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MOS管的封装类型

云创硬见 2020-04-17 08:50 次阅读

在完成MOS管芯片在制作之后,需要给MOS管芯片加上一个外壳,这就是MOS管封装。该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用,同时还可为芯片提供电气连接和隔离,从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路

而不同的封装、不同的设计,MOS管的规格尺寸、各类电性参数等都会不一样,而它们在电路中所能起到的作用也会不一样;另外,封装还是电路设计中MOS管选择的重要参考。封装的重要性不言而喻,今天我们就来聊聊MOS管封装的那些事。

MOS管封装分类

按照安装在PCB板上的方式来划分,MOS管封装主要有两大类:插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。

插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。常见的插入式封装有:双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。

插入式封装

表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有:晶体管外形(D-PAK)、小外形晶体管(SOT)、小外形封装(SOP)、方形扁平式封装(QFP)、塑封有引线芯片载体(PLCC)等。

表面贴装式封装

随着技术的发展,目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少,更多地选用了表面贴装式封装方式。

1、双列直插式封装(DIP)

DIP封装有两排引脚,需要插入到具有DIP结构的芯片插座上,其派生方式为SDIP(Shrink DIP),即紧缩双入线封装,较DIP的针脚密度高6倍。

DIP封装结构形式有:多层陶瓷双列直插式DIP、单层陶瓷双列直插式DIP、引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封结构式、陶瓷低熔玻璃封装式)等。DIP封装的特点是可以很方便地实现PCB板的穿孔焊接,和主板有很好的兼容性。

但由于其封装面积和厚度都比较大,而且引脚在插拔过程中很容易被损坏,可靠性较差;同时由于受工艺的影响,引脚一般都不超过100个,因此在电子产业高度集成化过程中,DIP封装逐渐退出了历史舞台。

2、晶体管外形封装(TO)

属于早期的封装规格,例如TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等都是插入式封装设计。

TO-3P/247:是中高压、大电流MOS管常用的封装形式,产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点。

TO-220/220F:TO-220F是全塑封装,装到散热器上时不必加绝缘垫;TO-220带金属片与中间脚相连,装散热器时要加绝缘垫。这两种封装样式的MOS管外观差不多,可以互换使用。

TO-251:该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积,主要应用于中压大电流60A以下、高压7N以下环境中。

TO-92:该封装只有低压MOS管(电流10A以下、耐压值60V以下)和高压1N60/65在采用,目的是降低成本。

近年来,由于插入式封装工艺焊接成本高、散热性能也不如贴片式产品,使得表面贴装市场需求量不断增大,也使得TO封装发展到表面贴装式封装。TO-252(又称之为D-PAK)和TO-263(D2PAK)就是表面贴装封装。

TO封装产品外观

TO252/D-PAK是一种塑封贴片封装,常用于功率晶体管、稳压芯片的封装,是目前主流封装之一。

采用该封装方式的MOSFET有3个电极,栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。

其中漏极(D)的引脚被剪断不用,而是使用背面的散热板作漏极(D),直接焊接在PCB上,一方面用于输出大电流,一方面通过PCB散热;所以PCB的D-PAK焊盘有三处,漏极(D)焊盘较大。其封装规范如下:

TO-252/D-PAK封装尺寸规格

TO-263是TO-220的一个变种,主要是为了提高生产效率和散热而设计,支持极高的电流和电压,在150A以下、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见。

除了D2PAK(TO-263AB)之外,还包括TO263-2、TO263-3、TO263-5、TO263-7等样式,与TO-263为从属关系,主要是引出脚数量和距离不同。

TO-263/D2PAK封装尺寸规格

3、插针网格阵列封装(PGA)

PGA(Pin Grid Array Package)芯片内外有多个方阵形的插针,每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列,根据管脚数目的多少,可以围成2~5圈。安装时,将芯片插入专门的PGA插座即可,具有插拔方便且可靠性高的优势,能适应更高的频率。

PGA封装样式

其芯片基板多数为陶瓷材质,也有部分采用特制的塑料树脂来做基板,在工艺上,引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从64到447不等。

这种封装的特点是,封装面积(体积)越小,能够承受的功耗(性能)就越低,反之则越高。这种封装形式芯片在早期比较多见,且多用于CPU等大功耗产品的封装,如英特尔的80486、Pentium均采用此封装样式;不大为MOS管厂家所采纳。

4、小外形晶体管封装(SOT)

SOT(Small Out-Line Transistor)是贴片型小功率晶体管封装,主要有SOT23、SOT89、SOT143、SOT25(即SOT23-5)等,又衍生出SOT323、SOT363/SOT26(即SOT23-6)等类型,体积比TO封装小。

SOT封装类型

SOT23是常用的三极管封装形式,有3条翼形引脚,分别为集电极、发射极和基极,分别列于元件长边两侧,其中,发射极和基极在同一侧,常见于小功率晶体管、场效应管和带电阻网络的复合晶体管,强度好,但可焊性差,外形如下图(a)所示。

SOT89具有3条短引脚,分布在晶体管的一侧,另外一侧为金属散热片,与基极相连,以增加散热能力,常见于硅功率表面组装晶体管,适用于较高功率的场合,外形如下图(b)所示。

SOT143具有4条翼形短引脚,从两侧引出,引脚中宽度偏大的一端为集电极,这类封装常见于高频晶体管,外形如下图(c)所示。

SOT252属于大功率晶体管,3条引脚从一侧引出,中间一条引脚较短,为集电极,与另一端较大的引脚相连,该引脚为散热作用的铜片,外形如下图(d)所示。

常见SOT封装外形比较

主板上常用四端引脚的SOT-89 MOSFET。其规格尺寸如下:

SOT-89 MOSFET尺寸规格(单位:mm)

5、小外形封装(SOP)

SOP(Small Out-Line Package)是表面贴装型封装之一,也称之为SOL或DFP,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L字形)。材料有塑料和陶瓷两种。

SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等,SOP后面的数字表示引脚数。MOSFET的SOP封装多数采用SOP-8规格,业界往往把“P”省略,简写为SO(Small Out-Line)。

SOP-8封装尺寸

SO-8为PHILIP公司率先开发,采用塑料封装,没有散热底板,散热不良,一般用于小功率MOSFET。

后逐渐派生出TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)等标准规格;其中TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装。

常用于MOS管的SOP派生规格

6、方形扁平式封装(QFP)

QFP(Plastic Quad Flat Package)封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般在大规模或超大型集成电路中采用,其引脚数一般在100个以上。

用这种形式封装的芯片必须采用SMT表面安装技术将芯片与主板焊接起来。该封装方式具有四大特点:

①适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线;

②适合高频使用;

③操作方便,可靠性高;

④芯片面积与封装面积之间的比值较小。

与PGA封装方式一样,该封装方式将芯片包裹在塑封体内,无法将芯片工作时产生的热量及时导出,制约了MOSFET性能的提升;而且塑封本身增加了器件尺寸,不符合半导体向轻、薄、短、小方向发展的要求;另外,此类封装方式是基于单颗芯片进行,存在生产效率低、封装成本高的问题。

因此,QFP更适于微处理器/门陈列等数字逻辑LSI电路采用,也适于VTR信号处理、音响信号处理等模拟LSI电路产品封装。

7、四边无引线扁平封装(QFN)

QFN(Quad Flat Non-leaded package)封装四边配置有电极接点,由于无引线,贴装表现出面积比QFP小、高度比QFP低的特点;其中陶瓷QFN也称为LCC(Leadless Chip Carriers),采用玻璃环氧树脂印刷基板基材的低成本塑料QFN则称为塑料LCC、PCLC、P-LCC等。

是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术。

QFN主要用于集成电路封装,MOSFET不会采用。不过因Intel提出整合驱动与MOSFET方案,而推出了采用QFN-56封装(“56”指芯片背面有56个连接Pin)的DrMOS。

需要说明的是,QFN封装与超薄小外形封装(TSSOP)具有相同的外引线配置,而其尺寸却比TSSOP的小62%。根据QFN建模数据,其热性能比TSSOP封装提高了55%,电性能(电感电容)比TSSOP封装分别提高了60%和30%。最大的缺点则是返修难度高。

采用QFN-56封装的DrMOS

随着技术的革新与进步,把驱动器和MOSFET整合在一起,构建多芯片模块已经成为了现实,这种整合方式同时可以节省相当可观的空间从而提升功耗密度,通过对驱动器和MOS管的优化提高电能效率和优质DC电流,这就是整合驱动IC的DrMOS。

瑞萨第2代DrMOS

经过QFN-56无脚封装,让DrMOS热阻抗很低;借助内部引线键合以及铜夹带设计,可最大程度减少外部PCB布线,从而降低电感和电阻。

另外,采用的深沟道硅(trench silicon)MOSFET工艺,还能显著降低传导、开关和栅极电荷损耗;并能兼容多种控制器,可实现不同的工作模式,支持主动相变换模式APS(Auto Phase Switching)。

除了QFN封装外,双边扁平无引脚封装(DFN)也是一种新的电子封装工艺,在安森美的各种元器件中得到了广泛采用,与QFN相比,DFN少了两边的引出电极。

8、塑封有引线芯片载体(PLCC)

PLCC(Plastic Quad Flat Package)外形呈正方形,尺寸比DIP封装小得多,有32个引脚,四周都有管脚,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形,是塑料制品。

其引脚中心距1.27mm,引脚数从18到84不等,J形引脚不易变形,比QFP容易操作,但焊接后的外观检查较为困难。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小、可靠性高的优点。

PLCC封装是比较常见,用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路,主板BIOS常采用的这种封装形式,不过目前在MOS管中较少见。

PLCC封装样式

主流企业的封装与改进

由于CPU的低电压、大电流的发展趋势,对MOSFET提出输出电流大,导通电阻低,发热量低散热快,体积小的要求。MOSFET厂商除了改进芯片生产技术和工艺外,也不断改进封装技术,在与标准外形规格兼容的基础上,提出新的封装外形,并为自己研发的新封装注册商标名称。

1、瑞萨(RENESAS)WPAK、LFPAK和LFPAK-I封装

WPAK是瑞萨开发的一种高热辐射封装,通过仿D-PAK封装那样把芯片散热板焊接在主板上,通过主板散热,使小形封装的WPAK也可以达到D-PAK的输出电流。WPAK-D2封装了高/低2颗MOSFET,减小布线电感。

瑞萨WPAK封装尺寸

LFPAK和LFPAK-I是瑞萨开发的另外2种与SO-8兼容的小形封装。LFPAK类似D-PAK,但比D-PAK体积小。LFPAK-i是将散热板向上,通过散热片散热。

瑞萨LFPAK和LFPAK-I封装

2、威世(Vishay)Power-PAK和Polar-PAK封装

Power-PAK是威世公司注册的MOSFET封装名称。Power-PAK包括有Power-PAK1212-8、Power-PAK SO-8两种规格。

威世Power-PAK1212-8封装

威世Power-PAK SO-8封装

Polar PAK是双面散热的小形封装,也是威世核心封装技术之一。Polar PAK与普通的so-8封装相同,其在封装的上、下两面均设计了散热点,封装内部不易蓄热,能够将工作电流的电流密度提高至SO-8的2倍。目前威世已向意法半导体公司提供Polar PAK技术授权。

威世Polar PAK封装

3、安森美(Onsemi)SO-8和WDFN8扁平引脚(Flat Lead)封装

安美森半导体开发了2种扁平引脚的MOSFET,其中SO-8兼容的扁平引脚被很多板卡采用。安森美新近推出的NVMx和NVTx功率MOSFET就采用了紧凑型DFN5(SO-8FL)和WDFN8封装,可最大限度地降低导通损耗,另外还具有低QG和电容,可将驱动器损耗降到最低的特性。

安森美SO-8扁平引脚封装

安森美WDFN8封装

4、恩智浦(NXP)LFPAK和QLPAK封装

恩智浦(原Philps)对SO-8封装技术改进为LFPAK和QLPAK。其中LFPAK被认为是世界上高度可靠的功率SO-8封装;而QLPAK具有体积小、散热效率更高的特点,与普通SO-8相比,QLPAK占用PCB板的面积为6*5mm,同时热阻为1.5k/W。

恩智浦LFPAK封装

恩智浦QLPAK封装

5、意法(ST)半导体PowerSO-8封装

意法半导体功率MOSFET芯片封装技术有SO-8、PowerSO-8、PowerFLAT、DirectFET、PolarPAK等,其中PowerSO-8正是SO-8的改进版,此外还有PowerSO-10、PowerSO-20、TO-220FP、H²PAK-2等封装。

意法半导体Power SO-8封装

6、飞兆(Fairchild)半导体Power 56封装

Power 56是Farichild的专用称呼,正式名称为DFN 5×6。其封装面积跟常用的TSOP-8不相上下,而薄型封装又节约元件净空高度,底部Thermal-Pad设计降低了热阻,因此很多功率器件厂商都部署了DFN 5×6。

Fairchild Power 56封装

7、国际整流器(IR)Direct FET封装

Direct FET能在SO-8或更小占位面积上,提供高效的上部散热,适用于计算机、笔记本电脑、电信和消费电子设备的AC-DC及DC-DC功率转换应用。与标准塑料分立封装相比,DirectFET的金属罐构造具有双面散热功能,因而可有效将高频DC-DC降压式转换器的电流处理能力增加一倍。

Direct FET封装属于反装型,漏极(D)的散热板朝上,并覆盖金属外壳,通过金属外壳散热。Direct FET封装极大地改善了散热,并且占用空间更小,散热良好。

国际整流器Direct FET封装

IR Direct FET封装系列部分产品规格

内部封装改进方向

除了外部封装,基于电子制造对MOS管的需求的变化,内部封装技术也在不断得到改进,这主要从三个方面进行:改进封装内部的互连技术、增加漏极散热板、改变散热的热传导方向。

1、封装内部的互连技术

TO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊线式的内部互连封装技术,当CPU或GPU供电发展到低电压、大电流时代,焊线式的SO-8封装就受到了封装电阻、封装电感、PN结到PCB和外壳热阻等因素的限制。

SO-8内部封装结构

这四种限制对其电学和热学性能有着极大的影响。随着电流密度的提高,MOSFET厂商在采用SO-8尺寸规格时,同步对焊线互连形式进行了改进,用金属带、或金属夹板代替焊线,以降低封装电阻、电感和热阻。

标准型SO-8与无导线SO-8封装对比

国际整流器(IR)的改进技术称之为Copper Strap;威世(Vishay)称之为Power Connect技术;飞兆半导体则叫做Wireless Package。新技术采用铜带取代焊线后,热阻降低了10-20%,源极至封装的电阻降低了61%。

国际整流器的Copper Strap技术

威世的Power Connect技术

飞兆半导体的Wirless Package技术

2、增加漏极散热板

标准的SO-8封装采用塑料将芯片包围,低热阻的热传导通路只是芯片到PCB的引脚。而底部紧贴PCB的塑料外壳是热的不良导体,故而影响了漏极的散热。

技术改进就是要除去引线框下方的塑封化合物,方法是让引线框金属结构直接或加一层金属板与PCB接触,并焊接到PCB焊盘上,这样就提供了更多的散热接触面积,把热量从芯片上带走;同时也可以制成更薄的器件。

威世Power-PAK技术

威世的Power-PAK、法意半导体的Power SO-8、安美森半导体的SO-8 Flat Lead、瑞萨的WPAK/LFPAK、飞兆半导体的Power 56和Bottomless Package都采用了此散热技术。

3、改变散热的热传导方向

Power-PAK的封装虽然显著减小了芯片到PCB的热阻,但当电流需求继续增大时,PCB同时会出现热饱和现象。所以散热技术的进一步改进就是改变散热方向,让芯片的热量传导到散热器而不是PCB。

瑞萨LFPAK-i封装

瑞萨的LFPAK-I封装、国际整流器的Direct FET封装均是这种散热技术的典型代表。

总结

未来,随着电子制造业继续朝着超薄、小型化、低电压、大电流方向的发展,MOS管的外形及内部封装结构也会随之改变,以更好适应制造业的发展需求。另外,为降低电子制造商的选用门槛,MOS管向模块化、系统级封装方向发展的趋势也将越来越明显,产品将从性能、成本等多维度协调发展。

而封装作为MOS管选型的重要参考因素之一,不同的电子产品有不同的电性要求,不同的安装环境也需要匹配的尺寸规格来满足。实际选用中,应在大原则下,根据实际需求情况来做抉择。

有些电子系统受制于PCB的尺寸和内部的高度,如通信系统的模块电源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封装;在有些ACDC的电源中,使用超薄设计或由于外壳的限制,适于装配TO220封装的功率MOS管,此时引脚可直接插到根部,而不适于使用TO247封装的产品;也有些超薄设计需要将器件管脚折弯平放,这会加大MOS管选用的复杂度。

lw

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芯讯通模块SIM7600A获Rogers认证,实现3G产品向LTE产品的平滑切换

龙尚科技推出多款Cat.1产品,采用紫光展锐春藤8910DM芯片

在蜂窝网络市场中,主要业务分布呈金字塔型,高速率市场约占10%,中速率约占30%,低速率约占60%。....
的头像 牵手一起梦 发表于 05-09 16:29 677次 阅读
龙尚科技推出多款Cat.1产品,采用紫光展锐春藤8910DM芯片

国家IC封测创新中心将设立,预计未来集成电路行业将持续增长

  工信部近日批复组建国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心。工信部指出,创新中心将充分发挥前期在先....
的头像 牵手一起梦 发表于 05-08 14:26 1059次 阅读
国家IC封测创新中心将设立,预计未来集成电路行业将持续增长

不同类型的四种热敏电阻

热敏电阻有各种形状,如:圆盘,芯片,珠子或棒,可以表面安装或嵌入系统中。它们可以封装在环氧树脂,玻璃....
发表于 05-07 14:19 121次 阅读
不同类型的四种热敏电阻

史密斯英特康推出晶圆级封装测试头Volta 200 系列

Volta独特的设计具有极短的信号路径,低接触电阻,可实现最佳电气性能,并且可有效的降低清洁频率,提....
的头像 e星球 发表于 05-07 10:18 510次 阅读
史密斯英特康推出晶圆级封装测试头Volta 200 系列

陶瓷封装产品的6大优点

晶振一般都有陶瓷封装与石英封装。通常在我们眼中石英晶振的精度和稳定度远远超过陶瓷晶振。而当我们提及到....
发表于 05-07 10:00 123次 阅读
陶瓷封装产品的6大优点

什么是半导体三大封装?

什么是半导体封装? 半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装....
发表于 05-07 09:45 274次 阅读
什么是半导体三大封装?

OPA277和OPA2277及OPA4277精密运算放大器的数据手册免费下载

OPA277系列精密运算放大器取代了工业标准op-177。它们提供了更好的噪音,更宽的输出电压摆动,....
发表于 05-07 08:00 81次 阅读
OPA277和OPA2277及OPA4277精密运算放大器的数据手册免费下载

新材料在线特推出【2020年先进封装行业行业研究报告】

目前全球封测产业中国台湾、美国、中国大陆三足鼎立格局基本成型——中国台湾是全球芯片封测代工实力最强的....
的头像 新材料在线 发表于 05-06 11:18 808次 阅读
新材料在线特推出【2020年先进封装行业行业研究报告】

基于PC机和单片机实现平行缝焊机系统的设计

平行缝焊机用于封装集成电路芯片。目前我国使用的封装集成电路芯片的设备基本来自于美国和日本等国家,价格....
发表于 05-03 10:36 145次 阅读
基于PC机和单片机实现平行缝焊机系统的设计

采用电流型控制芯片UC3846实现电源交错并联时的同步运行设计

随着电子信息技术的发展,交错并联供电方式在通信电源、航空等领域中应用越来越广泛。变换器若能实现并联模....
发表于 05-03 10:19 222次 阅读
采用电流型控制芯片UC3846实现电源交错并联时的同步运行设计

清华大学提出了针对深度学习加速的FPGA虚拟化方案

而如图1 (b) 所示,在私有云的情况下,我们希望使得系统总的性能最优。如果FPGA允许多个用户使用....
的头像 FPGA开发圈 发表于 04-30 16:19 694次 阅读
清华大学提出了针对深度学习加速的FPGA虚拟化方案

ST汽车级运算放大器

ST的汽车级运算放大器满足汽车市场和应用对极端可靠性和质量的要求。ST提供了持续增长的产品组合。这些....
的头像 意法半导体IPG 发表于 04-28 11:00 951次 阅读
ST汽车级运算放大器

模组厂商如何在5G时代突围,有方科技率先提供新思路

模组产品一直是有方科技的优势领域,尤其是在5G商用提速的当下,物联网市场处于爆发前夜。有方科技也顺应....
的头像 牵手一起梦 发表于 04-27 15:41 879次 阅读
模组厂商如何在5G时代突围,有方科技率先提供新思路

国产300mm超薄晶圆减薄抛光一体机实现工艺应用,打破国外垄断局面

近日,由电科装备所属北京中电科公司牵头承担的国家02科技重大专项 “300mm超薄晶圆减薄抛光一体机....
的头像 牵手一起梦 发表于 04-27 14:56 918次 阅读
国产300mm超薄晶圆减薄抛光一体机实现工艺应用,打破国外垄断局面

基于ACRl505型运动控制卡实现自动封装运动控制系统的设计

在现代化工业加工及自动化生产线上经常要使用诸如加工中心、机器人之类的需要进行多轴协同控制的自动化设备....
发表于 04-25 10:48 131次 阅读
基于ACRl505型运动控制卡实现自动封装运动控制系统的设计

采用ACRl505型运动控制卡实现机械自动封装系统的设计

结合自动布贴系统的特点,选用“PC+运动控制器+伺服电机”的运动控制形式,功能结构框图如图1所示。运....
发表于 04-25 10:33 150次 阅读
采用ACRl505型运动控制卡实现机械自动封装系统的设计

lcd1602的封装_lcd1602的初始化程序

本文首先介绍了lcd1602的封装其次阐述了lcd1602的初始化流程,最后介绍了lcd1602的初....
发表于 04-23 09:26 796次 阅读
lcd1602的封装_lcd1602的初始化程序

腾讯发布开放式光互联平台,实现400G与200G的可插拔方案

4月20日,腾讯发布了TPC-4数据中心开放光网络传输平台的电层产品,本方案所使用的CFP2封装的4....
的头像 牵手一起梦 发表于 04-20 17:19 431次 阅读
腾讯发布开放式光互联平台,实现400G与200G的可插拔方案

是什么原因导致控制小功率无刷直流电机的MOS管被烧坏

控制小功率无刷直流电机的MOS管被烧坏,可能是什么原因呢?
的头像 独爱72H 发表于 04-19 18:42 656次 阅读
是什么原因导致控制小功率无刷直流电机的MOS管被烧坏

COB显示屏封装工艺

cob封装led显示屏,观感好、画质优、防护强,这些特点无一不归功于其封装方式COB。 COB封装是....
发表于 04-18 11:06 127次 阅读
COB显示屏封装工艺

先进封装和电路板的可靠性将会面临哪些挑战

复杂的电子设备和(辅助)系统在飞机、火车、卡车、乘用车以及建筑基础设施、制造设备、医疗系统等重要应用....
的头像 独爱72H 发表于 04-17 16:31 509次 阅读
先进封装和电路板的可靠性将会面临哪些挑战

ESP01的封装及原理图免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是ESP01的封装及原理图免费下载。
发表于 04-17 08:00 93次 阅读
ESP01的封装及原理图免费下载

LED封装可靠性可能受到什么的影响

键合线是LED封装的关键材料之一,它的功能是实现芯片与引脚的电连接,起着芯片与外界的电流导入和导出的....
发表于 04-16 16:44 110次 阅读
LED封装可靠性可能受到什么的影响

国内首款汽车前装ETC SoC芯片,采用长电科技封装测试产线

今年3月,长电科技为北京斯凯瑞利提供芯片封测服务,助力北京斯凯瑞利推出中国国内首款用于汽车前装的ET....
的头像 汽车玩家 发表于 04-15 09:33 710次 阅读
国内首款汽车前装ETC SoC芯片,采用长电科技封装测试产线

超高清视频产业井喷式发展,一晶宽频推出万兆IP广播系统组网方案

如何建设满足4K/8K/VR等超高清内容的可管、可控、可演进的传送网络,已成为广电网络公司以及电信运....
的头像 牵手一起梦 发表于 04-13 17:07 823次 阅读
超高清视频产业井喷式发展,一晶宽频推出万兆IP广播系统组网方案

ABA-52563 低噪声宽带硅RFIC放大器

ABA-52563是一款通用5V硅宽带RFIC放大器,采用工业标准SOT-363(6引脚SC70)封装。该器件具有高增益,良好的线性度和高达3.5 GHz的平坦宽带频率响应。特性 在2GHz时,ABA-52563的增益为21dB,OIP3高达在5V / 34mA偏置时,20dBm和10dBm的P1dB。内部输入和输出50欧姆匹配使其易于使用,设计工作量很小,使其成为无线通信市场中频,缓冲和通用放大器的绝佳选择。
发表于 07-04 09:57 91次 阅读
ABA-52563 低噪声宽带硅RFIC放大器

MGA-31389 高增益驱动放大器50MHz - 2GHz

MGA-31389是一款0.10W高增益驱动放大器MMIC,适用于50 MHz至2.0 GHz的应用,采用SOT-89标准塑料封装。 它是Broadcom增益模块系列之一,具有高线性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31389是一款0.10W增益模块解决方案,针对频率进行了优化,可提供卓越的RF性能。这个高增益0.10W增益模块系列有2个器件。 MGA-31389适用于50 MHz至2.0 GHz的应用,而MGA-31489适用于1.5 GHz至3.0 GHz,因此覆盖了所有主要的蜂窝频段 - mdash; GSM,CDMA和UMTS—加上下一代LTE频段。 通用的封装和PCB布局允许单一设计支持多种频率和地域市场,并可选择输出功率。这些器件还具有高增益,可以减少所需的RF级总数。 特点 符合ROHS 无卤素 低直流偏置功率时的高IP3 高增益,增益平坦度好 低噪声图 高级增强模式PHEMT技术 产品规格的一致性非常好 SOT-89标准包...
发表于 07-04 09:56 32次 阅读
MGA-31389 高增益驱动放大器50MHz  -  2GHz

ABA-53563 低噪声宽带硅RFIC放大器

ABA-53563是一款通用型5V硅宽带RFIC放大器,采用工业标准SOT-363(6引脚SC70)封装。该器件具有高增益,良好的线性度和高达3.5 GHz的扁平宽带频率响应。特性 在2GHz时,ABA-53563可提供21dB的增益,OIP3可达到5V / 45mA偏置时,23dBm和P1dB为13dBm。内部输入和输出50欧姆匹配使其易于使用,设计工作量很小,使其成为无线通信市场中频,缓冲和通用放大器的绝佳选择。
发表于 07-04 09:56 87次 阅读
ABA-53563 低噪声宽带硅RFIC放大器

MGA-31289 0.25W高增益驱动放大器

MGA-31289是一款0.25W高增益驱动放大器MMIC,适用于1.5 GHz至3.0 GHz的应用,采用SOT-89标准塑料封装。 它是Broadcom增益模块系列之一,具有高线性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31289是一款0.25W增益模块解决方案,针对频率进行了优化,可提供卓越的RF性能。此高增益0.25W增益模块系列有2个器件。 MGA-31189适用于50 MHz至2.0 GHz的应用,而MGA-31289适用于1.5 GHz至3.0 GHz,因此覆盖了所有主要的蜂窝频段 - mdash; GSM,CDMA和UMTS—加上下一代LTE频段。 通用的封装和PCB布局允许单一设计支持多种频率和地域市场,并可选择输出功率。这些器件还具有高增益,可以减少所需的RF级总数。 特性 符合ROHS 无卤素 低直流偏压时的高线性度 高增益 良好的增益平坦度 低噪声图 产品规格的优异均匀性 SOT-89标准包装...
发表于 07-04 09:56 48次 阅读
MGA-31289 0.25W高增益驱动放大器

MGA-30889 40MHz - 2600MHz平坦增益高线性度增益模块

MGA-30689是宽带,平坦增益,高线性度 通过使用Broadcom的专有0.25um GaAs增强模式pHEMT工艺实现增益模块MMIC放大器。 该器件需要简单的直流偏置元件才能实现宽带宽性能。 特性 高线性度 产品规格的优异均匀性 内置温度补偿内部偏置电路 不需要 RF 匹配组件 标准 SOT89 封装 MSL-2和无铅无卤素 用于基站应用的高MTTF 应用 中频放大器,射频驱动放大器 通用增益模块
发表于 07-04 09:56 69次 阅读
MGA-30889 40MHz  -  2600MHz平坦增益高线性度增益模块

MGA-82563 3V驱动器放大器,17dBm P1dB,低噪声,0.1-6GHz,SOT363(SC-70)

MGA-82是3V器件,具有17dBm P1dB。它采用微型SOT-363封装,专为3V驱动放大器应用而设计。偏压:3V,84mA;增益= 13dB; NF = 2.2dB; P1dB = 17.3dBm;所有2GHz的IP3i = 14dB。
发表于 07-04 09:56 111次 阅读
MGA-82563 3V驱动器放大器,17dBm P1dB,低噪声,0.1-6GHz,SOT363(SC-70)

MGA-31589 0.5W高增益驱动放大器

MGA-31589是一款0.5W高增益驱动放大器MMIC,适用于450 MHz至1.5 GHz的应用,采用SOT-89标准塑料封装。 它是Broadcom增益模块系列之一,具有高线性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 特性 符合ROHS 无卤素 低直流偏置功率下的高线性度 高增益 低噪声图 高OIP3 高级增强模式PHEMT技术 产品规格的优异均匀性 SOT-89标准包
发表于 07-04 09:56 44次 阅读
MGA-31589 0.5W高增益驱动放大器

MGA-87563 3V LNA,4.5mA低电流,0.5-4GHz,SOT363(SC-70)

MGA-87是一款3V器件,在低至4.5GHz的低电流下具有低噪声系数。它采用微型SOT-363封装,专为3V低噪声放大器应用而设计。偏压:3V,4mA;增益= 14dB; NF = 1.5dB; P1dB = 0dBm; IP3i = -4均为2GHz。
发表于 07-04 09:56 76次 阅读
MGA-87563 3V LNA,4.5mA低电流,0.5-4GHz,SOT363(SC-70)

MGA-31489 高增益驱动放大器1.5GHz - 3GHz

MGA-31489是一款0.10W高增益驱动放大器MMIC,适用于1.5 GHz至3.0 GHz的应用,采用SOT-89标准塑料封装。 它是Broadcom增益模块系列之一,具有高线性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31489是一款0.10W增益模块解决方案,针对频率进行了优化,可提供卓越的RF性能。这个高增益0.10W增益模块系列有2个器件。 MGA-31389适用于50 MHz至2.0 GHz的应用,而MGA-31489适用于1.5 GHz至3.0 GHz,因此覆盖了所有主要的蜂窝频段 - mdash; GSM,CDMA和UMTS—加上下一代LTE频段。 通用的封装和PCB布局允许单一设计支持多种频率和地域市场,并可选择输出功率。这些器件还具有高增益,可以减少所需的RF级总数。 特性 符合ROHS 无卤素 低直流偏置电源下的高IP3 高增益,增益平坦度好 低噪声图 高级增强模式PHEMT技术 产品规格的优异均匀性 SOT- 89标准包...
发表于 07-04 09:56 33次 阅读
MGA-31489 高增益驱动放大器1.5GHz  -  3GHz

MGA-30116 750MHz - 1GHz 1/2瓦高线性放大器

Broadcom’ MGA-30116是一种高线性度和压裂12; Watt PA具有良好的OIP3性能,在p1dB增益压缩点具有极佳的PAE,通过使用Broadcom’专有的0.25um GaAs增强模式pHEMT工艺。 特性 高线性度和P1dB 在负载条件下无条件稳定 内置可调温度补偿内部偏置电路 GaAs E-pHEMT技术[1] 标准QFN 3X3封装 5V电源 产品规格的均匀性非常好 可提供卷带包装选项 MSL-1和无铅 点MTTF> 120°时的300年; C通道温度 应用 用于GSM / CDMA基站的A类驱动放大器。 通用增益块。...
发表于 07-04 09:56 52次 阅读
MGA-30116 750MHz  -  1GHz 1/2瓦高线性放大器

MGA-81563 0.1-6 GHz 3 V,14 dBm放大器

Broadcom的MGA-81563是一款经济实惠,易于使用的GaAs MMIC放大器,可为应用提供出色的功率和低噪声等特性从0.1到6 GHz。 MGA-81563采用超小型SOT-363封装,占用SOT-143封装的一半电路板空间,专为3V驱动放大器应用而设计。 功能 可用无铅选项 2.0 GHz时+14.8 dBm P1dB 2.0 GHz时+17 dBm Psat 单+ 3V电源 2.8 dB噪声系数2.0 GHz 12.4 dB增益2.0 GHz 超小型封装 无条件稳定 应用程序 用于PCS,PHS,ISM,SATCOM和 WLL应用程序的缓冲区或驱动程序放大器 高动态范围LNA...
发表于 07-04 09:56 148次 阅读
MGA-81563 0.1-6 GHz 3 V,14 dBm放大器

MGA-545P8 适用于5-6GHz系统的低电流22dBm中等功率放大器,适用于LPCC2x2

MGA-545P8是一款经济实惠,易于使用的GaAs E-pHEMT MMIC中功率放大器,采用8引脚LPCC(JEDEC DFP-N)封装,非常适合用作802.11a网卡和AP中的驱动放大器,以及5-6GHz固定无线接入的输出放大器。虽然针对5.8GHz应用进行了优化,但该器件在1-6 GHz频率范围内具有出色的RF性能,功效和产品一致性。 通过简单的输入匹配,MGA-545P8提供饱和功率输出为22dBm,5.8GHz时饱和增益为9.5dB,直流偏置仅需3.3V / 92mA,功率附加效率为46%。在线性模式下,该器件可为802.11a系统提供11.5dB和16dBm线性Pout的小信号增益,满足5.6%EVM。特性 热效封装尺寸仅为2mm x 2mm x 0.75mm。其背面金属化提供了出色的散热性能以及焊料回流的可视证据。该器件的点MTTF超过300年,安装温度为85 o C....
发表于 07-04 09:56 81次 阅读
MGA-545P8 适用于5-6GHz系统的低电流22dBm中等功率放大器,适用于LPCC2x2

MGA-30789 2-6GHz高线性度增益模块

MGA-30789是一个宽带,高线性度 增益模块MMIC放大器使用Broadcom的专有0.25um GaAs增强模式pHEMT工艺。 该器件需要简单的直流偏置元件才能实现宽带宽性能。 特性 高线性度 产品规格的优异均匀性 内置温度补偿内部偏置电路 不需要 RF 匹配组件 标准 SOT89 封装 MSL-2和无铅无卤素 用于基站应用的高MTTF 应用 射频驱动放大器 通用增益模块
发表于 07-04 09:55 89次 阅读
MGA-30789 2-6GHz高线性度增益模块

MGA-31189 0.25W高增益驱动放大器

MGA-31189是一款0.25W高增益驱动放大器MMIC,适用于50 MHz至2.0 GHz的应用,采用SOT-89标准塑料封装。 它是Broadcom增益模块系列之一,具有高线性度,高增益,出色的增益平坦度和低功耗特性。 MGA-31189是一款0.25W增益模块解决方案,针对频率进行了优化,可提供卓越的RF性能。此高增益0.25W增益模块系列有2个器件。 MGA-31189适用于50 MHz至2.0 GHz的应用,而MGA-31289适用于1.5 GHz至3.0 GHz,因此覆盖了所有主要的蜂窝频段 - mdash; GSM,CDMA和UMTS—加上下一代LTE频段。 通用的封装和PCB布局允许单一设计支持多种频率和地域市场,并可选择输出功率。这些器件还具有高增益,可以减少所需的RF级总数。 特性 符合ROHS 无卤素 低直流偏置功率下的极高线性度 高增益 良好的增益平坦度 低噪声图 产品规格的优异均匀性 SOT-89标准包装...
发表于 07-04 09:55 66次 阅读
MGA-31189 0.25W高增益驱动放大器

MGA-621P8 700MHz - 1.5GHz低噪声放大器

MGA-621P8是一款经济实惠,易于使用的GaAs MMIC低噪声放大器(LNA)器件。该器件设计用于700 MHz至1.5 GHz频率范围内的最佳使用,并采用微型2.0x2.0x0.75mm 3 8引脚双扁平无引线( DFN)封装。 特性 高线性性能 低噪声系数 低成本小封装尺寸 集成断电控制引脚 应用 用于小型蜂窝基站应用的LNA 其他低噪声射频应用
发表于 07-04 09:55 71次 阅读
MGA-621P8 700MHz  -  1.5GHz低噪声放大器

MGA-725M4 具有旁路开关的3V LNA,2至14dBm可调节IIP3,MiniPak封装

MGA-725M4是一款低噪声放大器,内置旁路开关,采用微型无引线封装。它采用MiniPak 1412封装,专为3V蜂窝/ PCS应用而设计,例如: CDMA手机中的LNA和驱动放大器。偏压:3V,20mA;增益= 14.4dB; NF = 1.4dB;所有2GHz的IP3i = 9.9dBm。
发表于 07-04 09:54 164次 阅读
MGA-725M4 具有旁路开关的3V LNA,2至14dBm可调节IIP3,MiniPak封装

MGA-634P8 超低噪声,高线性度低噪声放大器

Broadcom’ MGA-634P8是一款经济,易于使用的GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),通过使用Broadcom专有的0.25um GaAs增强模式pHEMT工艺实现了低噪声和高线性度。 MGA-634P8低噪声放大器是Broadcom超低噪声,高增益,高线性度砷化镓(GaAs)低噪声放大器系列的最新成员,旨在用作蜂窝基站收发器无线电的第一级LNA卡,塔顶放大器(TMA),合路器,中继器和远程/数字无线电头。 MGA-634P8高线性低噪声放大器特点: • 1500 MHz到2300 MHz操作 –同类最佳NF:0.44 dB @ 1900 MHz –高线性度:36 dBm OIP3 –高增益:17.4 dB &ndash ; 21 dBm OP1dB @ 1900 MHz •单5V电源和48mA低功耗 – 240 mW • Broadcom&rs的通用封装和匹配网络现状MGA-63xP8系列 –简化不同频率的PCB设计和工程 功能 Ultra Low noise Figure 高线性性能 GaAs E-pHEMT技术 低成本小封装尺寸:2.0x2.0x0.75mm 3 产品规格的优异均匀性 可提供卷带包装选项 应用 低噪音用于GSM,TDS-CDMA和CDMA蜂窝基础设施的放大器 其他超低噪声应用...
发表于 07-04 09:53 78次 阅读
MGA-634P8 超低噪声,高线性度低噪声放大器

ALM-2203 SDARS LNA滤波器模块

Broadcom ALM-2203是一款微型高度集成的LNA滤波器RFIC模块。该模块旨在使卫星数字音频无线电服务(SDARS)信号与现代汽车中常见的蜂窝,WiFi,蓝牙和GPS信号共存。 该模块集成了三个低噪声放大器(LNA)采用微型5x5x0.95mm封装的Film Bulk Acoustic Resonator(FBAR)滤波器。该模块具有低噪声系数,高增益和低电流消耗,非常适用于关键的低功耗卫星数字音频无线电服务(SDARS)无线电系统。   功能 高级OOB P1dB,支持SDARS与蜂窝/ WiFi / GPS共存 高度集成的芯片模块,降低BOM成本和设计时间 低噪声系数(NF)增强SDARS接收器灵敏度 适用于带集成蜂窝/ WiFi发射器的SDARS天线 紧凑且完全匹配的5x5x0.95mm适用于鲨鱼的包装-fin型天线     应用程序 SDARS Radio系统  ...
发表于 07-04 09:53 159次 阅读
ALM-2203 SDARS LNA滤波器模块

MGA-86563 5V LNA,20dB高增益,0.5-6GHz,SOT363(SC-70)

MGA-86是5V部件,具有高增益和低噪声系数。它采用微型SOT-363封装和70 mil陶瓷封装,专为5V低噪声放大器应用而设计。偏压:5V,16mA;增益= 20dB; NF = 2dB; P1dB = 6dBm; IP3i = -4dB均为2GHz。
发表于 07-04 09:53 164次 阅读
MGA-86563 5V LNA,20dB高增益,0.5-6GHz,SOT363(SC-70)

MGA-71543 带旁路开关的3V LNA,0至9dBm可调节IIP3,SOT343(SC-70)

MGA-71543是一款内置旁路开关的低噪声放大器。它采用微型SOT-343封装,专为3V蜂窝/ PCS应用而设计,例如: CDMA手机中的LNA和驱动放大器。偏置3V,10mA:增益= 16dB; NF = 1.1dB;所有在2GHz时IIP3 = 4.3dB。在旁路模式下:插入损耗= 5.6dB; IIP3 = 35dBm。
发表于 07-04 09:53 153次 阅读
MGA-71543 带旁路开关的3V LNA,0至9dBm可调节IIP3,SOT343(SC-70)