侵权投诉

中美贸易战下,中国的科技地位如何?

2019-11-14 16:07 次阅读

在中美贸易摩擦的背景下,如何看待中国的科技地位。

11月6日,国际投行瑞士信贷(Credit Suisse AG)在深圳发布两份报告显示,近年来频发的地缘政治问题,特别是美国将多个中国企业纳入受限制实体名单之中,使得中国科技本土化进程更为紧迫。

科技占中国进口的比重高达21%,2018年进口额高达4490亿美元,同比增长19%。科技已成为中国进口中的第一大构成要素。在科技进口产品中,半导体进口是迄今为止占比最大的类别 (约占70%,达3110亿美元),其中2018年半导体存储器进口额1220亿美元 (约占总体科技进口产品的27%),其他半导体产品进口额1890亿美元 (约占总体科技进口产品的42%)。

中美贸易战下,中国的科技地位如何?

对技术进口的严重依赖促使中国政府自2000年以来出台了多项政策举措,旨在维护国家安全、保障技术部件本土供应、持续提高中国在高附加值/知识产权领域的国力并扩大专业人才储备,从而促进国内科技产业的蓬勃发展。

瑞信中国科技研究部主管王晓琼表示,中国已在电信设备、硬件制造显示器、多个关键组件方面取得了多项成功,并在以手机和消费品领域为主的集成电路设计方面积累了一些成功经验。虽然中国在半导体生产和设计本土化方面投入了巨大资源,但迄今为止,除华为之外的其他成就相对较少。中国目前在先进技术工艺 (存储和逻辑) 半导体制造方面仍有较大差距,中期内或许难以摆脱对于进口设备和某些关键材料的依赖。

在各个具体的科技领域,瑞信表示,在半导体存储器领域,中国距离成功仍然任重道远。在半导体逻辑器件领域,虽然中国在集成电路设计、后端和成熟晶圆代工节点方面积累了强大优势,但在许多领域仍然严重落后。在半导体设备和硅片领域,中国在硅片和设备方面远远落后,并且这一局面很难在短期有所突破。

另外,在企业和服务器领域,中国供应商在网络方面实力雄厚,全球服务器扩展可能面临挑战。在显示器领域,中国可能在薄膜晶体管 (TFT) 板占据主导地位,并有望在有机发光显示屏 (OLED)方面取得成功,但在主要工具和原材料上仍然落后;韩国很可能退出TFT领域。在组件领域,中国可以在大部分领域自力更生,并有望在关键领域获得更多市场份额。

中美贸易战下,中国的科技地位如何?

对于自主制造航空发动机,这是中国政府计划在2030年前完成的六大主要科技项目之一。

华擎航发科技董事长兼总设计师倪金刚指出,中国航空发动机的发展关键在于确保建立适当的管理框架,并且政府应当致力于长期为这一项目投入充足的资源。即便妥善建立了管理框架,并且充足的政府资源也落实到位,但考虑到行业准入门槛较高,中国自主生产民用航空发动机仍可能需要十年之久。过去的几年中,传统国有企业飞机零部件制造商因政府要求专注于重大项目而不再为国外飞机制造商代工。因此,许多民营企业纷纷涉足这一领域填补市场空白。其中部分企业迅速发展并赢得了国际认可。这些企业或将成为中国航空发动机发展的新生力军。

随着中国经济的蓬勃增长,中国的航空运输需求过去二三十年间迅速增长,并在很长一段时间内一直是波音和空客公司的最大客户。瑞信预计,中国将在2019-2021年期间购买约900架飞机,进口大约1800台航空发动机,同期中国的商用机队总规模将达到3639架。中国政府计划启动飞机制造本土化,希望至少部分满足巨大的国内需求。

瑞信表示,通过提升整体科技知识储备、实现各领域创新优化,发展战略性产业将惠及中国长期经济发展。

不过,在现代制造业,自给自足或不实际。政策制定者必须确保中国走向技术独立的努力不会阻碍其与外界的合作并融入全球生产链之中。

另外,重要的一点是需要建立一种研究专款分配机制,帮助平衡对于研究结果的短期需求以及为研究奠定基础的长期需要。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

旺宏将于2020年开始出货3D NAND

台湾专用存储器解决方案制造商旺宏(Macronix)将于明年下半年开始批量生产3D NAND存储器。....
的头像 刘伟DE 发表于 12-14 09:51 744次 阅读
旺宏将于2020年开始出货3D NAND

半导体的光电材料是什么,有何获取途径

导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,叫做半导体.例如:锗、硅、砷化镓等. 半导体在科学技术,工农业生....
的头像 独爱72H 发表于 12-13 17:44 561次 阅读
半导体的光电材料是什么,有何获取途径

对半导体和导体导电机理的浅析

金属电子被束缚能较低,可以在金属中自由移动。所以加了电压就可以导电。 而半导体是以共价键形式存在,原....
的头像 独爱72H 发表于 12-13 17:44 473次 阅读
对半导体和导体导电机理的浅析

什么是单片机?单片机的历史和应用等详细资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是什么是单片机?单片机的历史和应用等详细资料说明
发表于 12-13 16:01 79次 阅读
什么是单片机?单片机的历史和应用等详细资料说明

RFID技术在井下风门自动开门系统中有什么作用

RFID技术是无线射频识别技术的英文简称,是一种非接触式自动识别技术,它是由读写器、电子标签两部分组....
发表于 12-13 15:15 42次 阅读
RFID技术在井下风门自动开门系统中有什么作用

汽车级GreenPAK可配置混合信号IC

SLG46620-A为常用的混合信号功能提供小巧且低功耗的元件。用户通过配置一次非易失性存储器(NV....
的头像 Dialog半导体公司 发表于 12-13 15:13 147次 阅读
汽车级GreenPAK可配置混合信号IC

STM32F101XX系列ARM内核32位高性能微控制器的参考手册免费下载

本参考手册针对应用开发,提供关于如何使用小容量、中容量和大容量的STM32F101xx、STM32F....
发表于 12-13 14:29 39次 阅读
STM32F101XX系列ARM内核32位高性能微控制器的参考手册免费下载

Monza X-2K和X-8K芯片的资料简介

Impinj的Monza®X-2K Dura和Monza®X-8K Dura芯片使用标准UHF Ge....
发表于 12-13 14:29 24次 阅读
Monza X-2K和X-8K芯片的资料简介

嵌入式存储同门三兄弟,大家都分得清吗?

ReRAM亦称作可变电阻式随机存取存储器,是一种非易失性存储器,通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压,产....
的头像 富士通电子 发表于 12-13 14:24 294次 阅读
嵌入式存储同门三兄弟,大家都分得清吗?

环旭电子与Asteelflash拟约4.5亿美元并购FAFG100%股权

中国台湾厂商对外并购再起!半导体封测龙头日月光投控12日傍晚召开重大讯息记者会宣布,旗下的全球电子设....
的头像 半导体动态 发表于 12-13 14:13 375次 阅读
环旭电子与Asteelflash拟约4.5亿美元并购FAFG100%股权

中微半导体5nm蚀刻机已打入台积电供应链 3nm工艺预计2021年初试产

根据台积电的工艺路线图,2020年Q3季度就要试产5nm工艺了,这一代工艺会全面应用EUV光刻技术。....
的头像 半导体动态 发表于 12-13 14:05 400次 阅读
中微半导体5nm蚀刻机已打入台积电供应链 3nm工艺预计2021年初试产

竞争十分激烈,但中国半导体崛起是必然

于燮康表示,中国半导体产业发展历程大致经历了1956-1978年的初创建设阶段,1979-1999年....
的头像 汽车玩家 发表于 12-13 11:47 389次 阅读
竞争十分激烈,但中国半导体崛起是必然

SN8F5701和SN8F57011系列单片机的数据手册免费下载

功能特性 增强型 8051 微控制器:减少指令周期时间(高达 80C51 的 12 倍),-高达 3....
发表于 12-13 08:00 29次 阅读
SN8F5701和SN8F57011系列单片机的数据手册免费下载

ICP-MS的主要应用有哪些方向详细资料说明

 ICP-MS的应用领域   o环境样品分析;包括自来水,地表水,地下水,海水以及各种土壤、污....
发表于 12-12 17:04 49次 阅读
ICP-MS的主要应用有哪些方向详细资料说明

新型的铁电半导体场效应晶体管已被成功研制

据美国普渡大学官网近日报道,该校工程师将晶体管与铁电随机存取存储器结合成一种新设备,该设备集信息处理....
的头像 独爱72H 发表于 12-12 15:45 450次 阅读
新型的铁电半导体场效应晶体管已被成功研制

SKC Solmics半导体设备再生制造项目在无锡高新区签约落户 第一期总投资约3000万美元

近日,SKC Solmics半导体设备再生制造项目签约仪式在江苏无锡新吴举行。
的头像 半导体动态 发表于 12-12 15:41 440次 阅读
SKC Solmics半导体设备再生制造项目在无锡高新区签约落户 第一期总投资约3000万美元

杭州钱塘新区两大半导体产业项目竣工投产

11月11日,杭州钱塘新区举行了重大项目集中开工、投产活动,此次开工投产项目多达30个,总投资达66....
的头像 半导体动态 发表于 12-12 15:35 494次 阅读
杭州钱塘新区两大半导体产业项目竣工投产

Nordic Thingy:91是专为蜂窝物联网设计的简化型快速原型开发平台

nRF9160 SiP也是市场上唯一具有集成GPS支持的蜂窝IoT模块,可以结合使用GPS和蜂窝数据....
的头像 Nordic半导体 发表于 12-12 15:24 600次 阅读
Nordic Thingy:91是专为蜂窝物联网设计的简化型快速原型开发平台

大港股份拟13.99亿元出售艾科半导体100%股权 仍在进一步布局集成电路产业

近年来,国内集成电路产业蓬勃发展,吸引了各界社会资本投入,不少企业更是通过投资、收购等方式以实现向集....
的头像 半导体动态 发表于 12-12 15:14 375次 阅读
大港股份拟13.99亿元出售艾科半导体100%股权 仍在进一步布局集成电路产业

半导体设备产业聚落集中度高,美国与日本为主要玩家

最后在晶圆检验设备方面,美商KLA Tencor市占最高超过5成,Applied Materials....
的头像 全球半导体观察 发表于 12-12 15:07 254次 阅读
半导体设备产业聚落集中度高,美国与日本为主要玩家

Microchip宣布进入存储器基础设施市场

支持OMI的CPU或SoC可以使用具有不同成本、功耗和性能指标的大量介质类型,而无需为每种类型集成单....
的头像 Excelpoint世健 发表于 12-12 14:46 403次 阅读
Microchip宣布进入存储器基础设施市场

韩国12月半导体产业出口同期大减23.4%

一直以来,韩国出口表现持续低迷。但最新海关数据显示,韩国近期出口稍有反弹迹象。12月前10天出口额较....
的头像 汽车玩家 发表于 12-12 13:51 209次 阅读
韩国12月半导体产业出口同期大减23.4%

PCMark 10推出全新储存测试项目

由于当前 PC 储存型态的改变,除了 SSD 的平价化,如高性能的 PCIe 4.0 SSD 、混合....
的头像 刘伟DE 发表于 12-12 11:44 789次 阅读
PCMark 10推出全新储存测试项目

我国半导体产业发展的期望是怎样的

每年年末都会对未来一年全球及我国半导体产业发展的情况做一些没有数据支撑的展望和看法。
发表于 12-12 11:02 73次 阅读
我国半导体产业发展的期望是怎样的

国产5nm蚀刻机已获台积电认可 是半导体工艺中不可缺少的一步

根据台积电的工艺路线图,2020年Q3季度就要试产5nm工艺了,这一代工艺会全面应用EUV光刻技术。....
的头像 lyj159 发表于 12-12 09:04 701次 阅读
国产5nm蚀刻机已获台积电认可 是半导体工艺中不可缺少的一步

CY7C1021高性能CMOS静态RAM的数据手册免费下载

CY7C1021是一个高性能的CMOS静态RAM,由16位65536字组成。此设备具有自动断电功能,....
发表于 12-12 08:00 31次 阅读
CY7C1021高性能CMOS静态RAM的数据手册免费下载

松下退出,日本半导体产业辉煌不在

松下电器公司不久前宣布退出半导体业务,将旗下相关工厂、设施及股份转让给台湾企业新唐科技,这一具有象征....
的头像 汽车玩家 发表于 12-11 15:56 664次 阅读
松下退出,日本半导体产业辉煌不在

超越韩国,中国台湾成半导体设备最大市场

国际半导体设备与材料协会(SEMI)12月11日发布报告表示,全球半导体制造设备销售额将从去年的历史....
的头像 汽车玩家 发表于 12-11 14:02 448次 阅读
超越韩国,中国台湾成半导体设备最大市场

DDR存储器的信号完整性讨论

当今电子产品一个很重要的区分元素是其所用的存储器。服务器、计算机、智能手机、游戏机、GPS 以及几乎....
的头像 汽车玩家 发表于 12-11 13:52 187次 阅读
DDR存储器的信号完整性讨论

移动硬盘和U盘的区别是什么,在使用时有哪些注意事项

硬盘是计算机中最重要的存储器之一,由一个或者多个铝制或者玻璃制的碟片组成。计算机需要正常运行所需的大....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-11 11:49 448次 阅读
移动硬盘和U盘的区别是什么,在使用时有哪些注意事项

2019年全球半导体设备销售金额减少10.5%,明年或回暖

国际半导体产业协会(SEMI)预估,2019年全球半导体制造设备销售金额将自去年高点减少10.5%至....
的头像 汽车玩家 发表于 12-11 11:38 586次 阅读
2019年全球半导体设备销售金额减少10.5%,明年或回暖

OV2710图像传感器的数据手册免费下载

OV2710(彩色)图像传感器是一种低电压、高性能的1/3英寸全尺寸高清CMOS图像传感器,在一个小....
发表于 12-11 08:00 34次 阅读
OV2710图像传感器的数据手册免费下载

OV9712高清图像传感器的数据手册

OV9712(彩色)图像传感器是一种低电压、高性能的四分之一英寸100万像素CMOS图像传感器,它在....
发表于 12-11 08:00 41次 阅读
OV9712高清图像传感器的数据手册

千元级联想智能门锁E1产品,将于12月12日上市

现如今很多家庭仍然在使用传统机械门锁,但这类门锁面临的安全威胁正在与日俱增,其对家庭安全的防护能力变....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-10 15:58 519次 阅读
千元级联想智能门锁E1产品,将于12月12日上市

江苏泰兴先进半导体高端装备项目开工 总投资达3亿美元

近日,江苏泰兴举行第四季度重大项目集中开工仪式。此次共有27个亿元以上项目集中开工,计划总投资164....
的头像 半导体动态 发表于 12-10 15:15 544次 阅读
江苏泰兴先进半导体高端装备项目开工 总投资达3亿美元

中环股份表示无锡工厂预计2020年第一季度开始投产 目前在国内占有率超过80%

关于硅片投产产能情况,中环股份近日在投资者互动平台上表示,江苏宜兴规划8英寸75万片/月,12英寸6....
的头像 半导体动态 发表于 12-10 15:06 459次 阅读
中环股份表示无锡工厂预计2020年第一季度开始投产 目前在国内占有率超过80%

熔城半导体芯片系统封装及模组制造基地项目开工 总投资达57.8亿元

近日,德清县重大项目集中开竣工活动暨熔城半导体芯片系统封装和模组制造基地项目举行开工仪式在浙江湖州德....
的头像 半导体动态 发表于 12-10 14:59 752次 阅读
熔城半导体芯片系统封装及模组制造基地项目开工 总投资达57.8亿元

未来,“相爱相杀”的联发科与华为还会继续缠绵下去

今年3月,DIGITIMES Research发布了2018年全球前10大Fabless排名,从这份....
的头像 半导体行业观察 发表于 12-10 14:58 329次 阅读
未来,“相爱相杀”的联发科与华为还会继续缠绵下去

电子业旺季第一项调涨价格的关键零件

业界证实,生益将于9月在华南涨价,首波对象是二线陆资PCB厂,华东区域也酝酿针对部分客户反映调高价格....
的头像 半导体行业观察 发表于 12-10 14:52 366次 阅读
电子业旺季第一项调涨价格的关键零件

中国存储器厂商几乎都是“新进者 面临的困难将有很多

中国半导体业正进入一个新时期,在大基金等国有资金为主推动下,加上科创板的支持,产业正从全方位向前推进....
的头像 半导体动态 发表于 12-10 14:52 464次 阅读
中国存储器厂商几乎都是“新进者 面临的困难将有很多

半导体行业走势分析,我国半导体领域发展动力持续增强

从指数走势看,上周中国大陆半导体发展指数有较大幅度回升。随着5G换机潮来临以及国内厂商技术革新加快,....
的头像 半导体行业观察 发表于 12-10 14:01 894次 阅读
半导体行业走势分析,我国半导体领域发展动力持续增强

群创光电发布11月营收报告,营收金额约合人民币50亿元

12月10日消息,台湾面板厂商群创光电昨日发布了11月营收报告。
的头像 牵手一起梦 发表于 12-10 13:55 421次 阅读
群创光电发布11月营收报告,营收金额约合人民币50亿元

西安推出超高灵敏半导体光电生物传感器 实现对蓝藻缓慢生长期的探测

据麦姆斯咨询报道,近日,西安电子科技大学微电子学院敖金平教授团队在《生物传感器与生物电子学》(Bio....
发表于 12-10 11:46 133次 阅读
西安推出超高灵敏半导体光电生物传感器 实现对蓝藻缓慢生长期的探测

2019年三季度十大半导体公司排行榜公布英特尔位居第一

据mynavi网站报道,市场研究公司IHS Markit于英国时间12月5日宣布了2019年三季度十....
的头像 lhl545545 发表于 12-10 10:54 640次 阅读
2019年三季度十大半导体公司排行榜公布英特尔位居第一

固态硬盘应用存在哪一些误区

存储阵列控制器旨在将许多慢速HDD硬盘的数据流整合到几条速度适中的光纤通道链路中,因此它们将成为SS....
发表于 12-09 17:44 100次 阅读
固态硬盘应用存在哪一些误区

泛林集团边缘良率产品组合推出新功能

近日,全球领先的半导体制造设备及服务供应商泛林集团宣布其半导体制造系统产品组合推出全新功能,以进一步....
发表于 12-09 15:39 112次 阅读
泛林集团边缘良率产品组合推出新功能

2019三季度半导体排行榜:英特尔排第一,索尼第六

据mynavi网站报道,市场研究公司IHS Markit于英国当地时间12月5日宣布了2019年三季....
的头像 汽车玩家 发表于 12-09 14:11 643次 阅读
2019三季度半导体排行榜:英特尔排第一,索尼第六

德淮半导体图像传感器及其制作方法专利揭秘

德淮不断在技术、专利授权等方面投入大量人力物力,目前已经在高端影像传感器上具备了较强的竞争力。
的头像 汽车玩家 发表于 12-09 13:49 447次 阅读
德淮半导体图像传感器及其制作方法专利揭秘

投资30亿元,连城无锡半导体装备项目年后可生产

11月,总投资30亿元的连城凯克斯半导体高端装备研发制造项目正式签约落户无锡锡山。规划用地200亩,....
的头像 汽车玩家 发表于 12-09 11:44 548次 阅读
投资30亿元,连城无锡半导体装备项目年后可生产

ADXL345的数据手册和原理图及测试程序免费下载

ADXL345是一款小而薄的超低功耗3轴加速度计,分辨率高(13位),测量范围达± 16g。数字输出....
发表于 12-09 08:00 62次 阅读
ADXL345的数据手册和原理图及测试程序免费下载

如何区分高度本征和高度补偿半导体?

如何区分高度本征和高度补偿半导体?
发表于 11-26 15:00 339次 阅读
如何区分高度本征和高度补偿半导体?

存储器的编码方法

一种存储器的编码方法,应用于包含存储器的装置,存储器中包含第一存储体、第二存储体和第三存储体,包括:获取存储器的带宽信息...
发表于 11-15 15:44 473次 阅读
存储器的编码方法

ROHM BR24T系列 EEPROM存储器

ROHM EEPROM支持SPI总线接口,串行3线接口和2线I2C接口方法。输入电压范围:1.6V~5.5V;2.5V~5.5V;2.7V~5....
发表于 11-15 09:16 160次 阅读
ROHM BR24T系列 EEPROM存储器

电力半导体模块有什么特点?

模块化,按最初的定义是把两个或两个以上的电力半导体芯片按一定的电路结构相联结,用RTV、弹性硅凝胶、环氧树脂等保护材料,...
发表于 11-11 09:02 538次 阅读
电力半导体模块有什么特点?

新手求教,怎么系统的学习一下存储器这个方向的知识?等待中。。。

就是想系统学习下存储器这方面的知识,零散的学习总觉得不对胃口。感谢大神知识。 先看什么书籍后看什么  谢谢 ...
发表于 11-10 13:48 426次 阅读
新手求教,怎么系统的学习一下存储器这个方向的知识?等待中。。。

如何设计抗SEU存储器电路中的FPGA?

随着我国航空航天事业的迅猛发展,卫星的应用越来越广泛。然而,太空环境复杂多变,其中存在着各种宇宙射线与高能带电粒子,它们...
发表于 11-08 07:57 69次 阅读
如何设计抗SEU存储器电路中的FPGA?

压力传感器的应用前景在哪里?

传感器技术是现代测量和自动化系统的重要技术之一,从宇宙开发到海底探秘,从生产的过程控制到现代文明生活,几乎每一项技术都离不开...
发表于 11-08 07:29 152次 阅读
压力传感器的应用前景在哪里?

如何在块存储器中写入和读取矩阵?

你好, 继续这条消息: 我要将数据矩阵存储在fpga而不是LUT的块存储器中作为内存! 因为基于我编写的代码中的上述链接,...
发表于 11-07 07:30 107次 阅读
如何在块存储器中写入和读取矩阵?

精密组件,半导体和材料测量的新标准

A new standard for precise component, semiconductor and material measurements...
发表于 11-06 14:21 111次 阅读
精密组件,半导体和材料测量的新标准

DS2430A有什么基本结构?

DS2430A是256位一线式EE-PROM,具有3引脚TO-92小体积封装形式或6引脚TSOC表面贴封装形式,能安装到印制电路板上或...
发表于 11-06 07:24 156次 阅读
DS2430A有什么基本结构?

LE2416RLBXA EEPROM存储器 2线 串行接口 16 kbits(2k x 8位)

RLBXA是一款2线串行接口EEPROM。它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术,实现了高速和高可靠性。该器件与I 2 C存储器协议兼容;因此,它最适合需要小规模可重写非易失性参数存储器的应用程序。 特性 优势 单电源电压:1.7V至3.6V(读取) 低功耗 擦除/写入周期:10 5 周期(页面写入) 高可靠性 容量:16k位(2k x 8位) 工作温度:-40至+ 85°C 接口:双线串行接口(I 2 C总线) 工作时钟频率:400kHz 低功耗:待机: 2μA( max)有效(读取):0.5mA(最大值) 自动页面写入模式:16字节 阅读模式:顺序阅读和随机阅读 数据保留期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高可靠性 应用 手机相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:23 26次 阅读
LE2416RLBXA EEPROM存储器 2线 串行接口 16 kbits(2k x 8位)

TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册:,请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...
发表于 04-18 20:08 148次 阅读
TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
发表于 04-18 20:05 62次 阅读
TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...
发表于 04-18 20:05 55次 阅读
TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...
发表于 04-18 20:05 71次 阅读
TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
发表于 04-18 20:05 122次 阅读
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...
发表于 04-18 19:35 14次 阅读
AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...
发表于 04-18 19:35 14次 阅读
AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 18次 阅读
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 16次 阅读
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 12次 阅读
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 20次 阅读
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 70次 阅读
AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
发表于 04-18 19:29 92次 阅读
AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
发表于 04-18 19:28 112次 阅读
AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...
发表于 04-18 19:28 92次 阅读
AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 84次 阅读
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...
发表于 04-18 19:13 56次 阅读
CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 66次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 78次 阅读
CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI