侵权投诉

全球存储器产品最重要生产区域宣布封城 对半导体产业影响几何

半导体动态 2020-04-08 16:25 次阅读

近期,受新冠肺炎影响,全球两大存储器产品生产重镇新加坡和日本分别于4月3日和4月6日宣布封城。

具体来看,4月3日,新加坡总理宣布,该国自4月7日至5月4日实施为期四周的软性封城,包含限制非必要外出、关闭学校、远距办公等措施,仅保留必要性服务继续营业。依照新加坡政府指示,半导体行业列属于必要性服务之一,因此仍得以继续营业,免于停工冲击,但物流方面恐遭遇部分延迟。

全球存储器产品最重要生产区域宣布封城 对半导体产业影响几何

存储器方面,Micron(美光)在新加坡设有NAND Flash(闪存)制造厂以及其后段封装厂,目前产出主要以64层及96层3D NAND Flash为主,该公司100%的3D NAND Flash皆于该地制造,NAND Flash封装产能则占该公司产能近50%。除此之外,Micron另于美国的Manassas及Lehi有平面NAND、NOR Flash以及3D XPoint的制造产能。

根据TrendForce集邦咨询分析,Micron在新加坡的产出约占全球NAND Flash产出4%,在当前未停工的前提之下,对全球产出冲击不大;在物流方面,则不同的物流公司有不同的递延,目前来看,延迟并不严重。

观察4月6日现货市场,并没有因为新加坡封城而产生报价波动;而合约价格方面,集邦咨询维持原先的预估,在Client SSD(消费级固态硬盘)以及Enterprise SSD(企业级固态硬盘)涨势较为明显,但其他品项如wafer以及eMMC/UFS的涨幅已经明显趋缓。展望2020年第三季度,因受疫情影响导致终端需求不佳,整体NAND Flash均价预计开始出现跌势。

日本方面,虽然也于4月7日宣布在东京、大阪、神奈川、埼玉、千叶、兵库及福冈等七个地方实施一个月的封城措施。

但根据日本发布的『紧急事态宣言』来看,其封城力度并不如中国来得严格,而是比较近似新加坡的软性封城,实施要点主要包括尽量避免外出、学校停课、电影院与百货公司停工以及大型演讲或是演唱会暂停等。此外,日本还规定为抗疫如需建立临时医院或建筑,政府可以强制征地以及在紧急情况下可以强制取得医疗用品与食物。

和新加坡一样,日本同样是全球存储器产品最重要的生产区域之一,而且比新加坡更加重要。

不过,根据集邦咨询了解,日本目前在封城区域的公司依然正常上班与运作,部分企业在三月已经实施居家办公,冲击尽量降到最低,也无实施『紧急事态宣言』后停工等情事发生。

而根据日本所公布的七个地方来看,多属人口稠密的大都会区,虽然日本也是存储器产品重要生产区域,但与半导体相关的工厂大多不在此区域内,自然不受影响,除非日本政府因为疫情持续扩散出台更强硬的政策外,短期对于半导体的原材料生产与运输无太大冲击,皆能正常运作。
      责任编辑:wv

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

微软新型存储设备问世,2毫米可存储75.8G数据

微软与华纳兄弟合作推出便携式“玻璃硬盘”。7.5厘米见方、厚度仅2毫米的玻璃片可以存储75.8G数据....
发表于 05-25 09:49 51次 阅读
微软新型存储设备问世,2毫米可存储75.8G数据

华为模拟电路的学习课件资料免费下载

总体说来,凡是实际使用中的有源电路中往往都有半导体晶体管。在形形色色的电子世界中,晶体管是绝大部分电....
发表于 05-25 08:00 72次 阅读
华为模拟电路的学习课件资料免费下载

为什么块存储器没有Din的原始输出寄存器或核心输出寄存器?

嗨,我是FPGA设计的初学者。 在我的设计中,我应该实时地连接我的设计和Block内存。 正如我在数据表中看到的那样,vivado...
发表于 05-25 07:51 5次 阅读
为什么块存储器没有Din的原始输出寄存器或核心输出寄存器?

美扩大对华为的禁令,对存储产业会有什么影响

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,美国商务部工业和安全局(BIS)于5....
的头像 独爱72H 发表于 05-22 11:46 2958次 阅读
美扩大对华为的禁令,对存储产业会有什么影响

中国长城科技激光晶圆切割机研制成功,打破技术垄断

近日,中国长城科技集团宣布,研制成功我国首台半导体激光隐形晶圆切割机,在关键性能参数上处于国际领先水....
的头像 独爱72H 发表于 05-22 11:42 1546次 阅读
中国长城科技激光晶圆切割机研制成功,打破技术垄断

西数希捷东芝的SMR机械硬盘并不适合NAS RAID环境

西部数据(WD)、希捷(Seagate)和东芝(Toshiba),均已被证实在销售非传统垂直记录(P....
发表于 05-22 09:48 470次 阅读
西数希捷东芝的SMR机械硬盘并不适合NAS RAID环境

中美半导体市场发展几何

半导体作为新一代高新技术,具有技术含量高,涉及产业链长,是科技产业的重要组成部分,也成为衡量一个国家....
的头像 21克888 发表于 05-22 09:37 2146次 阅读
中美半导体市场发展几何

中国最有潜力半导体最上游EDA软件龙头

近期,美国商务部升级对华为制裁措施,去“美国化“下的半导体产业链有望迎来新一轮发展。
发表于 05-21 16:58 1628次 阅读
中国最有潜力半导体最上游EDA软件龙头

封装测试是半导体产业最重要领域

工信部批复组建国家高性能医疗器械创新中心和国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心。
发表于 05-21 16:47 543次 阅读
封装测试是半导体产业最重要领域

新兴的非易失性存储器技术谁将更胜一筹

新兴的非易失性存储器技术主要有五种类型:闪存(Flash),铁电随机存取存储器(FeRAM),磁性随....
发表于 05-21 16:34 741次 阅读
新兴的非易失性存储器技术谁将更胜一筹

科研人员提出可加速AI的计算与存储器混合技术吗

科研人员提出可加速AI的计算与存储器混合技术...
发表于 05-21 15:02 21次 阅读
科研人员提出可加速AI的计算与存储器混合技术吗

富士通FRAM存储器内置RFID LSI的产品

富士通半导体利用FRAM的高速写入,高读写耐久性(多次读写次数)特长, 提供RFID用LSI以及应用....
发表于 05-21 14:01 41次 阅读
富士通FRAM存储器内置RFID LSI的产品

2Gb DDR2 SDRAM的数据手册免费下载

DDR2 SDRAM采用双数据速率结构实现高速运行。双数据速率体系结构本质上是4n预取体系结构,其接....
发表于 05-21 08:00 25次 阅读
2Gb DDR2 SDRAM的数据手册免费下载

WLAN高级SoC芯片AR9344的数据手册免费下载

Atheros AR9344是一款高度集成的、功能丰富的IEEE 802.11n2x2 2.4/5g....
发表于 05-21 08:00 42次 阅读
WLAN高级SoC芯片AR9344的数据手册免费下载

PIC18F2455系列高性能增强型闪存USB微控制器的数据手册免费下载

这一系列的设备提供了所有PIC18微控制器的优势,即高计算性能和经济的价格,加上高耐久性,增强的闪存....
发表于 05-21 08:00 32次 阅读
PIC18F2455系列高性能增强型闪存USB微控制器的数据手册免费下载

ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

标准的参数搜索 易于访问密钥产品参数 部件号搜索用于直接访问特定的产品 数据表的下载离线咨询 来采样和购买 最喜欢的部分数字管理 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 适用于Android™或iOS™操作系统 在Wandoujia应用程序商店,为中国用户提供 在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS设备上使用的手机应用程序提供通过www.st.com在线产品组合中的一个用户友好的替代搜索,驱动用户使用以及便携式设备顺利和简单的导航体验。参数搜索引擎允许用户快速识别出最适合其应用合适的产品。此应用程序可在谷歌播放,App Store和Wandoujia。...
发表于 05-21 07:05 8次 阅读
ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序

,零件编号和产品 技术数据表下载和离线咨询一系列的搜索功能 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表收藏栏目 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 可在安卓™和iOS™应用商店 ST-DIODE-FINDER是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索使用便携式设备的ST二极管的产品组合。您可以轻松地定义设备最适合使用参数或一系列的搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 18:05 9次 阅读
ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序

ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS

引导搜索 部分号码搜索能力 主要产品功能发现 数据表下载和离线咨询 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 样品订购所选产品的 主屏幕上的语言选择 ST-EEPROM-FINDER是探索意法半导体串行EEPROM组合最快和最明智的方式使用智能电话或平板。
发表于 05-20 17:05 10次 阅读
ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节™和iOS™应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 17:05 17次 阅读
ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备

于Android和iOS电话移动应用 友好的用户界面 的直观的产品的选择: MEMS和传感器 评估工具 应用 参数搜索使用多个过滤器 部件号搜索 访问技术文档 从ST经销商在线订购 通过电子邮件或社交媒体最喜欢的部分数字管理经验分享 支持的语言:英语(中国,日本和韩国即将推出) 在ST-SENSOR-FINDER提供移动应用程序的Android和iOS,提供用户友好的替代通过MEMS和传感器网络产品组合搜索,驱动用户一起顺利和简单的导航体验。...
发表于 05-20 17:05 12次 阅读
ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备

如何减小SRAM读写操作时的串扰

静态存储器SRAM是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的存储器。在SRAM 存储阵列的设计中,经常会出现串扰问题发生...
发表于 05-20 15:24 523次 阅读
如何减小SRAM读写操作时的串扰

半导体芯片封装工艺流程

半导体芯片封装是指利用膜技术及细微加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板,上布局粘贴固定及连接,引出....
发表于 05-20 15:19 415次 阅读
半导体芯片封装工艺流程

半导体产业市场分析,集成电路的2020年发展趋势

据了解,2019年由于受世界经济发展的增速减缓、整机厂商的去库存化等综合因素的干扰,全球半导体产业普....
的头像 独爱72H 发表于 05-20 14:55 852次 阅读
半导体产业市场分析,集成电路的2020年发展趋势

集成电路关键制程材料,半导体CMP的市场分析

在晶圆制造材料中,CMP抛光材料占据了7%的市场。根据不同工艺制程和技术节点的要求,每一片晶圆在生产....
的头像 独爱72H 发表于 05-20 11:41 658次 阅读
集成电路关键制程材料,半导体CMP的市场分析

采用分级字线结构可提高SRAM读写速度及降低电路动态功耗

注:转载需注明出处 采用分级字线结构的存储器将整个存储阵列划分为若干个相同的子阵列。与非分级字线结构相比,它需要采用...
发表于 05-19 16:20 557次 阅读
采用分级字线结构可提高SRAM读写速度及降低电路动态功耗

我国首台半导体激光隐形晶圆切割机,打破相关装备依赖进口局面

5月18日,中国长城官微表示,我国首台半导体激光隐形晶圆切割机于近日研制成功,填补国内空白,在关键性....
的头像 牵手一起梦 发表于 05-19 15:58 1141次 阅读
我国首台半导体激光隐形晶圆切割机,打破相关装备依赖进口局面

史上最全的半导体产业链全景!

关键设备在先进制程上仍未实现突破。目前世界集成电路设备研发水平处于12 英寸7nm,生产水平则已经达....
的头像 传感器技术 发表于 05-19 15:40 2739次 阅读
史上最全的半导体产业链全景!

半导体集成电路选用的八大原则

CMOS集成电路源极电源电压VSS为低电位,漏极电源电压VDD为高电位,不可倒置。3)输入信号源和C....
的头像 电源研发精英圈 发表于 05-19 10:29 319次 阅读
半导体集成电路选用的八大原则

半导体SRAM存储器综述

最近30年,随着微电子技术的飞速发展,半导体存储器也正朝着显著的方向发展,由于DRAM具有高密度和每....
发表于 05-19 09:27 99次 阅读
半导体SRAM存储器综述

计算机组成原理第二版学习课件免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是计算机组成原理第二版学习课件免费下载包括了:第1章 计算机系统概论,第....
发表于 05-19 08:00 41次 阅读
计算机组成原理第二版学习课件免费下载

零起步轻松学数字电路第二版电子书免费下载

本书是一本介绍数字电路的图书,共分8章,主要内容包括门电路,数制、编码与逻辑代数,组合逻辑电路,时序....
发表于 05-19 08:00 57次 阅读
零起步轻松学数字电路第二版电子书免费下载

树脂基三维立体光刻陶瓷浆料性能研究的详细说明

UV固化3D打印陶瓷是采用光敏树脂、活性稀释剂、分散剂、光引发剂及各种助剂配制成可用于三维立体光刻成....
发表于 05-18 17:31 89次 阅读
树脂基三维立体光刻陶瓷浆料性能研究的详细说明

Coherent的Sapphire光泵半导体激光器的出货量已达五万台以上

近日,Coherent 相干公司紧凑型连续可见光激光器Sapphire出货量已突破50000台。Sa....
的头像 牵手一起梦 发表于 05-18 14:53 355次 阅读
Coherent的Sapphire光泵半导体激光器的出货量已达五万台以上

中科大首次发现拓扑外尔半导体,为新型拓扑半导体器件设计提供新思路

5月17日消息,从中国科大获悉,该校合肥微尺度物质科学国家研究中心曾长淦教授研究组与王征飞教授研究组....
的头像 牵手一起梦 发表于 05-18 14:26 358次 阅读
中科大首次发现拓扑外尔半导体,为新型拓扑半导体器件设计提供新思路

芯片失效分析步骤

芯片失效分析步骤 1. 开封前检查,外观检查,X光检查,扫描声学显微镜检查。2. 开封显微镜检查。3. 电性能分析,缺陷定位技术、...
发表于 05-18 14:25 565次 阅读
芯片失效分析步骤

利用多端口存储器双口RAM和FIFO实现多机系统的设计

双口RAM是常见的共享式多端口存储器,以图1所示通用双口静态RAM为例来说明双口RAM的工作原理和仲....
发表于 05-18 10:26 135次 阅读
利用多端口存储器双口RAM和FIFO实现多机系统的设计

分立闪存存储器领域加密和安全基础设施

嵌入式系统越来越普遍地采用云技术来进行数据采集、事件检测和软件更新。这些远程物联网设备普遍通过固件完....
发表于 05-18 10:25 58次 阅读
分立闪存存储器领域加密和安全基础设施

耐威科技更名为“赛微电子” 半导体已成公司核心业务

5月15日,北京耐威科技股份有限公司发布公告称,公司于2020年4月10日召开的第三届董事会第三十六....
的头像 Carol Li 发表于 05-18 10:23 2565次 阅读
耐威科技更名为“赛微电子” 半导体已成公司核心业务

基于AT45DB161B存储器和PIC16LC73B单片机实现微型压力测量装置设计

Flash存储器按其接口可分为串行和并行两大类。串行Flash存储器大多采用I2C接口或SPI接口进....
发表于 05-18 10:02 82次 阅读
基于AT45DB161B存储器和PIC16LC73B单片机实现微型压力测量装置设计

STM32串行外设接口SPI的资料说明

小容量产品 是指闪存存储器容量在 16K 至 32K 字节之间的 STM32F101xx 、STM3....
发表于 05-18 08:00 51次 阅读
STM32串行外设接口SPI的资料说明

敏博推出32GB原生DDR4-3200工业级存储器模块

专注工控DRAM模块与Flash储存装置集成方案的敏博(MEMXPRO Inc.),不受疫情影响,持....
发表于 05-17 10:49 96次 阅读
敏博推出32GB原生DDR4-3200工业级存储器模块

打破技术垄断,国内集成电路产业已形成强大竞争力

不经历风雨,哪能见彩虹。在实现教育兴国、科技强国的漫漫征途中,纵然有取得突破性成果的高光时刻,自然也....
的头像 独爱72H 发表于 05-15 15:44 1063次 阅读
打破技术垄断,国内集成电路产业已形成强大竞争力

LED基础知识问题

发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体....
的头像 LED显示屏之家 发表于 05-15 15:04 681次 阅读
LED基础知识问题

led快讯:LGIT出售LED业务,首尔半导体等接盘部分

Wooree E&L在韩国KOSDAQ上市,生产用于笔记本电脑、显示器、智能电脑、电视和汽车的LED....
的头像 每日LED 发表于 05-15 11:05 956次 阅读
led快讯:LGIT出售LED业务,首尔半导体等接盘部分

在显示封装领域和Mini LED市场,封装产能的扩充速度正成倍增长

以华腾第四代分光编带设备为例,就是华腾根据市场需求,着眼小间距显示市场,针对1010及以下产品开发。....
的头像 高工LED 发表于 05-15 10:51 624次 阅读
在显示封装领域和Mini LED市场,封装产能的扩充速度正成倍增长

半导体失效分析方法总结

失效分析(FA)是一门发展中的新兴学科,近年开始从军工向普通企业普及。它一般根据失效模式和现象,通过分析和验证,模拟重现...
发表于 05-15 10:49 161次 阅读
半导体失效分析方法总结

HexaTech宣布推出2英寸UVC透明单晶AIN基板产线

HexaTech表示,推出这个2英寸UVC基板将改变UVC LED应用的游戏规则。目前,公司客户拥有....
的头像 CNLED网 发表于 05-15 10:34 595次 阅读
HexaTech宣布推出2英寸UVC透明单晶AIN基板产线

就第三代半导体六英寸氮化镓项目推进开展“云洽谈”

当前,多个半导体产业相关项目落户桂林,如桂林光芯片半导体工艺平台产业化项目、华为智能制造产业园项目、....
的头像 CNLED网 发表于 05-15 10:31 464次 阅读
就第三代半导体六英寸氮化镓项目推进开展“云洽谈”

现代感应加热装置PDF电子书免费下载

内容简介本书较全面地介绍了适用于感应加热装置的各种电力半导体器件IGBT、SIT、VMOS、SCR、....
发表于 05-15 08:00 112次 阅读
现代感应加热装置PDF电子书免费下载

ALTERA FPGA PCIE的设计指导教程

PCI Express高性能参考设计突出了Altera@PCI Express MegaCore的硬....
发表于 05-14 17:51 66次 阅读
ALTERA FPGA PCIE的设计指导教程

富士康携手企业研发边缘计算系统,提高产品检查和质量改进的效率

其中,半导体初创公司Hailo也参与了开发。Hailo使用了Foxcon计算机中的“BOXiedge....
的头像 牵手一起梦 发表于 05-14 16:31 631次 阅读
富士康携手企业研发边缘计算系统,提高产品检查和质量改进的效率

读了PIC18F1220的内存时得到了每个内存位置的值0xFF怎么回事

你好,当我读了PIC 18F1220的内存时,我得到了每个内存位置的值0xFF。这是否意味着代码保护已被激活或PIC存储器被擦除?...
发表于 05-14 14:42 36次 阅读
读了PIC18F1220的内存时得到了每个内存位置的值0xFF怎么回事

兆易创新布局新型存储器RRAM领域,为嵌入式产品提供存储解决方案

5月12日消息,兆易创新今日宣布,与领先的半导体IP供应商Rambus Inc. 就RRAM (电阻....
的头像 牵手一起梦 发表于 05-14 14:38 527次 阅读
兆易创新布局新型存储器RRAM领域,为嵌入式产品提供存储解决方案

“无限追溯”系谣传,但国产替代不能再等了

美国对华半导体代工厂“无限追溯”确定为谣传,相关上市公司中芯国际与华虹半导体并没有军工方面业务。美国....
的头像 丫丫119 发表于 05-14 09:38 2093次 阅读
“无限追溯”系谣传,但国产替代不能再等了

SRAM的发展概况及趋势

随着微电子技术的迅猛发展,SRAM 逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的发展....
发表于 05-14 09:31 104次 阅读
SRAM的发展概况及趋势

千兆级电路仿真器NanoSpice Giga实现比FastSPICE仿真器更快速度

NanoSpice Giga™是业界首个千兆级晶体管级SPICE电路仿真器,通过独创的基于大数据的并....
发表于 05-13 17:59 118次 阅读
千兆级电路仿真器NanoSpice Giga实现比FastSPICE仿真器更快速度

专用MCU渐成热点,芯海科技持续发力信号链MCU

随着嵌入式智能化应用的深入,基于场景化应用的MCU需求增加,越来越多的MCU厂商倾向于提供专用解决方....
的头像 MCU开发加油站 发表于 05-13 17:33 486次 阅读
专用MCU渐成热点,芯海科技持续发力信号链MCU

ROMRAMFlash的一些零碎知识点

一种是真的写了就没法改的ROM;一种是可以写一次的ROM(one-time Programmable....
的头像 MCU开发加油站 发表于 05-13 17:31 540次 阅读
ROMRAMFlash的一些零碎知识点

2020年全球集成电路将有适度的年增长率,中国进出口单价差距缩小

根据全球半导体协会SIA发布的年全球半导体市场报告显示,在持续的全球贸易动荡和产品价格周期性等因素的....
的头像 牵手一起梦 发表于 05-13 16:29 556次 阅读
2020年全球集成电路将有适度的年增长率,中国进出口单价差距缩小

西部数据已任命思科高管David Goeckeler为新任首席执行官

尽管在过去的这些年里,西部数据公司一直起起落落,但是在Milligan的领导下,该公司总体表现良好。....
的头像 存储界 发表于 05-13 10:53 412次 阅读
西部数据已任命思科高管David Goeckeler为新任首席执行官

关于如何提高SRAM存储器的新方法

SRAM是当今处理器上最普遍的内存。当芯片制造商宣布他们已经成功地将更多的电路封装到芯片上时,通常是较小的晶体管引起了人...
发表于 05-11 15:40 855次 阅读
关于如何提高SRAM存储器的新方法

SRAM中灵敏放大器的原理

接下来宇芯电子介绍关于SRAM灵敏放大器的原理。在SRAM 中,读操作开始前,先要对两条位线进行预充电,将两条位线初始化为...
发表于 05-09 17:39 912次 阅读
SRAM中灵敏放大器的原理

【限时免费直播】TRIAC双向可控硅的设计与实践(四象限工作模式+恒功率控制实现)

【白纪龙老师相关课程推荐】 白纪龙—《每天20分钟!深入掌握半导体功率器件应用与设计》 点击链接立即了解: 一、直播标题...
发表于 05-09 16:16 390次 阅读
【限时免费直播】TRIAC双向可控硅的设计与实践(四象限工作模式+恒功率控制实现)

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
发表于 04-18 20:05 172次 阅读
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...
发表于 04-18 19:35 28次 阅读
AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...
发表于 04-18 19:35 26次 阅读
AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 42次 阅读
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 24次 阅读
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 54次 阅读
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 54次 阅读
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 127次 阅读
AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
发表于 04-18 19:29 118次 阅读
AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
发表于 04-18 19:28 146次 阅读
AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...
发表于 04-18 19:28 134次 阅读
AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 120次 阅读
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...
发表于 04-18 19:13 880次 阅读
CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 84次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 110次 阅读
CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI