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一种在半导体基板上形成微细结构的激光加工装置和加工方法

MEMS 2020-06-24 11:18 次阅读

摘要:研发了一种在半导体基板上形成微细结构的激光加工装置和加工方法;该方法用复数束激光,可以从半导体基板的两个主面方向分别或者同时进行微细结构的加工;通过这种激光直接加工的方法,提高了微细加工的生产效率。

在半导体器件,特别是微机电系统(MEMS:Micro-Electro-Mechanical Systems)器件的制造过程中,常常需要通过微细加工形成各种沟道、孔穴、穿孔等微细结构。这些微细结构,是在半导体基板上,或者是在半导体基板上形成的薄膜上加工而成。微细结构的加工方式,目前主要有利用光刻加刻蚀方式和利用激光直接加工的方式。相对于光刻加刻蚀方式,激光直接加工方式显得更有优势。首先,激光直接加工方式的装置简单,造价和运营成本都很低,不像光刻加刻蚀方式,需要光罩制备装置、涂胶和显影装置、曝光装置、刻蚀装置和去胶装置等成套的装置。另外,激光直接加工方式的加工产物是半导体基板或半导体基板上形成的薄膜的原材料,对环境影响会很低。而光刻加刻蚀方式需要利用到对环境有负担的气体或液体,加工产物也往往是对环境有负担的化合物。再者,激光直接加工方式可加工的图形相对灵活、自由度高。但是,相对于光刻加刻蚀方式,传统的激光直接加工方式也存在着一定的劣势,如大面积加工时,生产效率不够高。为此,我们研发了一种在半导体基板上形成微细结构的激光加工装置和加工方法,提高了微细加工的生产效率。

1 加工装置的结构和特点

在半导体基板上形成微细结构的激光加工装置,主要包括:激光器、载物台、光学系统、图形生成系统、控制系统,基本结构如图1所示。

图1 微细结构加工装置

1.1 激光器

这里的激光器,它有复数束激光的发光光源,根据被加工对象(半导体基板)的要求,可以选择不同的波长、强度、波形。这样,可以用复数束激光对导体基板同时进行微细结构的加工。

1.2 半导体基板

半导体基板可以是半导体制造领域中常用的晶圆,例如硅晶圆、绝缘体上的硅(SOI:Silicon On Insulator)晶圆、锗硅晶圆、锗晶圆、氮化镓晶圆、SiC晶圆等,也可以是石英、蓝宝石等绝缘性晶圆,以及半导体制造领域中常用的在晶圆的表面上进一步具有半导体器件、或者是MEMS器件所需的各种薄膜以及各种构造。

1.3 载物台

载物台是承载和固定被加工的半导体基板的工具。半导体基板可以通过真空吸附方式固定在载物台上,或者直接机械固定在载物台上,可以在水平、垂直方向移动和水平方向旋转。这样,即使在激光光束位置固定的情况下,也可以在半导体基板上进行复杂的三维微细结构加工。

1.4 光学系统

光学系统是将激光器发出的激光导引到半导体基板的系统,包括激光光束的成形部件以及导引部件。当光学系统包括可以扫描的反射镜时,激光可以独立于半导体基板进行移动,使微细加工的自由度提高。

1.5 图形生成系统

图形生成系统,是用来形成所要加工得到的微细结构图形的电子信息系统。图形生成系统一般包括电脑和绘图软件。加工图形的电子信息含有微细结构的尺寸、布局等信息。

1.6 控制系统

控制系统,是指根据加工图形来控制激光器、载物台、以及光学系统的系统,主要包括电脑和控制软件。控制系统主要控制激光器的开和关、强度、波形等,载物台的移动距离、速度、在水平方向旋转的角度和旋转速度,以及光学系统进行激光光束断面结构的调整、激光的扫描、激光聚焦点的变化。

2 几种加工方法的设计

2.1 复数束加工方法

复数束激光在半导体基板上进行微细结构的加工方法,我们通过图1和图2复数束微细加工载物台进行说明。这种加工方法中提到的激光加工装置,具有图1所描述的基本构造及基本功能,在此不再赘述。

如图2所示,载物台中间是贯通的开孔,有一条垂直方向的中心轴,半导体基板被固定在载物台上面,两个需要被加工的主面M和N都呈裸露状态。激光加工装置可以对M和N两个主面进行微细结构的加工。

图2 复数束微细加工载物台

当激光加工装置带有图形对准系统时,在需要对半导体基板的两个主面分别、或同时进行微细结构的加工时,可以对两个主面进行图形对准。当激光加工装置带有废屑清除系统时,可以清除激光加工过程中产生的废屑。

如上所述,复数束加工方法是一种在半导体基板上形成微细结构的激光加工装置,能够用复数束激光在半导体基板上分别、或同时进行微细结构的加工。通过以上方法,可以提高激光直接加工方式的生产效率。

2.2 多束同面加工方法

在半导体基板上形成微细结构的多束同面激光加工装置以及加工方法,我们通过图1和图3多束同面微细加工载物台进行说明。这种加工方法中提到的激光加工装置,具有图1所描述的基本构造以及基本功能,在此不再赘述。

如图3所示,多束同面激光加工方法的特点在于:激光加工装置使用复数束的激光。为简便起见,图3中只显示了A和B两束激光对半导体基板的一个主面M分别、或同时进行微细结构1的加工。不同结构布局的位置对准,可以用在微细结构1加工之前形成的对准标志2来进行。复数束的激光A和B的加工图形既可以相同、也可以不同。显然,这样的加工方式,可以使微细结构1中的各个单一图形的深度、宽度等几何特征分别相同或不同。这样的高自由度的加工方式,是传统光刻加刻蚀方式无法实现的。

图3 多束同面微细加工载物台

如上所述,这种加工方法能够用复数束激光在半导体基板的同一主面上分别、或同时进行微细结构的加工,可以提高激光直接加工方式的生产效率和加工自由度。

2.3 多束双面加工方法

另一种在半导体基板上形成微细结构的激光加工装置以及加工方法,可以通过图1和图4多束双面微细加工载物台进行说明。这种加工方法中提到的激光加工装置具有图1所述的基本构造以及基本功能,在此不再赘述。

如图4所示,多束双面加工方法的特点在于激光加工装置可以用复数束的激光(为简便起见,图4中只显示了A和B两束激光)对半导体基板的两个主面M和N分别、或同时进行微细结构1X、1Y的加工。

图4 多束双面微细加工载物台

具体来讲,就是用激光A对半导体基板的主面M进行微细结构1X的加工。微细结构1X可以不穿透基板,也可以穿透基板。在微细结构1X的加工过程中,图形的位置对准,可以用在微细结构1X加工之前形成的对准标志2X来进行。同样,可以用激光B对半导体基板的另一个主面N进行微细结构1Y的加工。

显然,这样的加工方式,可以使微细结构中的各个单一图形的深度、宽度等几何特征相同,也可以不同。这样的高自由度是传统的光刻加刻蚀方式无法实现的。

如上所述,这种加工方法能够用复数束激光在半导体基板的两个相对的主面上分别、或同时进行微细结构的加工,可以提高激光直接加工方式的生产效率和自由度。

3 结束语

为提高传统激光微细加工的生产效率,降低光刻加刻蚀微细加工的成本和对环境的不良影响,我们研发了一种在半导体基板上形成微细结构的激光加工装置和加工方法。通过实验测试,该加工装置和加工方法可以提高生产效率,满足工艺要求。

原文标题:提高MEMS生产效率的激光加工装置及其加工方法

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FS7140 我

TO294YSX 10Gb / s冷却EML即可

Broadcom TO294YSx是一款10Gb / s光发射机系列,在TO-中集成了高速电吸收激光器(EML),微型TEC和监视器PD。可同轴包装。它设计用于小型可插拔收发器和其他类型的光模块,用于高速电信和数据通信应用,包括SONET OC-192,SDH STM-64和10G以太网。 功能 数据速率高达10.7 Gb / s  链接距离最大40 km,速度为10 Gb / s 温度稳定 TEC功耗非常低 50Ω单端数据输入 外壳工作温度范围:-40至+85°C 应用 10G光收发器模块(XFP,X2,XENPAK和SFP +) 用于SONET / SDH的300针转发器 10GbE接口 线卡 100GHz信道间隔DWDM...
发表于 07-04 11:19 98次 阅读
TO294YSX 10Gb / s冷却EML即可

247E-1490 247E-1490

247Ex-1490是一款单模边缘发射激光二极管芯片,发射波长为1490 nm,适用于输出功率高达75 mW的非制冷应用。该设计是在n型衬底上生长的带帽的台面掩埋异质结构(CMBH),具有多量子阱(MQW)有源层和分布反馈(DFB)光栅层。刻面在前刻面上涂有抗反射层,在后刻面上涂有高反射涂层。在p侧和n侧都提供金焊盘。出于识别目的,芯片两侧都会出现一个十六进制数字。所有激光芯片都来自已经使用代表性的许多器件进行认证的晶片,这些器件必须达到可接受的老化和多温度CW测试产量。每个出厂裸芯片都在25摄氏度下进行脉冲测试。 特性 高输出功率 低光束发散角 可粘合结合或结合 久经考验的现场可靠性历史悠久 设计可靠性,包括高质量MOCVD外延 专利低渗透欧姆p接触设计 专利的接合侧焊盘,提供焊料渗透的屏障 工作温度– 5°C至+ 75°C...
发表于 07-04 10:56 40次 阅读
247E-1490 247E-1490

725VR 725VR

725型25 Gb / s EML芯片载体(CoC)是一种光学子组件,由1.3微米电子吸收调制激光器组成( EML)安装在金属化平台上。  CoC已经过吹扫和电光测试,可支持25 Gb / s的应用。 该载波有四个LAN-WDM波长通道,共4次; 25Gb / s传输。 功能 能够传输高达28 Gb / s LAN-WDM平均值为~1296,1300,1305标称值1309 nm,4次; 25/28 Gb / s传输应用 工作温度45~60℃ CMBH多量子阱DFB结构 高度可靠 用于高ER /低Vpp的高带宽调制器...
发表于 07-04 10:56 118次 阅读
725VR 725VR

247E-1310 247E-1310

247Ex-1310是一款单模边缘发射激光二极管芯片,发射频率为1310 nm,适用于输出功率高达75mW的非制冷应用。该设计是在n型衬底上生长的带帽的台面掩埋异质结构(CMBH),具有多量子阱(MQW)有源层和分布反馈(DFB)光栅层。刻面在前刻面上涂有抗反射层,在后刻面上涂有高反射涂层。在p侧和n侧都提供金焊盘。出于识别目的,芯片两侧都会出现一个十六进制数字。所有激光芯片都来自已经使用代表性的许多器件进行认证的晶片,这些器件必须达到可接受的老化和多温度CW测试产量。每个出厂裸芯片都在25摄氏度下进行脉冲测试。 特性 高输出功率 低光束发散角 可粘合结合或结合 久经考验的现场可靠性历史悠久 设计可靠性,包括高质量MOCVD外延 专利低渗透欧姆p接触设计 专利的接合侧焊盘,提供焊料渗透的屏障 工作温度– 5°C至+ 75°C...
发表于 07-04 10:56 56次 阅读
247E-1310 247E-1310

AFCD-V54JZ 25 Gb / s 1x4阵列氧化物VCSEL

Broadcom AFCD-V54JZ 850nm 25 Gb / s 1x4阵列氧化物GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板。   VCSEL阵列专为高速光数据通信应用而设计,可产生圆对称的窄光束,通过适当的镜头,可将光功率有效耦合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纤中。 / div> 功能 850nm波长范围 数据速率从DC到25Gb / s 高功率输出  适用于非密封环境 应用 100GbE QSFP28有源光缆(AOC)
发表于 07-04 10:55 151次 阅读
AFCD-V54JZ 25 Gb / s 1x4阵列氧化物VCSEL

AFCD-V51KC1 25 Gb / s氧化物VCSEL

Broadcom AFCD-V51KC1 850nm 25 Gb / s氧化镓GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板。   VCSEL专为高速光数据通信应用而设计,可将光功率有效耦合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纤中。 功能 850nm波长范围 数据速率从DC到25Gb / s 符合100 Gb以太网 高功率输出  适用用于非密封环境 应用程序 25GbE SR SFP28可插拔收发器 25GbE SFP28有源光缆(AOC)
发表于 07-04 10:55 32次 阅读
AFCD-V51KC1 25 Gb / s氧化物VCSEL

AFCD-V21KA2 10 Gb / s 850nm氧化物VCSEL

Broadcom AFCD-V21KA2是一款850nm 10 Gb / s氧化镓GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板,专为高速光学设计数据通信应用。   VCSEL设计用于符合IEEE 802.3ae 10GBASE-SR的10Gb / s以太网链路,可将光功率有效耦合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纤中。 功能 850nm波长范围  数据速率从DC到10.3125 Gb / s  温度范围从5C到+ 75C 适用于非密封环境 应用 10GbE SR SFP +可插拔收发器 10GbE SFP +有源光缆(AOC) )...
发表于 07-04 10:55 70次 阅读
AFCD-V21KA2 10 Gb / s 850nm氧化物VCSEL

AFCD-V51KC 28 Gb / s氧化物VCSEL

Broadcom AFCD-V51KC是一款850nm 28 Gb / s氧化镓GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板。   VCSEL专为高速光数据通信应用而设计,可将光功率有效耦合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纤中。 功能 850nm波长范围 数据速率从DC到28Gb / s 高功率输出  适用于非密封环境 应用 25GbE SFP28有源光缆(AOC)
发表于 07-04 10:54 117次 阅读
AFCD-V51KC 28 Gb / s氧化物VCSEL

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 382次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 165次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 309次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 318次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 330次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 438次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 492次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 519次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 277次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 281次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 306次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器