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民爆光电拟首次公开发行股票,并在境内证券交易所上市

高工LED 2019-11-16 09:53 次阅读

11月6日,中国证券监督管理委员会对国信证券发布关于深圳民爆光电股份有限公司(以下简称民爆光电)首次公开发行并上市辅导备案信息予以公示。

国信证券在公告中披露,民爆光电拟首次公开发行股票,并在境内证券交易所上市。目前,民爆光电已接受国信证券的辅导,并已于2019年10月31日在深圳证监局进行辅导备案。

据了解,深圳民爆光电技术有限公司于2009年成立,是深圳民爆集团旗下三家公司之一,专注于LED商业照明,是一家集技术研发、生产制造、市场销售为一体的高新技术企业。

原文标题:民爆光电A股IPO走到了哪一步?【高工LED·市场动态】

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AFCD-P54GM 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

Broadcom AFCD-P54GM是一款高性能850nm,4通道25 Gb / s PIN探测器阵列,光学窗口直径为40微米,宽度为150微米厚基板。阵列中的每个PIN设计用于支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达25.78 Gb / s。 特性 高可靠性III- V顶部入口1x4 PIN阵列 高带宽性能  对850nm中心波长的响应度 40μm光学窗口直径 低电容  大光圈  SG联系人配置  符合RoHs 应用程序 100GbE SR4 QSFP28可插拔收发器 100GbE QSFP28有源光缆(AOC)...
发表于 07-04 10:55 25次 阅读
AFCD-P54GM 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

AFCD-P54GD 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

Broadcom AFCD-P54GD是一款高性能850nm,4通道25 Gb / s PIN探测器阵列,在150微米厚的基板上具有31微米的光学窗口直径。  阵列中的每个PIN都支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达25.78125 Gb / s。 功能 高可靠性III-V顶部入口1x4 PIN阵列 高带宽性能  对850nm中心波长的响应度 31μm光学窗口直径 低电容  大光圈  SG联系人配置  符合RoHs 应用程序 100GbE SR4 QSFP28可插拔收发器 100GbE QSFP28有源光缆(AOC)...
发表于 07-04 10:55 20次 阅读
AFCD-P54GD 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

AFCD-P21KP 10 Gb / s 850nm PIN光电探测器

Broadcom AFCD-P21KP是一款高性能850nm 10 Gb / s PIN探测器,具有150微米厚的基板。  此PIN设计用于支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达10.3125 Gb / s。  功能 高带宽性能  ; 850nm中心波长的高响应度 低电容  低串联电阻  符合RoHs 应用程序 数字通信链路最高可达10.3125 Gb / s 小型可插拔收发器 小型设备有源光缆(AOC)
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AFCD-P21KP 10 Gb / s 850nm PIN光电探测器

SPD3025-4 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

SPD3025-4是一款台面结构,基于GaAs的1× 4 PIN光电二极管阵列,具有高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高性能光接收机设计。 光电二极管’低寄生效应使其成为高速,多模4x25Gb / s和4x28Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。   3焊盘G-S-G设计使用户能够灵活地进行跨阻放大器(TIA)的引线键合,并有助于减少相邻通道的串扰。...
发表于 07-04 10:55 41次 阅读
SPD3025-4 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

SPD2025 28-Gb / s GaAs PIN光电二极管

SPD2025是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管,可为高带宽,高性能光接收机设计提供高响应度,低暗电流和低电容。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模25Gb / s和28Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能28Gb / s单通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:55 24次 阅读
SPD2025 28-Gb / s GaAs PIN光电二极管

AFCD-P51GC 25 Gbps 850nm PIN光电探测器

Broadcom AFCD-P51GC是一款高性能850nm单通道25 Gb / s PIN探测器,在150微米厚的基板上具有31微米的光学窗口直径。它旨在通过串行(NRZ)比特率高达25.78 Gb / s的多模光纤支持通信链路。 功能 高可靠性III-V顶级入口PIN 高带宽性能  850nm中心波长的高响应度  31μm光学窗口直径 低电容  SG联系人配置  符合RoHS标准 应用程序 25 Gb / s数字通信链接 小型可插拔收发器 小型有源光缆(AOC)...
发表于 07-04 10:55 9次 阅读
AFCD-P51GC 25 Gbps 850nm PIN光电探测器

SPD2012-4 GaAs 1×3阵列PIN光电二极管

SPD2012-4是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道60mm顶部照明检测窗口,每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模,4x10Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x10Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:55 20次 阅读
SPD2012-4 GaAs 1×3阵列PIN光电二极管

SPD2012-12 GaAs 1×12阵列PIN光电二极管

SPD2012-12是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管阵列,提供12通道60mm顶部照明检测窗口,每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为QSFP28高速,多模,10x10Gb / s以太网,12x10Gb / s(120Gb / s),12倍和12.5Gb / s(150Gb / s)和12x14Gb / s(168Gb)的理想选择/ s)用于CXP收发器和有源光缆(AOC)。
发表于 07-04 10:54 14次 阅读
SPD2012-12 GaAs 1×12阵列PIN光电二极管

SPD2025-4X 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

SPD2025-4X是一款台面结构,基于GaAs的1× 4 PIN光电二极管阵列,具有高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高电容性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模4x25Gb / s和4x28Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
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SPD2025-4X 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

SPD2014-4 GaAs 1×4阵列PIN光电二极管

SPD2014-4是一款台面结构,基于GaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道60mm顶部照明检测窗口,每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模,4x10Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x10Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:54 16次 阅读
SPD2014-4 GaAs 1×4阵列PIN光电二极管

LPD3030-4 28-Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

LPD3030-4是一款高性能1倍和4基于InGaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,单模,4x25Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x25Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:54 24次 阅读
LPD3030-4 28-Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

LPD3035-4 32 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,具有250-μmGSG通道间距

LPD3035-4是一款高性能1倍和4基于InGaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,单模,4x28Gb / s应用的理想选择,与当今高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 09:47 24次 阅读
LPD3035-4 32 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,具有250-μmGSG通道间距

LPD3012-4 10 Gb / s至14 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

LPD3012-4-32是一款基于InGaAs的高性能PIN光电二极管阵列,提供4通道32um顶部照明检测窗口,带宽高达12GHz每个频道。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,单模,4x25Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x25Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)结合使用
发表于 07-04 09:47 29次 阅读
LPD3012-4 10 Gb / s至14 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm