尽管新冠疫情仍存在影响,三星 (Samsung) 已按计划启动了其位于中国西安的新闪存工厂,开始量产闪存晶圆。
据外媒Blocks & Files消息,新工厂将用于生产三星第五代3D V-NAND,该闪存采用了90+层堆叠及256Gb容量的裸片 (die) 。产能方面,三星将初始目标定在每月20,000片晶圆,之后将会提高至每月65,000片。按每片晶圆约700颗裸片估算,约等于45,500,000颗芯片。《西安日报》也报道该工厂已做好量产准备,计划于8月份开足马力生产。
此外,三星计划在六月推出第六代V-NAND产品,仍将使用256Gb容量的裸片但堆叠层数提升至100+层。再往后的第七代产品,将会采用200+层堆叠的512Gb容量裸片。
三星将在韩国平泽 (Pyeongtaek) 和华城 (Hwaseong) 工厂量产V-NAND。三星也表示,平泽厂将会在不久后调整为第六代V-NAND产线。
此外,三星还计划在西安继续投资80亿美元用于扩产,期望将产能翻倍,提升至130,000片晶圆,具体的时间细节暂未透露。
责任编辑:wv
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
三星电子
+关注
关注
34文章
15601浏览量
180097 -
晶圆
+关注
关注
52文章
4511浏览量
126385
发布评论请先 登录
相关推荐
三星九代V-NAND闪存或月底量产,堆叠层数将达290层
据韩媒Hankyung透露,第九代V-NAND闪存的堆叠层数将高达290层,但IT之家此前曾报道过,三星在学术会议上展示了280层堆叠的QLC闪存,其IO接口速度可达3.2GB/s。
三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%
三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存
三星西安NAND厂开工率回升至70%
三星电子,全球半导体产业的领军企业,近期在其位于中国西安的NAND闪存工厂实现了开工率的显著回升,从去年的低谷20-30%提升至目前的70%
三星计划NAND闪存芯片每个季度涨价20%
三星采取此举的目的很明确,希望通过此举逆转整个闪存市场,稳定NAND闪存价格,并实现明年上半年逆转市场等目标。
三星西安厂计划将NAND工艺升级为236层 明年初更换设备
据业界2日透露,三星电子计划对中国西安nand闪存工厂进行改造,将目前正在生产的128段(v6) nand
消息称三星西安半导体工厂开启工艺升级,正采购新设备备产 236 层 NAND
采取相应措施。据 Business Korea 报道,三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺,并已开始
三星西安工厂将引进236层NAND芯片生产设备
三星决定升级西安工厂的原因大致有两个。第一,在nand闪存市场尚未出现恢复迹象的情况下,在nand闪存市场保持世界领先地位。受从去年年底
美国同意三星向其中国工厂提供设备
10月9日,韩国半导体业传来好消息,美国将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在我国的工厂提供半导体设备,而且无需其它许可;美方的这一决定即日起生效。 三星电子在我国西安有生产NAND
三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存
三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年
发表于 08-21 18:30
•315次阅读
三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产
三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为,三星的nand
GPIO15如何“从闪存启动”或“交换 UART 的 TX”?
是 GPIO13 和 GPIO15。
但我们应该下拉 GPIO15 以从闪存启动...
我如何使用第二个 UART 引脚,同时确保如果我的模块重置它将从闪存启动(而不是从 SD 卡)?
发表于 05-31 08:53
有谁知道是否可以在没有任何SPI闪存的情况下启动ESP8266?
有谁知道是否可以在没有任何 SPI 闪存的情况下启动 ESP8266,例如,从 UART 启动并将程序直接送入 RAM 并从那里执行。
发表于 05-11 08:41
评论