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分析本土车规级IGBT产业的发展现状、行业格局及未来趋势

2020-06-24 16:13 次阅读

新能源汽车的成本构成中,除了动力电池外,电控系统以 15~20%的成本占比位列第二。在电控系统成本中,IGBT 成本占比高达 40%,是电控系统中最重要的构成器件,主要作用是进行交流电和直流电的转换、电压高低的转换。

功能上,IGBT 主要应用于电池管理系统、电动控制系统、空调控制系统和充电系统。对于混合动力汽车,与低压系统相独立的高压系统也需要用到 IGBT。在新能源汽车领域,IGBT 作为电控系统和直流充电桩的核心器件,直接影响电动车功率的释放速度、汽车加速能力和最高时速等,重要性不言而喻。

由于 IGBT 具有更好的耐高压特性,当前在 650V 以上应用场景被广泛使用。相比硅基 MOSFET,IGBT 优点是导通压降小,耐高压,传输功率可以达到 5000W。IGBT 下游应用主要依据工作电压高低划分,车规级 IGBT 电压多位于 650~1200V 区间场景。

对本土车规级 IGBT 的发展现状、行业格局与未来趋势进行分析,在现状中认清差距,在趋势中窥见转机。

本土产业现状

近两年,随着新能源汽车的快速发展,IGBT 也迎来了爆发。据2019 中国 IGBT 产业发展及市场报告》显示,2018 年中国 IGBT 市场规模约为 153 亿元,同比增长 19.91%。受益于新能源汽车和工业领域的需求大幅增加,中国 IGBT 市场规模将持续增长,到 2025 年,中国 IGBT 市场规模将达到 522 亿元,年复合增长率近 20%。

我国是车规级 IGBT 的主要市场之一,约占全球市场份额超过 30%,但中高端 IGBT 主流器件市场基本被欧美、日本企业垄断,比如英飞凌、富士电机、三菱等外资企业,我国 IGBT 产品对外依赖度近 95%,呈现寡头垄断的竞争格局。

国内研发车规级 IGBT 的企业较少,或与其研发、生产的高难度有关。

比亚迪的孤单

在比亚迪入局 IGBT 之前,国内自主研发的 IGBT 几乎一片空白,基本被外资企业垄断。

比亚迪微电子公司(比亚迪半导体公司前身)成立于 2004 年,初期主要承担着比亚迪集团集成电路及功率器件的开发、整合、晶圆等生产任务,主要经营功率半导体器件、IGBT 功率模块、CMOS 图像传感器电源管理 IC、传感及控制 IC 等产品。其中,IGBT 是比亚迪半导体的拳头产品。

分析本土车规级IGBT产业的发展现状、行业格局及未来趋势

从 F3DM 采用的 IGBT 1.0 芯片,大规模配置于 e6、K9 等新能源车型上的 IGBT 2.5 芯片模块,到去年推出的 IGBT 4.0 芯片,比亚迪的 IGBT 芯片已经研发了超过十年,成为国内首个贯通新能源汽车 IGBT 芯片设计、晶圆制造、模块封装、仿真测试以及整车测试等全产业链企业。

近日,比亚迪 IGBT 项目在长沙正式动工。据悉,该项目总投资 10 亿元,将建成年产 25 万片 8 英寸新能源汽车电子芯片生产线,投产后可满足年装车 50 万辆新能源汽车的产能需求,预计年度营业收入可达 8 亿元,实现利润约 4000 万元。

比亚迪电控、IGBT 模块等零部件背靠集团新能源汽车的发展,成为市场中亮眼的存在。比亚迪已经成为国内新能源汽车市场中装机量最多的电控供应商,IGBT 部分也成为国内新能源汽车电控用功率模块装机量数一数二的供应商。

有数据显示,2019 年,英飞凌为国内电动乘用车市场供应 62.8 万套 IGBT 模块,市占率达到 58%。而比亚迪供应了 19.4 万套,市占率达到 18%(按最新数据估算,其在中国车规市场的份额已达 22.1%)。可以说,比亚迪缓解了我国车规级 IGBT 芯片市场一直被外企“卡脖子”的局面。

2019 年,比亚迪 IGBT 自供比率约 70%,尽管比亚迪打破了国际巨头的垄断,但其对外供应量仅 4 万多套,可以看出比亚迪还是相当保守的。因此,4 月 14 日比亚迪宣布通过整合公司半导体业务、成立了独立的“比亚迪半导体有限公司”,扩大 IGBT 业务量,下一步的规划是让 IGBT 的外供比例争取超过 50%。

小结:目前比亚迪在国内新能源汽车用 IGBT 市场的份额只有 20%左右,市场绝大部分仍掌握在英飞凌、三菱等外资企业手里,比亚迪占据的市场份额并不算高。放眼全球 IGBT 市场,比亚迪所占据的市场份额更是不足 2%,差距巨大。

比亚迪的孤单,不仅体现在 IGBT 技术实力和市场份额上的种种差距,更在于关键零部件领域自主品牌弱势的行业积淀和产业生态现状。

由此来看,比亚迪和国内 IGBT 企业们的追赶之路并不好走。但纵使路漫漫其修远兮,还望上下而求索

斯达半导体

国际巨头压力之外,比亚迪还面临着来自本土竞争对手——斯达半导体带来的挑战。

根据 IHS Markit 2018 年报告,斯达半导体是国内唯一进入全球前十的 IGBT 模块厂商。相较于比亚迪半导体的 IGBT 技术从 1.0 迭代到 4.0(相当于国际第五代),斯达半导的 IGBT 技术已经发展到了第六代,基于第六代 Trench Field Stop 技术的 IGBT 芯片及配套的快恢复二极管芯片已在新能源汽车行业实现应用。

根据今年公司上市时披露的数据来看,斯达半导体 2019 年生产的车规级 IGBT 模块已经配套了超过 20 家终端汽车品牌,合计配套超过 16 万辆新能源汽车,此外适用于燃油车的 BSG 功率组件顺利通过了主流汽车厂商的认证,打开了传统汽车市场。其中,斯达半导的子公司 StarPower Europe AG 使用自主芯片的 IGBT 模块在欧洲市场已被包括新能源汽车行业在内的客户接受并批量采购,步伐迈入全球化。

小结:斯达半导体与比亚迪相比:比亚迪 IGBT 业务有着自身新能源汽车产业做背书,使其产品研发和应用落地获益,此为优势;

然而,“水能载舟,亦能覆舟”,或许也正是由于比亚迪本身有整车业务,进而难以让其他车企真正放下心中的芥蒂,使用比亚迪的 IGBT 产品。此为劣势。

相信斯达半导体的崛起对于比亚迪和本土 IGBT 产业来讲不是坏事。毕竟,“一枝独秀不是春,百花齐放春满园”。

国内其它企业

此外,国内还有中车、士兰微、扬杰科技、宏微科技等企业在进行车规级 IGBT 的研发和生产。随着国家的高度重视和大力扶持,国内在 IGBT 研发方面确实已经取得了长足的进步,本土 IGBT 产业链已经初步形成。

但基于国内产业现状,再加上 IGBT 本身设计门槛高、制造技术难、投资大,国内相关人才又较为缺乏,在设计、测试以及封装等核心技术方面还积累不够,导致国内半导体企业在 IGBT 市场一直处于弱势地位。

整体来看,国内功率半导体分立器件产业的产品结构仍以中低端为主,在高端产品方面目前国际厂商仍占据着绝对优势地位,供需一直存在较大缺口,技术差距短期内或较难追平。

IGBT 市场格局:外企垄断之下,本土产业痛点何在?

自 1985 年前后美国 GE 成功试制工业样品以来,IGBT 经过 30 多年的发展,如今已发展到第 7 代技术。第 7 代由三菱电机在 2012 年推出,富士电机则从 2015 年就开始对外提供 IGBT 模块第七代产品的样品。而比亚迪 2018 年 12 月才发布 IGBT 4.0 技术(也就是国际上第五代技术),其中的差距不言而喻。

根据 IHS 统计,2018 年仅英飞凌、三菱、富士电机、安森美、ABB 五大厂商在 IGBT 领域占据的市场份额接近 70%,其中排在第一位的英飞凌市场份额高达 34.5%。目前国内 IGBT 产品的研发与国际大厂相比还存在很大差距,核心技术均掌握在外资企业手中,IGBT 技术集成度高的特点又导致了较高的市场集中度。

国内 IGBT 技术(芯片设计、晶圆制造、模块封装)目前尚处于起步阶段。本土企业在研发与制造工艺上与世界先进水平差距较大。而且,IGBT 是关键设备上的核心部件,供应切换具有非常高的风险,这也制约了我国 IGBT 技术的发展和产品的应用。

形成上述局面的原因可以概括为以下几个方面。

国际厂商起步早,形成了较高的行业壁垒

国内 IGBT 产业化起步较晚且基础薄弱,例如比亚迪、斯达半导体 2005 年才开始成立 IGBT 团队,而英飞凌 1999 年就从西门子拆分出来,且之前就已经有了很深的技术积累,技术差距短期内很难追平。

再加上 IGBT 本身设计门槛高、制造技术难、投资大、国内相关人才较为缺乏,在设计、制造、测试以及封装等核心技术方面还积累不够,导致国内半导体企业在 IGBT 市场一直处于弱势地位。

IGBT 技术与工艺差距

目前国内 IGBT 行业虽然逐渐具备了一定的产业链协同能力,但国内 IGBT 技术在芯片设计、晶圆制造、模块封装等环节目前均处于起步阶段。

晶圆制造方面,国内 IGBT 主要受制于晶圆生产的瓶颈,首先是没有专业的代工厂进行 IGBT 的代工,原 8 寸沟槽 IGBT 产品主要在华虹代工,但是 IGBT 并非华虹主营业务,产品配额极其匮乏,且价格偏高;

其次,与国外厂商相比,国内公司在大尺寸晶圆生产上工艺仍落后于全球龙头。晶圆越大,单片晶圆产出的芯片就越多,在制造加工流程相同的条件下,单位芯片的制造成本会更低。目前,IGBT 产品最具竞争力的生产线是 8 英寸和 12 英寸,国内晶圆生产企业此前大部分还停留在 6 英寸产品的阶段。仅有比亚迪、中车、士兰微等几家国内企业实现 8 英寸产品量产。

同时,由于国内集成电路公司没有独立的功率器件生产线,只能利用现有的集成电路生产工艺完成芯片加工,所以设计生产的基本是一些低压芯片。与普通 IC 芯片相比,大功率器件有许多特有的技术难题,如芯片的减薄工艺,背面工艺等。

可以看出,IGBT 是一个对产线工艺依赖性极强的公司,解决这些难题不仅需要成熟的工艺技术,更需要先进的工艺设备,这意味着设计公司不能跳出代工厂的支持独立存在。所以,IGBT 企业走向大而强的最好的路线就是 IDM 模式。这些都是我国功率半导体产业发展过程中急需解决的问题。

IGBT 封装相对落后

在模块封装技术方面,车用 IGBT 的散热效率要求比工业级要高得多,逆变器内温度最高可达 20℃,同时还要考虑强振动条件。国内目前仅掌握了传统的焊接式封装技术,与国外公司相比,技术上的差距依然存在。国外公司基于传统封装技术相继研发出多种先进封装技术,能够大幅提高模块的功率密度、散热性能与长期可靠性,并初步实现了商业应用。

自第六代技术以后,各大厂商开始将精力转移到 IGBT 封装上。在 IGBT 封装材料方面,日本在全球遥遥领先,德国和美国处于跟随态势,我国的材料科学则相对落后。

IGBT 工艺生产设备短板

IGBT 产业每道制作工艺都有专用设备配套,国内 IGBT 工艺设备购买、配套较为困难。比如德国的真空焊接机、薄片加工设备、表面喷砂设备、自动化测试设备等,其中有的国内没有,或技术水平达不到。

因此就会面临好的进口设备价格十分昂贵,便宜设备又不适用的问题。此外,还面临国外设备由于出口限制或技术保密等因素未必会卖给中国的困境。

可见,要成功设计、制造 IGBT 必须要有产品设计、芯片制造、封装测试、可靠性试验、系统应用等成套技术的研究、开发及产品制造于一体的自动化、专业化和规模化的产业生态。

行业人才短缺

高端工艺开发人员非常缺乏,现有研发人员的设计水平有待提高。目前国内没有系统掌握 IGBT 制造工艺的人才。从国外先进功率器件公司引进是捷径。但单单引进一个人很难掌握 IGBT 制造的全流程,而要引进一个团队难度太大。国外 IGBT 制造中许多技术是有专利保护。目前如果要从国外购买 IGBT 设计和制造技术,还牵涉到好多专利方面的东西。

市场推广受阻

由于 IGBT 产品的寿命、稳定性直接影响电动车安全性,其性能也直接决定了续航里程等电动车性能,因此全球电动车 IGBT 市场此前一直被英飞凌等海外巨头垄断。

车企切换至国内供应商,需要对其产品稳定性、性价比、量产经验与装车量、公司整体研发与资金实力等进行综合评估。因此 IGBT 在国产替代过程中面临的较大市场难度。

小结:不难看到,从市场占比、产业链协同,到专利壁垒、人才技术,再到市场及下游客户的认可度,本土 IGBT 产业存在着全方位差距。

尽管近年来国内众多厂商纷纷开始加入 IGBT 产品布局,市场规模呈加速增长趋势。但国内 IGBT 市场产量依然较低,市场份额被国外巨头瓜分蚕食。

面对当前产业现状与困局,本土 IGBT 产业亟待突破。

如何突破?

发展晶圆代工厂与制程工艺

弘大芯源董事长章威纵表示,“从过去 50 年硅基半导体发展之初,到目前国外第三代半导体发展领先的实际情况不难看出,没有先进的晶圆代工厂和制程工艺技术,技术就很难生根。这也是中国硅基及 IGBT 严重依赖进口,落后国外的一大原因。”

去年,中芯国际以 1.13 亿美元的对价,将所持有的 LFoundry 70%股权转让给专注于 IGBT、FRD 等新型电力电子芯片的研发企业——江苏中科君芯。可见,国内 IGBT 企业在工艺制程方面逐渐在发力追赶。

国内企业制造成本优势逐渐显现

IGBT 产品当前最具竞争力的生产线是 8 英寸和 12 英寸,最为领先的厂商是英飞凌,已经在 12 英寸生产线量产 IGBT 产品。国内公司大尺寸晶圆工艺和良率均落后于行业龙头,导致芯片分摊成本较高。

目前,伴随国内企业 8 寸晶圆产线先后投产,良率逐步提升,国产 IGBT 有望较此前采购英飞凌等巨头晶圆价格大幅下降。

新能源汽车市场是重要发力点

工信部印发的《汽车产业中长期发展规划》提出,到 2020 年我国新能源汽车产量达到 200 万辆,2025 年达到 700 万辆。IGBT 模块占电动汽车成本将近 10%,占充电桩成本约 20%。

集邦咨询预测,到 2025 年,中国新能源汽车所用 IGBT 市场规模将达到 210 亿人民币,充电桩所用 IGBT 的市场规模将达到 100 亿人民币。可以预见,新能源汽车市场将成为助推 IGBT 市场增长的主要力量,国内 IGBT 厂商要抓住这一发展契机,争取扩大市场份额。

小结:在新的市场需求与本土产业链协同发展的趋势下,国内 IGBT 行业逐渐在缩小差距。

对于本土企业应该如何发力追赶,新能源及未来汽车技术路线独立研究者曹广平向笔者指出,“本土 IGBT 产业应汇集优质人才、企业、科研机构、资金等,向华为一样发力。这样的发力,一定不要限于报项目、批项目、验项目,而是要紧紧抓住权利的配套监管,不放松,不腐败,不乱来。”

也许吧。产、学、研共同发力是产业发展和进步的基础,良好的制度和行业规则是产业进一步追赶的保障。

写在最后

总体来看,我国在 IGBT 领域已经解决了从 0 到 1 的问题,未来需要经历的是从 1 到 N 的漫长过程。

新基建及战略新兴行业鼓励政策等机遇,看似是助力行业前进的大风口,大机遇。但实际上,也正如曹广平所言,“我们最缺乏的是不去迎合机遇,而是政府、行业、企业等能够踏踏实实长期真正做事情的耐心和决心。”

毕竟,政策只是一时的,机遇和风口总会过去。剩下的,只有日复一日的耐心与“不破楼兰终不还”的决心,才能有不被受制于人的可能与下一次面对挑战时再来一次的勇气。
       责任编辑:tzh

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发表于 08-10 10:04 295次 阅读
多方力量集结成军,中国新能源汽车能否抓住机遇占得一席之地

解决电动车充能“痛点”,换电模式迎来发展风口

如今“换电模式”在新能源汽车领域成为一个热词。换电,即为电动汽车更换动力电池,与充电模式相比,换电模....
发表于 08-10 10:04 86次 阅读
解决电动车充能“痛点”,换电模式迎来发展风口

智能化市场需求或将FPGA技术推向主流

SDR 在手机上的成功应用,也意味着一个无线新时代的到来。SDR 正在逐步应用到更多的产品和领域,芯....
的头像 我快闭嘴 发表于 08-10 10:03 100次 阅读
智能化市场需求或将FPGA技术推向主流

财政部:将新能源汽车补贴政策延长至2022年底

日前,我们从中华人民共和国财政部官网处了解到,其发布了《2020年上半年中国财政政策执行情况报告》,....
发表于 08-10 09:57 161次 阅读
财政部:将新能源汽车补贴政策延长至2022年底

欧洲各国最新数据:新能源汽车销量增长,整体汽车市场萧条

近日,据欧洲各国公布的数据,德、法、英等8个主要的欧洲国家7月的新能源汽车的销量已超9.95万台,同....
发表于 08-10 09:54 116次 阅读
欧洲各国最新数据:新能源汽车销量增长,整体汽车市场萧条

96boards是主芯片名称还是什么?

96boards是主芯片名称,还是啥
发表于 08-05 08:02 0次 阅读
96boards是主芯片名称还是什么?

有MIP382电源管理模块的引脚说明和替代芯片型号吗?

有MIP382电源管理模块的引脚说明和替代芯片型号吗? 松下的产品 ...
发表于 08-03 23:58 46次 阅读
有MIP382电源管理模块的引脚说明和替代芯片型号吗?

二手NXP LPC2478FBD芯片可烧录但无法正常工作?

因为这个芯片停产,目前回收了少量二手芯片做测试,使用希尔特5000编程器烧录程序进去以后,焊接到产品上,产品无法正常工作。使...
发表于 07-30 20:05 101次 阅读
二手NXP LPC2478FBD芯片可烧录但无法正常工作?

LMC6001可以用哪个芯片代替

请问LMC6001可以用哪个芯片代替呢? 感谢您的回复! ...
发表于 07-30 16:10 278次 阅读
LMC6001可以用哪个芯片代替

xc1004四轴SPI运动控制芯片资料

xc1004四轴SPI运动控制芯片,LQFP48封装。 SPI通讯,仅需使用10条指令便可完成复杂工作。 单模块四轴输出,多个模块...
发表于 07-28 12:21 325次 阅读
xc1004四轴SPI运动控制芯片资料

请问这是什么芯片?小米对讲机上的

请问这是什么芯片?
发表于 07-27 21:01 199次 阅读
请问这是什么芯片?小米对讲机上的

超低功耗AI国芯GX8002介绍

概述: GX8002采用了MCU+NPU的架构,集成国芯第二代自研神经网络处理器gxNPU V200和平头哥CK804处理器。 芯片...
发表于 07-25 10:34 101次 阅读
超低功耗AI国芯GX8002介绍

m430f149芯片下不了程序

手上有一块装载m430f149芯片的板子,使用JTAG接口可上传程序也可清除程序就是无法下载,一下载就显示验证失败,求解...........
发表于 07-22 22:47 202次 阅读
m430f149芯片下不了程序

芯片lm5106上电后HO有2.7v电压导致mosfet导通

设计了一款用lm5106芯片恒功率充电电路,但板子上电后LM5106的HO引脚就直接有2.7V左右的电压。导致电路后面的高侧MOSFE...
发表于 07-22 17:29 358次 阅读
芯片lm5106上电后HO有2.7v电压导致mosfet导通

电源管理芯片系列:设计教程与IC资料全集

电源管理芯片设计教程 介绍了稳压电源及DC-DC变换器的发展趋势和基本原理;根据功能要求和性能指标,在简明电路总体设计的基...
发表于 07-22 15:19 792次 阅读
电源管理芯片系列:设计教程与IC资料全集

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 34次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 96次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 183次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 81次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 58次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 85次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 95次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 99次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 100次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 72次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 81次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 134次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 151次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 110次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 74次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 76次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 227次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 90次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 195次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 393次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5