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支持高密度电源转换设计的TI LMG341xR050 GaN

贸泽电子设计圈 2020-05-29 16:39 次阅读

技术日新月异,我们每天都走在创新的路上,获取前沿的领域知识,并转化为自己的成果,创造出更适合用户的产品。在这一路上,贸泽电子始终会伴你左右,并随时提供最新的采购情报,希望借此能为你带来更多创新和灵感,以下是本周新品情报,请及时查收:

支持高密度电源转换设计

TI LMG341xR050 GaN

Texas Instruments(TI)的LMG341xR050氮化镓(GaN)功率级。这款600V、500mΩ的器件具有集成栅极驱动器和强大的保护功能,可让设计人员在电源转换系统中实现更高的效率,适用于高密度工业和消费类电源、高压电池充电器、光伏逆变器和多电平转换器等应用。 TI LMG341xR050 GaN功率级与硅MOSFET相比拥有多种优势,包括超低输入和输出容值、可降低EMI的低开关节点振铃,以及可将开关损耗降低多达80%的零反向恢复。此器件的集成式栅极驱动器支持100V/ns开关,实现几乎为零的VDs振铃,其微调栅极偏置电压可通过补偿阈值变化确保可靠切换。此功率级集成了一系列独特的功能,比如图腾柱功率因数校正(PFC)结构等密集高效拓扑,让设计人员能够优化电源性能并提高可靠性。 LMG341xR050 GaN功率级拥有强大的保护功能,不需要外部保护元件,即可提供过热保护、瞬态电压抗扰性,并且所有电源轨都具有欠压锁定(UVLO)保护。此外,LMG341xR050还可提供响应时间低于100ns的过流保护和高于150V/ns的压摆率抗扰性。

原文标题:一周新品|TI LMG341xR050 GaN支持高密度电源转换设计

文章出处:【微信号:Mouser-Community,微信公众号:贸泽电子设计圈】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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