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你了解这些常用器件封装和其名字来历么?

黄工的嵌入式技术圈 2020-01-16 11:06 次阅读

1、BGA|ball grid array

也称CPAC(globe top pad array carrier)。球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA不用担心QFP 那样的引脚变形问题。

该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,随后在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为MPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC。

2、C-(ceramic)  表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。    3、COB (chip on board)

COB (chip on board)   板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。    4、DIP(dual in-line package) 

DIP(dual in-line package)    双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。欧洲半导体厂家多用DIL。DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm 的封装分别称为SK-DIP(skinny dual in-line package) 和SL-DIP(slim dual in-line package)窄体型DIP。但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为Cerdip(4.2)。

4.1 DIC(dual in-line ceramic package) 

陶瓷封装的DIP(含玻璃密封)的别称。

4.2 Cerdip:

用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从8 到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G即玻璃密封的意思)。

4.3 SDIP (shrink dual in-line package)

收缩型DIP。插装型封装之一,形状与DIP 相同,但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm),因而得此称呼。引脚数从14 到90。有陶瓷和塑料两种。又称SH-DIP(shrink dual in-line package)

 5、flip-chip

  倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。    6、FP(flat package)   扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。    7、H-(with heat sink)  表示带散热器的标记。例如,HSOP 表示带散热器的SOP。    8、MCM(multi-chip module) 多芯片组件

MCM(multi-chip module)    将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大类。 

MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低。

MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。 

MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组件。 布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。 

9、P-(plastic)   表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。    10、Piggy back  驮载封装。指配有插座的陶瓷封装,形状外观与DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。例如,将EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制品,市场上不怎么流通。    11、QFP(quad flat package) 四侧引脚扁平封装

QFP(quad flat package)   表面贴装型封装之一,引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看,塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时,多数情况为塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装。不仅用于微处理器,门陈列等数字逻辑LSI 电路,而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。引脚中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。     有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP,致使名称稍有一些混乱。     另外按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准把引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm~2.0mm的QFP称为MQFP(metric quad flat package)。日本电子机械工业会标准所规定引脚中心距.55mm、0.4mm、0.3mm 等小于0.65mm 的QFP称为QFP(FP) (QFP fine pitch),小中心距QFP。又称FQFP(fine pitch quad flat package)。但现在日本电子机械工业会对QFP的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别,而是根据封装本体厚度分为QFP(2.0mm~3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。      QFP 的缺点是,当引脚中心距小于0.65mm 时,引脚容易弯曲。为了防止引脚变形,现已出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树脂缓冲垫的BQFP(见11.1);带树脂保护环覆盖引脚前端的GQFP;在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专用夹具里就可进行测试的TPQFP。在逻辑LSI 方面,不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里。引脚中心距最小为0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见11.9)。     11.1 BQFP(quad flat package with bumper) 

带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196左右。    11.2 QIC(quad in-line ceramic package)陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称。    11.3 QIP(quad in-line plastic package)塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称。    11.4 PFPF(plastic flat package)塑料扁平封装。塑料QFP 的别称。部分LSI 厂家采用的名称。    11.5 QFH(quad flat high package)

四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种,为了防止封装本体断裂,QFP 本体制作得较厚。部分半导体厂家采用的名称。    11.6 CQFP(quad fiat package with guard ring)

带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变形。 在把LSI 组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。这种封装在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208 左右。    11.7 MQUAD(metal quad)

美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W~2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产。

11.8 L-QUAD

陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8 倍,具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚(0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装,并于1993 年10 月开始投入批量生产。    11.9 Cerquad

表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1.5~2W的功率。但封装成本比塑料QFP 高3~5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。    12、QFG (quad flat J-leaded package)四侧J 形引脚扁平封装

表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈J 字形。是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷两种:  

塑料QFJ 多数情况称为PLCC(plastic leaded chip carrier),用于微机、门陈列、DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18 至84。 

陶瓷QFJ 也称为CLCC(ceramic leaded chip carrier)、JLCC(J-leaded chip carrier)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机芯片电路。引脚数从32 至84。

13、QFN(quad flat non-leaded package)

QFN(quad flat non-leaded package)   四侧无引脚扁平封装,表面贴装型封装之一,是高速和高频IC 用封装。现在多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点,由于无引脚,贴装占有面积比QFP 小,高度比QFP低。但是,当印刷基板与封装之间产生应力时,在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点难于做到QFP的引脚那样多,一般从14 到100 左右。      材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外,还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P-LCC 等。

13.1 PCLP(printed circuit board leadless package) 
 印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称。引脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。

13.2 P-LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
有时候是塑料QFJ 的别称,有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装,用P-LCC 表示无引线封装,以示区别。

14、QFI(quad flat I-leaded packgage)四侧I 形引脚扁平封装  表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈I 字。也称为MSP(mini square package)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分,贴装占有面积小于QFP。 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。此外,日本的Motorola 公司的PLL IC也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 于68。    15、TCP(Tape Carrier Package)薄膜封装TCP技术

TCP(Tape Carrier Package)   主要用于Intel Mobile Pentium MMX上。采用TCP封装技术的CPU的发热量相对于当时的普通PGA针脚阵列型CPU要小得多,运用在笔记本电脑上可以减小附加散热装置的体积,提高主机的空间利用率,因此多见于一些超轻薄笔记本电脑中。但由于TCP封装是将CPU直接焊接在主板上,因此普通用户是无法更换的。    15.1 DTCP(dual tape carrier package)双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。   另外,0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定,将DTCP 命名为DTP。    15.2 QTCP(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。TCP 封装之一,在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利用TAB技术的薄型封装。在日本被称为QTP(quad tape carrier package)。    15.3 Tape Automated Bonding (TAB)卷带自动结合技术

Tape Automated Bonding (TAB)卷带自动结合是一种将多接脚大规模集成电路器(IC)的芯片(Chip),不再先进行传统封装成为完整的个体,而改用TAB载体,直接将未封芯片黏装在板面上。即采"聚亚醯胺"(Polyimide)之软质卷带,及所附铜箔蚀成的内外引脚当成载体,让大型芯片先结合在"内引脚"上。经自动测试后再以"外引脚"对电路板面进行结合而完成组装。这种将封装及组装合而为一的新式构装法,即称为TAB法。

16、PGA(pin grid array)

PGA(pin grid array)   陈列引脚封装。插装型封装之一,其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下,多数为陶瓷PGA,用于高速大规模逻辑LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm,引脚长约3.4mm,引脚数从64 到447 左右。为降低成本,封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64~256 引脚的塑料PGA。另外,还有一种引脚中心距为1.27mm, 引脚长度1.5mm~2.0mm的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA), 比插装型PGA 小一半,所以封装本体可制作得不怎么大,而引脚数比插装型多(250~528)。    17、LGA(land grid array)

LGA(land grid array)   触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,应用于高速逻辑LSI 电路。LGA 与QFP 相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻抗小,对于高速LSI 是很适用的。    18、芯片上引线封装LSI 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。     19、QUIP(quad in-line package) 

  四列引脚直插式封装,又称QUIL(quad in-line)。引脚从封装两个侧面引出,每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚中心距1.27mm,当插入印刷基板时,插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板。是比标准DIP 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采用了些种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。

20、SOP(small Out-Line package)  小外形封装。表面贴装型封装之一,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有塑料和陶瓷两种。另外也叫SOL(Small Out-Line L-leaded package)、DFP(dual flat package)、SOIC(smallout-line integrated circuit)、DSO(dual small out-lint)国外有许多半导体厂家采用此名称。     SOP 除了用于存储器LSI 外,也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不超过10~40 的领域,SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从8~44。    随着SOP的发展逐渐派生出了:

引脚中心距小于1.27mm 的SSOP(缩小型SOP);

装配高度不到1.27mm 的TSOP(薄小外形封装);

VSOP(甚小外形封装);TSSOP(薄的缩小型SOP);

SOT(小外形晶体管);带有散热片的SOP称为HSOP;

部分半导体厂家把无散热片的SOP 称为SONF(Small Out-Line Non-Fin);

部分厂家把宽体SOP称为SOW (SmallOutlinePackage(Wide-Jype)

21、MFP(mini flat package)小形扁平封装

塑料SOP 或SSOP 的别称。部分半导体厂家采用的名称。  22、SIMM(single in-line memory module)

SIMM(single in-line memory module)   单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插座的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格。在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30~40%的DRAM 都装配在SIMM 里。    23、DIMM(Dual Inline Memory Module)双列直插内存模块

DIMM(Dual Inline Memory Module)   与SIMM相当类似,不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的,它们各自独立传输信号,因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用DIMM,SDRAM 的接口与DDR内存的接口也略有不同,SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构,金手指每面为84Pin,金手指上有两个卡口,用来避免插入插槽时,错误将内存反向插入而导致烧毁;DDR DIMM则采用184Pin DIMM结构,金手指每面有92Pin,金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同,是二者最为明显的区别。     DDR2 DIMM为240pin DIMM结构,金手指每面有120Pin,与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口,但是卡口的位置与DDR DIMM稍微有一些不同,因此DDR内存是插不进DDR2 DIMM的,同理DDR2内存也是插不进DDR DIMM的,因此在一些同时具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上,不会出现将内存插错插槽的问题。    24、SIP(single in-line package)

SIP(single in-line package)   单列直插式封装。欧洲半导体厂家多采用SIL (single in-line)这个名称。引脚从封装一个侧面引出,排列成一条直线。当装配到印刷基板上时封装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从2 至23,多数为定制产品。封装的形状各异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。      25、SMD(surface mount devices)

SMD(surface mount devices)   表面贴装器件。偶尔有的半导体厂家把SOP 归为SMD。    26、SOI(small out-line I-leaded package)  I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形,中心距1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引脚数26。    27、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)

SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)   J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形,故此得名。 通常为塑料制品,多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路,但绝大部分是DRAM。用SOJ封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm,引脚数从20 至40(见SIMM)。      28、TO packageTO型封裝

TO packageTO   它的底盘是一块圆型金属板,然后放上一片小玻璃并予加热,使玻璃熔化后把引线固定在孔眼,此孔眼和引线的组合称为头座,于是先在头座上面镀金,则因集成电路切片的底面也是镀金,所以可藉金,锗焊腊予以焊接;焊接时,先将头座预热,使置于其中的焊腊完全熔化,再将电路切片置于焊腊上,经冷却后两者就形成很好的接合。

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美国半导体行业协会(SIA)在当地时间周一公布了 2019 年全球半导体行业的营收。
发表于 02-05 13:55 627次 阅读
半导体行业迎来大跌幅 DRAM和NAND是重灾区

纳米防水材料的用途及在PCB应用中的特点分析

纳米防水剂从功能上可以理解为纳米防水涂层、纳米防潮涂层、防盐雾腐蚀涂层,为电子产品防水提供了更好的解....
的头像 牵手一起梦 发表于 02-05 10:40 517次 阅读
纳米防水材料的用途及在PCB应用中的特点分析

2019年全球半导体营收较上年下跌12.1%,光电产品销售是亮点

2月4日消息,据国外媒体报道,当地时间周一,美国半导体行业协会(SIA)宣布,2019年全球半导体行....
的头像 牵手一起梦 发表于 02-04 16:32 858次 阅读
2019年全球半导体营收较上年下跌12.1%,光电产品销售是亮点

疫情对电子板块有什么影响

自我隔离无接触生活带来强化甚至改变了原有的应用场景。原本家庭这个应用场景占有的时间主要是8小时工作学....
的头像 Wildesbeast 发表于 02-04 16:13 852次 阅读
疫情对电子板块有什么影响

半导体厂商是如何在非典时期避免断链危机的

新型冠状病毒的出现,总会让人想起十七年前的非典战役。同样的是全民动员,满城风雨,对病毒的恐惧,乃至对....
的头像 Wildesbeast 发表于 02-04 16:09 970次 阅读
半导体厂商是如何在非典时期避免断链危机的

华润微电子开启网下路演 多个“第一”备受关注

据了解,上交所对于红筹企业的特殊性,额外关注股权权属是否清晰稳定、信息披露是否真实、充分等。华润微电....
发表于 02-04 11:20 419次 阅读
华润微电子开启网下路演 多个“第一”备受关注

国产半导体发展现状:设计、封测领域差距渐小

中科院微电子所所长叶甜春表示,从产业链角度来看,在设计、制造、封装、装备、材料等门类上,中国已经有全....
发表于 02-03 17:52 704次 阅读
国产半导体发展现状:设计、封测领域差距渐小

2019年芯片巨头SK海力士运营利润狂跌87%

据外媒报道,韩国芯片巨头SK海力士公布2019年全年营业利润为2.71万亿韩元(约合22.7亿美元)....
发表于 02-01 10:27 774次 阅读
2019年芯片巨头SK海力士运营利润狂跌87%

2019年全球半导体收入总计4183亿美元 同比下降11.9%

根据Gartner的调查结果,2019年全球半导体收入总计4183亿美元,比2018年下降11.9%....
发表于 02-01 07:43 554次 阅读
2019年全球半导体收入总计4183亿美元 同比下降11.9%

芯系武汉,共克难关,Arm中国捐赠500万元人民币

电子发烧友网讯,2020伊始,陡然严峻的肺炎疫情让本应热闹的中国年逐渐沉寂,全国人民的心都被疫情牵动....
发表于 01-31 13:50 641次 阅读
芯系武汉,共克难关,Arm中国捐赠500万元人民币

到2024年,半导体研发将促EUV光刻、3纳米、3D芯片堆叠技术增长

据IC Insights发布的最新2020 McClean报告显示,半导体行业研发的投入将在2024....
的头像 刘伟DE 发表于 01-31 09:20 2709次 阅读
到2024年,半导体研发将促EUV光刻、3纳米、3D芯片堆叠技术增长

好消息传来!火速支援武汉,华秋电路提前一天交货!

电子发烧友网讯,在新型冠状病毒感染的肺炎疫情不断加剧的形势下,为了支援武汉凯尔文光电发出的急需红外人....
发表于 01-28 21:23 466次 阅读
好消息传来!火速支援武汉,华秋电路提前一天交货!

紧急驰援武汉!华秋电子第一时间复工,为测温仪提供关键原材料和元器件!

春节期间,新型冠状病毒肺炎疫情持续爆发,牵动着全国人民的心。面对着紧张的疫情,各种救援物资、设备短缺....
发表于 01-26 20:52 5495次 阅读
紧急驰援武汉!华秋电子第一时间复工,为测温仪提供关键原材料和元器件!

2020新年寄语

一起迈进2020年,迎接电子行业黄金十年的开篇!
发表于 01-24 00:30 1447次 阅读
2020新年寄语

深圳比亚迪微电子近期更名并设立新公司,要发威了?

最近几天深圳比亚迪微电子有限公司动作频频,根据《国家企业信用信息公示系统》和天眼查上的信息,该公司在....
的头像 荷叶塘 发表于 01-22 15:17 6878次 阅读
深圳比亚迪微电子近期更名并设立新公司,要发威了?

存储器供需结构已反转,1月份存储器价格进入上升循环

最新发布的存储器价格报告指出,存储器产业新年伊始就迎来供需结构反转的消息。
发表于 01-21 08:17 725次 阅读
存储器供需结构已反转,1月份存储器价格进入上升循环

多方面分析LED散热管理的进行过程

LED是复杂的设备。LED不仅存在与半导体设计和操作相关的常见问题,而且LED主要用于发光。因此,光....
的头像 我快闭嘴 发表于 01-18 17:54 747次 阅读
多方面分析LED散热管理的进行过程

半导体二极管的多方面识别

首先,根据导电能力,各种材料可分为导体、绝缘体和半导体。善于传导电流的物质称为导体,不善于传导电流的....
的头像 我快闭嘴 发表于 01-18 17:21 915次 阅读
半导体二极管的多方面识别

2020年如何坚守半导体投资?

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)芯片一次流片的费用动则几千万元,一轮融资的钱可能只够一次试错的成本;芯....
的头像 芯链 发表于 01-17 15:43 6747次 阅读
2020年如何坚守半导体投资?

韩国科技部启动AI国家战略,未来十年投资1万亿韩元用于技术研发

据国外媒体报道,韩国科技部今日公布了2020年度工作计划。根据计划,韩国科技部今年正式启动《人工智能....
的头像 牵手一起梦 发表于 01-17 14:52 1139次 阅读
韩国科技部启动AI国家战略,未来十年投资1万亿韩元用于技术研发

半导体压力传感器原理_半导体压力传感器结构

本文主要阐述了半导体压力传感器原理及半导体压力传感器的结构。
发表于 01-17 09:56 266次 阅读
半导体压力传感器原理_半导体压力传感器结构

年收入跌了0.9%,Intel半导体行业市场份额还重回第一

TOP10排名同时发生了很有趣的变化,三星在2017年、2018年霸占榜首之后,1993年起就连续2....
的头像 汽车玩家 发表于 01-17 09:17 926次 阅读
年收入跌了0.9%,Intel半导体行业市场份额还重回第一

芯片领域国产替代火爆 华为小米投资半导体企业背后的逻辑

中国5G的加速诞生在贸易摩擦、去全球化浪潮的大背景下,中国品牌华为、小米等要在国际市场上真正获得长期....
的头像 章鹰 发表于 01-17 08:42 10133次 阅读
芯片领域国产替代火爆 华为小米投资半导体企业背后的逻辑

兆易创新与贸泽电子签署全球分销协议 支持现货即发

兆易创新近日宣布与领先的半导体和电子元件分销商贸泽电子(Mouser Electronics)签署全....
的头像 刘伟DE 发表于 01-16 17:00 2186次 阅读
兆易创新与贸泽电子签署全球分销协议 支持现货即发

三种检测光敏电阻器好坏的方法介绍

SMT贴片加工的过程中会使用很多的电子元器件,不同的元器件检测其性能方法也不一样,以下介绍光敏电阻器....
的头像 牵手一起梦 发表于 01-16 11:29 631次 阅读
三种检测光敏电阻器好坏的方法介绍

半导体光刻机的详细解说

半导体器件被广泛应用于从智能手机到汽车等各个领域,在其制造过程中半导体光刻机必不可少。你知道吗,日本....
的头像 半导体动态 发表于 01-16 08:36 2326次 阅读
半导体光刻机的详细解说

贸泽开售具有内部电压基准的TI低功耗DACx0501 DAC

作为授权分销商,贸泽电子致力于快速引入新产品与新技术,帮助客户设计出先进产品,并使客户产品更快走向市....
发表于 01-16 08:26 263次 阅读
贸泽开售具有内部电压基准的TI低功耗DACx0501 DAC

溢泰半导体国内首个化合物半导体新材料产业园区预计1月底建成

据中国化工报报道,由大庆溢泰半导体材料有限公司(以下简称“溢泰半导体”)投资建设的国内首个化合物半导....
的头像 半导体动态 发表于 01-15 15:34 904次 阅读
溢泰半导体国内首个化合物半导体新材料产业园区预计1月底建成

跟9003B功能一样的YY6080

跟9003B功能一样的YY6080
发表于 01-09 15:09 397次 阅读
跟9003B功能一样的YY6080

求一IC 取代 TI 的 TPS25200DRVT

求助: 在用一款TI的芯片: TPS25200DRVT 有无一款便宜的料可以取代它? QQ:3197588904 ...
发表于 01-09 11:10 959次 阅读
求一IC 取代 TI 的 TPS25200DRVT

2020元贺岁礼,留言就拿!让电子友人们:不花钱,也能买开心!

发表于 01-06 11:48 484次 阅读
2020元贺岁礼,留言就拿!让电子友人们:不花钱,也能买开心!

电子元器件存储办法

有没有关于电子元器件存储的相关标准呢? 或者是文章? 找了很多资料,没有找到标准,百度上面的文章保质期都是半年一年的,对...
发表于 01-04 14:37 497次 阅读
电子元器件存储办法

BP1位号,白色盖子尺寸8.8mm*8.8mm,内部是线圈,是什么元器件?

我的板子上这个白色模块4个引脚全部导通了,但是看不清丝印,不知道是什么型号?有大牛知道该元器件是什么吗? ...
发表于 12-31 11:57 444次 阅读
BP1位号,白色盖子尺寸8.8mm*8.8mm,内部是线圈,是什么元器件?

从零开始读懂电子电路图

大家好,我整理了一点学习电路图的资料,大家参考一下,希望对初学者有用~...
发表于 12-26 21:00 1852次 阅读
从零开始读懂电子电路图

求帮忙推荐一款低功耗高精度差分运放ic

各位前辈好,求推荐一款低功耗高精度差分运放ic,输入共模电压在mV量级,供电电压允许5V以下,所需增益大约4V/V。用在干电池...
发表于 12-20 03:30 462次 阅读
求帮忙推荐一款低功耗高精度差分运放ic

器件

有大佬知道这个在哪里吗
发表于 12-17 14:39 338次 阅读
器件

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 970次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 229次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 176次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 223次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 395次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 137次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 313次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 329次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 1134次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 185次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
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TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
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DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
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TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
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TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
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LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
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TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
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LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器