侵权投诉

2020年如何坚守半导体投资?

芯链 2020-01-17 15:43 次阅读

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)芯片一次流片的费用动则几千万元,一轮融资的钱可能只够一次试错的成本;芯片研发投入巨大,如果没有量大的应用市场支撑如何赢利……这些芯片产业面临的问题其实一直成为半导体投资界的“痛”。更痛苦的是,近五年来优质的半导体公司大多已被投资机构们“抢占”,未来寻找优质标的的难度更大。在最近,由国信证券举办的半导体投资交流会上,来自十多家国内半导体投资机构包括华登国际、中芯聚源、元禾璞华、鸿泰基金等的专家们共同分享了对中国半导体投资的看法。
 

图:国信证券举办的半导体投资交流会

半导体投资:天使轮降温,B轮反超

 
从这张图可以看到,2014年开始到2018年半导体行业投资案例数量逐年增加,在2018年达到顶峰为214件,2019年回落到196件。
 

 
下面这张图可以看出,2014年-2019年前11月半导体行业不同轮次投资案例数占比,在2014年-2017年种子和天使轮的投资占比超过35%,2017年达到42.5%的顶峰,2018年回落到28%,2019年仅18.4%,而B轮融资达到了24%的占比,为近6年最高。这说明部分投资更倾向于中早期较为成熟的项目。
 

 
一些投资机构由于较早地涉足中国半导体投资,卡位了一大批优质半导体企业。华登国际于1987年在硅谷成立,32年间投资了500多家公司,150多家半导体公司,108家公司IPO。华登国际投资了包括中芯国际、华润上华、兆易创新、思瑞浦等众多的半导体产业链企业。元禾璞华也投资了多家具有行业影响力的案子,例如韦尔收购北京豪威,君正收购北京矽成,上海博通,澜起科技,晶晨科技,安集微电子科技等等。
 
2019年科创板的推出,为硬科技企业投资提供了退出渠道,一大批前期投资的半导体企业将陆续密集上市。

投资策略的变化

数量众多的半导体初创企业、开放宽松的资本市场、蜂拥而至的投资机构,以及半导体发展的大趋势之下,半导体企业的估值被猛然提高,以至于抬高了投资门槛。投资半导体的策略会有哪些变化呢?
 
在半导体应用领域细分,市场规模有限的情况下,有专家建议专注该领域头部前二名的企业,投资机构力拱头部企业再上台阶,比投资新进者更稳健。
 
在近两年发生的中兴、华为事件后,国产替代成为中国半导体的一股热潮。因此,至少将有5年时间要以国产替代为发展主线。那些替代能力强的芯片企业必将成为资本追逐的焦点。
 
此外,专家还建议,在强调国产替代的同时,半导体投资也应密切关注创新应用带来的芯片发展机会。
 
下一个芯片设计的投资关注点将从消费类芯片和连接芯片,向高性能高可靠性芯片、AI芯片,通用芯片(安全可控)以及第三代半导体材料等方面发展,这将是未来5-10年的机会。消费类和连接芯片的发展将以整合、并购为主。
 

 
根据中国半导体行业协会的数据,2019年中国芯片设计公司1780家, 其中88.54%少于100人,仅有1%大于1000人。销售过亿的企业有238家,占行业公司数13.4%,销售总额为2337.6亿元,占全行业75.8%。前十大企业销售总额为155.8亿元,占全行业50.5%,第一名海思842.7亿元,占全行业27.3%。
 
与国外半导体形成集团军作战形成鲜明对比的是,国内半导体公司多如牛毛,小而散。尤其模拟半导体创业门槛较低,小公司众多,中国的半导体设计人才原本就稀缺,如今还分散于各个公司,而没有形成合力。
 
因此,专家建议中国半导体的发展思路之一必将是强强联合,通过并购重组等迅速发展壮大。可以预见,未来中国半导体的并购整合案件将频繁发生。对半导体投资机构而言,所投企业通过被收购的方式实现资本退出,将是今后一个重要方向。
 

政策建议与科创板助力

 
无论是半导体投资还是芯片研发,最终推动一个产业的进步还需要发展最核心的技术。对半导体而言,最实质的是材料,是基础科学,因此,有专家建议指出,我们现在发展集成电路更多是技术层面和技术逻辑。建议国家的政策指引、政策基金、重大专项以及智库资源,由集成电路改为半导体,由中后端向前端迁移。
 
同时,正确认识半导体领域的“二八定律”,往往80%决定发展,20%决定命运,建议合理分配资源,精准发力。以及正确认识半导体产业发展规律和产业创新的关系,建议集合国家国资力量打造具有产业量级的IDM巨头,打造中国半导体自主可控的基石。 
 
在半导体企业对接资本市场方面,科创板的推出,以半导体集成电路为代表的信息产业为重点支持对象,提供相对宽松的上市环境和便捷的融资渠道。
 
截至2020年1月3日,科创板已受理共计205家企业的上市申请,其中已成功发行的企业为77家,累计109家企业通过上市委会议的审核,其中有3家企业过会后注册失败;科创板终止审查的企业共计21家,暂缓审议的企业2家。
 
注册制下科创板的审核速度加快,通过上市委项目问询轮数从2-7轮不等,主要集中在3轮、4轮。传统IPO业务先申报先完成,注册制下先成熟先完成。
 
国信证券投行部翁媛媛博士表示,科创板的推行令投行团队配置发生了不小的变化,由传统的保代同期申报多个项目,主要项目人员穿插轮换,保代即可担任项目负责人,转变为,保代同期申报一个项目、逐期安排,主要项目组人员集中、密集工作,资深保代担任项目负责人等。
 

图:国信证券投行部翁媛媛博士分享科创板之下的投行服务

 
更重要的是投行的中介工作服务也全面加速、提升,实行早期实质介入、提供规范建议,根据监管问答严格规范,深入开展业务尽调,提早执行重点财务核查程序等。2019年国信证券在科创板保荐承销总排名取得第三名的好成绩,将继续聚焦行业,不断提升在健康医疗、半导体以及工程智领域的保荐能力。


 

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

华为等多家公司积极布局第三代半导体

据科创板日报报道,其记者获悉,不仅是小米、OPPO,华为、三星、苹果均在GaN技术上有着较深的积累。
的头像 汽车玩家 发表于 02-20 21:44 670次 阅读
华为等多家公司积极布局第三代半导体

苹果未有砍单动作,半导体供应链正常

苹果18日发布投资人更新报告,由于疫情影响在大陆供应链及销售,预期无法达成1月底时提出的第一季营收展....
的头像 汽车玩家 发表于 02-20 16:59 274次 阅读
苹果未有砍单动作,半导体供应链正常

中国半导体设备发展的现状是怎么样的

半导体设备位于整个半导体产业链的上游,在新建晶圆厂中半导体设备支出的占比普遍达到 80%。一条晶圆制....
的头像 Wildesbeast 发表于 02-18 15:58 866次 阅读
中国半导体设备发展的现状是怎么样的

TrendForce全面分析COVID-19爆发对全球高科技产业的影响

以下分析显示了TrendForce在COVID-19爆发的影响下对关键组件和其他下游技术行业的调查,....
的头像 刘伟DE 发表于 02-18 11:16 1209次 阅读
TrendForce全面分析COVID-19爆发对全球高科技产业的影响

半导体名词解释(三)

184) Short Channel Effect  短通道效应当MOS组件愈小,信道的长度将随之缩短,电晶体的操作速度将加快,但是,...
发表于 02-17 12:20 262次 阅读
半导体名词解释(三)

半导体名词解释(一)

1) Acetone 丙酮丙酮是有机溶剂的一种,分子式为CH3COCH3性质:无色,具剌激性薄荷臭味的液体用途:在FAB内的用途,主...
发表于 02-17 12:05 192次 阅读
半导体名词解释(一)

半导体企业逐渐复工,疫情下正常生产

当下新型冠状病毒引发的肺炎疫情还在持续,不少行业和企业的复工受到疫情影响,甚至业绩受损,但中芯国际的....
的头像 21克888 发表于 02-15 12:36 1911次 阅读
半导体企业逐渐复工,疫情下正常生产

如何选购智能指纹锁

优质的指纹锁,一定会有一个优秀的设计团队为其打造外形,在现阶段的指纹锁市场,不凡有些小厂商,用一些公....
的头像 Wildesbeast 发表于 02-15 10:20 383次 阅读
如何选购智能指纹锁

应用材料公司发布2020财年第一季度财务报告

2020财年第一季度收入41.6亿美元,同比增长11% 第一季度GAAP每股盈余为0.96美元,非G....
的头像 inr999 发表于 02-14 12:34 1370次 阅读
应用材料公司发布2020财年第一季度财务报告

区块链板块集体爆发,雄岸科技盘中一度涨逾20%!

港股市场今日整体呈现高开低走行情,主要股指皆弱势下跌。截止收盘,恒指跌0.34%报27730点;国指....
的头像 倩倩 发表于 02-14 07:28 1063次 阅读
区块链板块集体爆发,雄岸科技盘中一度涨逾20%!

先区块链又消毒剂,深交所二问安诺其:蹭热点炒股价?

上市公司利用自身优势以缓解疫情防控物资紧缺本是好事,而涉嫌乘机“蹭热点”炒作股价的也引来了监管的关注....
的头像 倩倩 发表于 02-14 07:15 575次 阅读
先区块链又消毒剂,深交所二问安诺其:蹭热点炒股价?

新冠肺炎下,半导体行业之殇

2019年,全球半导体行业处于巨大的衰退之中。纵观半导体产业的历史,结束衰退需要创新技术的到来。5G....
发表于 02-12 08:00 966次 阅读
新冠肺炎下,半导体行业之殇

瑞芯微重点布局人工智能、智能物联等领域

瑞芯微由励民、黄旭共同创办,自成立以来,励民、黄旭一直为公司控股股东及实际控制人,本次发行后,公司实....
的头像 倩倩 发表于 02-12 07:09 816次 阅读
瑞芯微重点布局人工智能、智能物联等领域

重磅!应对肺炎疫情,深圳十六条举措支持企业共渡难关!

日前,深圳市出台了应对新型冠状病毒感染的肺炎疫情,支持企业共渡难关的若干措施。主要有十六条举措。 一....
发表于 02-10 18:33 765次 阅读
重磅!应对肺炎疫情,深圳十六条举措支持企业共渡难关!

研究钙钛矿半导体薄膜发现具有同步辐射光源特色

近年来,钙钛矿半导体材料的发展对光转换应用的进展产生了明显的积极影响,目前已在场发射晶体管、太阳能电....
发表于 02-08 19:19 168次 阅读
研究钙钛矿半导体薄膜发现具有同步辐射光源特色

半导体股再度走高,澜起科技大涨近20%

午后芯片、半导体股再度走高,澜起科技大涨近20%、捷捷微电封涨停,股价创历史新高,富满电子、三安光电....
发表于 02-07 16:48 388次 阅读
半导体股再度走高,澜起科技大涨近20%

2019年国内半导体产业芯片设计专利数同比增长73.4%

作为集成电路行业发展的难点,芯片设计专利数同比增长73.4意味着什么?
发表于 02-07 16:10 514次 阅读
2019年国内半导体产业芯片设计专利数同比增长73.4%

在新型冠状病毒肆虐下国内半导体企业现况如何

在新型肺炎疫情冲击之下,鼠年的首个交易日,A股市场遭遇“至暗时刻”。不过仅一个交易日,随着恐慌释放,....
的头像 Wildesbeast 发表于 02-06 17:02 1939次 阅读
在新型冠状病毒肆虐下国内半导体企业现况如何

世界首个半导体中子探测器!让体积巨大的探测器变“袖珍”

美国西北大学(Northwestern University)和阿贡国家实验室(Argonne Na....
发表于 02-06 15:00 239次 阅读
世界首个半导体中子探测器!让体积巨大的探测器变“袖珍”

全球闪存芯片市场和供应商紧盯武汉半导体企业

作为中国半导体重镇之一,新型冠状病毒肺炎疫情爆发导致武汉封城后,产业链开始关注位于武汉半导体企业。
发表于 02-06 14:25 538次 阅读
全球闪存芯片市场和供应商紧盯武汉半导体企业

深康佳首款存储主控芯片已实现量产

该款芯片由其控股子公司(深康佳 A 持股 51%)合肥康芯威存储技术有限公司(下简称康芯威)进行开发....
发表于 02-05 14:01 1196次 阅读
深康佳首款存储主控芯片已实现量产

半导体行业迎来大跌幅 DRAM和NAND是重灾区

美国半导体行业协会(SIA)在当地时间周一公布了 2019 年全球半导体行业的营收。
发表于 02-05 13:55 620次 阅读
半导体行业迎来大跌幅 DRAM和NAND是重灾区

2019年全球半导体营收较上年下跌12.1%,光电产品销售是亮点

2月4日消息,据国外媒体报道,当地时间周一,美国半导体行业协会(SIA)宣布,2019年全球半导体行....
的头像 牵手一起梦 发表于 02-04 16:32 846次 阅读
2019年全球半导体营收较上年下跌12.1%,光电产品销售是亮点

疫情对电子板块有什么影响

自我隔离无接触生活带来强化甚至改变了原有的应用场景。原本家庭这个应用场景占有的时间主要是8小时工作学....
的头像 Wildesbeast 发表于 02-04 16:13 842次 阅读
疫情对电子板块有什么影响

半导体厂商是如何在非典时期避免断链危机的

新型冠状病毒的出现,总会让人想起十七年前的非典战役。同样的是全民动员,满城风雨,对病毒的恐惧,乃至对....
的头像 Wildesbeast 发表于 02-04 16:09 962次 阅读
半导体厂商是如何在非典时期避免断链危机的

华润微电子开启网下路演 多个“第一”备受关注

据了解,上交所对于红筹企业的特殊性,额外关注股权权属是否清晰稳定、信息披露是否真实、充分等。华润微电....
发表于 02-04 11:20 416次 阅读
华润微电子开启网下路演 多个“第一”备受关注

国产半导体发展现状:设计、封测领域差距渐小

中科院微电子所所长叶甜春表示,从产业链角度来看,在设计、制造、封装、装备、材料等门类上,中国已经有全....
发表于 02-03 17:52 695次 阅读
国产半导体发展现状:设计、封测领域差距渐小

2019年芯片巨头SK海力士运营利润狂跌87%

据外媒报道,韩国芯片巨头SK海力士公布2019年全年营业利润为2.71万亿韩元(约合22.7亿美元)....
发表于 02-01 10:27 771次 阅读
2019年芯片巨头SK海力士运营利润狂跌87%

2019年全球半导体收入总计4183亿美元 同比下降11.9%

根据Gartner的调查结果,2019年全球半导体收入总计4183亿美元,比2018年下降11.9%....
发表于 02-01 07:43 552次 阅读
2019年全球半导体收入总计4183亿美元 同比下降11.9%

芯系武汉,共克难关,Arm中国捐赠500万元人民币

电子发烧友网讯,2020伊始,陡然严峻的肺炎疫情让本应热闹的中国年逐渐沉寂,全国人民的心都被疫情牵动....
发表于 01-31 13:50 641次 阅读
芯系武汉,共克难关,Arm中国捐赠500万元人民币

到2024年,半导体研发将促EUV光刻、3纳米、3D芯片堆叠技术增长

据IC Insights发布的最新2020 McClean报告显示,半导体行业研发的投入将在2024....
的头像 刘伟DE 发表于 01-31 09:20 2699次 阅读
到2024年,半导体研发将促EUV光刻、3纳米、3D芯片堆叠技术增长

好消息传来!火速支援武汉,华秋电路提前一天交货!

电子发烧友网讯,在新型冠状病毒感染的肺炎疫情不断加剧的形势下,为了支援武汉凯尔文光电发出的急需红外人....
发表于 01-28 21:23 460次 阅读
好消息传来!火速支援武汉,华秋电路提前一天交货!

紧急驰援武汉!华秋电子第一时间复工,为测温仪提供关键原材料和元器件!

春节期间,新型冠状病毒肺炎疫情持续爆发,牵动着全国人民的心。面对着紧张的疫情,各种救援物资、设备短缺....
发表于 01-26 20:52 5471次 阅读
紧急驰援武汉!华秋电子第一时间复工,为测温仪提供关键原材料和元器件!

2020新年寄语

一起迈进2020年,迎接电子行业黄金十年的开篇!
发表于 01-24 00:30 1445次 阅读
2020新年寄语

深圳比亚迪微电子近期更名并设立新公司,要发威了?

最近几天深圳比亚迪微电子有限公司动作频频,根据《国家企业信用信息公示系统》和天眼查上的信息,该公司在....
的头像 荷叶塘 发表于 01-22 15:17 6841次 阅读
深圳比亚迪微电子近期更名并设立新公司,要发威了?

存储器供需结构已反转,1月份存储器价格进入上升循环

最新发布的存储器价格报告指出,存储器产业新年伊始就迎来供需结构反转的消息。
发表于 01-21 08:17 722次 阅读
存储器供需结构已反转,1月份存储器价格进入上升循环

二极管与电路保护元器件总汇

电路保护元器件应用领域广泛,只要有电的地方就有安装电路保护元器件的必要,如各类家用电器、家庭视听及数....
的头像 我快闭嘴 发表于 01-18 17:59 630次 阅读
二极管与电路保护元器件总汇

多方面分析LED散热管理的进行过程

LED是复杂的设备。LED不仅存在与半导体设计和操作相关的常见问题,而且LED主要用于发光。因此,光....
的头像 我快闭嘴 发表于 01-18 17:54 739次 阅读
多方面分析LED散热管理的进行过程

半导体二极管的多方面识别

首先,根据导电能力,各种材料可分为导体、绝缘体和半导体。善于传导电流的物质称为导体,不善于传导电流的....
的头像 我快闭嘴 发表于 01-18 17:21 913次 阅读
半导体二极管的多方面识别

基于氧化锌开发色素增感型光发电技术的设计研究

在传感器网络的实际使用中,电源是挑战课题之一。通过用来减少能耗的传感器节点达到节能的效果,为了更舒适....
发表于 01-18 10:54 159次 阅读
基于氧化锌开发色素增感型光发电技术的设计研究

韩国科技部启动AI国家战略,未来十年投资1万亿韩元用于技术研发

据国外媒体报道,韩国科技部今日公布了2020年度工作计划。根据计划,韩国科技部今年正式启动《人工智能....
的头像 牵手一起梦 发表于 01-17 14:52 1133次 阅读
韩国科技部启动AI国家战略,未来十年投资1万亿韩元用于技术研发

半导体压力传感器原理_半导体压力传感器结构

本文主要阐述了半导体压力传感器原理及半导体压力传感器的结构。
发表于 01-17 09:56 266次 阅读
半导体压力传感器原理_半导体压力传感器结构

年收入跌了0.9%,Intel半导体行业市场份额还重回第一

TOP10排名同时发生了很有趣的变化,三星在2017年、2018年霸占榜首之后,1993年起就连续2....
的头像 汽车玩家 发表于 01-17 09:17 922次 阅读
年收入跌了0.9%,Intel半导体行业市场份额还重回第一

芯片领域国产替代火爆 华为小米投资半导体企业背后的逻辑

中国5G的加速诞生在贸易摩擦、去全球化浪潮的大背景下,中国品牌华为、小米等要在国际市场上真正获得长期....
的头像 章鹰 发表于 01-17 08:42 10117次 阅读
芯片领域国产替代火爆 华为小米投资半导体企业背后的逻辑

欧司朗推出新Oslon Boost HM LED,实现宽度与手指相仿的小体积头灯

近日,全球半导体领域的创新推动者 ——欧司朗发布了新款Oslon Boost HM LED,使超薄的....
的头像 牵手一起梦 发表于 01-16 09:31 772次 阅读
欧司朗推出新Oslon Boost HM LED,实现宽度与手指相仿的小体积头灯

半导体光刻机的详细解说

半导体器件被广泛应用于从智能手机到汽车等各个领域,在其制造过程中半导体光刻机必不可少。你知道吗,日本....
的头像 半导体动态 发表于 01-16 08:36 2311次 阅读
半导体光刻机的详细解说

溢泰半导体国内首个化合物半导体新材料产业园区预计1月底建成

据中国化工报报道,由大庆溢泰半导体材料有限公司(以下简称“溢泰半导体”)投资建设的国内首个化合物半导....
的头像 半导体动态 发表于 01-15 15:34 902次 阅读
溢泰半导体国内首个化合物半导体新材料产业园区预计1月底建成

Intel重回全球半导体市场第一位置

2018年全球半导体市场在内存、闪存大涨两年之后达到了巅峰,2019年随即转向熊市,内存、闪存各种跌....
的头像 工程师邓生 发表于 01-15 15:19 1038次 阅读
Intel重回全球半导体市场第一位置

2019年存储芯片市场显著恶化 拖累了全球半导体市场下滑11.9%

2018年全球半导体市场在内存、闪存大涨两年之后达到了巅峰,2019年随即转向熊市,内存、闪存各种跌....
的头像 lyj159 发表于 01-15 15:09 1162次 阅读
2019年存储芯片市场显著恶化 拖累了全球半导体市场下滑11.9%

2019年半导体销售额同比下降11.9%,英特尔重返排行榜首位

1月15日消息,据国外媒体报道,美国市场研究机构Gartner(高德纳)周二发布了2019年全球半导....
的头像 牵手一起梦 发表于 01-15 14:30 912次 阅读
2019年半导体销售额同比下降11.9%,英特尔重返排行榜首位

2019年全球半导体收入下滑11.9% 英特尔、三星和Sk海力士位居前三

1月14日,Gartner发布最新数据显示,存储器市场的疲软表现影响了许多顶级供应商,全球半导体行业....
的头像 章鹰 发表于 01-15 10:34 4085次 阅读
2019年全球半导体收入下滑11.9% 英特尔、三星和Sk海力士位居前三

中芯国际赢得华为海思订单,14nm工艺已实现量产

华为旗下的海思半导体已经向中芯国际下单,通过后者最新的14nm工艺生产芯片。
的头像 独爱72H 发表于 01-14 17:56 1332次 阅读
中芯国际赢得华为海思订单,14nm工艺已实现量产

如何区分高度本征和高度补偿半导体?

如何区分高度本征和高度补偿半导体?
发表于 11-26 15:00 568次 阅读
如何区分高度本征和高度补偿半导体?

电力半导体模块有什么特点?

模块化,按最初的定义是把两个或两个以上的电力半导体芯片按一定的电路结构相联结,用RTV、弹性硅凝胶、环氧树脂等保护材料,...
发表于 11-11 09:02 1362次 阅读
电力半导体模块有什么特点?

压力传感器的应用前景在哪里?

传感器技术是现代测量和自动化系统的重要技术之一,从宇宙开发到海底探秘,从生产的过程控制到现代文明生活,几乎每一项技术都离不开...
发表于 11-08 07:29 298次 阅读
压力传感器的应用前景在哪里?

精密组件,半导体和材料测量的新标准

A new standard for precise component, semiconductor and material measurements...
发表于 11-06 14:21 217次 阅读
精密组件,半导体和材料测量的新标准

调试程序意外退出运行期间遇到错误该怎么办?

你好, 首先,我对PSoC和CasSoC的世界完全陌生,所以请说慢一点,清楚一点。;) 我有一个先锋开发工具包与PSoC 4模块...
发表于 11-05 13:07 239次 阅读
调试程序意外退出运行期间遇到错误该怎么办?

请问有半导体三极管的等效电路图吗?

半导体三极管的等效电路图
发表于 11-05 09:02 182次 阅读
请问有半导体三极管的等效电路图吗?

半导体三极管内电流的传输过程是什么样的?

半导体三极管内电流的传输过程电路
发表于 11-04 09:00 187次 阅读
半导体三极管内电流的传输过程是什么样的?

基于FPGA的芯片该怎么设计?有哪些应用?

过去,半导体行业一直关注的两个目标是缩小体积和提高速率。 ...
发表于 11-01 06:47 201次 阅读
基于FPGA的芯片该怎么设计?有哪些应用?

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 970次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 227次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 176次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 223次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 395次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 137次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 313次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 329次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 1134次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 185次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 133次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 255次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 237次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 284次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 302次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 363次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 428次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 223次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 242次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 238次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器