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SK海力士年底前量产DDR5,支持的平台却要到2021年

Carol Li 2020-04-07 10:51 次阅读

近日消息,SK海力士正式宣布,将在年底前量产并提供业界频率达到8400MHz的DDR5存储器,单颗最大密度64Gb,并且会带有ECC错误修正的功能,工作电压仅1.1V。

根据SK海力士公布的资料显示,DDR5存储器的工作频率从3200MHz到8400MHz,这个范围超越现在DDR4存储器主频在1600MHz到3200MHz的范围。

虽然,部分厂商推出的DDR4存储器超频版主频能到5000MHz,不过,频率超过4000MHz的DDR4是相当稀少的。至于容量方面,现在DDR4单颗最大是16Gb,而DDR5则有8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb这5种不同的大小。

现在的DDR4存储器要实达到ECC错误修正的功能,必须增加额外的芯片,但DDR5就不需要,ECC错误修正的功能已经整合到每颗DRAM里面,这是之前每一代DDR存储器都不曾做到的。而这项功能的导入,这有望降低存储器的总体成本。

另外DFE决策反馈等化功能也被整合到DRAM内部,这可以消除高频存储器工作时的杂讯,这将大大提高每个引脚的速度。

另外,DDR5存储器共有32个储存区,划分成8个储存区组,而DDR4存储器则有16个储存区和4个储存区组,这使得DDR5存储器的频宽和访问性能翻了一倍,可提供更多的频宽。至于,DDR5的VDD和VPP电压从DDR4时代的1.2V/2.5V,降低到1.1V/1.8V,使得整体功耗下降了20%,再加上DFE的降噪,可进一步降低高频下的发热量。

SK海力士指出,2020年底前DDR5存储器将会量产,初期以生产10纳米级的16Gb为主,单条存储器容量最大达32GB,而未来还会有更高的容量出现。

美光出样DDR5内存:1Znm工艺、性能提升85%

2020年1月7日,美光宣布开始向客户出样最新的DDR5内存,基于1Znm工艺,性能提升了85%。

与DDR4内存相比,DDR5标准性能更强,功耗更低,起步频率至少4800MHz,最高6400MHz。其它变化还有,电压从1.2V降低到1.1V,同时每通道32/40位(ECC)、总线效率提高、增加预取的BankGroup数量以改善性能等。

美光现在出样的DDR5内存使用了最新的1Znm工艺,大概是12-14nm节点之间,ECCDIMM规格,频率DDR5-4800,比现在的DDR4-3200内存性能提升了87%左右,不过距离DDR5-6400还有点距离,后期还有挖掘的空间。

对DDR5内存来说,平台的支持才是最大的问题,目前还没有正式支持DDR5内存的平台,AMD预计会在2021年的Zen4处理器上更换插槽,支持DDR5内存,而Intel这边14nm及10nm处理器都没有明确过DDR5内存支持,官方路线图显示2021年的7nm工艺SapphireRapids处理器才会上DDR5,而且是首发服务器产品,消费级的估计还要再等等。

电子发烧友综合报道,参考自TechNews科技新报、快科技,转载请注明以上来源和出处。

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