0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

微光刻胶技术在全球范围内为纳米压印光刻量身定制了光刻胶配方

lhl545545 来源:MEMS 作者:MEMS 2020-06-17 14:27 次阅读

据麦姆斯咨询报道,近日,SUSS MicroTec和micro resist technology GmbH(以下简称为MRT)宣布成立合资公司,进一步推动未来新兴应用中的纳米压印光刻技术(Nanoimprint Lithography,NIL)发展。此项合作将依托SUSS Imprint Excellence Center中心逐步开展起来。

半导体领域设备和工艺解决方案供应商SUSS MicroTec,以及开发和生产创新型光刻胶和先进纳米压印材料公司MRT,近日宣布了两方在纳米压印光刻技术(NIL)方面的合作。纳米压印光刻技术是通过高保真图案转移,实现增材制造革命的关键推动力。越来越多的光子学新兴应用都在开始采用紫外纳米压印技术(UV-NIL),例如3D人脸识别和增强现实(AR)眼镜中的衍射光学元件(DOE)和其它微纳米结构,以及光学传感器、激光纳米PSS(Patterned Sapphire Substrate,图形化蓝宝石衬底)结构等。

采用紫外纳米压印技术的光学3D图案化

纳米压印光刻技术及其应用的需求正在不断变化。因此,此次合作的基本目标是了解市场最新需求,进而通过双方在工艺和材料方面的优势,合力开发出相应的解决方案,从而应对该行业不断出现的严峻挑战。

高质量压印技术基于三大核心:设备、工艺和材料。前两大核心(设备和制造工艺专业知识)目前可通过SUSS Imprint Excellence Center中心(SUSS MicroTec Lithography GmbH和SUSS MicroOptics SA联合成立)得到解决。第三大核心的加入,即纳米压印材料供应商MRT的专业化学知识,可谓是强强联合。这三大核心的结合,更好地满足了行业的高要求,同时满足了其对纳米结构复制提出的更具挑战性的需求。

“SUSS Imprint Excellence Center中心在压印设备领域以及在大规模生产环境中进行工业级工艺开发具备数十年的经验。”SUSS MicroTec首席执行官Franz Richter说道,“必须通过与光刻胶供应商和经验丰富的材料供应商建立强有力的合作关系,进一步巩固这一组合,以实现完美的纳米压印解决方案。”

参与此次合作的公司致力于以共同的目标深化合作,推动现有应用和新兴应用朝着高性能、大规模生产的方向发展。

“二十多年来,微光刻胶技术在全球范围内为纳米压印光刻量身定制了光刻胶配方。”MRT首席执行官兼创始人Gabi Grützner女士说道,“我们在聚合物化学和纳米复制工艺方面的专业知识使我们能够提供最先进的材料解决方案,解决日益增长的工业用例,其中纳米复制技术现已用于制造消费类产品。我们很高兴与联盟内的合作伙伴进行合作,因为当材料和设备完美匹配时,可以大大提高客户在工业化应用中纳米压印工艺的良率。SUSS Imprint Excellence Center中心为该技术的推广提供了绝佳机会,目前此技术组合已交付给SUSS Imprint Excellence Center中心,纳米压印光刻技术将普及给更多的工业用户使用。”
责任编辑:pj

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    327

    文章

    24431

    浏览量

    201842
  • 3D
    3D
    +关注

    关注

    9

    文章

    2752

    浏览量

    106427
  • 纳米
    +关注

    关注

    2

    文章

    678

    浏览量

    36667
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    SU-8光刻胶起源、曝光、特性

    在紫外光照射下,三芳基碘盐光敏剂被激活,释放活性碘离子。这些活性碘离子与SU-8光刻胶中的丙烯酸酯单体反应,引发单体之间的交联反应,导致SU-8光刻胶在曝光区域形成凝胶化的图案。
    的头像 发表于 03-31 16:25 904次阅读
    SU-8<b class='flag-5'>光刻胶</b>起源、曝光、特性

    关于光刻胶的关键参数介绍

    与正光刻胶相比,电子束负光刻胶会形成相反的图案。基于聚合物的负型光刻胶会在聚合物链之间产生键或交联。未曝光的光刻胶在显影过程中溶解,而曝光的光刻胶
    的头像 发表于 03-20 11:36 394次阅读
    关于<b class='flag-5'>光刻胶</b>的关键参数介绍

    光刻胶光刻机的区别

    光刻胶是一种涂覆在半导体器件表面的特殊液体材料,可以通过光刻机上的模板或掩模来进行曝光。
    的头像 发表于 03-04 17:19 686次阅读

    如何在芯片中减少光刻胶的使用量

    光刻胶不能太厚或太薄,需要按制程需求来定。比如对于需要长时间蚀刻以形成深孔的应用场景,较厚的光刻胶层能提供更长的耐蚀刻时间。
    的头像 发表于 03-04 10:49 185次阅读
    如何在芯片中减少<b class='flag-5'>光刻胶</b>的使用量

    瑞红集成电路高端光刻胶总部落户吴中

    据吴中发布的最新消息,签约项目涵盖了瑞红集成电路高端光刻胶总部项目,该项投资高达15亿元,旨在新建半导体光刻胶及其配套试剂的生产基地。
    的头像 发表于 01-26 09:18 242次阅读

    光刻胶分类与市场结构

    光刻胶主要下游应用包括:显示屏制造、印刷电路板生产、半导体制造等,其中显示屏是光刻胶最大的下游应用,占比30%。光刻胶在半导体制造应用占比24%,是第三达应用场景。
    发表于 01-03 18:12 429次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>分类与市场结构

    全球光刻胶市场预计收入下滑,2024年有望反弹

    所谓的“光刻胶”,即是在紫外线、电子束等辐射下,其溶解度会产生变化的耐腐蚀薄膜材料。作为光刻工艺中的关键要素,广泛应用于晶圆和分立器件的精细图案制作中。其品种繁多,此次涨价涉及的KrF 光刻胶则属高级别
    的头像 发表于 12-28 11:14 455次阅读

    匀胶速度影响光刻胶的哪些性质?

    匀胶是光刻中比较重要的一步,而旋涂速度是匀胶中至关重要的参数,那么我们在匀胶时,是如何确定匀胶速度呢?它影响光刻胶的哪些性质?
    的头像 发表于 12-15 09:35 533次阅读
    匀胶速度影响<b class='flag-5'>光刻胶</b>的哪些性质?

    光刻胶国内市场及国产化率详解

    KrF光刻胶是指利用248nm KrF光源进行光刻光刻胶。248nmKrF光刻技术已广 泛应用于0.13μm工艺的生产中,主要应用于150
    发表于 11-29 10:28 333次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>国内市场及国产化率详解

    不仅需要***,更需要光刻胶

    为了生产高纯度、高质量的光刻胶,需要高纯度的配方原料,例如光刻树脂,溶剂PGMEA…此外,生产过程中的反应釜镀膜和金属析出污染监测也是至关重要的控制环节。例如,2019年,某家半导体制造公司由于
    的头像 发表于 11-27 17:15 588次阅读

    西陇科学9天8板,回应称“未生产、销售光刻胶

     20日,西陇科学(株)发布公告称,该公司没有生产销售矿产品。公司生产及销售用于清洗剂、显影液、剥离液等的光刻胶,占公司营业收入的比例,是目前用于上述用途的光刻胶配套。
    的头像 发表于 11-21 14:54 333次阅读

    光刻胶黏度如何测量?光刻胶需要稀释吗?

    光刻胶在未曝光之前是一种黏性流体,不同种类的光刻胶具有不同的黏度。黏度是光刻胶的一项重要指标。那么光刻胶的黏度为什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻胶
    发表于 11-13 18:14 676次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>黏度如何测量?<b class='flag-5'>光刻胶</b>需要稀释吗?

    日本光刻胶巨头JSR同意国家收购

    JSR 是全球仅有的四家 EUV 光刻胶供应商之一,其产品是制造先进芯片必不可少的原料。
    的头像 发表于 06-27 15:51 617次阅读

    一文讲透光刻胶及芯片制造关键技术

    在集成电路制造领域,如果说光刻机是推动制程技术进步的“引擎”,光刻胶就是这部“引擎”的“燃料”。
    发表于 05-13 11:28 1204次阅读
    一文讲透<b class='flag-5'>光刻胶</b>及芯片制造关键<b class='flag-5'>技术</b>

    光刻胶显影残留原因

    151n光刻胶曝光显影后开口底部都会有一撮残留,找不到原因。各位帮分析下
    发表于 04-20 13:13