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中芯国际重点转向N+1及N+2代FinFET工艺,N+1工艺进入产品认证阶段

2020-04-01 16:29 次阅读

国内最大的晶圆代工厂中芯国际昨晚发布了2019年报,营收31.16亿美元,公司拥有人应占利润为2.347亿美元,同比增长75%。

中芯国际重点转向N+1及N+2代FinFET工艺,N+1工艺进入产品认证阶段

中芯国际还提到14nm工艺在去年底量产,并贡献了1%的营收。先进工艺正是中芯国际今年发展的重点,目前公司已经开发了14/12nm多种特色工艺平台。

量产的14nm工艺已经可以满足国内95%的芯片生产,根据之前的消息,中芯国际的14nm产能年底将达到15K晶圆/月,之后就不会大幅增长了,重点会转向下一代工艺——N+1及N+2代FinFET工艺。

之前中芯国际联席CEO梁孟松博士首次公开了中芯国际N+1、N+2代工艺的情况,透露N+1工艺相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%,SoC面积缩小55%,之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。

外界认为中芯国际的N+1代工艺相当于台积电的7nm工艺,不过中芯国际随后澄清说,N+1是中芯国际的内部代号,并不等于7nm。

根据这个信息,N+1工艺跟业界公认的7nm工艺主要差距是性能,20%的性能增幅不如业界的35%性能提升,但其他指标差别不大。

在最新的年报会议上,中芯国际表示N+1工艺的研发进程稳定,已进入客户导入及产品认证阶段。之前该公司表示去年底试产了N+1工艺,今年底会有限量产N+1工艺。

总之,即便中芯国际的N+1工艺在性能上还有一定差距,但是国产的7nm级工艺今年底就会问世了,这依然是一件大事。

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