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NoC技术的应用优势、关键技术难点及发展趋势分析

2020-01-22 10:12 次阅读

引言

随着半导体工艺技术步入纳米阶段,在单一芯片中集成上亿晶体管已经成为现实,据ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors,国际半导体技术路线图)预测(见表1),到2010年,单个芯片上的晶体管数目将达到22亿个。如何有效地利用数目众多的晶体管是芯片体系结构必须回答的新问题。倘若因循单核的发展思路,芯片设计将面临互连延迟、存储带宽、功耗极限等性能提升的瓶颈问题。因此,业内普遍认识到,有必要研究新型的芯片体系架构以适应性能增长和功耗下降同时发生这样看似矛盾的需求。多核技术是一条可行之路。多核能够用多个低频率核单元产生超过高频率单核的处理效能,获得较佳的性价比。围绕着多核的一系列技术问题业已成为近期芯片业研究的重点和未来的主要发展方向。

表1 ITRS预测表

NoC技术的应用优势、关键技术难点及发展趋势分析

按照不同的片上互连方式,多核SoC可分为两大类:传统的基于总线的互连和基于网络的互连。前者是现有SoC的扩展,通过多总线及层次化总线等技术使得片上集成更多的处理器核,从而实现高复杂度和高性能;而后者是近些年提出的崭新的概念,即多处理器核之间采用分组路由的方式进行片内通信,从而克服了由总线互连所带来的各种瓶颈问题,这种片内通信方式称为片上网络(Network on a Chip,NoC)。

NoC概述

基本概念

NoC是指在单芯片上集成大量的计算资源以及连接这些资源的片上通信网络,如图1所示。NoC包括计算和通信两个子系统,计算子系统(图中由PE,Processing Element构成的子系统)完成广义的“计算”任务,PE既可以是现有意义上的CPU、SoC,也可以是各种专用功能的IP核或存储器阵列、可重构硬件等;通信子系统(图中由Switch组成的子系统)负责连接PE,实现计算资源之间的高速通信。通信节点及其间的互连线所构成的网络被称为片上通信网络(On-Chip Network, OCN)[1-3],它借鉴了分布式计算系统的通信方式,用路由和分组交换技术替代传统的片上总线来完成通信任务。

图1 典型的NoC结构示意图

NoC技术的应用优势、关键技术难点及发展趋势分析

NoC技术优势分析

基于分组路由方式进行片上通信的NoC在片上通信方式、功耗、基于重用的设计方法学、解决单一时钟全局同步等方面都具有优越性。

·有利于提高通讯带宽

总线结构是现有芯片架构的通信脉络,随着电路规模越来越大,总线结构将成为芯片设计的瓶颈:虽然总线可以有效地连接多个通信方,但总线地址资源并不能随着计算单元的增加而无限扩展;虽然总线可由多用户共享,但一条总线无法支持一对以上的用户同时通信,即串行访问机制导致了通信的瓶颈。此外,片上通信是功耗的主要来源,庞大的时钟网络与总线的功耗将占据芯片总功耗的绝大部分。

NoC的网络拓扑结构提供了良好的可扩展性;NoC连线网络提供了良好的并行通信能力,从而使得通信带宽增加几个数量级;此外,NoC将长的互连线变成交换开关之间互相连接的短连线,这对功耗控制变得极为有利;另一方面,NoC借鉴了通讯协议中的分层思想,这就为从物理级到应用级的全面功耗控制提供了可能。

·有利于提升重用设计

总线架构可扩展性和可重用性差,为此在芯片计算能力演变时,必须跟随着处理能力的需求而变更设计(如更高的内存宽度、更高的频率、更灵活的同步或异步设计等等),每一代芯片的推出都伴随着程度不等的设计变更,这对于开发人员而言是相当大的负担。若是将通信架构独立设计,并且运用更具弹性的技术,对于缩短设计周期、减少开发成本都有不小的帮助。

由于NoC所使用的通信协议层本身属于独立的资源,因此提供了支持高效率可重用设计方法学的体系结构:现有规模的SoC可以基于片上通信协议作为计算节点“即插即用”于NoC的网络节点;给定的互连拓扑结构使得芯片集成可以采用基于片上通信的设计方法(Communication-based Design,CBD)来完成。通信和计算完全分离的技术(也就是通信与计算的正交设计)将重用范围从计算单元可重用扩展到计算与通信单元皆可重用的层次,从而大大提升了重用设计的水平。

·有利于解决全局同步的难题

纳米工艺所带来的各种物理效应使得片上全局同步越来越困难。当采用50nm工艺,时钟频率为10GHz时,全局线延迟将达6~10个时钟周期,时钟偏斜(Skew)变得难以控制,而时钟树又是影响芯片功耗和成本的一个主要因素。这些问题,随着集成器件尺寸越来越小,时钟频率越来越高,将变得越来越突出。

NoC的片内网络通信方式,资源之间的短线互连和天然的全局异步局部同步(GALS)时钟策略等特性是解决这些问题有效途径。

总而言之,研究NoC设计方法和设计技术是满足纳米工艺条件下高集成度芯片发展的必然需求。

NoC设计空间

完整的NoC设计方法学包括很多方面的问题,它们对NoC的发展都是至关重要的,且已经引起了学术界的广泛研究。Carnegie Mellon大学的U.Y. Ogras等人在文献[4]中提出了NoC设计空间的概念并将NoC研究归纳为三大类关键问题:基础架构、通讯机制和映射优化,如图2所示。

图2 NoC设计空间示意图

NoC技术的应用优势、关键技术难点及发展趋势分析

图中,“Hard NoC”(网格部分)指基本架构确定,各PE节点的内容也固定的一类NoC结构,其设计空间只是图中一矩形部分,设计余度最小;“Firm NoC”(灰色阴影空间)指其基本架构已确定,网络通道宽度与通讯节点缓存大小不确定,其他维度对设计者完全自由的一类NoC结构,设计者可以根据确定的应用实现最优的布图规划、通讯调度与任务分配算法、IP映射算法和路由交换解决方案,设计空间比较灵活;“Soft NoC”(白色立方体部分)指设计者需要根据应用来优化NoC设计空间的所有问题,设计灵活性最高,但设计难度和工作量也相应最大。

设计者根据给定的具体应用,依据应用特征图(Application Characterization Graph,APCG),在时间、成本、技术储备等约束条件下,首先按应用选择基于哪类NoC开展设计;其次在该类NoC的设计空间范围内解决相应关键问题,以探索最优的NoC实现方案。

NoC关键技术难点

NoC关键技术主要包括系统建模、拓扑结构、路由方法、交换方法、缓存策略、服务质量和映射优化等,近年来都不同程度地取得研究进展,而阻碍NoC走向大规模应用的瓶颈在于以下几方面:

存储结构问题

Memory是NoC中十分重要的组件,在现有的片上多处理器系统中,存储器占到70%的芯片面积,并且在不久的将来会上升到90%[5];而从能耗的角度来看,存储器所引入的功耗也可达系统功耗的90%[6],这对芯片的散热、封装和可靠性等都带来了严重的问题;NoC系统需要大量的存储元件,并被组织成复杂的存储子系统(memory subsystem),这个存储子系统将支持NoC的并行数据存储、传输及交换。NoC中大量的存储资源必将占用多个路由节点,且由于处理单元与存储资源之间的数据交换非常频繁,若在数据包传输路径上路由节点数目过多,会带来很大的通信延时。如何有效缩短源节点到目的节点间的距离对提高整个NoC系统性能十分关键。

再者,从通信带宽的角度,随着工艺的进步,计算访存比进一步增大,意味着基于该结构获得接近峰值性能的应用算法越少。这就引入了一系列问题,如何让众多处理器核有足够的数据可算?如何更充分地利用片上有限存储空间实现核间共享,以避免片外访存?如何充分利用有限访存带宽,尽量让访存通道优先满足处于关键路径处理器核的访问请求?最近美国Sandia国家实验室提出在多核处理器芯片上堆叠存储芯片,来解决带宽增长不足的问题,这或许是一种可行的方案。

总而言之,片上存储结构已经成为影响NoC性能的关键因素之一。

软件并行化问题

未来的基于多核的高性能处理芯片可能会遇到很多传统的串行程序自动并行化方法较难实施的应用。如果不能有效地利用NoC片上并行处理资源,则并行计算的实际性能将会很低,因此如何通过有效的方法和模型,充分地利用NoC的众多处理单元,并极大地降低应用的开发难度,便成为迫切需要解决的问题。

与并行计算机发展过程中遇到的问题相类似,NoC并行处理体系结构所面临的主要问题是如何将应用中蕴含的不同层次、不同粒度的并行性有效地提取出来并映射到多核的并行硬件结构上去。这一问题的解决涉及包括程序设计模型、程序设计语言、编译系统及硬件支撑等在内的多个方面。

总体来说,开发并行程序可以有三种途径,一是串行程序自动并行化。这条路目前尚未走通,更为实际的目标应为人机交互的自动并行化;二是设计全新的并行程序设计语言。这种方法的缺点是需要全部改写原有程序,对用户来说成本和风险也很高,且效率不能保证。但是,随着多核的出现,若面向大众推广并行计算环境,就必须有一种新的容易被接受的程序设计语言。目前国际上正在研究的新兴并行程序设计语言如IBM的X10、UPC(统一并行 C语言,C语言的扩展)和Titanmin(Java的扩展)等;第三条途径就是串行语言加并行库或伪注释制导语句的扩展,也即增加一个库或一些新的制导语句来帮助进行消息传递和并行。这正是MPI和OpenMP所采取的途径,也是目前比较容易被接受且性能较高的途径。但其程序开发效率很低,难度也比较大。

功耗管理问题

虽然NoC有助于提高芯片的能效(Energy-Efficiency),但不能忽视,由于多核系统片上集成规模的大幅度增加,功耗问题依然突出。如何在NoC设计中提高能效,对众多计算资源进行调度管理以最大限度降低功耗依然是NoC设计所面临的重要问题之一。

从体系结构角度看,NoC主要包括处理器核、核间互连以及片上存储三个主要部分。NoC的低功耗研究可以围绕功耗评估,处理器核功耗优化,片上网络功耗优化以及片上存储功耗优化这四个方面对各部分展开,其中功耗评估是NoC低功耗设计的基础。

功耗是导致包括NoC在内的多核技术出现的重要诱因,也是片上多处理器设计的重要制约因素。对于NoC的不同设计模块和设计层次,都存在行之有效的降低功耗的方法,而这些方法又可能是互相牵制,互相影响的。因此需要贯穿NoC体系结构到电路工艺的各方面的丰富知识,才能在设计早期做出正确的多核架构的选择。一般而言,从越高的设计抽象层次入手考虑低功耗设计问题,则可获得的降低功耗的效率就越大。

NoC发展趋势

技术发展趋势

·向层次化众核方向发展

微软公司2007年6月在美国西雅图召开了第一个以ManyCore(众核)为主题的研讨会(Workshop),标志着众核设计已经成为技术发展的趋势和学术研究的热点。

集成电路设计总是想方设法把现有的各种电子电路乃至计算系统集成到单一芯片上,因此计算机体系结构历来是集成电路片上系统架构的参考体系。超级计算机是最强大的计算机,充分参考超级计算机的体系结构是设计多核处理器的基本思路。超级计算机体系架构的基本特征就是小核大阵列和层次化管理。无论是世界排名第一的Roadrunner(122400个核),还是排名第二的BlueGene/L(212992个核),如图3所示,都是采用高性能、层次化、可扩展的巨大阵列,连接数目众多的普通微处理器(小核)来保障最优的性能。超级计算机告诉我们,小核大阵列和层次化管理必将成为众核处理器的主流技术发展方向。

图3 BlueGene/L的层次化阵列结构

NoC技术的应用优势、关键技术难点及发展趋势分析

·向三维NoC方向发展

ITRS 2007年版阐述了More Moore(延伸摩尔定律)和More than Moore(超越摩尔定律)两个概念,如图4所示,其中延伸摩尔定律是按照等比例缩小继续走微细化的道路,而超越摩尔定律追求的是功能多样化,并指出下一代SoC(NoC)与SiP技术融合的发展趋势。

图4 ITRS 2007年版摩尔定律诠释图

NoC技术的应用优势、关键技术难点及发展趋势分析

正如ITRS所预测,在工艺技术发展和设计技术需求的双重驱动下,三维集成(又称为系统级封装,SiP)技术愈来愈受到学术界和工业界的关注和重视。NoC虽然克服了全局延迟过长带来的信号完整性及全局同步等一系列问题,但并没有在根本上解决缩短物理连线,减小信号时延的问题。由于二维 NoC布局条件的限制,难以保证关键部件相邻以缩短关键路径长度,而三维集成技术可把不同的器件层堆叠起来,不仅在真正意义上缩短了连线的长度,并克服这种布局的限制。因此把NoC和三维集成这两种设计技术融合起来的三维 NoC就显得自然且引人。

三维NoC是在单个芯片上将资源节点(Resource)分布在不同的物理层上,并用三维立体架构实现资源间的互连,以构建高带宽、低延时、低功耗的NoC系统。典型的三维Mesh结构NoC如图5所示。三维 NoC是一个崭新的研究话题,近两年才在国际上被提出(最早一篇相关研究论文于2005年公开发表[9])。目前从事该领域研究的学术机构包括美国斯坦福大学、加州理工大学、宾州州立大学、华盛顿州立大学,瑞典皇家工学院、日本的Keio University,加拿大的不列颠哥伦比亚大学,以及Intel、Toshiba等大公司的研究中心。可见,三维NoC已经引起了国际上学术界和产业界的注意,很可能在未来几年内发展成为一个重要的研究领域,并得到广泛的关注。

图5 三维NoC示意图

NoC技术的应用优势、关键技术难点及发展趋势分析

产业发展趋势

多核技术在产业界已有广泛应用。从Intel、AMD、SUN、CISCO等国际老牌企业,到PicoChip(2000年成立)、Ambric(2003年成立)、Tilera(2004年成立)等新兴公司,多核产品层出不穷;从超级计算机到PC机,从路由器等宽带应用到多媒体等嵌入式市场,多核产品逐渐广为人知。

图6 多核技术市场容量图(来自VDC Research)

NoC技术的应用优势、关键技术难点及发展趋势分析

VDC Research于2007年发表了《多核计算的嵌入式应用:全球市场机会与需求分析》。报告分析了多核技术从2006年到2011年的市场需求走势,如图6所示。图中的纵轴是以2006年总值为单位1,其他年份与2006年相比多核产品市场总额的倍数关系。研究表明,多核技术到2011年,嵌入式应用领域的市场总额将超过2007年的6倍,超过2006的44倍。如此快速的增长速度决定了我国不应该介入太晚,否则就只能再次走“产品跟踪”的老路。

结语

包括NoC在内的多核技术是通用处理器技术升级的大方向已成为业内共识。多核技术是当代集成电路设计的战略性技术,它以很低的功率消耗、较强的并行处理以及优异的计算性能,征服了人们对集成电路性能的追求,“成为业界的重要里程碑”(Intel总裁语)。

先进的NoC结构可以通过集成现有的百兆频率核形成高性能多核处理器,大大降低了技术门槛,为中等设计公司带来了机会,目前已有一批中等公司和新兴公司在多核领域崭露头角,“国际寡头”垄断高性能处理器的格局正在发生变化。对我国现有设计能力而言,即使不能“一步登天”,但完全可以做到“所想即所得”,这亦为我国发展自主产权的高性能处理器产业提供了宝贵的契机。

责任编辑:gt

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的头像 牵手一起梦 发表于 02-03 16:08 463次 阅读
Moto G Stylus规格参数泄露,搭载Snapdragon 665 SoC

OPPO两款智能手机旗舰产品通过泰国NBTC认证

在过去的几周中,我们已经听到了很多有关即将推出的OPPO Find X2的信息。据报道,一对型号为C....
的头像 牵手一起梦 发表于 02-03 15:38 574次 阅读
OPPO两款智能手机旗舰产品通过泰国NBTC认证

联发科全新Helio G80平台推出,搭载产品本月登陆印度市场

联发科再一次丰富了旗下的产品线,今天它发布了全新的Helio G80平台,这是一颗定位中端的SoC芯....
的头像 牵手一起梦 发表于 02-03 14:01 639次 阅读
联发科全新Helio G80平台推出,搭载产品本月登陆印度市场

埃赋隆推出工作在433MHz频段的500W LDMOS晶体管

埃赋隆半导体(Ampleon)现在面向工业加热、除霜、等离子照明和医疗应用推出基于LDMOS 的BL....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 02-01 16:59 1270次 阅读
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2019年芯片巨头SK海力士运营利润狂跌87%

据外媒报道,韩国芯片巨头SK海力士公布2019年全年营业利润为2.71万亿韩元(约合22.7亿美元)....
发表于 02-01 10:27 780次 阅读
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2019年全球半导体收入总计4183亿美元 同比下降11.9%

根据Gartner的调查结果,2019年全球半导体收入总计4183亿美元,比2018年下降11.9%....
发表于 02-01 07:43 560次 阅读
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芯系武汉,共克难关,Arm中国捐赠500万元人民币

电子发烧友网讯,2020伊始,陡然严峻的肺炎疫情让本应热闹的中国年逐渐沉寂,全国人民的心都被疫情牵动....
发表于 01-31 13:50 641次 阅读
芯系武汉,共克难关,Arm中国捐赠500万元人民币

到2024年,半导体研发将促EUV光刻、3纳米、3D芯片堆叠技术增长

据IC Insights发布的最新2020 McClean报告显示,半导体行业研发的投入将在2024....
的头像 刘伟DE 发表于 01-31 09:20 2723次 阅读
到2024年,半导体研发将促EUV光刻、3纳米、3D芯片堆叠技术增长

好消息传来!火速支援武汉,华秋电路提前一天交货!

电子发烧友网讯,在新型冠状病毒感染的肺炎疫情不断加剧的形势下,为了支援武汉凯尔文光电发出的急需红外人....
发表于 01-28 21:23 470次 阅读
好消息传来!火速支援武汉,华秋电路提前一天交货!

开年集结令丨四站Arm SoC开发技术研讨会强势来袭,约起来!

滴滴,你的2019余额已不足20天,对于即将到来的2020年,你又有什么期待呢?在崭新的一年里,Arm中国将为你带来更多的精彩。这不...
发表于 12-25 09:58 2985次 阅读
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内置NPU的Orange Pi 4B,你怎么看

提起单板电脑,树莓派基金会发布的树莓派系列开发板或许是最广为人知的,该公司坚持使用博通的SOC芯片,以实现不断更新的镜像...
发表于 12-23 21:07 702次 阅读
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国产IN612L超低功耗蓝牙芯片突破1对25从远距离800米通讯

[table] [tr][td]IN612L是Inplay公司的SwiftRADIO TM SOC产品系列之一,具有多模协同2.4G无线协议栈,支持2.4G...
发表于 12-06 17:09 411次 阅读
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晶体管β参数测试电路的设计,如何用Proteus仿真?用液晶屏显示?

课题:晶体管β参数测试电路的设计 要求用Proteus仿真,采用适当的A/D芯片,最好串行转换,液晶显示。 已尝试用发光二级管...
发表于 11-30 18:30 424次 阅读
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晶体管β参数测试电路的设计

自己做的仿真总是出错,不知道为什么会亮两个灯,也不知道为什么电容报错。有哪位大神可以帮我一下么...
发表于 11-30 14:41 335次 阅读
晶体管β参数测试电路的设计

晶体管规格书中insertion power gain 的写法为啥是|s21| 2?

如附件图片所示,为什么insertion power gain 的写法为啥是|s21| 2? 加个平方是什么意思? ...
发表于 11-28 16:24 298次 阅读
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如何区分高度本征和高度补偿半导体?

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发表于 11-26 15:00 569次 阅读
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梦翼师兄:稳扎稳打慢慢修炼,方能成为技术牛人

嘉宾介绍:梦翼师兄,高校外聘教师、资深硬件工程师,曾参与国家项目实现炸药检测、识别、追踪研发。独立设计过多款基于XIL...
发表于 11-22 14:24 5604次 阅读
梦翼师兄:稳扎稳打慢慢修炼,方能成为技术牛人

NCP500 LDO稳压器 150 mA 低压差 低噪声

低压降(LDO)线性稳压器专为需要低噪声工作,快速响应时间和低压差的便携式电池供电应用而设计。该器件无需外部噪声旁路电容即可实现低噪声性能。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,以及电流限制和温度限制保护电路。 NCP500 LDO线性稳压器设计用于与低成本陶瓷电容器一起使用,要求最小输出电容为1.0 mF。标准电压版本为1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3和5.0 V. 特性 150 mA时超低压降170 mV 快速启用20微秒的开启时间 1.8 V至6.0 V的宽工作电压范围 出色的线路和负载调节 高精度输出电压2.5% 启用可以通过1.0 V逻辑直接驱动 非常小的QFN 2x2封装 无铅封装可能有售。* G-Suffix表示无铅铅...
发表于 08-13 17:36 54次 阅读
NCP500 LDO稳压器 150 mA 低压差 低噪声

NCV663 LDO稳压器 100 mA 超低Iq

系列低静态电流低压降(LDO)线性稳压器最初设计用于手持通信设备和便携式电池供电应用,可用于需要超低静态电流的汽车应用。它应该用作后置调节器件,因为该产品不能防止汽车电池工作所固有的高输入瞬态电压。 该系列具有2.5μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻器,以及电流限制和温度限制电路等保护功能。 NCV663设计用于低成本陶瓷电容器,需要最小0.1μF的输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。提供无铅电镀选项。 标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3和5.0 V. 特性 超低静态电流2.5 uA典型 低输出电压选项低至1.5V,输出电压精度为+/- 2%。 温度范围-40C至125C 集成保护:电流限制,热关断 AEC合格 PPAP Capable 应用 终端产品 信息娱乐:卫星广播,导航系统 Body ElectronicS 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 14:02 20次 阅读
NCV663 LDO稳压器 100 mA 超低Iq

NCP7800 线性稳压器 1 A 高PSRR

0系列由3引脚,固定输出,正线性稳压器组成,适用于各种应用。这些稳压器非常坚固,内置电流限制,热关断和安全区域补偿。通过足够的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。这些产品可直接替代流行的MC7800系列,提供增强的ESD保护。 特性 优势 输出电流超过1.0 A 适用于各种各样的应用程序 无需外部组件 设计简单并且非常划算 内部热过载保护 可在各种操作条件下使用 内部短路电流限制 坚固耐用 标准版3 Lea中提供d晶体管封装 出色的功耗 增强型ESD容差:HBM 4 kV(5 V和8 V选项),3 kV(12 V和15 V选项)和MM 400 V 降低最终产品装配过程中受损的风险 这些是无铅设备 符合监管要求且环保 输出晶体管SafeArea补偿 输出电压提供4%容差 对于更严格的公差和扩展的工作范围请参阅MC7800 应用 终端产品 电源 船上监管后 工业和消费者应用 冰箱,空调,家用电器 电视,机顶盒,天线驱动器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 41次 阅读
NCP7800 线性稳压器 1 A 高PSRR

NCV7693 3通道控制器 带有汽车LED灯诊断功能

3是一种驱动多个外部开关元件的设备,可实现3个独立功能。可以通过适当选择占空比和电池电压来调节每个LED串中的平均电流。该设备的目标应用是汽车后组合灯。每个驱动器都有自己的诊断功能,可以检测开路负载,接地短路或电池.LED平均亮度水平可通过适当的占空比控制和与开关晶体管串联的外部电阻轻松编程。多串LED可通过单个NCV7693器件运行。该器件采用TSSOP-14封装。 特性 3x脉冲宽度调制(PWM)控制 每个功能的独立诊断反馈 外部切换用于宽电流范围灵活性的装置 外部电阻器定义最大电流 打开LED灯串诊断 短 - 电路LED灯串诊断 热关断诊断和保护 PWM输入引脚上的短路保护 多个LED灯串控制 TSSOP-14包 AEC-Q100合格且PPAP能力 应用 后组合灯(RCL) 日间行车灯(DRL) 雾灯 中央高位刹车灯(CHMSL)阵列 转向信号 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 11:02 33次 阅读
NCV7693 3通道控制器 带有汽车LED灯诊断功能

NCP502 LDO稳压器 80 mA 低Iq

系列固定输出低静态电流低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP502系列具有40μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP502设计用于低成本陶瓷电容器。 LDO线性稳压器采用微型SC70-5表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,2.9,3.0,3.1,3.3,3.4,3.5,3.6,3.7,3.8和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 典型值为40μA的低静态电流 优良线路和负载调节 低输出电压选项 输出电压精度为2.0% 工业温度范围-40°C至85°C 应用 手机 电池供电消费品 手持式仪器 可携式摄像机和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 10:02 15次 阅读
NCP502 LDO稳压器 80 mA 低Iq

NCP512 LDO稳压器 80 mA 低压差 低Iq

固定输出低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP512具有40μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP512设计用于低成本陶瓷电容。 LDO采用微型SC70-5表面贴装封装。标准电压版本为1.3,1.5,1.8,2.2,2.5,2.7,2.8,3.0,3.1,3.3和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低静态电流40μA典型 低压差250 mV,80 mA 低输出电压选项 输出电压精度2.0% 工业温度范围-40° C到85°C 应用...
发表于 07-30 10:02 12次 阅读
NCP512 LDO稳压器 80 mA 低压差 低Iq

NCP699 LDO稳压器 150 mA 带使能

固定输出LDO线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP699系列具有40 uA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的内部电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP699设计用于低成本陶瓷电容器。该器件采用微型TSOP-5表面贴装封装。标准电压版本为1.3,1.4,1.5,1.8,2.5,2.8,3.0,3.1,3.3,3.4和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 优势 极低地电流为40 uA典型 最大限度地降低功耗 150 mA时的低压差340 mV和3.0 V Vout 延长电池使用量。保留更长的监管 启用控制(高电平有效,支持低于1伏逻辑) 输出电压精度为2.0% 工作温度范围-40C至+ 85C 使用1 uF陶瓷或钽电容器稳定 应用 终端产品 移动电话 电池供电的消费产品 HandHeld Instruments 打印机和办公设备 摄像机和相机 打印机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 09:02 38次 阅读
NCP699 LDO稳压器 150 mA 带使能

NCP698 LDO稳压器 150 mA 超低Iq

列固定输出低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。该系列具有2.5 uA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP698系列提供用于ON / OFF控制的使能引脚。 NCP698设计用于低成本陶瓷电容器,需要0.1μF的最小输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。标准电压版本为1.3,1.5,1.8,2.5,2.8,3.0,3.3,3.5和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。可提供无铅电镀选项。 特性 优势 超低静态和接地电流 最小化功耗 低压差 延长电池使用时间。保留更长的监管。 低输出电压选项 输出电压准确度为2.0% 温度范围-40C至85C 应用 终端产品 电池供电仪器 手持式仪器 摄像机和相机 MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 09:02 44次 阅读
NCP698 LDO稳压器 150 mA 超低Iq

NCP563 LDO稳压器 80 mA 超低Iq

定输出低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。该系列具有2.5μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP562系列提供用于ON / OFF控制的使能引脚。 NCP562设计用于低成本陶瓷电容器,需要0.1μF的最小输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3,3.5和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。可以使用无铅电镀选项。 特性 典型值为2.5μA的低静态电流 低输出电压选项 输出电压精度为2.0% -40°C至85°C的温度范围 NCP562提供启用引脚 Pb - 免费套餐可用 应用 终端产品 电池供电仪器 手持式仪器 摄像机和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 51次 阅读
NCP563 LDO稳压器 80 mA 超低Iq

NCP511 LDO稳压器 150 mA 超低压差 低Iq

固定输出低静态电流低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP511具有40μA的超低静态电流。每个LDO线性稳压器包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP511设计用于低成本陶瓷电容器,要求最小输出电容为1.0 5F。 LDO采用微型TSOP-5表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低典型值为40μA的静态电流 100 mA时100 mV的低压差电压 出色的生产线和负荷调节 最大工作电压6.0 V 低输出电压选项 高精度输出电压2.0% 工业温度范围-40°C至85°C 无铅封装可用 应用 手机 电池供电仪器 手持式仪器 Camcorde rs和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 38次 阅读
NCP511 LDO稳压器 150 mA 超低压差 低Iq

MC79M LDO稳压器 500 mA 5 V 负极

0负线性稳压器用于补充流行的MC78M00系列器件。 可提供-5.0,-8.0,-12和-15 V的固定输出电压选项,该负线性稳压器采用限流,热关断和安全区域补偿 - 使其在大多数操作下非常坚固条件。通过充分的散热,可以提供超过0.5 A的输出电流。 规格: MC79M00B MC79M00C 公差 4% 4% 温度范围 -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125°C 封装 DPAK,TO-220 DPAK,TO-220 特性 无需外部组件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 也可用于表面贴装DPAK(DT)封装器件类型/标称输出电压MC79M05 -5.0 VMC79M 12-12 V MC79M08-8.0 VMC79M15-15 V 无铅封装可能有效。 G-Suffix表示 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 07:02 77次 阅读
MC79M LDO稳压器 500 mA 5 V 负极

MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

8是一款中等电流,低压差(LDO)正线性稳压器,专为SCSI-2有源终端电路而设计。该器件为电路设计人员提供了一种经济的精密电压调节解决方案,同时将功率损耗降至最低。线性稳压器由1.0 V压差复合PNP / NPN传输晶体管,限流和热限制组成。该LDO采用SOIC-8和DPAK-3表面贴装功率封装。 应用包括有源SCSI-2端接器和开关电源的后置调节。 特性 2.85 V SCSI-2有源端接的输出电压 1.0 V Dropout 输出电流超过800 mA 热保护 短路保护 输出调整为1.4%容差 无需最低负载 节省空间的DPAK-3,SOT-223和SOIC-8表面贴装电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 55次 阅读
MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

MC78LC LDO稳压器 80 mA 超低Iq

00低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 MC78LC00系列具有1.1μA的超低静态电流。每个LDO线性稳压器包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管和用于设置输出电压的电阻。 MC78LC00低压降(LDO)线性稳压器设计用于低成本陶瓷电容器,要求最小输出电容为0.1μF。 LDO采用微型薄型SOT23-5表面贴装封装和SOT-89,3引脚封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3,4.0和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低静态电流1.1μA典型 出色的线路和负载调节 最大工作电压12 V 低输出电压选项 高精度输出电压2.5% 工业温度范围-40°C至85°C 两个表面贴装封装(SOT-89,3针或SOT-23,5针) 无铅封装可用 应用 电池供电仪器 手持式仪器 Camcorde rs和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 95次 阅读
MC78LC LDO稳压器 80 mA 超低Iq

MC7900 线性稳压器 1 A 5 V 负极

固定输出负线性稳压器旨在作为流行的MC7800系列器件的补充。该负电压调节器提供与MC7800器件相同的七电压选项。此外,负系统MC7900系列还提供MECL系统中常用的一个额外电压选项。 这些线性稳压器具有-5.0 V至-24 V的固定输出电压选项,采用限流,热关断和安全区域补偿 - 使其在大多数工作条件下非常坚固。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。 规格: MC7900AC MC7900B MC7900C 容差 2% 4% 4% 温度范围 0°C至+ 125°C -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125° C 包装 D2PAK,TO-220 D2PAK,TO-220 D2PAK,TO -220 特性 无需外部组件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 2%电压T可用油酸(参见订购信息) 无铅包可能有货。 G-Suffix表示无铅铅涂层。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 50次 阅读
MC7900 线性稳压器 1 A 5 V 负极

NCV97310 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

10是3输出稳压器,由低Iq电池连接的3 A 2 MHz非同步开关和两个低压1.5 A 2 MHz同步开关组成;所有都使用集成功率晶体管。高压开关能够以4.1 V恒定的开关频率将4.1 V至18 V电池输入转换为5 V或3.3 V输出,提供高达3 A的电压。在过压条件下,最高可达3 A. 36 V,开关频率折回1 MHz;在高达45 V的负载突降条件下,稳压器关闭。电池连接降压稳压器的输出用作2个同步开关的低压输入。每个下行输出可在1.2 V至3.3 V范围内调节,具有1.5 A电流限制和恒定的2 MHz开关频率。每个开关都有独立的使能和复位引脚,提供额外的电源管理灵活性。对于低Iq工作模式,低压开关被禁用,待机轨由低Iq LDO(高达150 mA)供电,具有典型功能Iq为30 uA。 LDO稳压器与高压开关并联,并在切换器强制进入待机模式时激活。所有3个SMPS输出均采用峰值电流模式控制,内部斜率补偿,内部设置软启动,电池欠压锁定,电池过压保护,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。错误标志可用于诊断。 特性 优势 可编程扩频 EMI降低 打嗝过流保护 短路事件期间降低功率 个别复位引脚可调延迟 电压监控 带有可湿性侧面...
发表于 07-30 05:02 67次 阅读
NCV97310 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

FAN4868UC33X 3 MHz 同步稳压器

8是一款低功耗升压稳压器,旨在通过单节锂离子或锂离子电池提供稳定的3.3 V输出。输出电压选项固定为3.3 V,在VIN = 2.3 V时保证最大负载电流为200 mA,在VIN = 3.3 V时保证300 mA。关断模式下的输入电流小于1μA,从而最大限度地延长电池寿命。 PFM操作是自动的并且“无故障”。该稳压器可在低负载时保持低至37μA静态电流的输出调节。内置功率晶体管,同步整流和低电源电流的组合使FAN4868成为电池供电应用的理想选择.FAN4868可在6-凸点0.4 mm间距晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。 特性 使用少量外部元件工作:1μH电感和0402外壳尺寸输入和输出电容 输入电压范围为2.3 V至3.2 V 固定3.3 V输出电压选项 最大负载电流> 150 mA,VIN = 2.3 V 最大负载电流300 mA,VIN = 2.7 V,VOUT = 3.3 V 低工作静态电流 True Load Disc关机期间的连接 具有轻载省电模式的可变导通时间脉冲频率调制(PFM) 内部同步整流器(无需外部二极管) 热关断和过载保护 6-Bump WLCSP,0.4 mm间距 应用 终端产品 为3.3 V核心导轨供电 PDA...
发表于 07-30 05:02 47次 阅读
FAN4868UC33X 3 MHz 同步稳压器

NCV97310A 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

10是3输出稳压器,由低Iq电池连接的3 A 2 MHz非同步开关和两个低压1.5 A 2 MHz同步开关组成;所有都使用集成功率晶体管。高压开关能够以4.1 V恒定的开关频率将4.1 V至18 V电池输入转换为5 V或3.3 V输出,提供高达3 A的电压。在过压条件下,最高可达3 A. 36 V,开关频率折回1 MHz;在高达45 V的负载突降条件下,稳压器关闭。电池连接降压稳压器的输出用作2个同步开关的低压输入。每个下行输出可在1.2 V至3.3 V范围内调节,具有1.5 A电流限制和恒定的2 MHz开关频率。每个开关都有独立的使能和复位引脚,提供额外的电源管理灵活性。对于低Iq工作模式,低压开关被禁用,待机轨由低Iq LDO(高达150 mA)供电,具有典型功能Iq为30 uA。 LDO稳压器与高压开关并联,并在切换器强制进入待机模式时激活。所有3个SMPS输出均采用峰值电流模式控制,内部斜率补偿,内部设置软启动,电池欠压锁定,电池过压保护,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。错误标志可用于诊断。 特性 优势 打嗝过流保护 在短路事件期间降低功耗 具有可调延迟的单个复位引脚 电压监控 可编程扩频 EMI降低 带有可...
发表于 07-30 04:02 41次 阅读
NCV97310A 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

NCP1095 以太网供电 - 供电设备接口控制器 IEEE 802.3bt

5是符合IEEE.3bt,IEEE 802.3af和/或IEEE 802.3at标准的以太网供电设备(PoE-PD)接口控制器,可实现包括连接照明在内的高功率应用的开发。监控摄像头。 NCP1095集成了PoE系统中的所有功能,例如在浪涌阶段的检测,分类和电流限制。 使用外部传输晶体管,NCP1095可提供高达90瓦的输出电压。 NCP1095还提供Autoclass支持,以根据PD类型和分类优化功率分配。 特性 IEEE 802.3bt,IEEE 802.3af,IEEE 802.3at兼容 - 允许高达90 W的功率 - 保证PoE设备之间的互操作性 安森美半导体PoE-PD解决方案系列的一部分 内置71mΩ传输晶体管,支持高功率应用 包括由PoE或墙上适配器供电的应用程序的辅助检测引脚 支持自动分类(Autoclass)功能,允许供电设备(PSE)有效地为每个受电设备(PD)供电 内置热插拔FET也可提供更高集成度(NCP1096) 应用 终端产品 以太网供电设备(PoE-PD) Internet物联网(IoT) IEEE 802.3bt IEEE 802.3af IEEE 802.3at 数字标牌 卫星数据网 连接照明 视频和VOIP电话 安全摄像机 Pico基...
发表于 07-30 02:02 58次 阅读
NCP1095 以太网供电 - 供电设备接口控制器 IEEE 802.3bt

NCV8843 降压稳压器 1.5 A 340 kHz 具有同步功能

3是一款1.5 A降压稳压器IC,工作频率为340 kHz。该器件采用V 2 ™控制架构,提供无与伦比的瞬态响应,最佳的整体调节和最简单的环路补偿。 NCV8842可承受4.0 V至40 V的输入电压,并包含同步电路。片上NPN晶体管能够提供最小1.5 A的输出电流,并通过外部升压电容进行偏置,以确保饱和,从而最大限度地降低片内功耗。保护电路包括热关断,逐周期电流限制和频率折返短路保护。 特性 优势 V 2 ™控制架构 超快速瞬态响应,改进调节和简化设计 2.0%误差放大器参考电压容差 严格的输出调节 逐周期限流 限制开关和电感电流 开关频率短路时减少4:1 降低短路功耗 自举操作(BOOST) 提高效率并最大限度地降低片内功耗 与外部时钟同步(SYNC) 与外部时钟同步(SYNC) 1.0 A关闭静态电流 当SHDNB为最小时电流消耗最小化断言 热关机 保护IC免于过热 软启动 在启动期间降低浪涌电流并最大限度地减少输出过冲 无铅封装可用 应用 终端产品 汽车 工业 直流电源 电路图、引脚图和封装图...
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NCV8843 降压稳压器 1.5 A 340 kHz 具有同步功能

MC78M 线性稳压器 500 mA 5至24 V 高PSRR 正极

0 / MC78M00A正线性稳压器与流行的MC7800系列器件完全相同,只是它的输出电流仅为输出电流的一半。与MC7800器件一样,MC78M00三端稳压器用于本地卡上电压调节。 内部通道晶体管的内部限流,热关断电路和安全区域补偿相结合,使这些线性稳压器在大多数工作条件下都非常坚固。具有足够散热的最大输出电流为500 mA。 规格:
发表于 07-29 21:02 67次 阅读
MC78M 线性稳压器 500 mA 5至24 V 高PSRR 正极