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三星在韩国开建5纳米芯片生产线 台积电美国建厂三星压力大

章鹰 2020-05-25 08:44 次阅读

据韩国媒体ET New最新报道,三星电子计划向平泽校区投资81亿美元(10万亿韩元),并在华城区建设其第一条EUV生产线之后,在平泽校区建设第二条“极紫外(EUV)”生产线。其战略是准备满足对尖端系统半导体不断增长的需求,并加速在2030年之前成为全球最佳系统半导体公司的进程。关于这项投资,三星电子副主席Lee Jae-yong强调,未来必须进行投资在困难时期甚至更多。

三星电子在5月21日宣布,其平泽校区将与华城校区一样配备EUV铸造生产线。将在“ P2”工厂内设置必要的设备。


图片来源:三星电子

业内人士称,三星电子将投资约81亿美元建设新的EUV生产线。据估计,最初的生产规模将为每月15,000个芯片。新的EUV代工生产线将从本月开始建设,预计将于2021年下半年投入运营。

代工业务是指在接到半导体设计公司的请求后为其制造芯片的业务。三星电子目前在华城,基兴和得克萨斯州的奥斯汀设有生产线。由于5G网络和HPC(高性能计算)等新市场的扩展,全球系统半导体行业更喜欢可以制造微型芯片并具有先进功能的生产工艺。

三星电子定下愿景:这家公司在2019年4月宣布的到2030年成为全球最佳系统半导体公司的愿景,积极致力于发展其代工业务。它也一直在迅速响应半导体设计公司的微加工需求。

三星电子(Samsung Electronics)表示,其在韩国的第六条代工芯片生产线已于本月较早时动工,计划明年下半年开始生产,将生产逻辑芯片,以减少其对波动较大的存储芯片部门的依赖。新的生产线将使用极紫外线(EUV)光刻技术,生产先进的5纳米芯片。三星正与台积电在代工生产业务上展开竞争,以赢得高通等客户的订单。

台积电赴美设厂 三星和格罗方德压力增大

5月19日消息,据国外媒体报道,台积电上周五已在官网宣布拟在美国建设5nm芯片工厂,产业观察人士表示,台积电在美国建厂之后,三星和格罗方德这两家芯片代工商所面临的压力就会更大。

台积电的这一工厂将建在亚利桑那州,2021年动工,计划2024年投产,月产20000片晶圆,包括资本支出在内,台积电2021年到2029年拟在这一工厂上投入120亿美元。

对于台积电在美国建厂,产业观察人士表示,建厂之后其在芯片代工方面的竞争对手三星和格罗方德,所面临的压力就会更大。

产业观察人士表示,在芯片代工方面,工艺领先的台积电牢牢占据着主导地位,芯片代工市场的份额超过了50%,而这还是在没有在美国运营有工厂的前提下取得的。

台积电虽然在美国没有工厂,但美国厂商却是其主要的收入来源,苹果、博通、高通、英伟达等厂商均是台积电的客户,获得这些客户的订单,主要是得益于台积电先进的芯片代工技术。但在美国建厂之后,距离这些客户更近,便于量产前的沟通协调和生产后的交付,在保持工艺领先的同时,也更能确保这些客户的订单。

在美国建厂方面,三星要远早于台积电,三星奥斯汀的半导体工厂,在2005年就已经投产,随后不断扩展,也曾投产14nm工艺,但并未撼动台积电在美国芯片设计厂商眼中的地位。

本文资料来自ET New和新浪科技,编辑整理发布。

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