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IGBT政策支持 国内厂商与国际巨头正面竞争

2020-03-27 15:18 次阅读

编者按:本文来自梧桐树资本 作者:郭睿,集微网经授权发布。

IGBT被誉为功率半导体的皇冠明珠,是电能控制和转换(变压、变流、变频等)的“CPU”,可广泛应用于军工、高铁、可再生能源、智能电网、新能源汽车及家电中,是一种极其重要的芯片,随着下游行业的逐步放量,对IGBT的需求也大幅增长。

另外,作为第三代半导体材料SiC和GaN的直接竞争对手,IGBT有着悠久的历史,也在良率、成本及可靠性上有着短期内不可被替代的优势。梧桐树作为半导体领域的专业投资机构,对IGBT长期保持关注。

本文内容源自梧桐树资本产业投资部投资总监郭睿的行研报告《IGBT行业研究》。”

作者介绍

郭睿,梧桐树资本投资总监。获得美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)材料学硕士学位,师从电子封装泰斗King-Ning TU院士;曾任职于Renesas(瑞萨电子),负责芯片后道塑封工作;曾任职于熔拓资本,负责先进制造领域的投资与并购(包括半导体方向),在半导体与投资领域有丰富经验。

「报告结论」

IGBT为绝缘栅双极晶体管,为半导体功率器件中的全控器件,具有驱动功率小和饱和压降低等优势。IGBT是一个非通即断的开关,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT的开关特性可以实现直流电和交流电之间的转化或者改变电流的频率,有逆变和变频的作用,其应用领域极其广泛,小到家电、数码产品,大到轨道交通、航空航天,以及清洁发电、新能源汽车等战略性新兴产业都会用到IGBT。

按电压分布来看,消费电子领域运用的IGBT产品为600V以下;太阳能逆变器、白色家电、新能源汽车所需的IGBT在600-1700V之间;动车组常用的IGBT模块为3300V和6500V,轨道交通所使用的IGBT电压在1700V-6500V之间。IGBT在新能源汽车中主要运用于电力驱动系统、车载空调系统和充电桩。

2017-2020年IGBT平均每年市场容量为102亿元。IGBT技术壁垒为芯片的设计能力,模块封装虽然技术门槛不高,但是出于下游市场规模的考虑,自建封装厂有利于提高整体收益。IGBT制造的核心工艺为背面制造工艺,这是一个相对独立的工艺,主要包括背面减薄、背面注入、背面清洗、背面金属化、背面退火。

全球IGBT 市场中最主要的供应厂商包括英飞凌、三菱、富士电机、东芝、ABB、仙童。其中,仙童等企业在消费级IGBT领域处于优势地位;ABB、英飞凌、三菱电机在中等电压的工业级IGBT领域占据优势;在3300V以上高电压等级的领域,英飞凌、ABB、三菱三家公司占据垄断地位,代表着国际IGBT技术的最高水平。中国企业以斯达为代表凭借政策和下游市场的优势,正在迎头赶上,缩短与国际巨头的差距。

IGBT的概念和分类

功率半导体器件指能够耐受高电压或承受大电流的半导体分立器件,主要用于电能变换和控制。

按照是否能通过外界条件控制器件的开通和关断的分类标准可分为:不可控型功率器件(普通功率二极管)、半控型功率器件(晶闸管等)、全控型功率器件(MOSFET、IGBT等)。二极管是最简单的功率半导体分立器件,单向导通,可以实现整流;晶闸管为半控型功率器件,只能触发导通,不能触发关断;IGBT为绝缘栅双极晶体管,可以触发导通,也可以触发关断,所以称为全控器件。

IGBT政策支持 国内厂商与国际巨头正面竞争

图1. 功率半导体器件分类

IGBT(Insulated GateBipolar Transistor)-绝缘栅双极晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。

IGBT是一个非通即断的开关,导通时可以看做导线,断开时当做开路。

IGBT的开关特性可以实现直流电和交流电之间的转化或者改变电流的频率,有逆变和变频的作用,可以应用于逆变器、变频器开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT政策支持 国内厂商与国际巨头正面竞争

IGBT最常见的应用形式是模块,而不是单管。IGBT模块是IGBT芯片封装后的产品,将多个芯片以绝缘方式组装在金属基板上,再用空心塑壳封装,与空气的隔绝材料是高压硅脂或者硅脂,以及其他可能的软性绝缘材料。模块的主要优势在于:

1)多个IGBT芯片并联,IGBT的电流规格更大,减少了外部电路连接的复杂性,模块的参数一致性比分立元件要好。

2)模块与分立形式的单管进行外部连接相比,器件之间的连线被大大缩短,引线电感更小。

3)更适合于大功率应用。模块的最高电压等级一般会比IGBT单管高1-2个等级,如果单管产品的最高电压规格为1700V,则模块有2500V、3300V乃至更高电压规格的产品。

IGBT政策支持 国内厂商与国际巨头正面竞争

图2. IGBT 模块各应用领域产品

IGBT的应用领域

IGBT应用领域极其广泛,小到家电、数码产品,大到轨道交通、航空航天,以及清洁发电、新能源汽车等战略性新兴产业都会用到IGBT。按电压分布来看,消费电子领域运用的IGBT产品为600V以下;太阳能逆变器、白色家电、新能源汽车所需的IGBT在600-1700V之间;动车组常用的IGBT模块为3300V和6500V,轨道交通所使用的IGBT电压在1700V-6500V之间。

IGBT是新能源汽车电机驱动系统的核心元件,包括车载空调控制系统和充电桩中也需要用到IGBT。

IGBT的发展史

第一代:平面穿通型(PT)

第二代:改进的平面穿通型(PT)

第三代:沟槽型(Trench)

第四代:非穿通型(NPT)

第五代:电场截止型(FS)

第六代:沟槽型-电场截止型(FS-Trench)

第七代:逆导IGBT(RC-IGBT)

IGBT的市场容量

1、未来增长主要来自于新能源汽车产业链

IGBT主要运用于电力驱动系统、车载空调系统和充电桩。①电力驱动系统将电能转换为机械能,驱动电动汽车行驶,并能够在电动汽车减速制动时,将车轮的机械能转化为电能充入电池,是控制电动汽车最关键的部分;电力驱动系统主要由电子控制器、驱动电动机、电动机逆变器、传感器、机械传动装置和车轮组成,IGBT在电力驱动系统中用于逆变器模块,将动力电池的直流电逆变成交流电提供给驱动电动机。②充电桩中,IGBT主要运用于直流快充充电桩,直流电桩通过三相电网输入交流电,经过三相桥式不可控整流电路整流变成直流电,滤波后提供给高频DC-DC功率变换器,进而输出需要的直流,为电动汽车动力蓄电池充电。③车载空调系统中也会用到IGBT,实现小功率的DC/AC逆变,从而驱动空调系统运行。

新能源汽车:两驱所使用的IGBT为1个电机加1个三项全桥模块,模块市场价格为1,200-2,600元/只,四驱所使用的IGBT为2个电机2个模块,市场价格为2,400-5,200元/只,再加上空调部分最少要4,000-6,000元,从2017-2020新能源汽车新增500万辆来计算,新能源汽车IGBT市场空间为200亿-300亿,平均按250亿来计算,则每年的市场规模为63亿元。

充电桩:目前我国充电桩市场存量约为20万座,十三五期间仍有近500万充电桩的建设需求,1个充电桩用到3-6只IGBT,市场价格为600元/只,则平均1个充电桩IGBT成本为2,500元,综上2017-2020年,充电桩所带动的IGBT市场规模将达到125亿元,平均每年为31亿元。

2、高铁与地铁市场相对平缓

高铁:CRH1、CRH2一辆高铁需要80个IGBT,CRH3一辆高铁需要128个IGBT,CRH5需要150个IGBT,平均每辆高铁需要115个IGBT,十三五高铁里程达3万公里,按当前密度高铁0.12辆/km计算(2,586辆/2.2万km),十三五还需要新建里程8,000公里,需要高铁960辆, 按每年交付300-350台动车组,每个IGBT模块按10,000元/块计算,市场规模为11亿元,平均每年市场规模为3亿元。

地铁:每辆地铁需求25个IGBT模块,2016年地铁拥有量2.18万辆,运营里程3168公里,保有量为6.88辆/公里,预计十三五新增3000公里,若保持当前的密度,则需要新增地铁20,644辆,按照IGBT模块5000元/个计算,市场容量为25亿元,平均每年市场容量为5亿元。

综上,预计2019-2020年IGBT平均每年市场容量为102亿元。

技术壁垒与核心工艺

IGBT技术壁垒为芯片的设计能力,其设计非常复杂,既要保持在高电压、大电流、高频环境下稳定工作,还要保持开关损耗、抗短路能力及导通压降平衡。模块封装是另一个需要考虑的壁垒,第一,出于下游市场规模的考虑,自建封装厂有利于提高整体收益;另外,IGBT模块对于可靠性要求极高,需要模块能适应不同的甚至恶劣的工作环境,这就对进入者在产品质量上提出了非常高的要求。

IGBT制造的核心工艺为背面制造工艺,这是一个相对独立的工艺,主要包括背面减薄、背面注入、背面清洗、背面金属化、背面退火。

国内外相关标的

1、国外企业

全球IGBT 市场中最主要的供应厂商包括英飞凌(Infineon)、三菱(Mitsubishi)、富士电机(Fuji Electric)、东芝(Toshiba)、ABB、仙童(Fairchild)。其中,仙童等企业在消费级IGBT领域处于优势地位;ABB、英飞凌、三菱电机在中等电压的工业级IGBT领域占据优势;在3300V以上高电压等级的领域,英飞凌、ABB、三菱三家公司占据垄断地位,代表着国际IGBT技术的最高水平。

根据英飞凌年报,2015年英飞凌以27.6%的市占率稳坐全球IGBT市场头把交椅,其次为三菱电机和富士电机,分别占20.6%和12.5%的市场份额;全球CR5达到73.2%,集中度较高。

IGBT政策支持 国内厂商与国际巨头正面竞争

2、国内企业

国内IGBT产业起步较晚,产业链中主要有16家企业,其中IDM模式企业有6家,封装模块企业6家,芯片设计企业4家。包括斯达半导、中车时代电气、比亚迪、杭州士兰微以及吉林华微等上市企业。其中斯达半导2018年全球市占率达2.2%,已经成为全球第八大IGBT模块供应商,其产品涵盖大功率模块、小功率模块、工业级中等功率模块、车用模块以及SiC模块。

目前,中国的一些厂商已经研发出第六代FS-Trench IGBT,并在第七代RC IGBT上具备相应的技术储备,同时随着政府对中国IGBT企业的政策支持,叠加中国下游市场对产品的大量需求,中国企业有望实现大规模的国产替代,后来居上与国际巨头正面竞争。

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 不少的生产机械在运行过程中需要快速地减速或停车,而有些设备在生产中要求保持若干台设备前后一定的转速....
的头像 电子魔法师 发表于 08-02 09:23 184次 阅读
制动单元与制动电阻的选配方案

UPS不间断电源到底是什么详细资料介绍

UPS(UninterruptiblePowerSystem/UninterruptiblePowe....
发表于 08-01 11:44 226次 阅读
UPS不间断电源到底是什么详细资料介绍

采用以下两种控制方式让多台电机实现同步控制

目前在汽车涂装行业中由于涂装加工工艺流程较多,且规模较大,机械化生产线取代人工生产线。被加工工件多数....
的头像 我快闭嘴 发表于 08-01 10:41 572次 阅读
采用以下两种控制方式让多台电机实现同步控制

NXH80T120L2Q0 功率集成模块(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

120L2Q0是功率集成模块,包含一个T型中性点钳位(NPC)三电平逆变器,由两个80 A / 1200 V半桥IGBT组成,带有40 A / 1200 V半桥二极管和两个50 A / 600 V NPC IGBT,带有两个50 A / 600 V NPC二极管。模块还包含一个板载热敏电阻。 特性 优势 低VCESAT的高速1200V和650V IGBT 提高效率 预先应用热界面材料(TIM)的选项预先应用的TIM 更简单的安装过程 使用压入销和焊针的选项 模块安装过程的更广泛选择 应用 终端产品 太阳能逆变器 UPS逆变器 太阳能串逆变器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 50次 阅读
NXH80T120L2Q0 功率集成模块(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 30次 阅读
NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

T120L2Q2F2SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个分离式T型中性点钳位三电平逆变器,由两个带反向二极管的160A / 1200V半桥IGBT,两个中性点120A / 1200V整流器组成,两个具有反向二极管的100A / 650V中性点IGBT,两个半桥60A / 650V整流器和一个负温度系数热敏电阻(NTC)。 特性 优势 650 V IGBT规格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高效率 1200 V IGBT规格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高的效率 底板 热传播 可焊销 轻松安装 热敏电阻 温度检测 T型中性点钳位三电平逆变器模块 应用 终端产品 DC-AC阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 28次 阅读
NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模块(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

FSBB15CH120DF 运动SPM

CH120DF是一款先进的Motion SPM ® 3模块,为交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。这些模块综合优化了内置IGBT的栅极驱动,最大限度降低电磁辐射和损耗,同时提供多种自带保护功能,包括欠压闭锁,过流关断,驱动芯片热监控和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅驱动器和保护功能 低功耗,额定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 LVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 绝缘等级:2500 V rms /分 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 90次 阅读
FSBB15CH120DF 运动SPM

FSBB15CH120D 运动SPM

CH120D是一款先进的MotionSPM®3模块,用于交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。 这些模块综合优化了内置IGBT的栅极驱动,最大限度降低电磁辐射和损耗,同时提供多种自带保护功能,包括欠压闭锁,过流关断,驱动芯片热监控和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅驱动器和保护功能 低功耗,额定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 LVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 绝缘等级:2500 V rms /分 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 44次 阅读
FSBB15CH120D 运动SPM

NXH80B120L2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二极管

120L2Q0SG是一款功率模块,包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个30A / 1200V硅二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2830 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 Si整流器规格:VF = 2.4 V,IRRM = 53 A 用于中速切换的Si二极管 可焊接针 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + Si整流器模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 05:02 62次 阅读
NXH80B120L2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二极管

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-31 04:02 64次 阅读
FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

NFL25065L4BT 用于2相交错式PFC的PFCSPM®2系列

65L4BT是一款PFCSPM®2模块,为消费,医疗和工业应用提供全功能,高性能的交错式PFC(功率因数校正)输入功率级。这些模块集成了内置IGBT的优化栅极驱动,可最大限度地降低EMI和损耗,同时还提供多种模块内保护功能,包括欠压锁定,过流关断,热监控和故障报告。这些模块还具有全波整流器和高性能输出SiC二极管,可节省更多空间和安装便利性。 特性 650 V - 50 A 2阶段具有整体栅极驱动器和保护的交错式PFC 使用Al2O3 DBC衬底的极低热阻 全波桥式整流器和高性能输出SiC升压二极管 用于温度监控的内置NTC热敏电阻 隔离评级:2500 Vrms / min 应用 终端产品 2相交错式PFC转换器 商用空调 工业电机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 04:02 77次 阅读
NFL25065L4BT 用于2相交错式PFC的PFCSPM®2系列

NFCS1060L3TT 智能功率模块(IPM) PFC组合 600V 10A

60L3TT是一个完全集成的PFC和逆变器功率级,包括一个高压驱动器,六个电机驱动IGBT,一个PFC SJMOSFET,一个用于整流器的PFC SiC-SBD和一个热敏电阻,适用于驱动永磁同步( PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为小腿提供独立的发射极连接,以便在选择控制算法时获得最大的灵活性。 特性 优势 在一个封装中采用PFC和逆变器级的简单散热设计。 保存PCB面积并简化装配流程 交叉传导保护 避免手臂短路输入信号不足 集成自举二极管和电阻器 保存PCB面积 应用 终端产品 电机驱动模块 电机控制系统 工业/通用控制系统HVAC 工业风扇电机 泵 洗衣机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 04:02 36次 阅读
NFCS1060L3TT 智能功率模块(IPM) PFC组合 600V 10A

NFAP1060L3TT 智能功率模块(IPM) 600 V 10 A 带有先进的SIP封装

60L3TT是一个完全集成的逆变器功率级,由高压驱动器,六个IGBT和一个热敏电阻组成,适用于驱动永磁同步(PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为低支路提供独立的发射极连接,在控制算法选择方面具有最大的灵活性。功率级具有全面的保护功能,包括跨导保护,外部关断和欠压锁定功能。连接到过流保护电路的内部比较器和参考电压允许设计人员设置过流保护电平。 特性 紧凑型44mm x 20.9mm单列直插式封装 内置欠压保护 交叉传导保护 集成自举二极管和电阻器 应用 终端产品 工业驱动器 泵 粉丝 Automationas 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 03:02 41次 阅读
NFAP1060L3TT 智能功率模块(IPM) 600 V 10 A 带有先进的SIP封装

NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

4是一款高压功率栅极驱动器,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动器使用2个具有交叉传导保护的独立输入。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 最多输入引脚上的Vcc摆动 两个通道之间的匹配传播延迟 带输入的阶段输出 具有100ns内部固定死区时间的交叉传导保护 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin to Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 118次 阅读
NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

NCP51530 高频700 V- 2 A高端和低端驱动器

30是一款700 V高侧和低侧驱动器,具有高驱动能力,适用于AC-DC电源和逆变器。 NCP51530在高工作频率下提供同类最佳的传播延迟,低静态电流和低开关电流。因此,该器件可为高频工作的电源提供高效设计。 NCP51530采用SOIC8和DFN10封装。 特性 优势 高压范围:高达700 V AC / DC设计的设计余量 传播延迟非常快(B版本为25 ns) ) 适合高频操作 匹配传播延迟(最大7 ns) 提高效率&安培;允许并联 高达50 V / ns的高dv / dt抗扰度和负瞬态抗扰度 非常稳健的设计 DFN10封装,具有优化的引脚输出 小PCB占位面积,改善的爬电距离和寄生 快速上升和下降时间(最长15 ns) 适合重载 应用 终端产品 半满和满-bridge Converters 有源钳位反激式适配器 电机控制电源 服务器,电信和工业用电源 电动助力转向 太阳能逆变器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 336次 阅读
NCP51530 高频700 V- 2 A高端和低端驱动器

NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

1是一款高压功率栅极驱动器,提供两个输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高侧电源开关。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围从10 V到20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆幅 两个频道之间的匹配传播延迟 内部固定Dea的一个输入d时间(650 ns) 在两个频道的Vcc LockOut(UVLO)下 引脚与引脚兼容行业标准 应用 半桥电源转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 88次 阅读
NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

MC33153 单IGBT驱动器

3专门设计用作高功率应用的IGBT驱动器,包括交流感应电机控制,无刷直流电机控制和不间断电源。虽然设计用于驱动分立和模块IGBT,但该器件为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括选择去饱和或过流检测和欠压检测。这些器件采用双列直插和表面贴装封装,包括以下特性: 特性 高电流输出级:1.0 A源/ 2.0 A接收器 常规和感测IGBT的保护电路 可编程故障消隐时间 防止过电流和短路 针对IGBT优化的欠压锁定 负栅极驱动能力 成本有效地驱动功率MOSFET和双极晶体管 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 284次 阅读
MC33153 单IGBT驱动器

NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

6是一款高压栅极驱动器IC,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT,采用半桥配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动程序使用2个独立输入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高压范围:最高600 V dV / dt抗扰度±50 V / nsec 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆动 匹配传播两个渠道之间的延迟 输入阶段的输出 适应所有拓扑的独立逻辑输入(版本A) 交叉传导保护机智h 100 ns内部固定死区时间(版本B) 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 任何互补驱动转换器(非对称半桥,有源钳位)(仅限A型)。 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 00:02 178次 阅读
NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

FL73282 半桥栅极驱动器

2是一款单片半桥栅极驱动器IC,可驱动工作电压高达+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dV / dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路,可使高侧栅极驱动器的工作电压在V BS = 15 V时达到V S = - 9.8 V(典型值)。当V CC 或V BS 低于指定阈值电压时,两个通道UVLO电路可防止发生故障。输出驱动器的源电流/灌电流典型值分别为350 mA / 650 mA,适用于各种半桥和全桥逆变器。 特性 浮动通道可实现高达+900 V的自举运行 两个通道的源/灌电流驱动能力典型值为350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪声消除电路 容许扩展负V S 摆幅至-9.8 V,以实现V CC = V BS = 15 V时的信号传输 10 V至20 V的V CC 和V BS 供电范围 双通道的欠压锁定功能 匹配传播延迟低于50 ns 内置170 ns死区时间 输出与输入信号同相 应用 照明 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 00:02 259次 阅读
FL73282 半桥栅极驱动器

NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

3系列是一组高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于中高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器和其他汽车等汽车应用电源。通过消除许多外部组件,这些器件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括Active Miller Clamp(用于NCV5703A),精确的UVLO,DESAT保护和漏极开路故障输出。这些驱动器还具有精确的5.0 V输出(适用于所有版本)和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出(仅适用于NCV5703C),便于系统设计。这些驱动器设计用于容纳宽电压范围的单极性偏置电源(以及NCV5703B的双极性偏置电源)。所有版本均采用8引脚SOIC封装,符合AEC-Q100标准。 特性 优势 IGBT米勒平台电压下的高电流输出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低开关损耗并缩短切换时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 活动密勒钳(仅限NCV5703A) 防止假门开启 应用 终端产品 DC-交流变频器 电池充电器 汽车PTC加热器 驱动程序 电机控制 电动汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 22:02 93次 阅读
NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

2是一款高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器,动力总成逆变器和其他汽车电源等汽车应用。该器件通过消除许多外部元件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括有源米勒钳位,精确的UVLO,EN输入,DESAT保护和漏极开路故障输出。该驱动器还具有精确的5.0 V输出和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出,便于系统设计。该驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源,包括单极性和双极性电压。它采用16引脚SOIC封装。符合AEC-Q100标准。 特性 优势 降低开关损耗和缩短开关时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 活动密勒钳 防止伪门开启 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 应用 终端产品 DC-AC逆变器 电池充电器 汽车PTC加热器 板载充电器 xEV充电器 汽车动力总成逆变器 牵引逆变器 电动汽车 EV充电器 牵引 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 22:02 96次 阅读
NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

3是一款20A降压转换器(内置MOSFET),工作电压范围为3V至21V,无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率,可调节输出以提供低至0.6V的电压。可调电流限制允许器件用于多个电流水平。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,高效电压模式同步降压转换器,工作电压为3 V至21 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V,5V和12V母线 300kHz,500kHz和1MHz开关频率 用户可选择的选项,允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除,则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压保护和欠压电压保护 应用 终端产品 高电流POL应用 AS...
发表于 07-30 04:02 194次 阅读
NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

LV52117QA 用于LCD面板的双输出DC-DC转换器

7是一款高电流双输出DC-DC转换器,可产生正电压和负电压。 LV52117特别适用于LCD显示器等电源应用。 特性 集成1.5MHz同步升压和逆变器转换器 2.75V至4.6V输入电压范围 4.6V至5.8V可调正输出(VDCO1) -5.8V至-4.6V可调负输出(VDCO2) 输出电流高达100mA 脉冲跳跃模式低负载条件 过流/短路保护 终端产品 液晶面板 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-30 00:02 104次 阅读
LV52117QA 用于LCD面板的双输出DC-DC转换器