三大NAND生产厂商再次掀起新一轮军备竞赛

随着NAND Flash价格的连续走低，为了防止过量的NAND闪存供应导致市场崩溃，三大NAND生产厂商、Intel、美光以及SK海力士已经共同宣布将采取手段遏制供大于求的现状，具体来讲就是全方位的减缓生产速度——少切点晶圆，慢建新产线。下半年开始NAND Flash价格明显止跌，近期三星、SK海力士、美光等原厂又再次掀起了新一轮的军备竞赛，一些新的工厂开始正式纳入规划或者即将投入运营，这将给NAND Flash产业带来什么变化？又是否是中国的机遇？

三星

2014年三星在西安建设工厂量产了第一代V－NAND ，2018年开始，三星在西安持续投资兴建二期项目，根据建厂进度，该工厂预计在2019年底建设完工后，设备将搬入并开始量产。

如今有消息称，三星西安二期工厂已安装部分设备并开始试运行，以检查量产前的情况，预计将在2020年2月开始批量生产。三星除了西安二期工厂，位于平泽工厂不远处所新建的P2 Project建设也基本完成，已进行了少量的设备投资。

三星新工厂选择在2020年投产，除了有助于缓解当前市场供过于求的市况外，2020年5G手机将掀起一波换机需求，而中国是重要的市场，同时对大容量NAND Flash需求也会增加，在贸易紧张的关系下，三星加大在中国新工厂的投资，将可更好的满足中国市场需求。

SK海力士

SK海力士在清州兴建的M15工厂已经开始投产，M15工厂是为了生产堆叠72层与堆叠96层3D NAND，以提高SK海力士在NANDFlash市场主控权。在M15之后，M16工厂也被提上日程，该工厂于去年年底开建，计划20202年完工，M16工厂将用上最先进的EUV光刻工艺。

在技术方面，6 月 26 日，SK 海力士宣布已成功开发世界上第一款“128 层1Tb 的 4D NAND 闪存”，即将投入量产。该技术的突破为 SK 海力士未来在企业级固态硬盘（SSD）、5G 移动通信智能手机市场竞争提供了保障，能够及时为客户提供多种解决方案。

美光

美光自去年开始扩建新加坡的Fab 10工厂，旨在进行新的3D NAND工艺节点转换，并且保持和现在一样的晶圆产量，今年8月，美光新加坡Fab 10A新工厂完成。此前美光在新加坡已有两座工厂，分别名为Fab 10N和Fab 10X，主要生产NANDFlash晶圆，这两个工厂的Wafer产出大约占美光整体NANDFlash一半的产能。

在技术方面，根据最新消息，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构，将于明年开始小范围量产。美光集团CEO表示，目前已经成功完成替代栅极架构的3D NAND芯片的首次流片，这一里程碑的进展降低了产品技术向下一代技术过渡的风险，并且强调首代替代栅极架构将被应用在128层NAND产品上，先期会被应用到特定的产品线。

东芝

今年对于东芝来说是特殊的一年，从10月开始，东芝存储将更名为“Kioxia”，中文名为“铠侠”， 改名后的东芝近日宣布与西数共同投资的日本岩手县K1工厂将于2020年上半年开始生产。

据了解，K1工厂将生产3D闪存，以支持数据中心、智能手机和自动驾驶汽车等应用不断增长的存储需求。东芝和西数两家公司对K1工厂的设备进行联合资本投资，使得该工厂可以在2020年开始进行96层3D闪存的初始生产。此外，东芝还打算在四日市投资兴建Fab 7工厂，该工厂计划2020年动工，2022年投入生产，新工厂建成后，东芝将会有8座工厂投入运营。

英特尔

英特尔作为最早做储存器的企业之一，已经连续多年是是全球半导体销售额的首位， 如今时隔34年后它宣布要重返存储器市场。发布新一代存储器业务战略，将炮火瞄准存储器半导体大厂三星电子和SK海力士。

上个月，英特尔介绍了其在3D NAND闪存上的最新动态。英特尔透露，2019年第四季度将会推出96层的3DNAND闪存产品，并且还率先在业内展示了用于数据中心级固态盘的144层QLC（四级单元）NAND，预计将于2020年推出。

英特尔采用3D Xpoint、是与美光联合发布的新型闪存技术，号称是25年来存储技术的革命性突破，速度是目前NAND闪存的1000倍，耐用性也是目前闪存的1000倍，密度是NAND的10倍。不过英特尔能否如愿以偿，决定于3D Xpoint产品能否取得众多服务器客户的青睐，目前尚为时过早。

国产追赶仍需时日

在NAND Flash市场中，三星、东芝、镁光、SK海力士、西部数据、英特尔这六家企业长期垄断着全球99％以上的份额。国产储存在全球市场中目前还影响力不足，东芝高管上个月曾表示：“中国内存厂商在二三年内赶上不容易，他认为市场供应过剩的局面已经终结，此前的供应过剩已将利润率挤压至10年来的最低水平。”

作为后来者的长江存储，其实早在2018年，就已经量产了32层3D NAND闪存芯片。然而在2018年，各家的64层、72层3D NAND闪存已经是主打产品，早已全面铺货，落后一代的差距使得当时长江存储并没有引起业界关注。9月初，长江存储宣布开始量产基于Xtacking架构的64层256GB TLC 3D NAND闪存 ，而这也是中国首次实现64层3D NADA闪存芯片的量产，中国距离国际水平又近了一步。