0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

赛微电子公司成功开发出650 V系列GaN功率器件产品

MEMS 来源:MEMS 作者:MEMS 2020-06-20 10:06 次阅读

近日,河南省郑州市副市长万正峰、副秘书长、市商务局局长李兵、市商务局副局长吴安德等一行赴赛微电子考察,全面了解公司业务等各项情况,并就半导体业务的发展前景展开深入交流。赛微电子(原“耐威科技”)董事长杨云春、董事兼总经理张云鹏等公司领导进行了热情接待并组织会谈。

会上,杨云春董事长向来访领导详细介绍了赛微电子的基本情况、主营业务及核心优势等内容,并重点介绍了公司半导体业务发展的最新进展。

在半导体方面,赛微电子聚焦发展MEMS、GaN两项战略性业务。截至目前,公司与国家集成电路产业基金共同投资建设的“8英寸MEMS国际代工线建设项目”工程建设接近尾声,厂务设备及一期产能所需工艺设备均已完成采购并搬入工厂,正在快速推进设备安装工作,预计今年3季度实现投产;公司GaN外延晶圆生产线实现投产通线后,开始向国际知名厂商验证性供货;今年4月,公司成功开发出650 V系列GaN功率器件产品,并发布基于该系列GaN功率器件的PD快充应用示例,为目前需求旺盛的GaN快充领域提供了高性能、高性价比的全国产技术解决方案。

万正峰副市长对赛微电子的快速发展表示充分肯定,他认为随着物联网5G技术的快速普及与应用,半导体行业正迎来新一轮的高速发展期,赛微电子要抓住时代机遇,积极发挥自身优势,在机遇与挑战中努力实现企业的新飞跃。

作为河南省会城市、建设中的国家中心城市,郑州市是全国重要的铁路、航空、电力、邮政电信主枢纽城市,也是中部地区崛起和高质量发展的“郑州力量”,具备高端制造等支撑能力,在传感领域具备深厚的产业积淀,目前正在规划建设“中国(郑州)智能传感谷”。万正峰副市长表示,欢迎赛微电子这样的高科技企业来郑州考察并拓展业务,郑州市政府也将从各项政策上给予最大支持,通过深度合作实现双方共赢。

杨云春董事长代表赛微电子表达了对万正峰副市长一行的感谢,他表示赛微电子将紧跟时代脚步,深耕行业技术及应用,持续发挥公司在高端制造等方面的优势,为推动行业的高质量发展努力,同时也非常愿意前往郑州市学习并探索在传感领域的产业合作。

双方后续将就具体的交流与合作事项进行进一步沟通探讨。
责任编辑:pj

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    327

    文章

    24494

    浏览量

    202057
  • mems
    +关注

    关注

    128

    文章

    3733

    浏览量

    188649
  • GaN
    GaN
    +关注

    关注

    19

    文章

    1762

    浏览量

    67915
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    罗姆GaN器件被台达电子采用

    罗姆半导体公司近日宣布,其旗下高性能的650V GaN器件(EcoGaN)已被全球知名的绿色解决方案供应商台达电子旗下的Innergie品牌
    的头像 发表于 03-12 11:13 304次阅读

    低成本垂直GaN功率器件研究

    随着半导体技术的发展,垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
    的头像 发表于 12-27 09:32 440次阅读
    低成本垂直<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>研究

    北京赛微电子MEMS光链路交换器件启动量产

    据麦姆斯咨询报道,近日,北京赛微电子股份有限公司(以下简称“赛微电子”) 全资子公司Silex Microsystems AB(以下简称“瑞典Silex”)以 MEMS工艺为某客户制造
    的头像 发表于 12-27 09:21 510次阅读
    北京赛<b class='flag-5'>微电子</b>MEMS光链路交换<b class='flag-5'>器件</b>启动量产

    同是功率器件,为什么SiC主要是MOSFET,GaN却是HEMT

    电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在我们谈论第三代半导体的时候,常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管),而氮化镓功率
    的头像 发表于 12-27 09:11 1502次阅读

    微电子:控股子公司MEMS微振镜启动量产

    最近北京赛微电子股份有限公司(以下简称“公司”)控股公司子公司赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司
    的头像 发表于 09-14 14:46 705次阅读

    低成本垂直GaN(氮化镓)功率器件的优势

    GaN因其特性,作为高性能功率半导体材料而备受关注,近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件
    发表于 09-13 15:05 744次阅读
    低成本垂直<b class='flag-5'>GaN</b>(氮化镓)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的优势

    INN650DA260A增强功率晶体管GaN

    650V硅上GaN增强型功率品体管,采用5mm双扁平无引线封装(DFN)X6毫米大小。增强型晶体管-正常关闭电源开关,符合JEDEC标准的工业应用。
    的头像 发表于 08-16 23:36 753次阅读
    INN<b class='flag-5'>650</b>DA260A增强<b class='flag-5'>功率</b>晶体管<b class='flag-5'>GaN</b>

    INN650D150A增强功率晶体管GaN

    650V硅上GaN增强模式功率晶体管,英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸,增强型晶体管-正常关闭电源开关
    的头像 发表于 08-07 17:22 1123次阅读
    INN<b class='flag-5'>650</b>D150A增强<b class='flag-5'>功率</b>晶体管<b class='flag-5'>GaN</b>

    GaN器件在Class D上的应用优势

    地被开发出来。GaN器件的低导通内阻、低寄生电容和高开关速度等特性,使得对应的Class D功放系统能够具有更高的效率,更高的功率密度,同时因为更少的反馈需求所带来的非线性失真度将更低
    发表于 06-25 15:59

    GaN功率集成电路:器件集成带来应用性能

    GaN功率半导体器件集成提供应用性能
    发表于 06-21 13:20

    基于GaN器件的电动汽车高频高功率密度2合1双向OBCM设计

    基于GaN器件产品设计可以提高开关频率,减小体积无源器件,进一步优化产品功率密度和成本。然而,
    发表于 06-16 08:59

    未来智能城市的动力引擎:润新微电子650V GaN功率晶体管(FET)

    润新微电子(Runxin Microelectronics)荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管(FET),该产品具备卓越的性能和
    的头像 发表于 06-12 16:38 795次阅读

    支持低压和高压应用的E-mode GAN FET

    产品系列上增加了七款新型E-mode器件,从GaN FET到其他硅基功率器件,Nexperia丰富的
    的头像 发表于 05-30 09:03 414次阅读

    Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs,在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率

    英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司开发了一系列高能效 GaN
    发表于 05-15 10:47 967次阅读
    Cambridge <b class='flag-5'>GaN</b> Devices 推出第二代 ICeGaN ICs,在同类<b class='flag-5'>产品</b>中拥有出色的稳健性、易用性和高效率

    绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术

    GaN功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率,得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气(2DEG)。图
    发表于 04-29 16:50 913次阅读
    绝缘栅<b class='flag-5'>GaN</b>基平面<b class='flag-5'>功率</b>开关<b class='flag-5'>器件</b>技术