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GaN和SiC增利效应拉高,市场竞逐日趋白热化

渔翁先生 来源:电子发烧友网 作者:Allen Yin整理 2019-11-11 18:01 次阅读

多家供应商正在推出下一波基于氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的功率半导体浪潮,从而为在市场上与传统的硅基器件进行对决奠定了基础。

功率半导体是专门的晶体管,结合了GaN,SiC和硅等竞争技术。功率半导体在汽车,电源,太阳能和火车等高压应用中用作开关。这些设备允许电流在“开”状态下流动,并在“关”状态下停止电流。它们提高了效率,并将系统中的能量损失降至最低。

多年来,功率半导体市场一直以硅器件为主,即功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)。两者都是成熟且便宜的,但它们在几个方面也达到了理论极限。

这就是GaN和SiC的优势。在市场上,多年来,GaN和SiC器件在各个领域都与IGBT和MOSFET竞争。GaN和SiC都是宽带隙技术,这意味着它们比硅基器件更快,更高效。

图:如何对电源开关进行分类。来源/英飞凌

但是,GaN和SiC器件的采用率相对较低,并且不会在短期内取代其硅竞争对手。根据市场分析机构Yole的研究数据,如今,基于硅的设备在整个功率半市场中的市场份额超过90%。通常,GaN和SiC器件是具有挑战性的一项技术,且成本高昂。

不过,这种情况开始有所改变。新的GaN和SiC器件在市场上的影响开始显现。如,与硅基器件的个位数相比,SiC的增长速度是两位数。Yole分析师Hong Lin表示:“预计主要在汽车市场的推动下,碳化硅功率器件市场将快速增长。” “市场潜力巨大,并且吸引了很多参与者。我们预计未来几年竞争将非常激烈。”

因为,功率半导体市场正迎来一波技术变革热潮。其中:

Cree,ROHM和其他公司正在增加其资本支出并建造新的SiC晶圆厂。供应商正在为电池电动汽车市场的巨大需求做准备。

汽车原始设备制造商正在确保与SiC器件制造商的供应协议,以满足需求。

GaN功率半导体供应商高效功率转换(EPC)正在对功率MOSFET进行所谓的“正面攻击”。GaN正在各种系统中取得进展。

设备供应商看到复合半导体晶圆厂的需求在增加。

根据Yole的数据,功率器件市场预计将从2018年的175亿美元增长到2024年的超过210亿美元。根据Yole的说法,其中SiC器件市场将从2018年的4.2亿美元增长到2019年的5.64亿美元。据该公司称,2018年GaN器件市场不到1000万美元。

“Si”会终结?

根据市场权威机构的数据,全球每小时总发电量为120亿千瓦。据称,全球80%以上的电力是通过电力电子系统传输的。

电力电子技术利用各种设备来控制和转换系统中的电力,例如汽车,电机驱动器,电源,太阳能和风力涡轮机。

通常,在系统的转换过程中会有损耗。例如,根据NC State的数据,一年内出售的台式PC所浪费的电力相当于17个500MW的发电厂。

因此,该行业需要更高效的器件,例如功率半导体和其他芯片。

尽管如此,仍有几种功率半导体可供选择。在硅片方面,选择包括功率MOSFET,超结功率MOSFET和IGBT。

功率MOSFET被认为是最便宜和最受欢迎的器件,用于适配器,电源和其他产品。它们用于10V至500V的低压应用。

超结功率MOSFET是增强型MOSFET,用于500至900V系统中。同时,领先的中端功率半导体器件是IGBT,其用于1200V至6.6KV的应用。

MOSFET在较低电压段中与GaN器件竞争,而IGBT和SiC在高端电压下并驾齐驱。所有设备在600至900V特范围内相互竞争。

无论如何,IGBT和功率MOSFET在可预见的将来仍将是主流技术。英飞凌高级负责人Gerald Deboy表示:“硅技术是一种非常成熟的技术,在很多方面具备优势,包括从供应链和内部生产流程到客户现有的设计和流程。“这就是为什么许多年以来基于硅的功率开关将继续作为首选技术的原因。”

但是,基于硅的器件具有一些局限性,例如高传导损耗和低开关频率。传导损耗归因于设备中的电阻

这就是OEM厂商对GaN和SiC两种宽带隙技术感兴趣的原因。硅的带隙为1.1 eV。相比之下,SiC的带隙为3.3 eV,而GaN为3.4 eV。

联华电子公司市场营销副总裁Steven Liu说:“ GaN和SiC是宽带隙材料,这意味着晶体中原子的键能更高。” “与基于硅的同类产品相比,SiC和GaN具有更高的效率和更小的形状因数特性,因此是功率半导体市场很有价值的组件。在具有相同的相对电压和电流处理能力的情况下,这些器件的尺寸可以小得多。”

GaN和SiC功率半导体产品已经开始出货,但它们仍然很昂贵。制造成本是阻碍市场增长的主要障碍,因为今天两者仍主要使用6英寸及以下的晶圆进行生产。一旦成本可以提高到一定的门槛,市场规模就会爆发。

根据英飞凌的说法,所有功率半导体类型仍然存在。鉴于英飞凌销售IGBT,MOSFET,GaN和SiC,因此具有独特的视角。

英飞凌Deboy曾说:“选择宽带隙器件而不是传统硅的标准取决于平衡特定应用的系统成本和性能要求。” “在许多应用中,基于宽带隙材料的系统的成本和性能目标都达到了临界点。根据特定的应用,即使GaN或SiC器件本身比硅替代品更昂贵,GaN或SiC器件在系统级的成本位置仍然更好。”

什么是SiC?

碳化硅市场正在升温。SiC器件的供应商包括Cree / Wolfspeed,英飞凌,三菱,安森美半导体,意法半导体,Rohm和Toshiba。

SiC是基于硅和碳的化合物半导体材料。它的击穿场强是硅的10倍,导热系数是硅的3倍。

有两种SiC器件类型:SiC功率MOSFET和二极管。SiC功率MOSFET是功率开关晶体管。二极管在一个方向通过电流,而在相反方向阻止电流。

SiC器件目前在150mm的晶圆厂中生产,200mm尚在研发中。在生产流程中,开发了SiC衬底。在衬底上生长外延层。然后将其处理到设备中。

制作基材是最大的挑战。Applied Materials战略营销总监Llewellyn Vaughan-Edmunds 说:“这种较宽的带隙使材料具有优良的特性,例如更快的开关速度和更高的功率密度。” “主要挑战是基材缺陷。基面位错和螺钉位错会产生“致命缺陷”,SiC器件必须减少这种缺陷,才能获得商业成功所需的高产量。”

为了解决成本问题,一些供应商正在开发200mm SiC晶圆厂。这将增加每个晶片的管芯,从而降低成本。

同时,基于SiC的器件用于600V至10KV的应用中。在高端市场,一些公司出售3.3至10KV的设备,用于电网,火车和风力发电。

SiC的还可以应用在600至1200V特范围内。为此,电动汽车是最大的市场,其次是电源和太阳能。

多年来,电动汽车原始设备制造商在车辆的许多零件中都使用了IGBT和MOSFET。例如,特斯拉不再使用IGBT,而是开始将意法半导体的SiC功率器件用于其Model 3汽车中的牵引逆变器。牵引逆变器向电动机提供牵引力以推动车辆。SiC器件还用于电动汽车的DC-DC转换器和车载充电器。其他OEM也正在评估或使用SiC。

不断发展的GaN

同时,二元III-V材料GaN的击穿场强是硅的两倍,其电子迁移率是其两倍。

GaN用于LED,电力电子设备和RF。GaN的RF版本用于5G,雷达和其他应用。功率开关应用中使用了不同的GaN功率器件。EPC,GaN Systems,Navitas,Panasonic,Transphorm和其他公司销售GaN功率器件。

这些设备在150mm晶圆上制造。许多供应商的设备都是由Episil和TSMC代工生产的。

在EPC的GaN流程中,氮化铝(AlN)薄层沉积在硅基板上。在AlN层上生长GaN层。在GaN层上形成源极,栅极和漏极。

Lam公司曾表示,“从技术角度看,GaN的成熟程度仍不及SiC。” “如果人们考虑使用硅上GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)技术,则由于硅上GaN MOCVD的生长质量,良率仍然令人担忧。设备性能和可靠性仍然存在挑战。”

同时,在器件方面,GaN半导体针对不同的市场。EPC和其他产品在15至200V的较低电压段中竞争。在这些领域中,GaN与功率MOSFET竞争。

其他公司则在600、650和900V市场中竞争。这些器件可与IGBT,MOSFET和SiC竞争。

GaN在600V,650V和900V市场,特别是在消费类适配器市场和其他系统中,正获得越来越多的关注。

对于600V特和650V特,GaN适用于适配器,汽车和电源。GaN的900V特电压适用于汽车,电池充电器,电源和太阳能。像SiC一样,GaN试图在电动汽车中获得更大的吸引力,特别是对于车载充电器和DC-DC转换器。

结论

显然,GaN和SiC正在蓬勃发展。这些器件为工程师设计提供了更多选择。但是它们还不会取代硅(Si)。因为在一些日常成熟的产品中很难替换熟悉的技术。

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2 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G32输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.7 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 输入时提供断电保护 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小型无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
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NLU1G32 单路2输入或门

NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

78A是一款4位可配置双电源双向自动感应转换器,不需要方向控制引脚。 V CC I / O和V L I / O端口设计用于跟踪两个不同的电源轨,V CC 和V L 。 V CC 电源轨可配置为1.65V至5.5V,而V L 电源轨可配置为1.65V至5.5V。这允许V L 侧的电压逻辑信号在V CC 侧转换为更低,更高或相等值的电压逻辑信号,反之亦然。 NLSX4378A转换器在I / O线上集成了10K欧姆上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至V L 或V CC 。 NLSX4378非常适合开漏应用,例如I 2 C通信总线。 特性 优势 宽VCC工作范围:1.65V至5.5V 宽VL工作范围:1.65V至5.5V 允许连接多个电压系统 高速,24 Mb / s保证数据速率 最大限度地减少系统延迟 低位偏移 适合差异信号传输 小型包装 - 2.02 x 1.54mm uBump12 节省物理空间解决方案 应用 终端产 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,PDA,相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 50次 阅读
NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s双电源电平转换器

01是一款1位可配置双电源双向自适应传感转换器,不需要方向控制引脚.I / O VCC和I / O VL端口分别用于跟踪两个不同的电源轨,VCC和VL 。 VCC和VLsupply轨道均可配置为1.5 V至5.5 V.这样,VL侧的电压逻辑信号可在VCC侧转换为更低,更高的等值电压逻辑信号,反之亦然.NLSX4401转换器已集成I / O线上有10 k上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至VL或VCC。 NLSX4401非常适合开放式应用,如I2C通信总线。 特性 VL可以小于,大于或等于VCC 宽VCC工作范围:1.5 V至5.5 V 宽VL工作范围:1.5 V至5.5 V 高速,24 Mb / s保证日期速率 低位偏斜 启用输入和I / O引脚是过压容差(OVT)以使能输入和I / O引脚是过压容差(OVT)至5.5 V 非优先通电排序 断电保护 应用 终端产品 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,相机,消费品 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 23次 阅读
NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s双电源电平转换器

一本书来帮助你入门深度学习生成模型

这一事实并没有真正公正地反映AGC的辉煌。由于摩尔定律,你可以选择任何计算机器,也可以说50年后,将....
的头像 新智元 发表于 08-02 08:57 910次 阅读
一本书来帮助你入门深度学习生成模型

NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

125 MiniGate™是一款先进的CMOS高速非反相缓冲器,占用空间极小。 NLU1GT125要求将3状态控制输入()设置为高,以将输出置于高阻态。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT125输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.8 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 17:02 14次 阅读
NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

Si衬底GaN基功率开关器件的发展状况

在电力电子控制系统中,为了保证系统失效安全,器件必须具备常关型的工作特性。
的头像 创伙伴 发表于 08-01 15:08 982次 阅读
Si衬底GaN基功率开关器件的发展状况

干货 | GaN在开关电源设计中的应用

随着工艺的进步和缺陷率的不断降低,GaN在交直流电力转换、改变电压电平、并且以一定数量的函数确保可靠....
的头像 创伙伴 发表于 08-01 15:01 1186次 阅读
干货 | GaN在开关电源设计中的应用

GaN功率电子器件的技术路线

目前世界范围内围绕着GaN功率电子器件的研发工作主要分为两大技术路线,一是在自支撑Ga N衬底上制作....
的头像 GaN世界 发表于 08-01 15:00 1100次 阅读
 GaN功率电子器件的技术路线

FSA839 低压 带关断隔功能的0.8Ω单刀双掷(SPDT)模拟开关

是高性能的单刀双掷(SPDT)模拟开关,用于由低电压(1.8V)基带处理器或ASIC驱动的音频应用。该器件在V CC = 4.5 V时具有0.8Ω(最大值)的超低R ON ,可在1.65V到5.5V的宽V CC 范围内工作。该器件采用亚微米CMOS FSA839在低电压ASIC和常规的音频放大器之间连接,CODEC在高达5.5V的工作电压范围内运行。控制电路允许控制引脚(Sel)上提供1.8V(典型值)信号。 应用 多媒体平板电脑 存储和外设 手机 WLAN网卡和宽带接入 PMP / MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 01:02 25次 阅读
FSA839 低压 带关断隔功能的0.8Ω单刀双掷(SPDT)模拟开关

NXH240B120H3Q1 功率集成模块(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管

B120H3Q1PG是一款3通道1200 V IGBT + SiC Boost模块。每个通道包括一个快速开关80 A IGBT,一个20 A SiC二极管,一个旁路二极管和一个IGBT保护二极管。该模块具有内置热敏电阻并具有压配销。 特性 优势 1200 V快速开关IGBT 降低IGBT的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 1200 SiC二极管 降低二极管的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 低Vf旁路二极管 提高旁路模式的效率 压合销 无焊接安装 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 分散式公用事业规模太阳能逆变器 商业串式逆变器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 19次 阅读
NXH240B120H3Q1 功率集成模块(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管

NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

120H2Q0SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 14次 阅读
NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 12次 阅读
NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-31 04:02 16次 阅读
FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

低压差(LDO)线性稳压器将在固定输出电压下提供1.5 A电流。快速环路响应和低压差使该稳压器非常适用于低电压和良好负载瞬态响应非常重要的应用。器件保护包括电流限制,短路保护和热关断。 NCP566采用SOT-223封装。 特性 超快速瞬态响应(
发表于 07-30 08:02 14次 阅读
NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

4是一款30A POL,适用于在小型电路板占板面积内要求高效率的应用。该器件将DC / DC控制器与两个高效mosfet集成在一个采用热增强型5mm x 6mm QFN封装的信号中。它采用获得专利的增强型斜坡脉冲调制控制架构,可提供超快的负载瞬变,从而减少外部电容和/或提供更好的瞬态容差。与传统的恒定时间控制器相比,新架构还改进了负载调节。 特性 优势 效率高 减少电力损失 快速装载瞬态 减少输出电容的数量 频率选择 优化效率和输出滤波器尺寸的权衡 0.6%准确参考 允许非常精确的输出电压 远程感知 提供准确的输出电压 启用输入和电力良好指标 二手用于控制排序 可调节电流限制 低电流设计的灵活性 可调节软启动 允许控制开启坡道 热增强型QFN封装 改善散热 指定-40C至125C 应用 终端产品 服务器 网络 电信 ASICs servere 存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 57次 阅读
NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

3是一款20A降压转换器(内置MOSFET),工作电压范围为3V至21V,无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率,可调节输出以提供低至0.6V的电压。可调电流限制允许器件用于多个电流水平。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,高效电压模式同步降压转换器,工作电压为3 V至21 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V,5V和12V母线 300kHz,500kHz和1MHz开关频率 用户可选择的选项,允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除,则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压保护和欠压电压保护 应用 终端产品 高电流POL应用 AS...
发表于 07-30 04:02 88次 阅读
NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

NCP3231A 高电流同步降压转换器

1A是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出o电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 49次 阅读
NCP3231A 高电流同步降压转换器

NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

1B是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 1MHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出ove r电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 36次 阅读
NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

NCP3231 高电流同步降压转换器

1是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低 - 侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出过压保护和欠压保护 使用热敏电阻或传感器进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电力良好输出 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 32次 阅读
NCP3231 高电流同步降压转换器

NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

2是一款低输入电压,6 A同步降压转换器,集成了30mΩ高侧和低侧MOSFET。 NCP1592专为空间敏感和高效应用而设计。主要特性包括:高性能电压误差放大器,欠压锁定电路,防止启动直到输入电压达到3 V,内部或外部可编程软启动电路,以限制浪涌电流,以及电源良好的输出监控信号。 NCP1592采用耐热增强型28引脚TSSOP封装。 特性 30mΩ,12 A峰值MOSFET开关,可在6 A连续输出源或接收器处实现高效率电流 可调节输出电压低至0.891 V,准确度为1.0% 宽PWM频率:固定350 kHz,550 kHz或可调280 kHz至700 kHz 应用 终端产品 低压,高密度分布式电源系统 FPGA 微处理器 ASICs 便携式计算机/笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 51次 阅读
NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

C转换器采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,可提供高达30 A的电流。 特性 优势 效率高 降低功耗并减少散热问题 4.5 V至18 V输入范围 允许使用5 V或12 V母线进行操作 综合mosfets 简化设计并提高可靠性 可调节软启动时序,输出电压 设计灵活性 过压,欠压和过流保护 安全启动到预偏置输出 应用 终端产品 高电流POL应用 为asics,fpga和DSP供电 基站 服务器和存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 32次 阅读
NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器

5是一款带内部MOSFET的15 A DC / DC转换器,设计灵活。该器件可提供低至0.6V至输入电压80%以上的可调输出电压。功能包括可调电流限制,输出电压和软启动时序。引脚可选功能可实现550 kHz或1 MHz的开关频率,选择DCM / CCM工作模式,以及在过流期间锁定或打嗝模式的能力。该器件可配置为在超声模式下工作,以避开音频带。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm TQFN封装。 特性 优势 准确0.6 V参考 可调输出以设置所需电压低至0.6 V DCM / CCM可选择选项 在不连续模式下操作以在轻负载下提高效率 550kHz / 1.1MHz开关频率 选择更高效率或更小输出滤波器的设计灵活性 超声波模式 保持电容器不发出声音 热增强型QFN封装 3个裸露焊盘散布更高 4.5 V至21 V的宽工作范围 允许跨多个应用程序使用 可调软启动 允许在通电期间平稳上升 应用 终端产品 计算/服务器 数据通信/网络 FGPA,ASIC,DSP电源 12 V负载点 桌面 服务器 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 27次 阅读
NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器