侵权投诉

SiC的市场格局及其带来的工程挑战

荷叶塘 来源:电子发烧友网 作者:程文智 2019-10-16 10:02 次阅读
碳化硅(SiC)是近五年以来备受关注的第三代半导体,SiC功率器件的研发从1970年代就开始了,到了1980年代,SiC晶体质量和制造工艺获得了大幅改进,90年代末,除了美国之外,欧洲和日本也开始投入资源进行研发。此后,行业开始加速发展。
到2001年英飞凌推出了第一款SiC器件------300V~600V(16A)的SiC肖特基二极管(SiC SBD),接着科锐(Cree)在2002年推出了600V~1200V(20A)的SiC肖特基二极管,主要用在开关电源控制和和电机控制中,随后ST、罗姆、飞兆和东芝等都纷纷推出了相应的产品。而SiC晶体管(SiC JFET)和SiC MOSFET则分别在2006年和2011年才面世。
 

SiC功率器件发展历程。(资料来源:Yole,电子发烧友)

 
图1:SiC功率器件发展历程。(资料来源:Yole,电子发烧友)
最近几年,由于MOSFET技术开始被市场所接受,包括心理门槛和技术门槛,SiC市场开始了较快地增长。根据2019年Yole发布的SiC市场报告,2018年SiC的市场规模约为4.2亿美元,该机构预计SiC市场的年复合增长率为29%,也就是说到2024年,SiC的市场规模将达19.3亿美元。

SiC玩家有哪些?

集成电路的制造类似,SiC器件的生产也有IDM和Fabless模式两种。目前主要以IDM模式为主。SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块环节,以及下游的应用环节。因此,SiC产业链内的玩家其实有不少,其中份额最大的当属美国的Cree,根据Yole最新的报告,它占了整个SiC功率器件市场的62%,它具有多年的SiC衬底生产经验,它旗下的Wolfspeed也是一家射频和功率器件公司拥有垂直一体化的生产能力。
 

SiC电力电子器件产业链企业。

 
图2:SiC电力电子器件产业链企业。(来源:长江证券)
在衬底方面,国内的天科合达历史最为悠久,其产品已经在市场上卖了十几年了;第二家是山东天岳,其技术源于山东大学。此外,河北同光、世纪金光、中科节能和Norstel也有相关技术。
在器件和模块方面,目前技术最强的还是罗姆、英飞凌和Wolfspeed等国外厂商。国内的厂商技术与他们相比差距还比较大,国内主要还是做SiC肖特基二极管为主。不过好消息是,差距在缩小,也内人士认为,差距的原因主要是国内起步比较晚,研发也就做了十年左右,而国外企业的研发至少已经做了25年了。SiC技术,尤其是SiC二极管技术,不是特别复杂,只要企业愿意去做,沉下心去做,几年后基本就可以做稳定了,但SiC MOSFET的技术要更难,要追上来需要更长的时间。像现在的泰科天润的SiC二极管产品已经在国内卖了很多年了,也获得了行业的一些认可。
在代工厂方面,目前SiC产业内还没有真正的代工厂,据说也没有有产线的企业愿意给别人代工。所以国内的SiC Fabless企业一般都是要去找台湾的代工厂商,比如汉磊科技。国内的基本半导体就是一家Fabless的SiC企业。
这几年,国内有不少企业新进入了SiC领域,其实要想在SiC领域活下来,也不容易。首先要有足够的资金投入,因为它是一个高投入的行业,据业内人士透露,不说其他投资,就一个SiC制造厂的水电费,一个月也得200多万,因此,没有足够的资金支持是很难坚持下去的;其次是上下游的支持情况,上游能否拿到好材料,器件在下游能否卖出去,开始可能需要自己投资,对市场有一定的掌控力。三是技术团队很重要。
当然,国内的SiC企业有一个最大的问题,那就是上游材料不能把控,存在进不到货的问题。现在高端的衬底和外延片基本都是需要进口的。但如果上游国内自主衬底和单晶厂商能取得突破,相信过几年情况就能好转了。

SiC带来的工程挑战

我们都知道SiC的好处是具有更低的阻抗、更高的运行频率和更高的工作温度。比如SiC的开关频率一般为10KHz~10MHz,且还在发展中;其理论耐温超过了400℃,即使受目前封装材料所限,也能很容易做到225℃。
当然,更高的耐高温有好处,比如无需水冷,可以把设备的尺寸做得更少。但它的这些特性其实也会带来一些其他的工程挑战。比如当SiC器件工作在225℃时,其他周边器件该如何处置,要都用能耐这么高温的器件,那成本又是一个大问题。
来自CISSOID的首席应用工程师Abel Cao曾总结了SiC功率器件的应用给工程设计带来的挑战。在他看来主要有五大挑战。
一是结构设计和导热设计。传统工艺主要采用DCB导热衬底、Die组合、引线键合、模塑填料或者灌封的方式进行结构设计,这些多数为单面散热,双面的效能有限;Die的空间位置,决定了散热差异和寄生电容差异。这些都不适合SiC器件的结构和散热设计了,SiC的高温,需要新封装材料和工艺。
二是杂散电感和分布电容按照目前的拓扑结构,分支太多,寄生电感太大,各个支路寄生电感不一致,热不平衡。
 

 
 

 
三是全程模拟和仿真。
四是可靠性设计和寿命规划。这包括在目标环境温度下,要求的寿命期限;高温寿命模型;以及如何验证的问题,因为目前民用好像还没有175℃的试验标准。
五是系统设计的演进能力。这包括新品的持续演进和产品概念的持续演进。

结语

SiC功率器件随着技术的进步和市场接受度的提高,开始进入了快速成长期,这期间肯定会有不少新的进入者参与到这个市场当中,也会出现一些新的应用,希望这些新的进入者能够耐得住寂寞,能够给整个产业链赋能,共同将这个产业做大,做好。
收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

UnitedSiC发布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ

UnitedSiC布将推出四种新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的....
发表于 12-10 13:45 108次 阅读
UnitedSiC发布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ

MOS管主流供应商及主流厂商的封装与改进

在开关电源中,如漏极开路电路,漏极原封不动地接负载,叫开路漏极,开路漏极电路中不管负载接多高的电压,....
的头像 21ic电子网 发表于 12-09 15:31 330次 阅读
MOS管主流供应商及主流厂商的封装与改进

意法半导体完成对碳化硅晶圆厂商Norstel AB的并购

从材料专业知识和工艺工程,到SiC MOSFET和二极管设计制造,意法半导体加强内部SiC生态系统建....
发表于 12-03 16:36 159次 阅读
意法半导体完成对碳化硅晶圆厂商Norstel AB的并购

意法半导体完成Norstel AB整体收购,可应对SiC晶圆产能紧缺

据了解,Norstel将被完全整合到意法半导体的全球研发和制造业务中,继续发展150mm碳化硅裸片和....
的头像 汽车玩家 发表于 12-03 15:39 488次 阅读
意法半导体完成Norstel AB整体收购,可应对SiC晶圆产能紧缺

满足“电老虎”移动计算的需求

提高频率是减小尺寸的一种行之有效的方法。对于移动系统而言,实现高效解决方案同样重要,这是延长电池寿命....
的头像 MEMS 发表于 11-30 10:30 515次 阅读
满足“电老虎”移动计算的需求

使用eGaN FET和IC赋予手术机器人精确控制能力

机器人需要许多电机来控制各种附件,如手臂、关节和工具控制,保证手术机器人具有必要的自由度(DOF)和....
的头像 MEMS 发表于 11-30 10:11 448次 阅读
使用eGaN FET和IC赋予手术机器人精确控制能力

激光雷达应用对激光的需求

据麦姆斯咨询介绍,激光雷达(LiDAR)属于一种遥感技术,它将脉冲光从传感器中发射出去,通过测量反射....
的头像 MEMS 发表于 11-30 07:52 507次 阅读
激光雷达应用对激光的需求

汽车电力电子系统为什么选择48V?

基于GaN的功率模块EPC9205,配置为同步Buck变换器,当输入电压为48V,输出电压为12V,....
的头像 MEMS 发表于 11-29 15:32 251次 阅读
汽车电力电子系统为什么选择48V?

SiC和GaN半导体产品竞争激烈,日本企业实力雄厚

近两年来,各国科技企业都在关注半导体建设,加快在半导体领域中的自主研发步伐,毕竟半导体涉及到的领域也....
的头像 汽车玩家 发表于 11-25 15:55 655次 阅读
SiC和GaN半导体产品竞争激烈,日本企业实力雄厚

Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(Ga....
发表于 11-22 15:16 297次 阅读
Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

Soitec宣布与应用材料公司启动联合研发项目,共同开发新一代碳化硅衬底

法国Soitec半导体公司宣布与应用材料公司启动联合项目,展开对新一代碳化硅衬底的研发。
发表于 11-19 14:44 182次 阅读
Soitec宣布与应用材料公司启动联合研发项目,共同开发新一代碳化硅衬底

科锐助力ABB进入高增长EV电动汽车市场

电子发烧友讯,11月19日消息,全球碳化硅(SiC)技术领先企业科锐宣布与ABB达成合作,该公司将采....
的头像 刘伟DE 发表于 11-19 09:44 929次 阅读
科锐助力ABB进入高增长EV电动汽车市场

功率MOSFET的参数怎么看?教你在实际应用选择功率MOSFET

使用功率 MOSFET 也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论...
发表于 11-17 08:00 683次 阅读
功率MOSFET的参数怎么看?教你在实际应用选择功率MOSFET

格力20亿入股三安光电,再次加大芯片投入!

格力11月11日晚发布公告,拟以自有资金20亿元认购三安光电非公开发行的股份,三安光电此次非公开发行....
的头像 行业投资 发表于 11-12 15:45 2751次 阅读
格力20亿入股三安光电,再次加大芯片投入!

GaN和SiC增利效应拉高,市场竞逐日趋白热化

Wolfspeed,英飞凌,三菱,安森美半导体,意法半导体,ROHM和Toshiba等供应商正在推出....
的头像 渔翁先生 发表于 11-11 18:01 1871次 阅读
GaN和SiC增利效应拉高,市场竞逐日趋白热化

芯片厂商扎堆深耕电机行业,BLDC电机市场未来可期

2019年11月8日,在《2019电机控制先进技术研讨会》上,公布了《BLDC电机行业市场分析报告》....
的头像 荷叶塘 发表于 11-11 10:24 4171次 阅读
芯片厂商扎堆深耕电机行业,BLDC电机市场未来可期

最新SiC器件与Si IGBT的性能比较

直到最近,功率模块市场仍被硅(Si)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)把持。需求的转移和对更高性能的关注....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 11-08 11:41 1027次 阅读
最新SiC器件与Si IGBT的性能比较

科锐与采埃孚推进电驱动领域合作

全球碳化硅(SiC)半导体领先企业科锐(Cree)与德国采埃孚(ZF Friedrichshafen....
的头像 刘伟DE 发表于 11-06 13:42 1245次 阅读
科锐与采埃孚推进电驱动领域合作

汽车用传感器有哪些?

现代汽车正由一个单纯交通工具朝着能满足人类需求和安全、舒适、方便及无污染的方向发展。 要实现这些目标的关键在于汽车的电子...
发表于 11-05 06:15 148次 阅读
汽车用传感器有哪些?

碳化硅的发现将会成为更高效的半导体材料

在功率电子学中,半导体基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率会高得多。巴塞尔大学的物理学家,Paul S....
的头像 独爱72H 发表于 11-04 17:16 772次 阅读
碳化硅的发现将会成为更高效的半导体材料

基本半导体荣获“中国芯”优秀技术创新产品奖

深圳本土第三代半导体科创企业——深圳基本半导体有限公司旗下车规级全碳化硅功率模块(BMB200120....
发表于 10-30 14:12 263次 阅读
基本半导体荣获“中国芯”优秀技术创新产品奖

50kW/L功率密度,3.3美元/kW成本的电机实现难点是什么?

U.S. DRIVE给电机和电控的发展定了一个目标,那就是到2025年时,电机控制器的效率不能低于9....
的头像 荷叶塘 发表于 10-29 09:28 3524次 阅读
50kW/L功率密度,3.3美元/kW成本的电机实现难点是什么?

设计基于SiC-MOSFET的6.6kW双向EV车载充电器

随着世界朝着使用更清洁燃料的方向发展,电动汽车运输部门正在经历快速增长。此外,配备有足够电池容量的电动汽车可潜在地用于支...
发表于 10-25 10:02 558次 阅读
设计基于SiC-MOSFET的6.6kW双向EV车载充电器

采用全SiC模块解决方案的10kW 3级UPS逆变器可实现高效率并减小尺寸和重量

为了证明SiC器件在应用水平上的性能,罗姆与弗赖堡的弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE)合作,在电力电子领域提供了应用级经...
发表于 10-25 10:01 417次 阅读
采用全SiC模块解决方案的10kW 3级UPS逆变器可实现高效率并减小尺寸和重量

常见的碳化硅半导体器件

碳化硅(SiC)又叫金刚砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成,其实碳化硅....
发表于 10-24 10:36 235次 阅读
常见的碳化硅半导体器件

Navitas纳微半导体将在2019 CPSSC上展示GaNFast技术领导地位

 Navitas 纳微半导体今天宣布将于2019年11月1日至4日在中国深圳举行的中国电源学会(CP....
发表于 10-23 14:33 1895次 阅读
Navitas纳微半导体将在2019 CPSSC上展示GaNFast技术领导地位

电子假负载电路原理

电子假负载的功率器件,一般选用所需控制功率小的场效应管和IGBT管、选用时一定要有超过满载时的功率余....
的头像 陈翠 发表于 10-22 15:54 707次 阅读
电子假负载电路原理

碳化硅是汽车电子的未来 博世推出首款碳化硅芯片

10月9日,博世已研发出一种新型半导体芯片技术。这种芯片技术可有效提升电动汽车的安全性,当电动车发生....
发表于 10-12 09:40 814次 阅读
碳化硅是汽车电子的未来 博世推出首款碳化硅芯片

电源人必知知识之功率器件热设计及散热计算

介绍了功率器件的热性能参数,并根据实际工作经验,阐述了功率器件的热设计方法和散热器的合理选择。资料来自网络分享 张飞...
发表于 10-07 22:33 760次 阅读
电源人必知知识之功率器件热设计及散热计算

SiC的优势及典型设备

在为功率转换选择高功率开关器件时,过去只有两个选择,硅MOSFET或者是IGBT,然而最新的应用如A....
发表于 10-05 16:05 165次 阅读
SiC的优势及典型设备

【2019ROHM科技展】:4大展区+6场技术研讨会,邀您免费参会赢豪礼!(总价值超过10000元)

▌ROHM科技展简介         "ROHM科技展"是ROHM自主举办的地方性展会。从2013年...
发表于 09-29 17:42 82847次 阅读
【2019ROHM科技展】:4大展区+6场技术研讨会,邀您免费参会赢豪礼!(总价值超过10000元)

青铜剑科技发布全碳化硅器件解决方案,助力新能源汽车产业发展

青铜剑科技、基本半导体联合发布了面向新能源汽车电机控制器的全碳化硅器件解决方案。
发表于 09-27 14:34 624次 阅读
青铜剑科技发布全碳化硅器件解决方案,助力新能源汽车产业发展

科锐宣布将在美国纽约州建造全球最大SiC制造工厂

近日,科锐在官网宣布扩产计划进展,表示将在美国纽约州建造全球最大SiC制造工厂。
的头像 半导体动态 发表于 09-26 17:15 1264次 阅读
科锐宣布将在美国纽约州建造全球最大SiC制造工厂

ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET ....
发表于 09-24 14:39 295次 阅读
ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

科锐宣布将建造全球最大SiC晶圆厂

2019年9月23日,作为碳化硅(SiC)技术全球领先企业的科锐(Cree),于今日宣布计划在美国东....
的头像 刘伟DE 发表于 09-24 09:59 3253次 阅读
科锐宣布将建造全球最大SiC晶圆厂

Transphorm和贸泽电子宣布达成全球分销协议

Transphorm Inc.今天宣布,它已与贸泽电子(Mouser Electronics Inc....
发表于 09-19 14:37 183次 阅读
Transphorm和贸泽电子宣布达成全球分销协议

浅析SiC-MOSFET

SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国...
发表于 09-17 09:05 253次 阅读
浅析SiC-MOSFET

上海市政府就中科钢研先进晶体产业化项目签订合作协议

为了构筑新时代战略优势,更好地服务改革发展大局,国务院国资委与上海市政府深化合作共同推进落实国家战略....
的头像 半导体动态 发表于 09-16 11:45 959次 阅读
上海市政府就中科钢研先进晶体产业化项目签订合作协议

SK为扩大业务,拟4.5亿美元收购美国杜邦的碳化硅晶圆业务

9月11日消息,据BusinessKorea报道,韩国半导体晶圆制造商SK Siltron于9月10....
的头像 电子魔法师 发表于 09-11 16:36 1840次 阅读
SK为扩大业务,拟4.5亿美元收购美国杜邦的碳化硅晶圆业务

科锐与德尔福科技开展汽车SiC器件合作

科锐创新型MOSFET助力新一代电动汽车提高行驶里程,缩短充电时间,提升总体效率。 科锐(CREE)....
的头像 刘伟DE 发表于 09-10 11:05 5345次 阅读
科锐与德尔福科技开展汽车SiC器件合作

打破国际大厂的垄断,士兰微如何在IPM和IGBT领域找准赛道?

行业资深从业者表示,在中国本土功率器件市场,士兰微是国内当之无愧的龙头之一。士兰微日前发布了2019....
的头像 章鹰 发表于 09-03 11:14 6915次 阅读
打破国际大厂的垄断,士兰微如何在IPM和IGBT领域找准赛道?

BASiC SiC Inside! 基本半导体发展驶入“快车道”

一辆搭载了基本半导体碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二极管的新能源汽车,至今已累计无故障行驶120天....
发表于 09-02 14:11 916次 阅读
BASiC SiC Inside! 基本半导体发展驶入“快车道”

细数国内半导体上市公司分析

模拟芯片行业具有穿越硅周期的属性,并将模拟确定为半导体跨年度投资主线之一。通过产业链验证,8寸晶圆下....
的头像 半导体科技评论 发表于 08-30 17:09 2142次 阅读
细数国内半导体上市公司分析

关于八吋晶圆的性能分析和应用介绍

特种工艺技术包括高精度模拟CMOS、射频CMOS、嵌入式存储器CMOS、CIS、高压CMOS、 Bi....
的头像 半导体科技评论 发表于 08-30 16:57 887次 阅读
关于八吋晶圆的性能分析和应用介绍

光耦继电器跟固态继电器有什么区别

光耦继电器归于固态继电器,一般电磁继电器靠电流经过线圈使铁芯变成有磁性的磁铁吸合衔铁,从而使相关的触....
发表于 08-30 09:39 1160次 阅读
光耦继电器跟固态继电器有什么区别

高压功率器件的开关技术

高压功率器件的开关技术简单的包括硬开关技术和软开关技术: 如图所示,典型的硬开关过程中,电压和电流的变化虽然存在时间...
发表于 08-29 10:11 381次 阅读
高压功率器件的开关技术

关于国内第三代半导体厂商介绍

司拥有国际先进的德国爱思强MOCVD外延炉及外延表征设备、6英寸化合物半导体芯片生产线、晶圆在片检测....
的头像 半导体科技评论 发表于 08-28 15:00 2578次 阅读
关于国内第三代半导体厂商介绍

华为旗下的华为VC投了山东天岳和杰华特微电子

四个月前,华为低调豪掷7亿全资控股成立一家投资公司哈勃投资,开始涉足VC圈。近日,投资界获悉,哈勃投....
的头像 陈翠 发表于 08-27 15:16 1495次 阅读
华为旗下的华为VC投了山东天岳和杰华特微电子

创“芯”驱动高质量发展 共探功率器件技术未来趋势

作为2019年度上海科技论坛之产业发展论坛暨浦东新区第十届学术年会的重要组成部分,由上海华虹宏力半导....
发表于 08-21 08:40 558次 阅读
创“芯”驱动高质量发展 共探功率器件技术未来趋势

长距离电动汽车应用中 SiC 功率器件的有效实现

内燃机 (IC)、EV 和 HEV 等所有汽车对动力子系统的需求一直呈指数级增长,以支持高级辅助驾驶....
的头像 丫丫119 发表于 08-19 09:39 3802次 阅读
长距离电动汽车应用中 SiC 功率器件的有效实现

双雄逐鹿第三代半导体,More Moore之路

  超越摩尔定律  “摩尔定律”在过去的几十年被事实证明为集成电路的黄金定律。“摩尔定律”由戈登·摩尔(Gor
的头像 iczoom 发表于 08-16 21:33 1392次 阅读
双雄逐鹿第三代半导体,More Moore之路

碳化硅发展现状和挑战

碳化硅(SiC)功率半导体市场产值到2024年将达到19.3亿美元
的头像 Midifan 发表于 08-15 18:14 2036次 阅读
碳化硅发展现状和挑战

SiC宽带功率放大器有什么设计方法?

随着现代技术的发展, 功率放大器已成为无线通信系统中一个不可或缺的部分, 特别是宽带大功率产生技术已成为现代通信对抗的关键技...
发表于 08-12 06:59 186次 阅读
SiC宽带功率放大器有什么设计方法?

有效实施更长距离电动汽车用SiC功率器件

虽然电动和混合动力电动汽车(EV]从作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)到基于碳化硅(SiC...
发表于 08-11 15:46 599次 阅读
有效实施更长距离电动汽车用SiC功率器件

Microsemi宣布推出一系列SiC功率器件

汽车、工业、太空和国防领域越来越需要能提升系统效率、稳健性和功率密度的SiC功率产品。
的头像 Microchip微芯 发表于 08-08 10:04 1839次 阅读
Microsemi宣布推出一系列SiC功率器件

行业 | 用于工业和汽车级碳化硅MOSFET功率模块的高温栅极驱动

CISSOID在论文中提出了一种新的栅极驱动板,其额定温度为125°C(Ta),它还针对采用半桥式S....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 08-05 17:07 1139次 阅读
行业 | 用于工业和汽车级碳化硅MOSFET功率模块的高温栅极驱动

简化电源管理的方法和技术指导

德州仪器的TPS7A39恰可满足这种应用需求,并能为设计人员提供适用于各种应用的通用组件。这款150....
的头像 易络盟电子 发表于 08-05 15:03 975次 阅读
简化电源管理的方法和技术指导

2019年功率器件何以在“跌”声中“维稳”?

从今年上半年来看,功率器件价格稳中有跌。汽车级、高性能的工业级产品由于供应厂商有限,价格依然坚挺。但....
发表于 08-05 11:31 1305次 阅读
2019年功率器件何以在“跌”声中“维稳”?

NLU1GT86 单路2输入异或门 TTL电平

86 MiniGate™是一款先进的CMOS高速2输入异或门,占用空间极小。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.1 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 06:02 55次 阅读
NLU1GT86 单路2输入异或门 TTL电平

NLU1G86 单路2输入异或门

6 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入异或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.5 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 平衡传播延迟 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小Pb免费套餐 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 05:02 47次 阅读
NLU1G86 单路2输入异或门

NLU1G32 单路2输入或门

2 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G32输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.7 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 输入时提供断电保护 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小型无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 38次 阅读
NLU1G32 单路2输入或门

NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

78A是一款4位可配置双电源双向自动感应转换器,不需要方向控制引脚。 V CC I / O和V L I / O端口设计用于跟踪两个不同的电源轨,V CC 和V L 。 V CC 电源轨可配置为1.65V至5.5V,而V L 电源轨可配置为1.65V至5.5V。这允许V L 侧的电压逻辑信号在V CC 侧转换为更低,更高或相等值的电压逻辑信号,反之亦然。 NLSX4378A转换器在I / O线上集成了10K欧姆上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至V L 或V CC 。 NLSX4378非常适合开漏应用,例如I 2 C通信总线。 特性 优势 宽VCC工作范围:1.65V至5.5V 宽VL工作范围:1.65V至5.5V 允许连接多个电压系统 高速,24 Mb / s保证数据速率 最大限度地减少系统延迟 低位偏移 适合差异信号传输 小型包装 - 2.02 x 1.54mm uBump12 节省物理空间解决方案 应用 终端产 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,PDA,相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 50次 阅读
NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s双电源电平转换器

01是一款1位可配置双电源双向自适应传感转换器,不需要方向控制引脚.I / O VCC和I / O VL端口分别用于跟踪两个不同的电源轨,VCC和VL 。 VCC和VLsupply轨道均可配置为1.5 V至5.5 V.这样,VL侧的电压逻辑信号可在VCC侧转换为更低,更高的等值电压逻辑信号,反之亦然.NLSX4401转换器已集成I / O线上有10 k上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至VL或VCC。 NLSX4401非常适合开放式应用,如I2C通信总线。 特性 VL可以小于,大于或等于VCC 宽VCC工作范围:1.5 V至5.5 V 宽VL工作范围:1.5 V至5.5 V 高速,24 Mb / s保证日期速率 低位偏斜 启用输入和I / O引脚是过压容差(OVT)以使能输入和I / O引脚是过压容差(OVT)至5.5 V 非优先通电排序 断电保护 应用 终端产品 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,相机,消费品 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 23次 阅读
NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s双电源电平转换器

NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

125 MiniGate™是一款先进的CMOS高速非反相缓冲器,占用空间极小。 NLU1GT125要求将3状态控制输入()设置为高,以将输出置于高阻态。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT125输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.8 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 17:02 14次 阅读
NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

FSA839 低压 带关断隔功能的0.8Ω单刀双掷(SPDT)模拟开关

是高性能的单刀双掷(SPDT)模拟开关,用于由低电压(1.8V)基带处理器或ASIC驱动的音频应用。该器件在V CC = 4.5 V时具有0.8Ω(最大值)的超低R ON ,可在1.65V到5.5V的宽V CC 范围内工作。该器件采用亚微米CMOS FSA839在低电压ASIC和常规的音频放大器之间连接,CODEC在高达5.5V的工作电压范围内运行。控制电路允许控制引脚(Sel)上提供1.8V(典型值)信号。 应用 多媒体平板电脑 存储和外设 手机 WLAN网卡和宽带接入 PMP / MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 01:02 25次 阅读
FSA839 低压 带关断隔功能的0.8Ω单刀双掷(SPDT)模拟开关

NXH240B120H3Q1 功率集成模块(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管

B120H3Q1PG是一款3通道1200 V IGBT + SiC Boost模块。每个通道包括一个快速开关80 A IGBT,一个20 A SiC二极管,一个旁路二极管和一个IGBT保护二极管。该模块具有内置热敏电阻并具有压配销。 特性 优势 1200 V快速开关IGBT 降低IGBT的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 1200 SiC二极管 降低二极管的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 低Vf旁路二极管 提高旁路模式的效率 压合销 无焊接安装 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 分散式公用事业规模太阳能逆变器 商业串式逆变器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 19次 阅读
NXH240B120H3Q1 功率集成模块(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管

NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

120H2Q0SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 14次 阅读
NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 12次 阅读
NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-31 04:02 16次 阅读
FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

低压差(LDO)线性稳压器将在固定输出电压下提供1.5 A电流。快速环路响应和低压差使该稳压器非常适用于低电压和良好负载瞬态响应非常重要的应用。器件保护包括电流限制,短路保护和热关断。 NCP566采用SOT-223封装。 特性 超快速瞬态响应(
发表于 07-30 08:02 14次 阅读
NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

4是一款30A POL,适用于在小型电路板占板面积内要求高效率的应用。该器件将DC / DC控制器与两个高效mosfet集成在一个采用热增强型5mm x 6mm QFN封装的信号中。它采用获得专利的增强型斜坡脉冲调制控制架构,可提供超快的负载瞬变,从而减少外部电容和/或提供更好的瞬态容差。与传统的恒定时间控制器相比,新架构还改进了负载调节。 特性 优势 效率高 减少电力损失 快速装载瞬态 减少输出电容的数量 频率选择 优化效率和输出滤波器尺寸的权衡 0.6%准确参考 允许非常精确的输出电压 远程感知 提供准确的输出电压 启用输入和电力良好指标 二手用于控制排序 可调节电流限制 低电流设计的灵活性 可调节软启动 允许控制开启坡道 热增强型QFN封装 改善散热 指定-40C至125C 应用 终端产品 服务器 网络 电信 ASICs servere 存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 57次 阅读
NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

3是一款20A降压转换器(内置MOSFET),工作电压范围为3V至21V,无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率,可调节输出以提供低至0.6V的电压。可调电流限制允许器件用于多个电流水平。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,高效电压模式同步降压转换器,工作电压为3 V至21 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V,5V和12V母线 300kHz,500kHz和1MHz开关频率 用户可选择的选项,允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除,则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压保护和欠压电压保护 应用 终端产品 高电流POL应用 AS...
发表于 07-30 04:02 88次 阅读
NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

NCP3231A 高电流同步降压转换器

1A是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出o电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 49次 阅读
NCP3231A 高电流同步降压转换器

NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

1B是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 1MHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出ove r电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 36次 阅读
NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

NCP3231 高电流同步降压转换器

1是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低 - 侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出过压保护和欠压保护 使用热敏电阻或传感器进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电力良好输出 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 34次 阅读
NCP3231 高电流同步降压转换器

NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

2是一款低输入电压,6 A同步降压转换器,集成了30mΩ高侧和低侧MOSFET。 NCP1592专为空间敏感和高效应用而设计。主要特性包括:高性能电压误差放大器,欠压锁定电路,防止启动直到输入电压达到3 V,内部或外部可编程软启动电路,以限制浪涌电流,以及电源良好的输出监控信号。 NCP1592采用耐热增强型28引脚TSSOP封装。 特性 30mΩ,12 A峰值MOSFET开关,可在6 A连续输出源或接收器处实现高效率电流 可调节输出电压低至0.891 V,准确度为1.0% 宽PWM频率:固定350 kHz,550 kHz或可调280 kHz至700 kHz 应用 终端产品 低压,高密度分布式电源系统 FPGA 微处理器 ASICs 便携式计算机/笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 53次 阅读
NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

C转换器采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,可提供高达30 A的电流。 特性 优势 效率高 降低功耗并减少散热问题 4.5 V至18 V输入范围 允许使用5 V或12 V母线进行操作 综合mosfets 简化设计并提高可靠性 可调节软启动时序,输出电压 设计灵活性 过压,欠压和过流保护 安全启动到预偏置输出 应用 终端产品 高电流POL应用 为asics,fpga和DSP供电 基站 服务器和存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 32次 阅读
NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器

5是一款带内部MOSFET的15 A DC / DC转换器,设计灵活。该器件可提供低至0.6V至输入电压80%以上的可调输出电压。功能包括可调电流限制,输出电压和软启动时序。引脚可选功能可实现550 kHz或1 MHz的开关频率,选择DCM / CCM工作模式,以及在过流期间锁定或打嗝模式的能力。该器件可配置为在超声模式下工作,以避开音频带。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm TQFN封装。 特性 优势 准确0.6 V参考 可调输出以设置所需电压低至0.6 V DCM / CCM可选择选项 在不连续模式下操作以在轻负载下提高效率 550kHz / 1.1MHz开关频率 选择更高效率或更小输出滤波器的设计灵活性 超声波模式 保持电容器不发出声音 热增强型QFN封装 3个裸露焊盘散布更高 4.5 V至21 V的宽工作范围 允许跨多个应用程序使用 可调软启动 允许在通电期间平稳上升 应用 终端产品 计算/服务器 数据通信/网络 FGPA,ASIC,DSP电源 12 V负载点 桌面 服务器 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 29次 阅读
NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器