侵权投诉

Cerebras Systems宣布推出有史以来最大的芯片Wafer Scale Engine

2019-12-10 14:05 次阅读

昨天,初创公司Cerebras Systems宣布推出有史以来最大的芯片Wafer Scale Engine(WSE)。

据悉,WSE拥有1.2万亿个晶体管,这是一个什么概念呢?比较一下,1971年英特尔首款4004处理器拥有2300个晶体管,最近,AMD推出的最新处理器拥有320亿个晶体管。由此可见WSE规模之庞大。

大多数芯片是在12英寸硅晶圆上制造的,并在芯片工厂中批量处理。但Cerebras Systems芯片是在单个晶圆上通过互联实现的单芯片。这些互连设计使其全部保持高速运行,可使万亿个晶体管全部一起工作。

Cerebras Wafer Scale Engine专门针对处理人工智能应用程序而设计的。该公司本周正在加利福尼亚州帕洛阿尔托的斯坦福大学举行的Hot Chips会议上讨论这项设计。

此前,三星已经制造了一个闪存芯片,即eUFS,拥有2万亿个晶体管。但Cerebras芯片拥有400,000个核心,42,225平方毫米。它比最大的Nvidia图形处理单元大 56.7倍,该单元的尺寸为815平方毫米和211亿个晶体管。

与传统芯片相比,WSE还包含3000倍的高速片上存储器,并且具有10000倍的存储器带宽。

该芯片来自Andrew Feldman领导的团队,后者曾创建微型服务器公司SeaMicro,并以3.34亿美元的价格出售给了AMD。

芯片尺寸在AI中非常重要,因为大芯片可以更快地处理信息,在更短的时间内产生答案。减少训练时间,使研究人员能够测试更多想法,使用更多数据并解决新问题。谷歌,Facebook,OpenAI,腾讯,百度和许多专业人士都认为,今天人工智能的主要限制是训练需要很长时间。因此,缩短训练时间就消除了整个行业进步的主要瓶颈。

当然,芯片制造商通常不会制造如此大的芯片。在单个晶圆上,在制造过程中通常会产生一些杂质,杂质会导致芯片发生故障。如果晶圆上只有一个芯片,它有杂质的几率是100%,杂质会使芯片失效。但Cerebras设计的芯片是有冗余的,因此一种杂质不会破坏整个芯片。

WSE有很多创新,通过解决限制芯片尺寸的数十年的技术挑战 - 例如交叉光罩连接,良率,功率输送,以及封装等,Cerebras Systems首席执行官费尔德曼说。“每个架构决策都是为了优化AI工作的性能。结果是,Cerebras WSE根据工作量提供了数百或数千倍于现有解决方案的性能,只需很小的功耗和空间。“

WSE通过加速神经网络训练的所有元素来实现这些性能提升。神经网络是多级计算反馈回路。较快的输入在循环中移动,循环学习的速度越快,从而减少了训练时间。

Linley Group首席分析师Linley Gwennap在一份声明中说:“Cerebras凭借其晶圆级技术实现了巨大的飞跃,在单片晶圆上实现了更多的处理性能。” 为了实现这一壮举,该公司已经解决了一系列工程难题,包括实施高速芯片到芯片通信,解决制造缺陷,封装如此大的芯片,以及电源和冷却等问题。通过将各种学科的顶级工程师聚集在一起,Cerebras在短短几年内创造了新技术并交付了产品。

据悉,该芯片面积比最大的GPU多56.7倍,Cerebras WSE提供更多内核进行计算,更多内存靠近内核,因此内核可以高效运行。由于这些大量的内核和内存位于单个芯片上,因此所有通信都在芯片内进行,这意味着它的低延迟通信带宽是巨大的,因此内核组可以以最高效率进行协作。

Cerebras WSE中的46,225平方毫米的硅包含400,000个AI优化,无缓存,无开销的计算内核和18千兆字节的本地、分布式、超高速SRAM内存,内存带宽为每秒9 PB。这些内核通过细粒度、全硬件、片上网状连接通信网络连接在一起,可提供每秒100 petabits的总带宽。更多内核,更多本地内存和低延迟高带宽结构共同构成了加速AI工作的最佳架构。

更多核心

WSE包含400,000个AI优化的计算核心。被称为稀疏线性代数核心的SLAC,计算核心灵活、可编程,并针对支持所有神经网络计算的稀疏线性代数进行了优化。SLAC的可编程性确保内核可以在不断变化的机器学习领域中运行所有神经网络算法。

由于稀疏线性代数核心针对神经网络计算基元进行了优化,因此它们可实现最佳利用率 - 通常是GPU的三倍或四倍。此外,WSE核心包括Cerebras发明的稀疏性收集技术,以加速稀疏工作负载(包含零的工作负载)的计算性能,如深度学习

零在深度学习计算中很普遍。通常,要相乘的向量和矩阵中的大多数元素都是零。然而,乘以零是浪费硅、功率和时间,因为没有新的信息。

因为GPU和张量处理单元是密集的执行引擎 - 设计为永不遇到零的引擎 - 它们即使在零时也会乘以每个元素。当50%-98%的数据为零时,如深度学习中的情况一样,大多数乘法都被浪费了。由于Cerebras稀疏线性代数核不会乘以零,所有零数据都会被滤除,并且可以在硬件中跳过。

存储

内存是每个计算机体系结构的关键组件。更接近计算的内存转换为更快的计算,更低的延迟和更好的数据移动功效。高性能深度学习需要大量计算,并且频繁访问数据。这需要计算核心和存储器之间的紧密接近,这在GPU中并非如此,其中绝大多数存储器是很缓慢的,且在片外。

Cerebras Wafer Scale Engine包含更多内核,具有比迄今为止任何芯片更多的本地内存,并且在一个时钟周期内可以通过其核心访问18GB的片上内存。WSE上的核心本地内存集合可提供每秒9PB的内存带宽 - 比领先的图形处理单元多3,000倍的片上内存和10,000倍的内存带宽。

通信

Swarm通信结构是WSE上使用的处理器间通信结构,它可以传统通信技术的功耗的一小部分实现突破性带宽和低延迟。Swarm提供低延迟、高带宽的2D网格,可连接WSE上的所有400,000个核心,每秒带宽为100 petabits。

路由方面,Swarm为每个神经网络提供独特的优化通信路径。软件根据正在运行的特定用户定义的神经网络结构,配置通过400,000个核心的最佳通信路径以连接处理器。

Cerebras WSE的总带宽为每秒100 petabits。不需要诸如TCP / IP和MPI之类的通信协议支持,因此避免了它们的性能损失。该架构中的通信能量成本远低于每比特1焦耳,这比GPU低近两个数量级。通过结合大量带宽和极低的延迟,Swarm通信结构使Cerebras WSE能够比任何当前可用的解决方案更快地学习。

原文标题:反其道而行,世界最大芯片诞生

文章出处:【微信号:icbank,微信公众号:半导体行业观察】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

牛津大学团队研发出新型存储单元,实现芯片级光通信

牛津大学设计了一种新型计算机存储单元,可以同时通过电和光信号对其进行访问或写入,大幅度提升了带宽和功....
发表于 01-21 08:38 405次 阅读
牛津大学团队研发出新型存储单元,实现芯片级光通信

AI芯片战火蔓延 国内芯片公司开始蠢蠢欲动

AI不仅是最大科技热点,也是未来数十年科技发展趋势。伴随着这股热潮,AI芯片成为了半导体行业的新风向....
发表于 01-19 16:31 94次 阅读
AI芯片战火蔓延 国内芯片公司开始蠢蠢欲动

AMD称第三代Ryzen性能比Ice Lake高90%

AMD将于1月7日至1月10日(当地时间)在内华达州拉斯维加斯举行的 CES 2020新闻发布会上举....
的头像 刘伟DE 发表于 01-18 05:52 1064次 阅读
AMD称第三代Ryzen性能比Ice Lake高90%

士兰集昕在8英寸芯片领域将达到国内领先水平 并突破关键技术

近年来,集成电路芯片(简称“芯片”)无疑是业内最受关注的产业,呼吁发展“中国芯”、振兴民族品牌的声音....
的头像 半导体动态 发表于 01-17 17:43 1011次 阅读
士兰集昕在8英寸芯片领域将达到国内领先水平 并突破关键技术

A14处理器将大幅提高iPhone 12性能 主要得益于芯片工艺的提升

1月17日消息,据国外媒体报道,在因为芯片等方面的原因而错失5G的首班车之后,外界普遍预计苹果今年将....
发表于 01-17 17:33 483次 阅读
A14处理器将大幅提高iPhone 12性能 主要得益于芯片工艺的提升

苹果A14芯片爆料,性能比肩15英寸MacBook

近些日,有关iPhone 12的内存消息越来越多,据爆料将会升级6GB内存,要知道如今对于iPhon....
的头像 独爱72H 发表于 01-17 17:22 843次 阅读
苹果A14芯片爆料,性能比肩15英寸MacBook

台积电Q4季度7nm芯片出货量占总数35%,超三分之一

据国外消息报道,为苹果、华为等公司制造芯片的代工商台积电,在今日午后发布了2019年第四季度的财报,....
的头像 牵手一起梦 发表于 01-17 15:49 503次 阅读
台积电Q4季度7nm芯片出货量占总数35%,超三分之一

5G技术助力全产业链加速发展,VoNR在5G商用中的作用什么

随着5G商用的推进,全产业链也在加速合作,助力5G技术的普及。值得注意的是,全球主要的几家5G芯片厂....
的头像 牵手一起梦 发表于 01-17 15:35 459次 阅读
5G技术助力全产业链加速发展,VoNR在5G商用中的作用什么

台积电魏哲家表示公司短期内没有在美设厂的打算

本周有日媒报道称,美国华盛顿方面向台积电施压,敦促其尽快在美国建厂,以便将那些所谓攸关美国国家安全利....
的头像 工程师邓生 发表于 01-17 14:54 399次 阅读
台积电魏哲家表示公司短期内没有在美设厂的打算

2017年我国蜂窝物联网发展迅猛 NB-IoT模组价格已降5.7倍

在蜂窝物联网方面,王志勤认为,2017年是蜂窝物联网发展的元年,连接数已经达到了2.7亿户,是201....
的头像 倩倩 发表于 01-17 14:34 436次 阅读
2017年我国蜂窝物联网发展迅猛 NB-IoT模组价格已降5.7倍

采用5纳米工艺的A14芯片性能可匹敌15英寸MacBook Pr

我们已经得到了很多关于今年iPhone 12的传闻,预计其设计采用类似于iPhone 4或当前iPa....
的头像 牵手一起梦 发表于 01-17 14:26 359次 阅读
采用5纳米工艺的A14芯片性能可匹敌15英寸MacBook Pr

人工智能芯片可以研发出“指甲手机”?

随着军事的发展,人工智能被投放民用市场,普及市场,推动了社会的全面进步。
发表于 01-17 11:42 118次 阅读
人工智能芯片可以研发出“指甲手机”?

台积电10nm芯片出货量仅占晶圆收入1%,7nm占2019年第四季度35%

台积电(台湾半导体制造公司)已发布了其2019年第四季度的财务报告。该季度该公司的收入和利润均有增长....
的头像 刘伟DE 发表于 01-17 11:11 1946次 阅读
台积电10nm芯片出货量仅占晶圆收入1%,7nm占2019年第四季度35%

芯片产业开始逆袭了?

过去的几十年里,科技之所以能够获得翻天覆地的改变,与这些芯片厂商在上游的努力有很大的关系。
发表于 01-17 10:43 713次 阅读
芯片产业开始逆袭了?

基于MLX71120/21接收机实现平衡环天线的设计

本篇文章概述了MELEXIS无线接收芯片MLX71120和MLX71121的平衡环天线设计。提供了详....
发表于 01-17 10:30 80次 阅读
基于MLX71120/21接收机实现平衡环天线的设计

Cypress单芯片低功耗蓝牙BLE解决方案的特点分析

Cypress公司于2014年11月11日正式宣布,推出高集成度的单芯片低功耗蓝牙BLE解决方案,以....
发表于 01-17 10:04 56次 阅读
Cypress单芯片低功耗蓝牙BLE解决方案的特点分析

iPhone 12系列的5nm A14芯片超125亿颗晶体管

今年的iPhone 12系列依然有不少看点,比如首次支持5G网络、后置四摄(加入ToF)、搭载5nm....
的头像 汽车玩家 发表于 01-17 09:10 435次 阅读
iPhone 12系列的5nm A14芯片超125亿颗晶体管

台积电第四季度7nm芯片出货量占比达35% 16nm和10nm的出货量均有下滑

1月16日消息,据国外媒体报道,为苹果、华为等公司制造芯片的代工商台积电,在今日午后发布了2019年....
的头像 半导体动态 发表于 01-17 08:58 325次 阅读
台积电第四季度7nm芯片出货量占比达35% 16nm和10nm的出货量均有下滑

KMT31磁场传感器角度传感器的数据手册免费下载

磁阻材料在外磁场中可以改变其电阻率。电阻率的变化是由磁化作用相对于电流方向的旋转决定的。坡莫合金(N....
发表于 01-17 08:00 21次 阅读
KMT31磁场传感器角度传感器的数据手册免费下载

XKT-510无线充电芯片的数据手册免费下载

ElecFreaks公司提供的XKT-510系列集成电路,采用CMOS工艺流程,具有精度高、稳定性好....
发表于 01-17 08:00 40次 阅读
XKT-510无线充电芯片的数据手册免费下载

AMD有望在Zen 3的推动下于2020年业绩创下历史新高

根据DigiTimes发布的一份报告显示,AMD将在2020年实现绝对正数的高速增长。考虑到AMD的....
的头像 刘伟DE 发表于 01-16 16:51 1531次 阅读
AMD有望在Zen 3的推动下于2020年业绩创下历史新高

求推介精度较高的倾角传感器芯片

测量范围0~+-60度度,精度0.001
发表于 01-16 11:02 238次 阅读
求推介精度较高的倾角传感器芯片

3DES数据加密算法的原理和使用FPGA设计的详细说明

介绍了3DES 数据加密算法(DDA)的原理,针对利用FPGA 硬件实现3DES 算法,给出了一种可....
发表于 01-16 10:58 121次 阅读
3DES数据加密算法的原理和使用FPGA设计的详细说明

硅3D集成技术解决方案在传感器应用中的主要挑战

从低密度的后通孔TSV 硅3D集成技术,到高密度的引线混合键合或3D VSLI CoolCubeTM....
发表于 01-16 09:53 93次 阅读
硅3D集成技术解决方案在传感器应用中的主要挑战

基于氮化镓场效应晶体管的EPC9144演示板具备快速转换性能

EPC9144演示板内的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)可支持大電流納秒脈....
的头像 牵手一起梦 发表于 01-16 09:48 210次 阅读
基于氮化镓场效应晶体管的EPC9144演示板具备快速转换性能

中科院研发出了一种2nm及以下工艺的新型晶体管

目前最为先进的芯片制造技术为7nm+Euv工艺制程,比较出名的就是华为的麒麟990 5G芯片,内置了....
发表于 01-16 08:48 266次 阅读
中科院研发出了一种2nm及以下工艺的新型晶体管

XL2001宽电压车充芯片的数据手册免费下载

 XL2001是一个150khz的定频PWM buck(降压)DC/DC变换器,能够驱动1.8A的负....
发表于 01-16 08:00 86次 阅读
XL2001宽电压车充芯片的数据手册免费下载

Rokid新一代Rokid Glass 2 AR眼镜,搭载NPU神经网络处理芯片

Rokid于今日发布了最新一代AR眼镜Rokid Glass 2。
的头像 牵手一起梦 发表于 01-15 17:13 744次 阅读
Rokid新一代Rokid Glass 2 AR眼镜,搭载NPU神经网络处理芯片

模拟电子设计导论PDF电子书免费下载

本书适合作为模电翻转课堂和电子设计竞赛培训的教材,立足于电子系统设计,基于TI模拟技术及MCU平台,....
发表于 01-15 16:15 93次 阅读
模拟电子设计导论PDF电子书免费下载

怎么样才能设计实现射频功率放大器的稳定性

射频功率放大器在通信系统中已经得到大量应用,在实现信号放大功能中属于关键性构成组件部分。研制射频功率....
发表于 01-15 16:14 100次 阅读
怎么样才能设计实现射频功率放大器的稳定性

AMD 600系列芯片组将搭配第四代桌面锐龙4000系列处理器

AMD锐龙处理器的接口一直不变,但是芯片组主板每代都在升级带来新特性,比如X570首发支持PCIe ....
的头像 牵手一起梦 发表于 01-15 15:05 1032次 阅读
AMD 600系列芯片组将搭配第四代桌面锐龙4000系列处理器

从“量子”到“区块链”,中国商家盯上时髦科技词汇

但是,这并未阻止卖家投身使用这一科技时髦用语的潮流。这种趋势在去年10月显现出来,当时人们发现北京一....
的头像 倩倩 发表于 01-15 14:53 384次 阅读
从“量子”到“区块链”,中国商家盯上时髦科技词汇

新款AMD 600系列芯片组2020年底推出

据悉,祥硕预计将在今年第一季度开始生产更加便宜的B550和A520芯片组。最新的消息称,祥硕已经从A....
的头像 汽车玩家 发表于 01-15 14:37 441次 阅读
新款AMD 600系列芯片组2020年底推出

台积电有望通过5G和7nm工艺节点实现收入增长

随着一月份的到来,以及科技公司的收益即将来临,分析师和其他人士自然而然地开始猜测股东和行业观察家对资....
的头像 刘伟DE 发表于 01-15 14:04 1590次 阅读
台积电有望通过5G和7nm工艺节点实现收入增长

硬盘芯片的维修教程详细说明

本文档的主要内容详细介绍的是硬盘芯片的维修教程详细说明包括了:第一章硬盘的物理结构和原理,第二章硬盘....
发表于 01-15 11:34 120次 阅读
硬盘芯片的维修教程详细说明

智能终端AI芯片的发展前景会是怎样的

大多数对神经网络的训练和推理都是在云端或基于服务器完成的。随着终端处理器性能的不断提升,很多人工智能....
发表于 01-15 11:06 115次 阅读
智能终端AI芯片的发展前景会是怎样的

芯片的突破对人工智能的发展有多重要

我国人工智能的基础技术还有较大的欠缺,能够真正创造商业价值的落地场景还比较少,传统行业与人工智能的融....
发表于 01-15 10:50 117次 阅读
芯片的突破对人工智能的发展有多重要

台积电5nm工艺成本水涨船高 芯片研发成本高达40亿人民币

在抢先推出7nm及7nm EUV工艺之后,台积电今年又要抢先量产5nm工艺了,上半年的产能将达到1万....
的头像 半导体动态 发表于 01-15 09:46 618次 阅读
台积电5nm工艺成本水涨船高 芯片研发成本高达40亿人民币

我国研发出新型垂直纳米环栅晶体管 国产2nm芯片有望

近日,中科院对外宣布,中国科学家研发出了新型垂直纳米环栅晶体管,这种新型晶体管被视为2nm及一下工艺....
的头像 半导体动态 发表于 01-15 09:40 1027次 阅读
我国研发出新型垂直纳米环栅晶体管 国产2nm芯片有望

高通大幅削减骁龙765价格 联发科慌了?

根据知名分析师的最新报告,联发科可能会因利润和5G芯片订单而亏损。其原因是其主要竞争对手高通(Qua....
的头像 刘伟DE 发表于 01-15 05:17 1806次 阅读
高通大幅削减骁龙765价格 联发科慌了?

中芯国际赢得华为海思订单,14nm工艺已实现量产

华为旗下的海思半导体已经向中芯国际下单,通过后者最新的14nm工艺生产芯片。
的头像 独爱72H 发表于 01-14 17:56 877次 阅读
中芯国际赢得华为海思订单,14nm工艺已实现量产

中科院斩获全球第一,国产芯片未来可期

近年来,我国在高新技术研发方面不断获得新突破,原本的薄弱领域更是逐步建立起技术壁垒,在全球市场中站稳....
的头像 独爱72H 发表于 01-14 17:53 741次 阅读
中科院斩获全球第一,国产芯片未来可期

国产2nm芯片有望破冰,国产芯片将实现全面突破

近日,中科院对外宣布,中国科学家研发除了新型垂直纳米环栅晶体管,这种新型晶体管被视为2nm及一下工艺....
的头像 汽车玩家 发表于 01-14 17:23 793次 阅读
国产2nm芯片有望破冰,国产芯片将实现全面突破

中国移动购买海思芯片Balong 711套片,数量高达两百万片

从中国移动采购与招标网获悉,1月9日,中国移动全资子公司中移物联网公告,该公司向华为旗下上海海思技术....
的头像 牵手一起梦 发表于 01-14 17:14 596次 阅读
中国移动购买海思芯片Balong 711套片,数量高达两百万片

GP2Y1010AUOF灰尘传感器的使用说明

GP2Y1010AUOF 是日本夏普公司开发的一款光学灰尘浓度检测传感器。此传感器内部成对脚分布的红....
发表于 01-14 17:02 106次 阅读
GP2Y1010AUOF灰尘传感器的使用说明

使用TRF7960读写器芯片设计需要注意那些问题

TRF7960/1/2/3芯片是一款高性能、低功耗、支持多种协议集成度高的一款射频芯片,而且这几款芯....
发表于 01-14 17:01 83次 阅读
使用TRF7960读写器芯片设计需要注意那些问题

国内首个RISC-V产学研基地揭牌,具有重要意义

据长江日报报道,今年长江新城将诞生首枚“新武汉造”开源芯片,武汉正在成为全球芯片制作重要的参与者和引....
的头像 汽车玩家 发表于 01-14 16:31 490次 阅读
国内首个RISC-V产学研基地揭牌,具有重要意义

2020会是人工智能的黄金时刻吗

人工智能带来的智能化大趋势下,引发各行业新一轮科技革命,对于善于利用人工智能技术的企业也将是未来取胜....
发表于 01-14 16:22 146次 阅读
2020会是人工智能的黄金时刻吗

IGBT RBSOA失效的原因有哪些?应该如何改善

一种绝缘栅双极晶体管模块在做反向偏置安全工作区测试时,器件在较低的关断电流下就发生了损坏。失效分析显....
发表于 01-14 16:16 86次 阅读
IGBT RBSOA失效的原因有哪些?应该如何改善

4-20ma输出的芯片选型

最近想做一个4-20ma输出的设备,再网上看了部分资料,XTR116这类的芯片做 4-20mA 输出的特别多,于是做了一个,但是发现这个...
发表于 01-09 17:00 241次 阅读
4-20ma输出的芯片选型

内置MOS同步升压芯片

耐压30V,内置MOS同步升压芯片,封装是QFN20
发表于 12-25 17:49 503次 阅读
内置MOS同步升压芯片

HDMI转AV/S-Video单芯片方案

HDMI转AV/S-Video的方案,现市场上多是2颗或以上的芯片来实现的,而MS1836是一款单芯片实现HDMI转AV/S-Video的...
发表于 12-24 09:31 1218次 阅读
HDMI转AV/S-Video单芯片方案

请问有哪些充电平衡芯片?

大家有用过的什么好用的充电平衡芯片嘛
发表于 12-23 16:31 372次 阅读
请问有哪些充电平衡芯片?

请问电容式水位传感器产品?

请问:电容式水位传感器有没有专用芯片? ...
发表于 12-20 13:39 227次 阅读
请问电容式水位传感器产品?

CSW01非接触液体的液体检测芯片技术方案

基于CSW01在水槽检测水位方案CSW01 是一款用于一段液位检测的专用集成电路。基于电容感应的检测原理,集成我们公司花费多年...
发表于 12-16 14:15 169次 阅读
CSW01非接触液体的液体检测芯片技术方案

关于芯片数据手册参数理解的问题

最近用到一个集成四与门的芯片:SN54AHC08 看数据手册的时候遇到一些疑惑,有前辈能帮忙解惑吗。 1. 这里是芯片的一些参...
发表于 12-16 11:02 442次 阅读
关于芯片数据手册参数理解的问题

有谁有VAS1700芯片规格书嘛

有谁有VAS1700芯片规格书嘛,谢谢
发表于 12-14 17:18 620次 阅读
有谁有VAS1700芯片规格书嘛

芯片M7096G和M62420SP主要作用?

有吗哪位知道这个芯片,这芯片主要作用?还有一个芯片M62420SP这芯片主要作用?  在电子发烧友可以查到M62420SP...
发表于 12-13 20:12 421次 阅读
芯片M7096G和M62420SP主要作用?

NCP500 LDO稳压器 150 mA 低压差 低噪声

低压降(LDO)线性稳压器专为需要低噪声工作,快速响应时间和低压差的便携式电池供电应用而设计。该器件无需外部噪声旁路电容即可实现低噪声性能。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,以及电流限制和温度限制保护电路。 NCP500 LDO线性稳压器设计用于与低成本陶瓷电容器一起使用,要求最小输出电容为1.0 mF。标准电压版本为1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3和5.0 V. 特性 150 mA时超低压降170 mV 快速启用20微秒的开启时间 1.8 V至6.0 V的宽工作电压范围 出色的线路和负载调节 高精度输出电压2.5% 启用可以通过1.0 V逻辑直接驱动 非常小的QFN 2x2封装 无铅封装可能有售。* G-Suffix表示无铅铅...
发表于 08-13 17:36 44次 阅读
NCP500 LDO稳压器 150 mA 低压差 低噪声

NCP699 LDO稳压器 150 mA 带使能

固定输出LDO线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP699系列具有40 uA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的内部电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP699设计用于低成本陶瓷电容器。该器件采用微型TSOP-5表面贴装封装。标准电压版本为1.3,1.4,1.5,1.8,2.5,2.8,3.0,3.1,3.3,3.4和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 优势 极低地电流为40 uA典型 最大限度地降低功耗 150 mA时的低压差340 mV和3.0 V Vout 延长电池使用量。保留更长的监管 启用控制(高电平有效,支持低于1伏逻辑) 输出电压精度为2.0% 工作温度范围-40C至+ 85C 使用1 uF陶瓷或钽电容器稳定 应用 终端产品 移动电话 电池供电的消费产品 HandHeld Instruments 打印机和办公设备 摄像机和相机 打印机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 09:02 30次 阅读
NCP699 LDO稳压器 150 mA 带使能

NCP698 LDO稳压器 150 mA 超低Iq

列固定输出低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。该系列具有2.5 uA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP698系列提供用于ON / OFF控制的使能引脚。 NCP698设计用于低成本陶瓷电容器,需要0.1μF的最小输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。标准电压版本为1.3,1.5,1.8,2.5,2.8,3.0,3.3,3.5和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。可提供无铅电镀选项。 特性 优势 超低静态和接地电流 最小化功耗 低压差 延长电池使用时间。保留更长的监管。 低输出电压选项 输出电压准确度为2.0% 温度范围-40C至85C 应用 终端产品 电池供电仪器 手持式仪器 摄像机和相机 MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 09:02 40次 阅读
NCP698 LDO稳压器 150 mA 超低Iq

NCP563 LDO稳压器 80 mA 超低Iq

定输出低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。该系列具有2.5μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP562系列提供用于ON / OFF控制的使能引脚。 NCP562设计用于低成本陶瓷电容器,需要0.1μF的最小输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3,3.5和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。可以使用无铅电镀选项。 特性 典型值为2.5μA的低静态电流 低输出电压选项 输出电压精度为2.0% -40°C至85°C的温度范围 NCP562提供启用引脚 Pb - 免费套餐可用 应用 终端产品 电池供电仪器 手持式仪器 摄像机和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 47次 阅读
NCP563 LDO稳压器 80 mA 超低Iq

NCP511 LDO稳压器 150 mA 超低压差 低Iq

固定输出低静态电流低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP511具有40μA的超低静态电流。每个LDO线性稳压器包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP511设计用于低成本陶瓷电容器,要求最小输出电容为1.0 5F。 LDO采用微型TSOP-5表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低典型值为40μA的静态电流 100 mA时100 mV的低压差电压 出色的生产线和负荷调节 最大工作电压6.0 V 低输出电压选项 高精度输出电压2.0% 工业温度范围-40°C至85°C 无铅封装可用 应用 手机 电池供电仪器 手持式仪器 Camcorde rs和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 32次 阅读
NCP511 LDO稳压器 150 mA 超低压差 低Iq

MC79M LDO稳压器 500 mA 5 V 负极

0负线性稳压器用于补充流行的MC78M00系列器件。 可提供-5.0,-8.0,-12和-15 V的固定输出电压选项,该负线性稳压器采用限流,热关断和安全区域补偿 - 使其在大多数操作下非常坚固条件。通过充分的散热,可以提供超过0.5 A的输出电流。 规格: MC79M00B MC79M00C 公差 4% 4% 温度范围 -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125°C 封装 DPAK,TO-220 DPAK,TO-220 特性 无需外部组件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 也可用于表面贴装DPAK(DT)封装器件类型/标称输出电压MC79M05 -5.0 VMC79M 12-12 V MC79M08-8.0 VMC79M15-15 V 无铅封装可能有效。 G-Suffix表示 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 07:02 73次 阅读
MC79M LDO稳压器 500 mA 5 V 负极

MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

8是一款中等电流,低压差(LDO)正线性稳压器,专为SCSI-2有源终端电路而设计。该器件为电路设计人员提供了一种经济的精密电压调节解决方案,同时将功率损耗降至最低。线性稳压器由1.0 V压差复合PNP / NPN传输晶体管,限流和热限制组成。该LDO采用SOIC-8和DPAK-3表面贴装功率封装。 应用包括有源SCSI-2端接器和开关电源的后置调节。 特性 2.85 V SCSI-2有源端接的输出电压 1.0 V Dropout 输出电流超过800 mA 热保护 短路保护 输出调整为1.4%容差 无需最低负载 节省空间的DPAK-3,SOT-223和SOIC-8表面贴装电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 53次 阅读
MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

MC78LC LDO稳压器 80 mA 超低Iq

00低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 MC78LC00系列具有1.1μA的超低静态电流。每个LDO线性稳压器包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管和用于设置输出电压的电阻。 MC78LC00低压降(LDO)线性稳压器设计用于低成本陶瓷电容器,要求最小输出电容为0.1μF。 LDO采用微型薄型SOT23-5表面贴装封装和SOT-89,3引脚封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3,4.0和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低静态电流1.1μA典型 出色的线路和负载调节 最大工作电压12 V 低输出电压选项 高精度输出电压2.5% 工业温度范围-40°C至85°C 两个表面贴装封装(SOT-89,3针或SOT-23,5针) 无铅封装可用 应用 电池供电仪器 手持式仪器 Camcorde rs和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 87次 阅读
MC78LC LDO稳压器 80 mA 超低Iq

MC7900 线性稳压器 1 A 5 V 负极

固定输出负线性稳压器旨在作为流行的MC7800系列器件的补充。该负电压调节器提供与MC7800器件相同的七电压选项。此外,负系统MC7900系列还提供MECL系统中常用的一个额外电压选项。 这些线性稳压器具有-5.0 V至-24 V的固定输出电压选项,采用限流,热关断和安全区域补偿 - 使其在大多数工作条件下非常坚固。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。 规格: MC7900AC MC7900B MC7900C 容差 2% 4% 4% 温度范围 0°C至+ 125°C -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125° C 包装 D2PAK,TO-220 D2PAK,TO-220 D2PAK,TO -220 特性 无需外部组件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 2%电压T可用油酸(参见订购信息) 无铅包可能有货。 G-Suffix表示无铅铅涂层。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 46次 阅读
MC7900 线性稳压器 1 A 5 V 负极

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 58次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

NCV97310 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

10是3输出稳压器,由低Iq电池连接的3 A 2 MHz非同步开关和两个低压1.5 A 2 MHz同步开关组成;所有都使用集成功率晶体管。高压开关能够以4.1 V恒定的开关频率将4.1 V至18 V电池输入转换为5 V或3.3 V输出,提供高达3 A的电压。在过压条件下,最高可达3 A. 36 V,开关频率折回1 MHz;在高达45 V的负载突降条件下,稳压器关闭。电池连接降压稳压器的输出用作2个同步开关的低压输入。每个下行输出可在1.2 V至3.3 V范围内调节,具有1.5 A电流限制和恒定的2 MHz开关频率。每个开关都有独立的使能和复位引脚,提供额外的电源管理灵活性。对于低Iq工作模式,低压开关被禁用,待机轨由低Iq LDO(高达150 mA)供电,具有典型功能Iq为30 uA。 LDO稳压器与高压开关并联,并在切换器强制进入待机模式时激活。所有3个SMPS输出均采用峰值电流模式控制,内部斜率补偿,内部设置软启动,电池欠压锁定,电池过压保护,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。错误标志可用于诊断。 特性 优势 可编程扩频 EMI降低 打嗝过流保护 短路事件期间降低功率 个别复位引脚可调延迟 电压监控 带有可湿性侧面...
发表于 07-30 05:02 55次 阅读
NCV97310 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

FAN4868UC33X 3 MHz 同步稳压器

8是一款低功耗升压稳压器,旨在通过单节锂离子或锂离子电池提供稳定的3.3 V输出。输出电压选项固定为3.3 V,在VIN = 2.3 V时保证最大负载电流为200 mA,在VIN = 3.3 V时保证300 mA。关断模式下的输入电流小于1μA,从而最大限度地延长电池寿命。 PFM操作是自动的并且“无故障”。该稳压器可在低负载时保持低至37μA静态电流的输出调节。内置功率晶体管,同步整流和低电源电流的组合使FAN4868成为电池供电应用的理想选择.FAN4868可在6-凸点0.4 mm间距晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。 特性 使用少量外部元件工作:1μH电感和0402外壳尺寸输入和输出电容 输入电压范围为2.3 V至3.2 V 固定3.3 V输出电压选项 最大负载电流> 150 mA,VIN = 2.3 V 最大负载电流300 mA,VIN = 2.7 V,VOUT = 3.3 V 低工作静态电流 True Load Disc关机期间的连接 具有轻载省电模式的可变导通时间脉冲频率调制(PFM) 内部同步整流器(无需外部二极管) 热关断和过载保护 6-Bump WLCSP,0.4 mm间距 应用 终端产品 为3.3 V核心导轨供电 PDA...
发表于 07-30 05:02 45次 阅读
FAN4868UC33X 3 MHz 同步稳压器

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 117次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV97310A 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

10是3输出稳压器,由低Iq电池连接的3 A 2 MHz非同步开关和两个低压1.5 A 2 MHz同步开关组成;所有都使用集成功率晶体管。高压开关能够以4.1 V恒定的开关频率将4.1 V至18 V电池输入转换为5 V或3.3 V输出,提供高达3 A的电压。在过压条件下,最高可达3 A. 36 V,开关频率折回1 MHz;在高达45 V的负载突降条件下,稳压器关闭。电池连接降压稳压器的输出用作2个同步开关的低压输入。每个下行输出可在1.2 V至3.3 V范围内调节,具有1.5 A电流限制和恒定的2 MHz开关频率。每个开关都有独立的使能和复位引脚,提供额外的电源管理灵活性。对于低Iq工作模式,低压开关被禁用,待机轨由低Iq LDO(高达150 mA)供电,具有典型功能Iq为30 uA。 LDO稳压器与高压开关并联,并在切换器强制进入待机模式时激活。所有3个SMPS输出均采用峰值电流模式控制,内部斜率补偿,内部设置软启动,电池欠压锁定,电池过压保护,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。错误标志可用于诊断。 特性 优势 打嗝过流保护 在短路事件期间降低功耗 具有可调延迟的单个复位引脚 电压监控 可编程扩频 EMI降低 带有可...
发表于 07-30 04:02 41次 阅读
NCV97310A 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

NCP1095 以太网供电 - 供电设备接口控制器 IEEE 802.3bt

5是符合IEEE.3bt,IEEE 802.3af和/或IEEE 802.3at标准的以太网供电设备(PoE-PD)接口控制器,可实现包括连接照明在内的高功率应用的开发。监控摄像头。 NCP1095集成了PoE系统中的所有功能,例如在浪涌阶段的检测,分类和电流限制。 使用外部传输晶体管,NCP1095可提供高达90瓦的输出电压。 NCP1095还提供Autoclass支持,以根据PD类型和分类优化功率分配。 特性 IEEE 802.3bt,IEEE 802.3af,IEEE 802.3at兼容 - 允许高达90 W的功率 - 保证PoE设备之间的互操作性 安森美半导体PoE-PD解决方案系列的一部分 内置71mΩ传输晶体管,支持高功率应用 包括由PoE或墙上适配器供电的应用程序的辅助检测引脚 支持自动分类(Autoclass)功能,允许供电设备(PSE)有效地为每个受电设备(PD)供电 内置热插拔FET也可提供更高集成度(NCP1096) 应用 终端产品 以太网供电设备(PoE-PD) Internet物联网(IoT) IEEE 802.3bt IEEE 802.3af IEEE 802.3at 数字标牌 卫星数据网 连接照明 视频和VOIP电话 安全摄像机 Pico基...
发表于 07-30 02:02 51次 阅读
NCP1095 以太网供电 - 供电设备接口控制器 IEEE 802.3bt

NCV8843 降压稳压器 1.5 A 340 kHz 具有同步功能

3是一款1.5 A降压稳压器IC,工作频率为340 kHz。该器件采用V 2 ™控制架构,提供无与伦比的瞬态响应,最佳的整体调节和最简单的环路补偿。 NCV8842可承受4.0 V至40 V的输入电压,并包含同步电路。片上NPN晶体管能够提供最小1.5 A的输出电流,并通过外部升压电容进行偏置,以确保饱和,从而最大限度地降低片内功耗。保护电路包括热关断,逐周期电流限制和频率折返短路保护。 特性 优势 V 2 ™控制架构 超快速瞬态响应,改进调节和简化设计 2.0%误差放大器参考电压容差 严格的输出调节 逐周期限流 限制开关和电感电流 开关频率短路时减少4:1 降低短路功耗 自举操作(BOOST) 提高效率并最大限度地降低片内功耗 与外部时钟同步(SYNC) 与外部时钟同步(SYNC) 1.0 A关闭静态电流 当SHDNB为最小时电流消耗最小化断言 热关机 保护IC免于过热 软启动 在启动期间降低浪涌电流并最大限度地减少输出过冲 无铅封装可用 应用 终端产品 汽车 工业 直流电源 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 01:02 46次 阅读
NCV8843 降压稳压器 1.5 A 340 kHz 具有同步功能

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 31次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 104次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

MC78M 线性稳压器 500 mA 5至24 V 高PSRR 正极

0 / MC78M00A正线性稳压器与流行的MC7800系列器件完全相同,只是它的输出电流仅为输出电流的一半。与MC7800器件一样,MC78M00三端稳压器用于本地卡上电压调节。 内部通道晶体管的内部限流,热关断电路和安全区域补偿相结合,使这些线性稳压器在大多数工作条件下都非常坚固。具有足够散热的最大输出电流为500 mA。 规格:
发表于 07-29 21:02 59次 阅读
MC78M 线性稳压器 500 mA 5至24 V 高PSRR 正极

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 207次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5