2019年美国半导体公司在全球各大市场占比统计情况

综合来看,半导体产业是全球经济重要增长部门,2019年在持续的全球贸易动荡和产品价格周期性等因素的综合作用下,全球半导体销售大幅下降,同比下降12.25%。从半导体材料行业竞争格局看,全球半导体材料产业依然由美国厂商占据绝对主导。

责任编辑:gt

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

什么是逆变器?逆变器的工作原理和应用说明

现在的社会离不开各种各样的电源,让我们的生活丰富多彩,这些电子产品也离不开逆变器,那么什么是逆变器呢....
发表于 10-31 12:18 432次 阅读
什么是逆变器?逆变器的工作原理和应用说明

雷曼光电获第七届LED首创奖知识产权15强企业

10月23日,第七届LED首创奖颁奖典礼在中山古镇星光联盟隆重举行。 LED首创奖旨在表彰在中国LE....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 10-31 11:56 263次 阅读
雷曼光电获第七届LED首创奖知识产权15强企业

是什么让iPhone 12这么快就破发?

从一机难求到破发iPhone 12仅用了一周的时间,那么是什么让iPhone 12这么快就破发呢?其....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-31 11:12 269次 阅读
是什么让iPhone 12这么快就破发?

X-fab:世界最大的模拟混合信号集成电路代工企业

提起德国制造,大家首先会想到汽车。的确,德国汽车产业不光在欧洲占据主导地位,是欧洲第一汽车生产大国,....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-31 10:54 259次 阅读
X-fab:世界最大的模拟混合信号集成电路代工企业

半导体设备国产替代趋势明显?

浙江品利股权投资基金管理有限公司半导体产业投资经理陈启提及,一般来说,8英寸的Fab厂更愿意采用二手....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-31 10:21 224次 阅读
半导体设备国产替代趋势明显?

英特尔在创造推动世界进步的科技方面发挥着重要作用

英特尔和它的标识、兔子服和标志性的音乐bong(灯,等灯等灯),都是全世界家喻户晓的品牌元素。事实上....
的头像 火花 发表于 10-31 10:03 158次 阅读
英特尔在创造推动世界进步的科技方面发挥着重要作用

东方微电将持续深耕磁传感器件及融合算法模块领域

2020第六届中国硬件创新大赛全国总决赛将于11月15日9:00在深圳会展中心举办,大赛组委会为大家....
的头像 电子发烧友网 发表于 10-31 09:48 150次 阅读
东方微电将持续深耕磁传感器件及融合算法模块领域

理解清楚这5条准则,用哪款FPGA都不会太难

中国集成半导体人才存量46.1万人,人才缺口32万人,平均每年人才需求为10万人,但想入门半导体行业....
的头像 电子发烧友网 发表于 10-31 09:38 120次 阅读
理解清楚这5条准则,用哪款FPGA都不会太难

大型并购潮的再度来临对半导体产业发展有何影响?

今年下半年,半导体领域大型并购案频生。除英伟达宣布以400亿美元收购ARM,SK海力士90亿美元收购....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-31 09:26 331次 阅读
大型并购潮的再度来临对半导体产业发展有何影响?

半导体大数据分析的趋势和应用

会上,贾峻表示,“即使现在中美关系比较紧张的情况下面,大家在商业方面,特别是在高科技领域的合作意愿还....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-31 09:07 370次 阅读
半导体大数据分析的趋势和应用

英特尔卖掉闪存业务是明智的选择

观察者网大橘财经讯(文/吕栋 编辑/尹哲)二季度,英特尔以NAND闪存为主的存储业务,在疫情刺激的大....
的头像 科工力量 发表于 10-30 18:15 130次 阅读
英特尔卖掉闪存业务是明智的选择

英特尔宣布将收购人工智能初创公司SigOpt

英特尔今天宣布,将收购Andreessen Horowitz投资的人工智能初创公司SigOpt,交易....
的头像 电子魔法师 发表于 10-30 17:59 399次 阅读
英特尔宣布将收购人工智能初创公司SigOpt

开源开放通用赋能,英特尔助力2020 EdgeX中国挑战赛创新方案落地

2020年10月29日,上海备受业界瞩目的国际创客赛事2020 EdgeX中国挑战赛(EdgeX C....
的头像 工程师邓生 发表于 10-30 17:46 222次 阅读
开源开放通用赋能,英特尔助力2020 EdgeX中国挑战赛创新方案落地

芯片制造追赶国际封装集成技术,是我国半导体产业发展的必然路径

台湾半导体之父、台积电董事长张忠谋早在2014年就发表演说,认为这条被半导体产业界在50年历史中奉为....
发表于 10-30 17:37 150次 阅读
芯片制造追赶国际封装集成技术,是我国半导体产业发展的必然路径

三星显示面板转型后增速不减,苹果第三季度国内市场凸显颓势

三星在近日公布了2020年第三季度财报,销售额达到66.96万亿韩元(约755.1亿美元),同比增长....
的头像 E4Life 发表于 10-30 17:23 631次 阅读
三星显示面板转型后增速不减,苹果第三季度国内市场凸显颓势

京东方第三季度业绩报告实现营收1016.88亿元

特斯拉原材料供应商、半导体显示技术公司京东方科技集团股份有限公司(以下简称“京东方”)发布了2020....
的头像 电子魔法师 发表于 10-30 17:06 165次 阅读
京东方第三季度业绩报告实现营收1016.88亿元

英特尔欲收购AI领域的SigOpt,以增强竞争力

人工智能是未来数十年人类最重要的技术,因此,AI领域一直是巨头们重点布局的领域之一,最近英特尔也在A....
的头像 电子魔法师 发表于 10-30 16:52 279次 阅读
英特尔欲收购AI领域的SigOpt,以增强竞争力

疑似三星 Galaxy Z Fold 3 专利公布,附带 S pen

IT之家10月30日消息 据外媒 Letsgodigital 今日报道,一份疑似三星 Galaxy ....
的头像 工程师邓生 发表于 10-30 15:56 211次 阅读
疑似三星 Galaxy Z Fold 3 专利公布,附带 S pen

估值仅4亿元的和林科技能否成功闯关科创板IPO?

文|Lee 集微网消息,据上交所披露,和林科技将于11月4日接受上交所科创板上市委员会的审核。据招股....
的头像 半导体投资联盟 发表于 10-30 15:51 153次 阅读
估值仅4亿元的和林科技能否成功闯关科创板IPO?

半导体打工人分类

那些口口声声 打工太难的人 应该看着你们 就像我一样 成为一个半导体打工人满怀骄傲 我们在自嘲中躺平....
的头像 旺材芯片 发表于 10-30 15:50 115次 阅读
半导体打工人分类

300mm半导体硅片业务仍在产能爬坡阶段

当下,300mm半导体硅片业务仍在产能爬坡阶段,固定成本攀升,研发投入加码,公司短期盈利仍然承压。
的头像 电子魔法师 发表于 10-30 15:48 135次 阅读
300mm半导体硅片业务仍在产能爬坡阶段

三星和小米两者在印度智能手机市场的表现可谓迥异,谁是第一名?

随着三季度的过去,各市调机构纷纷发表三季度的报告,不过市调机构counterpoint和Canaly....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-30 15:47 372次 阅读
三星和小米两者在印度智能手机市场的表现可谓迥异,谁是第一名?

芯片或外包给台积电?Intel CEO:明年1月应有决定

英特尔CEO Bob Swan 22日在法说会上被问到芯片委外生产何时能做成决定,以及会是全部外包或....
的头像 旺材芯片 发表于 10-30 15:46 283次 阅读
芯片或外包给台积电?Intel CEO:明年1月应有决定

美国商务部对中国的半导体出口管制现状

在10月20日由日本SEMI举办的SEMI成员网上研讨会上,作为半导体制造设备材料国际行业组织SEM....
的头像 旺材芯片 发表于 10-30 15:42 221次 阅读
美国商务部对中国的半导体出口管制现状

山东硅片实现量产

据齐鲁网闪电新闻近日报道,山东头号重点项目集成电路用大尺寸硅材料规模化生产项目一期工程,经过18个月....
的头像 旺材芯片 发表于 10-30 15:36 107次 阅读
山东硅片实现量产

北京大学集成电路制造工艺课件

责任编辑:xj 原文标题:PPT | 集成电路制造工艺课件 文章出处:【微信公众号:旺材芯片】欢迎添....
的头像 旺材芯片 发表于 10-30 15:30 134次 阅读
北京大学集成电路制造工艺课件

光刻设备厂商芯碁微装科创板IPO过会

文|James 集微网消息,10月27日,据上交所发布科创板上市委2020年第93次审议会议结果显示....
的头像 半导体投资联盟 发表于 10-30 15:25 117次 阅读
光刻设备厂商芯碁微装科创板IPO过会

华海清科打破国外CMP设备垄断

文|James 集微网消息,近年来随着5G、物联网、云计算、大数据、新能源、医疗电子等新兴应用领域的....
的头像 半导体投资联盟 发表于 10-30 15:22 115次 阅读
华海清科打破国外CMP设备垄断

OFweek 2020物联网与人工智能大会暨展览会在深圳隆重举行

2020年10月28日,由高科技行业门户OFweek维科网主办,OFweek物联网、OFweek人工....
的头像 电子观察说 发表于 10-30 15:22 219次 阅读
OFweek 2020物联网与人工智能大会暨展览会在深圳隆重举行

半导体设备商迪思科预计4~12月期的合并净利润为231亿日元

日本半导体制造设备厂商迪思科(DISCO Corporation)10月22日发布业绩预期称,预计2....
的头像 旺材芯片 发表于 10-30 15:21 93次 阅读
半导体设备商迪思科预计4~12月期的合并净利润为231亿日元

TV面板价格大幅度上涨 三星决定延期3个月LCD生产

文|Arden 集微网消息 自今年5月份以来,整机电视市场回暖,大尺寸TV面板价格持续提升,据集微网....
的头像 半导体投资联盟 发表于 10-30 15:18 278次 阅读
TV面板价格大幅度上涨 三星决定延期3个月LCD生产

三星获得许可,可以再次向华为提供组件

美国政府对华为实施制裁后,三星不得不停止向这家中国公司供应存储芯片和OLED面板。这当然会给两家公司....
的头像 电子魔法师 发表于 10-30 15:16 161次 阅读
三星获得许可,可以再次向华为提供组件

中国集成电路企业第三季度增1.9万家

根据数据库查询平台Tianyancha.com的数据,随着中国集成电路行业加速增长,该行业在2020....
的头像 旺材芯片 发表于 10-30 15:10 95次 阅读
中国集成电路企业第三季度增1.9万家

AMD官宣收购赛灵思,对国内半导体行业有什么影响

10月27日晚间,芯片公司AMD在官网宣布已达成最终协议,同意以350亿美元(约合2350亿元)的全....
的头像 旺材芯片 发表于 10-30 15:06 192次 阅读
AMD官宣收购赛灵思,对国内半导体行业有什么影响

华为在芯片制造领域面临哪些困难?

不过,此前的投资主要是在半导体芯片上,而如今则更加重视在半导体设备上。上个月华为所举办的全连接大会上....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-30 15:02 258次 阅读
华为在芯片制造领域面临哪些困难?

立足8英寸设备是中国半导体未来破局之路

集微网消息,行业周知,半导体设备是半导体产业链的支撑,半导体装备水平则决定了产品工艺的先进性。半导体....
的头像 半导体投资联盟 发表于 10-30 15:01 163次 阅读
立足8英寸设备是中国半导体未来破局之路

华瑞微第三代半导体10亿项目落户安徽滁州

10月28日消息,华瑞微第三代化合物半导体生产线项目近日顺利落户安徽省滁州市南谯经济开发区,该项目是....
的头像 中国半导体论坛 发表于 10-30 14:43 183次 阅读
华瑞微第三代半导体10亿项目落户安徽滁州

联电可能100亿新台币收购东芝8英寸晶圆厂

10月28日消息,据台湾经济日报报道,联电因8寸晶圆代工需求强劲并扩大营运规模,可能以100亿元新台....
的头像 中国半导体论坛 发表于 10-30 14:37 209次 阅读
联电可能100亿新台币收购东芝8英寸晶圆厂

国内厂商在汽车芯片领域正加紧布局

上半年的疫情对汽车芯片产业的打击尤为严重,全球的汽车芯片供应商营收惨淡。但随着疫情的缓和,无论是NX....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-30 14:34 159次 阅读
国内厂商在汽车芯片领域正加紧布局

A14 Bionic芯片能否为苹果Mac的SoC提供想法?

苹果公司的A14 Bionic SoC由118亿个晶体管组成,采用台积电(TSMC)的N5(5nm)....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-30 14:32 236次 阅读
A14 Bionic芯片能否为苹果Mac的SoC提供想法?

三星可供应华为部分显示器产品

10月27日,路透社援引知情人士透露报道,三星已获许可,可供应华为! 据悉,获得许可的是三星电子旗下....
的头像 中国半导体论坛 发表于 10-30 14:32 207次 阅读
三星可供应华为部分显示器产品

上海集成电路综合性产业基地启动仪式举行

10月27日,中国(上海)自由贸易试验区临港新片区东方芯港集成电路综合性产业基地启动仪式在临港办公中....
的头像 中国半导体论坛 发表于 10-30 14:30 144次 阅读
上海集成电路综合性产业基地启动仪式举行

半导体大硅片是否会出现产能过剩?

对于芯片项目烂尾的现象,国家发改委新闻发言人孟玮10月20日在新闻发布会回应称,对造成重大损失或引发....
的头像 中国半导体论坛 发表于 10-30 14:27 142次 阅读
半导体大硅片是否会出现产能过剩?

三星的血雨腥风又要开始了

当地时间25日,韩国三星集团会长李健熙今天在首尔去世,享年78岁。三星方面发表声明称,李健熙卓有远见....
的头像 中国半导体论坛 发表于 10-30 14:22 294次 阅读
三星的血雨腥风又要开始了

关于英特尔的Xe GPU你了解多少?

早在2018年,英特尔就宣布,计划在2020年推出一款新的独立GPU。这一消息令人惊讶,因为英特尔似....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-30 14:19 179次 阅读
关于英特尔的Xe GPU你了解多少?

SiC IGBT的发展现状及未来趋势分析

SiC IGBT的发展至少也有30年了,大众视野中很少会提及到SiC IGBT产品,并不是没有,只是....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-30 14:13 183次 阅读
SiC IGBT的发展现状及未来趋势分析

第十一代智能英特尔酷睿S系列架构,为实现绝佳游戏体验而优化

今年早些时候,英特尔发布了第十代智能英特尔® 酷睿™ S 系列处理器,包括旗舰级英特尔酷睿 i9-1....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-30 14:08 291次 阅读
第十一代智能英特尔酷睿S系列架构,为实现绝佳游戏体验而优化

Marvell收购Inphi,对其业务发展有什么影响?

Marvell进一步指出,当前的额机器学习和其他数据驱动的工作负载已经扩展到服务器之外,覆盖至整个云....
的头像 我快闭嘴 发表于 10-30 14:06 279次 阅读
Marvell收购Inphi,对其业务发展有什么影响?

友恩半导体持续开发高功率、低功耗、高集成度等产品

友恩芯片基于高低压集成技术平台进行技术升级,未来三年将持续开发高功率、低功耗、高集成度等产品,公司在研项目正稳步推进:公...
发表于 10-30 09:39 0次 阅读
友恩半导体持续开发高功率、低功耗、高集成度等产品

求问:芯片设计厂商一般营收情况怎么样?怎样找到客户的呢?

各位大佬好! 行研新人求问:半导体行业协会说中国现在有1700多家设计厂商了,像海思这种老大就不说了,中小芯片设计厂商一般的...
发表于 09-30 17:25 202次 阅读
求问:芯片设计厂商一般营收情况怎么样?怎样找到客户的呢?

半导体器件物理

半导体器件物理(胡正明)
发表于 09-22 19:57 101次 阅读
半导体器件物理

智芯半导体推出 磁吸轨道灯 调光调色双色温 DALI智能调光 HI7001

Hi7001 是一款外围电路简单的多功能平均电流型LED 恒流驱动器,适用于 5-100V 电压范围的降压BUCK 大功率调光恒流 LE...
发表于 09-11 14:23 707次 阅读
智芯半导体推出 磁吸轨道灯 调光调色双色温  DALI智能调光 HI7001

TVS二极管与TSS固态放电管的区别分析

                          通常...
发表于 09-08 14:24 263次 阅读
TVS二极管与TSS固态放电管的区别分析

5G工程师必备半导体测试指南!

[摘要]我们​知道​测试​宽​带​5G IC​非常​有​挑战​性,​因而​撰写​了​《5G​半导体​测试​工程​师​指南》​来...
发表于 09-01 15:41 668次 阅读
5G工程师必备半导体测试指南!

如何用半导体制冷片制作小冰箱?

想用半导体制冷片制作小冰箱,需要用到大功率电源,半导体制冷片,还有散热系统,单片机控制系统,能调温度,还能显示温度,具体...
发表于 08-27 08:07 101次 阅读
如何用半导体制冷片制作小冰箱?

在移动领域,ARM在哪些方面领先英特尔

现在移动领域绝大多数用的 ARM 提供的芯片授权,就连 iPhone 先是直接从三星(三星的也经过 ARM 授权)那里买,后来直接用...
发表于 07-17 06:32 304次 阅读
在移动领域,ARM在哪些方面领先英特尔

一款通用的半导体参数测量工具软件分享

  FastLab是一款通用半导体参数测量工具软件,主要用于在半导体实验室中协同探针台与测量仪器进行自动化的片上半导体器件的I...
发表于 07-01 09:59 501次 阅读
一款通用的半导体参数测量工具软件分享

PDK 验证软件PQLab的优势和技术指标

  PQLab是供半导体代工厂和设计公司自动验证PDK (Process Design Kit)/FDK (Process Design Kit)的工具软件...
发表于 07-01 09:54 419次 阅读
PDK 验证软件PQLab的优势和技术指标

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 1369次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 301次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 258次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 333次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 588次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 243次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 407次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 635次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 1494次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 483次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 177次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 329次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 324次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 364次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 501次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 546次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 569次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 301次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 295次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 334次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器