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小米发布GaN充电器,2020年将是GaN的起飞之年

荷叶塘 来源:电子发烧友网 作者:程文智 2020-02-22 13:07 次阅读

2月13日,小米举办的小米10线上发布会上,除了手机,还有两个很有亮点的产品,一个是支持WiFi6的路由器,还有一个就是使用了氮化镓(GaN)功率器件的65W充电器。近期更是传言苹果也将推出65W的GaN充电器。如果再有苹果的加持的话,GaN市场在2020年肯定能一飞冲天。

其实从2018年开始就陆续有厂商推出了GaN充电器,只是在国内没开发布会而已。比如在2020年的CES上,参展的GaN充电器已经多达66款,涵盖了18W、30W、65W和100W等多个功率。

图1:雷军在小米10在线发布会上介绍GaN充电器。

GaN可以给充电器带来什么?

为什么越来越多的厂商开始关注GaN,并将之应用到自己的产品中呢?因为GaN是一种更新型的半导体材料,它与碳化硅(SiC)一起被成为“第三代半导体材料”,与硅、砷化镓等传统的半导体材料相比,具有更宽的带隙。其中硅的能隙是1.1电子伏特,砷化镓的能隙为1.4电子伏特,而GaN是3.4电子伏特。

因此,GaN具有更高的击穿电压(使用GaN时大于200V);能够承受高的输入/输出错配(通常>15:1VSWR);具有更高的结温,平均无故障时间为一百万个小时。

此外,它还具有热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性。

图2:GaN技术成熟度曲线。

根据Gartner绘制的GaN技术成熟度曲线,GaN产品目前处于技术成熟度曲线的第二个攀升阶段,也就是说它的热潮时间段已经过去,走出了泡沫化的低谷期,已经进入了稳步爬升的光明期,现在正是氮化镓产品和技术发展的良机。

随着GaN技术获得突破,成本得到控制,除了射频微波领域,它还被广泛应用到了消费类电子等领域,其中快速充电器便是一例。

采用了GaN功率器件的充电器最直观的感受就是体积小、重量轻,在发热量、效率转换上相比普通充电器也有更大的优势,大大的提升了用户的使用体验。


图3:GaN半导体材料的特性。

PI公司资深技术培训经理阎金光曾在利用PowiGaN开关技术扩展的InnoSwitch3 IC产品发布会上介绍说,用GaN开关替代硅MOSFET,可以极大地降低开关损耗,从而可以提高系统的效率;另外,由于GaN可以工作在高频段,因此可以使得整个电路的开关工作频率从原来的50~60kHz,提高到200~500kHz及以上,工作频率高了后,就可以大幅缩小变压器等器件的体积,从而提高了产品的功率密度,让产品的体积可以做得更小,效率做得更高。同时,因为效率提高了,散热也更好处理,有些产品甚至都不需要加散热片了。

快速充电器GaN芯片厂商有哪些?

据公开资料显示,小米这款65W氮化镓充电器型号的为AD65G,支持100-240V @ 50/60Hz全球电压输入;配备一个USB-C接口,支持USB PD3.0快速充电协议,并有5V/3A、9V/3A、10V/5A、12V/3A、15V/3A、20V/3.25A六组输出电压档位,最大输出功率65W。其中10V/5A特殊电压档是专为小米10Pro设计,能够以50W的疾速快充功率为小米10 Pro充电,从0充电至100%仅需45分钟。


图4:不同充电器的尺寸对比。

纳微(Navitas)半导体发布的新闻稿中提到,小米65W GaN充电器Type-C 65W采用的是纳微半导体的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC,它们针对高频、软开关拓扑进行了优化,通过FET、驱动器和逻辑的单片集成,创建了非常小并且非常快的易于使用的 “数字输入,电源输出” 高性能电源转化模块。使用GaNFast技术,小米65W GaN充电器的尺寸为56.3×30.8×30.8mm(53 cc),是小米10Pro标配适配器的一半大小。

而纳微半导体是一家于2014年在美国加利福尼亚州 El Segundo 成立的GaN功率IC公司。其拥有强大且不断增长的功率半导体行业专家团队,在材料、器件、 应用程序、系统和营销及创新成功记录的领域内,经验丰富。此外,其多位创始人总共加起来拥有超过200项专利。

从其官网上,我们可以看到,该公司总共发布了三款GaNFast产品,分别是NV6113、NV6115和NV6117。


图5:纳微半导体的三款GaN产品。(来源:纳微半导体官网)

当前市场上的GaN充电器主要采用的是650V GaN功率芯片作为功率开关。由于GaN功率芯片采用的是异质外延材料,在设计和制造工艺上都有极大的挑战,因此全球范围内成熟可量产的GaN产线其实并不多。

现有市场上主流的GaN充电器背后的GaN功率芯片主要来源于三大芯片厂商,除了纳微半导体,还有Power Integrations(PI)和英诺赛科。


图6:市面上流行的GaN充电器背后的三家芯片厂商。(数据来源:充电头网)

*IDM: Integrated Design Manufacturer,集成设计制造商,既有IC设计能力也有IC制造能力的公司

**Fabless:无晶圆厂的IC设计公司,只负责IC的设计,不负责IC的制造生产,一般其IC交由专业的代工厂进行加工
 

其中,PI的总部位于美国硅谷,是一家拥有三十多年历史,专注于高压电源管理和控制的电子元器件及电源方案供应商。其PowGaN品牌的GaN产品是2019年9月正式推出的,其实在品牌正式推出前,PI的GaN功率芯片已经在给客户出货了。

据其微信公众号新闻介绍,在2019年9月30日时,PI的CEO Balu Balakrishnan亲手将第100万颗PowiGaN GaN功率器件交给了安克创新的CEO阳萌。也就是说在9月底时,PI的GaN芯片出货量已经突破100万颗了。

目前 PI共有四款产品采用PowiGaN技术。分别是:

InnoSwitch3-Pro - 适合可动态控制电压及电流的电源应用;

InnoSwitch3-EP - 适合敞开式环境的电源应用;

InnoSwitch3-CP - 适合需要恒功率输出特性的充电应用;

LYTSwitch-6 - 适合LED 照明及镇流器应用。

另外一家英诺赛科(Innoscience)是一家国产硅基氮化镓厂商,它由海归团队于2015年12月发起并成立。公司一期项目坐落于珠海市国家级高新区,占地1.7万平米,投资10.95亿元,于2017年建成了全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线,2018年6月发布8英寸硅基氮化镓WLCSP功率产品。二期项目坐落于苏州市吴江汾湖高新区, 占地24.5万平米,于2018年6月开工建设,预计2020年投入生产。

英诺赛科采用了集研发、设计、生产、制造和测试为一体的IDM模式,公司在可靠性和失效分析上进行战略投入, 建立了自有分析平台。它主要生产30V-650V氮化镓功率器件、功率模块和射频器件等产品。公司目前有单管GaN FET、半桥GaN FET和GaN IC三大类产品。

GaN还有哪些应用及玩家?

GaN除了可以应用在快充领域,在射频、汽车电子和光电子领域也应用较为广泛。自 20 年前出现首批商业产品以来,GaN 已成为射频功率应用中 LDMOS 和 GaAs 的重要竞争对手,其性能 和可靠性不断提高且成本不断降低。第一批SiC基GaN和硅基GaN器件几乎同时出现,但SiC基GaN技术更加成熟,目前在射频GaN市场上占主导地位的是SiC基GaN产品,尤其是随着5G的到来,GaN将会在Sub-6GHz宏基站和毫米波(24GHz以上)小基站中找到一席之地。

不过,在GaN射频市场,主要以美国和日本厂商为主,欧洲厂商次之,中国主要是一些新进的企业。据Yole统计,2019 年全球3750多项专利一共可分为1700多个专利家族。这些专利涉及RF GaN外延、RF半导体器件、集成电路和封装等。Cree(Wolfspeed)拥有最强的专利实力,在RF应用的GaN HEMT专利竞争中,尤其在SiC基GaN技术方面处于领先地位,远远领先于其主要专利竞争对手住友电工和富士通英特尔和MACOM是目前最活跃的RF GaN专利申请者,主要聚焦在硅基GaN技术领域。GaN RF HEMT相关专利领域的新进入者主要是中国厂商,例如 HiWafer(海威华芯),三安集成、华进创威。


图7:GaN射频市场重要玩家的专利实力。(来源:Yole)

与硅基GaN射频相关的专利自2011年以来一直稳定增长,与 SiC基GaN相关的专利则一直在波动。硅基GaN射频专利中,17%的RF GaN专利明确声明用于GaN衬底。主要专利受让人是英特尔和MACOM,其次 是住友电工、英飞凌松下、HiWafer、CETC、富士通和三菱电机。

GaN MMIC 领域,东芝和Cree(Wolfspeed)拥有最重要的专利组合。Cree在该领域的IP地位最强,但是东芝目前是最活跃的专利申请人,在未来几年中将进一步巩固其IP地位。主要新进入者是Tiger Microwave (泰格微波)和华进创威。在RF GaN PA领域,Cree(Wolfspeed)处于领先地位。其他主要的IP厂商是东芝、 富士通、三菱电机、Qorvo、雷神公司和住友电机,新进者有MACOM。GaN RF开关领域,英特尔表现最活跃, 新进者有 Tagore Technology。英特尔是GaN RF滤波器的主要专利请人。

GaN技术有望大幅改进电源管理发电和功率输出等应用。硅电源开关成功解决了低电压(<100 伏)或高电压容差(IGBT 和超结器件)中的效率和开关频率问题。然而,由于硅的限制,单个硅功率FET中无法提供全部功能。宽带隙功率晶体管(如GaN和SiC)可以在高压和高开关频率条件下提供高功率效率,从而远远超过硅MOSFET产品。

由于材料特性的差异,SiC在高于1200V的高电压、大功率应用具有优势,而GaN器件更适合40-1200V的高频应用,尤其是在600V/3KW以下的应用场合。因此,在微型逆变器、伺服器、马达驱动、UPS 等领域, GaN可以挑战传统MOSFET或IGBT器件的地位。GaN 让电源产品更为轻薄、高效。

在去年三月份<电子发烧友>举办的BLDC电机论坛上,就有专家表示十分关注GaN技术的发展,因为GaN技术可以让BLDC电机控制更加灵活,性能更好。

在汽车电子中,如果使用48V总线系统的话,GaN技术可以帮助提高效率,缩小尺寸,并降低系统成本。

其实一直以来,GaN功率器件都是由EPC、GaN Systems、Transphorm和Navitas此类的纯GaN初创公司主导的,他们的产品主要是TSMC、Episil和X-FAB代工生产的。国内的新兴代工厂中,三安集成和海威华芯具有量产GaN功率器件的能力。

在近几年的激烈竞争中,英飞凌和 Transphorm 掌握了最顶级的功率GaN专利。英飞凌的专利最全面,可在各个GaN应用场景进行商业活动。而Transphorm则主攻功率GaN,暂时领先其他竞争厂商。

英飞凌,EPC 和瑞萨目前在积极地进行功率GaN专利的研发和申请。并且,英飞凌和英特尔都在研发将GaN功率器件与其他类型的器件(例如射频电路和LED和/或Si CMOS 技术)进行单片集成的技术。

此外,GaN也是蓝光LED的基础材料,在MicroLED和紫外激光器中有着重要作用。

其他重要的GaN企业

CREE:全球最大的SiC和GaN器件制造商

Cree(Wolfspeed)在全球LED芯片、LED组件、照明产品、电源转换和无线通信设备市场中处于领导地位。Cree具备SiC功率器件及GaN射频器件生产能力,其中SiC功率器件市场,Wolfspeed 拥有全球最大的份额,公司也引领了SiC晶圆尺寸的变化浪潮。在GaN射频市场,Wolfspeed位居第二。公司的GaN HEMT出货 量超过1500万只,并进一步拓展了GaN-on-SiC代工服务。

英飞凌:半导体与系统解决方案提供商

英飞凌提供各种半导体解决方案,包括微控制器,LED 驱动器,传感器以及汽车和电源管理 IC 等。在2019年6月宣布收购赛普拉斯Cypress)之后,Infineon 成为全球第八大芯片制造商。

美国国际整流(IR)公司于2010年推出了第一批商用化的GaN产品iP2010和iP2011,用于多相和POL的DC-DC转换器、开关和服务器等。2013年5月,IR开始了硅基GaN器件的商业化。

2014年9月,英飞凌以30亿美元收购了IR,通过此次收购,英飞凌取得了IR的硅基GaN功率半导体技术。

2015年3月,英飞凌和松下达成协议,联合开发采用松下电器的常闭式硅基GaN晶体管,于英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件,推出高能效600V GaN功率器件。松下向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照协议,两家公司均可生产高性能GaN器件。

2018年12月份,英飞凌宣布其硅基GaN产品开始量产,在其新闻发布会上,英飞凌发布了采用氮化镓材料的CoolGaN 400V和600V增强型HEMT产品。


图8:GaN的技术优势。

住友电工:全球GaN射频器件第一大供应商

住友集团具有400年渊源历史,旗下住友电工(Sumitomo Electric)主要生产GaAs低噪声放大器(LNA)、 GaN放大器、光收发器及模块。住友电工为全球GaN射频器件第一大供应商,同时也是华为GaN射频器件第一大供应商,住友电工还向华为供应大量的光收发器及模块,位列华为50大核心供应商之列。住友电工垄断全球GaN衬底市场,其技术在业内处于领先地位。

意法半导体:与业界联手抢占GaN汽车电子市场

意法半导体正在将产品组合扩展至GaN领域。在2018年2月份的时候,意法半导体(ST)与MACOM签署了一份硅基氮化镓合作开发协议,根据协议,意法半导体为MACOM制造硅基氮化镓射频芯片。除了扩大MACOM的货源外,该协议还授权意法半导体在手机、无线基站和相关商用电信基础建设之外的射频市场制造、销售硅基氮化镓产品。

2018年9月,意法半导体展示了其在功率GaN方面的研发进展,并宣布将建设一条新产线,生产包括硅基GaN异质外延在内的产品。

并于2018年与CEA-Leti展开功率GaN合作,主要涉及常关型GaN HEMT和GaN二极管设计和研发,这将充分发挥CEA-Leti的IP和意法半导体的专业知识。意法半导体在位于法国格勒诺布尔的CEA-Leti中试线上研发产品,并在技术成熟后转移至意法半导体的8英寸量产线(也在法国)。

2020年2月21日,意法半导体又携手TSMC,合作加速氮化镓工艺技术的开发,并将分离式与整合式氮化镓元件导入市场。通过此合作,意法半导体将采用TSMC公司的氮化镓工艺技术来生产其氮化镓产品。据称此次合作主要是针对汽车用的氮化镓产品。

安森美半导体:正在与Transphorm合作

在功率GaN研发方面,安森美正在与Transphorm合作,共同开发和推广基于GaN的产品和电源系统方案,用于工业、计算机、通信、LED照明及网络的各种高压领域。基于同一导通电阻等级,该公司第一代600 V硅基GaN器件已比高压硅MOSFET提供好4倍以上的门极电荷、更好的输出电荷、差不多的输出电容和好20倍以上的反向恢复电荷,通过继续改进,未来GaN的优势将会越来越明显。

松下:解决了很多课题

在GaN开发过程中、松下解决了很多课题。特别是其X-GaN系列,优点突出,主要体现在以下3个方面:

安全(实现常关);

和Si-MOSFET相同的驱动方法(不容易坏的栅极);

易于设计(无电流崩塌)。

X-GaN采用HD-GIT结构,从小功率到大功率设备,可提供最合适的封装选择。小功率提供DFN6x4,中大功率提供DFN8x8,大功率提供PSOP封装。

另外,其所有产品都可采用Kelvin Source,可以把源极寄生电感降到最小,实现高频稳定工作。

结语

随着5G时代的到来,5G基站的大规模建设对GaN射频有着巨大的需求,加上国内小米、OPPO等手机厂商在旗舰机型中采用GaN快充,GaN功率芯片的出货量有望在今年一飞冲天。

GaN之前一直没能普及,与其高高在上的价格不无关系,而现在,随着市场需求量增大、大规模生产的实现,以及工艺技术的革新等原因,GaN器件的价格有望走向平民化,这对GaN器件的普及也铺平了道路。

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宁德新能源的安全、高效电池充电方法,该方案对于人们担忧的快充技术的安全性提出了全新的解决方案,可以有....
的头像 汽车玩家 发表于 03-20 15:22 369次 阅读
宁德新能源的安全高效快充技术

从手机到电视 飞奔的视频产业

日前,美国芯片巨头博通把Netflix送上了被告席,博通公司状告奈飞侵犯了八个和网络视频服务有关的技....
的头像 张康康 发表于 03-20 15:16 436次 阅读
从手机到电视  飞奔的视频产业

2月份小米手机出货量排名上升,仅次于苹果和三星

一场疫情让手机市场遭受极大冲击。权威市调机构Strategy Anaylytics日前发布的最新数据....
的头像 牵手一起梦 发表于 03-20 15:02 1863次 阅读
2月份小米手机出货量排名上升,仅次于苹果和三星

专利解密之三安光电氮化镓场效应管制备方法

氮化镓是第三代半导体的代表,具有宽禁带、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等优异的电学特性,在半导体器件....
的头像 独爱72H 发表于 03-20 14:39 408次 阅读
专利解密之三安光电氮化镓场效应管制备方法

报告:2020年智能手机用户销售量下降39%,本月三星居首位

3月19日消息, 研究和咨询公司Strategy Analytics发布2020年2月份全球智能手机....
的头像 牵手一起梦 发表于 03-20 14:39 1183次 阅读
报告:2020年智能手机用户销售量下降39%,本月三星居首位

麒麟820芯片携荣耀30S将登场 5G中低端市场将全面开打

3月19日,从赵明发布微博中可以看出,荣耀新机将会首发中端5G处理器麒麟820,麒麟820将集成5G....
的头像 章鹰 发表于 03-20 14:16 2443次 阅读
麒麟820芯片携荣耀30S将登场 5G中低端市场将全面开打

2019年智能音箱市场销量达4589万台,头部厂商市场份额占比超过9成

2019年第四季度智能音箱市场出货量1308万台,同比增长22.5%。随着人工智能席卷各行各业和语音....
的头像 牵手一起梦 发表于 03-20 14:16 942次 阅读
2019年智能音箱市场销量达4589万台,头部厂商市场份额占比超过9成

采用NV611X系列氮化镓(GaN)进行电源设计热处理及PCB layout 注意事项

介绍 GaN功率集成电路提供超低电容,优良的开关特性,低RDS(ON),封装在一个小QFN封装里。这....
的头像 氮化镓 (GaN) 应用 发表于 03-20 08:38 641次 阅读
采用NV611X系列氮化镓(GaN)进行电源设计热处理及PCB layout 注意事项

三安光电氮化镓场效应管制作过程专利

三安光电提出的此项专利涉及氮化镓晶体管的制备工艺,解决了现有方法中常规金属材料热稳定性和散热差、工艺....
的头像 汽车玩家 发表于 03-19 15:44 430次 阅读
三安光电氮化镓场效应管制作过程专利

小米防闪烁传感器消除频闪更精准

官方介绍频闪条纹就是我们从手机屏幕观察另一台电器的屏幕,手机拍摄画面中会有一条条亮线从屏幕底部推移至....
的头像 汽车玩家 发表于 03-19 15:30 498次 阅读
小米防闪烁传感器消除频闪更精准

三星研发1.5亿像素的摄像头,支持像素九合一实现更高光吸收率

手机拍照已经逐渐走向了两个极端,一方面是华为剑走偏锋的夜拍,另一方面则是三星小米主导的高像素。近日,....
的头像 牵手一起梦 发表于 03-19 14:43 674次 阅读
三星研发1.5亿像素的摄像头,支持像素九合一实现更高光吸收率

传小米放弃自研AP开发 澎湃S2处理器彻底凉透

大家上次听到关于小米的自研处理器澎湃S2的消息应该是在2018年4月,当时都有消息指出小米的这颗处理....
的头像 Carol Li 发表于 03-19 09:16 1349次 阅读
传小米放弃自研AP开发 澎湃S2处理器彻底凉透

安森美提供的高质量CrystX™碳化硅将帮助工程师解决最独特的设计挑战

GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半导体(ON Semicondu....
的头像 lyj159 发表于 03-19 09:07 366次 阅读
安森美提供的高质量CrystX™碳化硅将帮助工程师解决最独特的设计挑战

Microchip扩展碳化硅(SiC)电源器件系列产品,助力在系统层面优化效率、尺寸和可靠性

基于SBD的700V、1200V和1700V电源模块可最大程度地提升开关效率、减少温升和缩小系统尺寸....
发表于 03-19 07:40 149次 阅读
Microchip扩展碳化硅(SiC)电源器件系列产品,助力在系统层面优化效率、尺寸和可靠性

小米已经放弃了对智能手机处理器的开发

据报道,小米曾秘密成立过手机芯片研发部门,在经过长达两年的时间,先后共投入了高达10亿元研发资金,才....
的头像 lhl545545 发表于 03-18 16:57 1250次 阅读
小米已经放弃了对智能手机处理器的开发

在印度可穿戴设备市场中 小米占据着绝对领先地位

在IDC近日公布的2019年第四季度全球可穿戴设备市场报告中,来自印度地区的可穿戴设备数据引起了大家....
发表于 03-18 15:28 121次 阅读
在印度可穿戴设备市场中 小米占据着绝对领先地位

在快充过程中,某些手机一直不停地出现断开重连的情况,而有些手机又是正常的

可以尝试将VBUS电压稍微调低,DCDC在调压瞬间可能产生电压尖峰,导致手机触发过压保护。出现这种情况建议分两段进行调压...
发表于 02-20 14:20 104次 阅读
在快充过程中,某些手机一直不停地出现断开重连的情况,而有些手机又是正常的

【微信精选】小米MIX Alpha:1亿像素售19999;特斯拉组建软件开发团队;蔚来股价跌20%...

2.马斯克:特斯拉正组建中国工程团队 涉及软件开发4.iOS13.1推送更新:修复大量BUG,隔空投送获改进6.vivo首度回应自研芯...
发表于 10-02 07:00 540次 阅读
【微信精选】小米MIX Alpha:1亿像素售19999;特斯拉组建软件开发团队;蔚来股价跌20%...

氮化镓与矽的MOS开关比较

由於寬能隙功率元件的優異切換性能,近幾年已經漸漸被商用化。常見的問題,如:究竟寬能隙元件對於系統的功率密度與效率的提升幫...
发表于 09-19 09:05 702次 阅读
氮化镓与矽的MOS开关比较

【微信精选】小米员工457人瓜分3亿港元;特斯拉撞上消防车;苹果发布会还可能推出Apple TV...

现在距离苹果公司在史蒂夫乔布斯剧院举行秋季新品发布会还有六天时间,外界普遍预计该公司将推出新款iPhone和Apple ...
发表于 09-16 07:30 601次 阅读
【微信精选】小米员工457人瓜分3亿港元;特斯拉撞上消防车;苹果发布会还可能推出Apple TV...

【微信精选】余承东发布新一代麒麟990;小米第一个在印度5年内销量过亿;王小川吐槽Bose700耳机...

1余承东:华为Mate X可折叠手机或下月开卖 根据华为消费者业务CEO余承东的说法,华为的可折叠手机Mate X可能会在下个月开...
发表于 09-15 07:00 748次 阅读
【微信精选】余承东发布新一代麒麟990;小米第一个在印度5年内销量过亿;王小川吐槽Bose700耳机...

求助,小米8不开机,经检测是字库损坏,求回复资料的方案,如能处理会付费

小米8入手半年,摔过一次,换了屏幕,某宝换的,组装屏; 一个月前使用英语流利说,突然卡机,想重启,可以一直开不了机了。 小...
发表于 09-02 15:19 1647次 阅读
求助,小米8不开机,经检测是字库损坏,求回复资料的方案,如能处理会付费

什么因素推动射频半导体格局的变化?

当今的半导体行业正在经历翻天覆地的变化,这主要是由于终端市场需求变化和重大整合引起。几十年前,业内有许多家射频公司,它们...
发表于 09-02 07:55 271次 阅读
什么因素推动射频半导体格局的变化?

硅基氮化镓与LDMOS相比有什么优势?

射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导...
发表于 09-02 07:16 457次 阅读
硅基氮化镓与LDMOS相比有什么优势?

氮化镓有哪些卓越表现?

射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 ...
发表于 09-02 06:41 344次 阅读
氮化镓有哪些卓越表现?

QC3.0输出电压

QC3.0  输出9V/12V档的输出电压范围标准是多少?...
发表于 08-19 10:29 1194次 阅读
QC3.0输出电压

FFSH3065ADN SiC二极管 650V 30A TO-247-3 共阴极

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 19:02 25次 阅读
FFSH3065ADN SiC二极管 650V 30A TO-247-3 共阴极

FFSH3065A SiC二极管 - 650 V 30 A.

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 19:02 44次 阅读
FFSH3065A SiC二极管 -  650 V 30 A.

FFSH2065ADN SiC二极管 650V 20A TO-247-3 共阴极

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 18:02 76次 阅读
FFSH2065ADN SiC二极管 650V 20A TO-247-3 共阴极

FFSH10120A SiC二极管 1200V 10A TO-247-2

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 最高结温175°C 正温度系数 易于平行 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 18:02 89次 阅读
FFSH10120A SiC二极管 1200V 10A TO-247-2

FFSH30120A SiC二极管 1200V 30A TO-247-2

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 正温度系数 易于并行 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 17:02 39次 阅读
FFSH30120A SiC二极管 1200V 30A TO-247-2

FFSH2065A SiC二极管 - 650 V 20 A.

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 17:02 55次 阅读
FFSH2065A SiC二极管 -  650 V 20 A.

FFSH1665ADN SiC二极管 650V 16A TO-247-3 共阴极

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 16:02 23次 阅读
FFSH1665ADN SiC二极管 650V 16A TO-247-3 共阴极

FFSD0665A SiC二极管 - 650V 6A DPAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 16:02 21次 阅读
FFSD0665A SiC二极管 -  650V 6A DPAK

FFSD0865A SiC二极管 - 650V 8A DPAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 16:02 58次 阅读
FFSD0865A SiC二极管 -  650V 8A DPAK

FFSD0465A SiC二极管 - 650V 4A DPAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 15:02 26次 阅读
FFSD0465A SiC二极管 -  650V 4A DPAK

FFSB10120A SiC二极管 1200V 10A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 雪崩额定200 mJ 无逆向恢复/无正向恢复 易于并行 高浪涌电流容量 正温度系数 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 15:02 34次 阅读
FFSB10120A SiC二极管 1200V 10A D2PAK

FFSB20120A SiC二极管 1200V 20A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。没有反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 雪崩额定200 mJ 高浪涌电流容量 正温度系数 易于平行 无逆向恢复/无正向恢复 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 15:02 24次 阅读
FFSB20120A SiC二极管 1200V 20A D2PAK

FFSD1065A SiC二极管 - 650V 10A DPAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 14:02 22次 阅读
FFSD1065A SiC二极管 -  650V 10A DPAK

FFSH1665A SiC二极管 - 650 V 16 A.

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 14:02 30次 阅读
FFSH1665A SiC二极管 -  650 V 16 A.

FFSB1065A SiC二极管 - 650V 10A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 14:02 51次 阅读
FFSB1065A SiC二极管 -  650V 10A D2PAK

FFSB0465A SiC二极管 - 650V 4A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 13:02 30次 阅读
FFSB0465A SiC二极管 -  650V 4A D2PAK

FFSB0865A SiC二极管 - 650V 8A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 13:02 38次 阅读
FFSB0865A SiC二极管 -  650V 8A D2PAK

FFSM0465A SiC二极管 - 650V 4A PQFN88

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 12:02 33次 阅读
FFSM0465A SiC二极管 -  650V 4A PQFN88

FFSB1265A SiC二极管 - 650V 12A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 12:02 60次 阅读
FFSB1265A SiC二极管 -  650V 12A D2PAK

FFSB0665A SiC二极管 - 650V 6A D2PAK

硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系统尺寸和成本。 Llew 特性 最高结温175°C 高浪涌电流容量 正温度系数 无逆向恢复/无正向恢复 应用 PFC 工业电源 太阳能 EV充电器 UPS 焊接 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-04 12:02 53次 阅读
FFSB0665A SiC二极管 -  650V 6A D2PAK